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Portelli, Marcus, Alessandro Bertarelli, Federico Carra, Michele Pasquali, Nicholas Sammut et Pierluigi Mollicone. « Numerical and experimental benchmarking of the dynamic response of SiC and TZM specimens in the MultiMat experiment ». Mechanics of Materials 138 (novembre 2019) : 103169. http://dx.doi.org/10.1016/j.mechmat.2019.103169.
Texte intégralNikzad Khangholi, Siamak, Mousa Javidani, Alexandre Maltais et X. Grant Chen. « Investigation on electrical conductivity and hardness of 6xxx aluminum conductor alloys with different Si levels ». MATEC Web of Conferences 326 (2020) : 08002. http://dx.doi.org/10.1051/matecconf/202032608002.
Texte intégralLiu, R. J., L. M. Porter, M. J. Kim, R. W. Carpenter et R. F. Davis. « Microstructure of Cr-B Ohmic and Rectifying Contacts on (0001) 6H Sic ». Microscopy and Microanalysis 3, S2 (août 1997) : 641–42. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600038484.
Texte intégralLiu, R. J., L. M. Porter, M. J. Kim, R. W. Carpenter et R. F. Davis. « Microstructure of Cr-B Ohmic and Rectifying Contacts on (0001) 6H Sic ». Microscopy and Microanalysis 3, S2 (août 1997) : 641–42. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600010096.
Texte intégralPark, K., et C. Sung. « Characterization of SiC fiber-reinforced SiC composites by TEM ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 52 (1994) : 632–33. http://dx.doi.org/10.1017/s042482010017089x.
Texte intégralAoki, Masahiko, Megumi Miyazaki, Taro Nishiguchi, Hiroyuki Kinoshita et Masahiro Yoshimoto. « TEM Observation of the Polytype Transformation of Bulk SiC Ingot ». Materials Science Forum 600-603 (septembre 2008) : 365–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.365.
Texte intégralWang, E. Y., X. Pan, J. P. Mansfield, T. Kennedy et S. Hampshire. « TEM Studies of Silicon Nitride-Silicon Carbide Nanocomposites ». Microscopy and Microanalysis 3, S2 (août 1997) : 411–12. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600008941.
Texte intégralBertrand, S., C. Droillard, R. Pailler, X. Bourrat et R. Naslain. « TEM structure of (PyC/SiC)n multilayered interphases in SiC/SiC composites ». Journal of the European Ceramic Society 20, no 1 (janvier 2000) : 1–13. http://dx.doi.org/10.1016/s0955-2219(99)00086-2.
Texte intégralDiot, C., et V. Arnault. « Orientation Anisotropy in SiC Matrix of Unidirectional SiC/SiC Composite ». Textures and Microstructures 14 (1991) : 389–95. http://dx.doi.org/10.1155/tsm.14-18.389.
Texte intégralNutt, S. R., et David J. Smith. « High-resolution TEM of thin-film β-SiC interfaces ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 44 (août 1986) : 408–9. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100143638.
Texte intégralCarter, C. H., J. E. Lane, J. Bentley et R. F. Davis. « Determination of creep mechanisms in various silicon carbides via TEM ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 44 (août 1986) : 484–87. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100143973.
Texte intégralMatsuhata, Hirofumi, Junji Senzaki, Ichiro Nagai et Hirotaka Yamaguchi. « TEM Observation of SiO2/4H-SiC Hetero Interface ». Materials Science Forum 600-603 (septembre 2008) : 671–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.671.
Texte intégralLiu, R. J., M. J. Kim, R. W. Carpenter, L. M. Porter, L. P. Scheunemann et R. F. Davis. « A TEM Study of Cr Based Contacts to (0001) 6H-SiC ». Microscopy and Microanalysis 6, S2 (août 2000) : 1064–65. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600037818.
Texte intégralMarinova, Maya, Alkyoni Mantzari, Milena Beshkova, Mikael Syväjärvi, Rositza Yakimova et Efstathios K. Polychroniadis. « TEM Investigation of the 3C/6H-SiC Transformation Interface in Layers Grown by Sublimation Epitaxy ». Solid State Phenomena 163 (juin 2010) : 97–100. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.163.97.
Texte intégralPerić Gavrančić, Sanja. « Sic etiam Croati ». Povijesni prilozi 39, no 58 (2020) : 7–28. http://dx.doi.org/10.22586/pp.v39i58.10115.
Texte intégralBorysiuk, Jolanta, Wlodek Strupiński, Rafał Bożek, Andrzej Wysmolek et Jacek M. Baranowski. « TEM Investigations of Graphene on 4H-SiC(0001) ». Materials Science Forum 615-617 (mars 2009) : 207–10. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.207.
Texte intégralPlummer, H. K., S. E. Shinozaki, B. N. Juterbock et R. M. Williams. « TEM Observation of a Mechanically Thinned SiC Material ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 43 (août 1985) : 232–33. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100118084.
Texte intégralGkanatsiou, Alexandra, Christos B. Lioutas, Nikolaos Frangis, Narendraraj Chandraraj, Efstathios K. Polychroniadis, Pawel Prystawko et Mike Leszczynski. « TEM Study of AlGaN/GaN on Hexagonal SiC Substrates ». Advanced Materials Research 936 (juin 2014) : 656–60. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.936.656.
Texte intégralMarinova, Maya, Georgios Zoulis, Teddy Robert, Frédéric Mercier, Alkyoni Mantzari, Irina G. Galben-Sandulache, Olivier Kim-Hak et al. « TEM and LTPL Investigations of 3C-SiC Layers Grown by LPE on (100) and (111) 3C-SiC Seeds ». Materials Science Forum 645-648 (avril 2010) : 383–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.383.
Texte intégralKameda, Toshimasa, Atsuo Tomita, Takaaki Matsui et Toshiyuki Isshiki. « TEM Observation of Defect Structure of Low-Energy Ion Implanted SiC ». Materials Science Forum 778-780 (février 2014) : 350–53. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.350.
Texte intégralElizalde, M. R., E. Paris et J. Gil-Sevillano. « La intercara fibra-matriz de un compuesto CMC de SiC-SiC : Comparación de imágenes SEM, TEM y AFM ». Revista de Metalurgia 34, Extra (30 mai 1998) : 226–31. http://dx.doi.org/10.3989/revmetalm.1998.v34.iextra.743.
Texte intégralSwiderska-Sroda, Anna, J. A. Kozubowski, A. Maranda-Niedbala, Ewa Grzanka, Bogdan F. Palosz, A. Presz, Stanislaw Gierlotka et al. « Investigation of the Microstructure of SiC-Zn Nanocomposites by Microscopic Methods : SEM, AFM and TEM ». Solid State Phenomena 101-102 (janvier 2005) : 151–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.101-102.151.
Texte intégralRossi, Francesca, Filippo Fabbri, Giovanni Attolini, Matteo Bosi, Bernard Enrico Watts et Giancarlo Salviati. « TEM and SEM-CL Studies of SiC Nanowires ». Materials Science Forum 645-648 (avril 2010) : 387–90. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.387.
Texte intégralRuterana, P., B. Beaumont, P. Gibart et Y. Melnik. « A TEM study of GaN grown by ELO on (0001) 6H-SiC ». MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000) : 76–82. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300004105.
Texte intégralBorysiuk, Jolanta, Rafał Bożek, Wlodek Strupiński et Jacek M. Baranowski. « Graphene Growth on C and Si-Face of 4H-SiC – TEM and AFM Studies ». Materials Science Forum 645-648 (avril 2010) : 577–80. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.577.
Texte intégralLiu, J. Q., M. Skowronski, P. G. Neudeck et J. A. Powell. « TEM Observation on Single Defect in SiC ». Microscopy and Microanalysis 8, S02 (août 2002) : 1180–81. http://dx.doi.org/10.1017/s143192760210777x.
Texte intégralDanishevskii, A. M., M. V. Zamoryanskaya, A. A. Sitnikova, V. B. Shuman et A. A. Suvorova. « TEM and cathodoluminescence studies of porous SiC ». Semiconductor Science and Technology 13, no 10 (1 octobre 1998) : 1111–16. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/13/10/010.
Texte intégralAlani, R., et P. R. Swann. « TEM specimen preparation of individual SiC/C composite (SCS-6) fibers ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 49 (août 1991) : 1104–5. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100089834.
Texte intégralLee, B.-T., D.-K. Kim, C.-K. Moon, J. K. Kim, Y. H. Seo, K. S. Nahm, H. J. Lee et al. « Microstructural investigation of low temperature chemical vapor deposited 3C-SiC/Si thin films using single-source precursors ». Journal of Materials Research 14, no 1 (janvier 1999) : 24–28. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1999.0006.
Texte intégralBow, J. S., F. Shaapur, M. J. Kim et R. W. Carpenter. « Preparation of thin-film-metal/6H-SiC TEM specimens by RPR ion milling ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 51 (1 août 1993) : 714–15. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100149404.
Texte intégralMantzari, Alkyoni, Christos B. Lioutas et Efstathios K. Polychroniadis. « A TEM Study of Inversion Domain Boundaries Annihilation Mechanism in 3C-SiC during Growth ». Materials Science Forum 615-617 (mars 2009) : 331–34. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.331.
Texte intégralYano, Toyohiko, Yoo Yamamoto et K. Yoshida. « TEM Investigation and Fracture Behavior of SiC/SiC Composites Fabricated by Hot-Pressing ». Key Engineering Materials 166 (avril 1999) : 135–38. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.166.135.
Texte intégralZhou, W. L., F. Namavar, P. C. Colter, M. Yoganathan, M. W. Leksono et J. I. Pankove. « Characterization of GaN Grown on SiC on Si/SiO2/Si by Metalorganic Chemical Vapor Deposition ». Journal of Materials Research 14, no 4 (avril 1999) : 1171–74. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1999.0155.
Texte intégralLebedev, Sergey P., Alexander A. Lebedev, Alla A. Sitnikova, Demid A. Kirilenko, Natasha V. Seredova, Alla S. Tregubova et Mikhail P. Scheglov. « Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Polar Faces of 6H-SiC Substrates, TEM Investigations ». Materials Science Forum 740-742 (janvier 2013) : 267–70. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.267.
Texte intégralGiannuzzi, L. A., C. A. Lewinsohn, C. E. Bakis et R. E. Tressler. « TEM of grain growth and phase transformations during creep of SCS-6 silicon carbide fibers ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 53 (13 août 1995) : 350–51. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100138129.
Texte intégralCabibbo, Marcello. « Strengthening Evaluation in a Composite Mg-RE Alloy Using TEM ». Materials Science Forum 678 (février 2011) : 75–84. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.678.75.
Texte intégralBow, J. S., M. J. Kim et R. W. Carpenter. « Comparative Oxidation Studies of Polycrystalline HP and CVD Silicon Carbides by TEM ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 49 (août 1991) : 938–39. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100089007.
Texte intégralDas, G., et R. E. Omlor. « TEM characterization of reaction zone in a SiC fiber-reinforced titanium alloy ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 46 (1988) : 738–39. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100105758.
Texte intégralBurke, M. G., M. N. Gungor et P. K. Liaw. « TEM examination of 2014-SiC metal matrix composite ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 46 (1988) : 726–27. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100105692.
Texte intégralOlivier, E. J., et J. H. Neethling. « TEM analysis of planar defects in β-SiC ». International Journal of Refractory Metals and Hard Materials 27, no 2 (mars 2009) : 443–48. http://dx.doi.org/10.1016/j.ijrmhm.2008.09.013.
Texte intégralPirouz, P., et J. W. Yang. « Polytypic transformations in SiC : the role of TEM ». Ultramicroscopy 51, no 1-4 (juin 1993) : 189–214. http://dx.doi.org/10.1016/0304-3991(93)90146-o.
Texte intégralSitnikova, A. A., E. N. Mokhov et E. I. Radovanova. « TEM Investigation of Radiation Defects in SiC Crystals ». Physica Status Solidi (a) 135, no 2 (16 février 1993) : K45—K49. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211350232.
Texte intégralMore, K. L. « An investigation of ion beam and pulsed laser Ni-SiC mixed surface structures by cross-sectional TEM ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 44 (août 1986) : 512–13. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100144073.
Texte intégralYOON, HAN-KI, HO-JUN CHO, AKIRA KOHYAMA et TETSUJI NODA. « R&D OF SICF/SIC COMPOSITE FOR FUSION REACTOR MATERIAL ». International Journal of Modern Physics B 25, no 31 (20 décembre 2011) : 4212–15. http://dx.doi.org/10.1142/s021797921106660x.
Texte intégralShibayama, T., H. Takahashi, M. Kawasaki et A. Kohyama. « Interface structure analysis of SiC fibres reinforced SiC matrix composites by energy filtering TEM ». Journal of Electron Microscopy 48, no 6 (1 janvier 1999) : 893–97. http://dx.doi.org/10.1093/oxfordjournals.jmicro.a023762.
Texte intégralHusnayani, Ihda, et Muzakkiy Putra Muhammad Akhir. « COLLISION CASCADE AND PRIMARY RADIATION DAMAGE IN SILICON CARBIDE : A MOLECULAR DYNAMICS STUDY ». JURNAL TEKNOLOGI REAKTOR NUKLIR TRI DASA MEGA 24, no 3 (9 novembre 2022) : 131. http://dx.doi.org/10.17146/tdm.2022.24.3.6702.
Texte intégralYasui, Kanji, T. Kurimoto, Masasuke Takata et Tadashi Akahane. « SiCOI Structure Fabricated by Hot-Mesh Chemical Vapor Deposition ». Advanced Materials Research 11-12 (février 2006) : 257–60. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.11-12.257.
Texte intégralChien, F. R., S. R. Nutt, W. S. Yoo, T. Kimoto et H. Matsunami. « Terrace growth and polytype development in epitaxial β-SiC films on α-SiC (6H and 15R) substrates ». Journal of Materials Research 9, no 4 (avril 1994) : 940–54. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1994.0940.
Texte intégralFang, J., H. M. Chan et M. P. Harmer. « TEM investigations of surface residual stress relaxation in A12O3 and Al2O3-SiC nanocomposite ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 52 (1994) : 628–29. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100170876.
Texte intégralGokhman, Aleksandr R., Andreas Ulbricht, Uwe Birkenheuer et Frank Bergner. « Cluster Dynamics Study of Neutron Irradiation Induced Defects in Fe-12.5at%Cr Alloy ». Solid State Phenomena 172-174 (juin 2011) : 449–57. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.172-174.449.
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