Littérature scientifique sur le sujet « Type II Heterostructures »
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Articles de revues sur le sujet "Type II Heterostructures"
Maevskaya, Maria V., Aida V. Rudakova, Alexandra V. Koroleva, Aleksandr S. Sakhatskii, Alexei V. Emeline et Detlef W. Bahnemann. « Effect of the Type of Heterostructures on Photostimulated Alteration of the Surface Hydrophilicity : TiO2/BiVO4 vs. ZnO/BiVO4 Planar Heterostructured Coatings ». Catalysts 11, no 12 (23 novembre 2021) : 1424. http://dx.doi.org/10.3390/catal11121424.
Texte intégralBhardwaj, Garima, Sandhya K., Richa Dolia, M. Abu-Samak, Shalendra Kumar et P. A. Alvi. « A Comparative Study on Optical Characteristics of InGaAsP QW Heterostructures of Type-I and Type-II Band Alignments ». Bulletin of Electrical Engineering and Informatics 7, no 1 (1 mars 2018) : 35–41. http://dx.doi.org/10.11591/eei.v7i1.872.
Texte intégralBehara, Dilip Kumar, Jalajakshi Tammineni et Mukkara Sudha Maheswari. « TiO2/ZnO : Type-II Heterostructures for electrochemical crystal violet dye degradation studies ». Macedonian Journal of Chemistry and Chemical Engineering 39, no 2 (26 octobre 2020) : 217. http://dx.doi.org/10.20450/mjcce.2020.2058.
Texte intégralLi, Jiayi, Yanming Lin, Minjie Zhang, Ying Peng, Xinru Wei, Zhengkun Wang, Zhenyi Jiang et Aijun Du. « Ferroelectric polarization and interface engineering coupling of Z-scheme ZnIn2S4/α-In2Se3 heterostructure for efficient photocatalytic water splitting ». Journal of Applied Physics 133, no 10 (14 mars 2023) : 105702. http://dx.doi.org/10.1063/5.0136862.
Texte intégralZakharova, A., et V. Gergel. « Resonant tunneling in type II heterostructures ». Solid State Communications 96, no 4 (octobre 1995) : 209–13. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(95)00435-1.
Texte intégralSchäfer, F., M. Stein, J. Lorenz, F. Dobener, C. Ngo, J. T. Steiner, C. Fuchs et al. « Gain recovery dynamics in active type-II semiconductor heterostructures ». Applied Physics Letters 122, no 8 (20 février 2023) : 082104. http://dx.doi.org/10.1063/5.0128777.
Texte intégralLi, Honglin, Yuting Cui, Haijun Luo et Wanjun Li. « The strain induced type-II band re-alignment of blue phosphorus-GeX (X = C/H/Se) heterostructures ». European Physical Journal Applied Physics 89, no 1 (janvier 2020) : 10103. http://dx.doi.org/10.1051/epjap/2020190325.
Texte intégralIchimura, Masaya. « Calculation of Band Offsets of Mg(OH)2-Based Heterostructures ». Electronic Materials 2, no 3 (1 juillet 2021) : 274–83. http://dx.doi.org/10.3390/electronicmat2030019.
Texte intégralБаженов, Н. Л., К. Д. Мынбаев, А. А. Семакова et Г. Г. Зегря. « Сравнительный анализ эффективности электролюминесценции в гетероструктурах I и II типа на основе узкозонных соединений А-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-V-=/SUP=- ». Физика и техника полупроводников 56, no 5 (2022) : 477. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2022.05.52349.9805.
Texte intégralLiu, Zixiang, et Zhiguo Wang. « Electronic Properties of MTe2/AsI3(M=Mo and W) Van der Waals Heterostructures ». MATEC Web of Conferences 380 (2023) : 01011. http://dx.doi.org/10.1051/matecconf/202338001011.
Texte intégralThèses sur le sujet "Type II Heterostructures"
LUGAGNE-DELPON, EMMANUEL. « Contributions a l'etude des heterostructures de type ii inp-(alin)as ». Paris 6, 1993. http://www.theses.fr/1993PA066160.
Texte intégralTEISSIER, ROLAND. « Effets electro-optiques dans les heterostructures gaas/alas de type ii ». Paris 6, 1992. http://www.theses.fr/1992PA066340.
Texte intégralNemitz, Ian R. « Synthesis of Nanoscale Semiconductor Heterostructures for Photovoltaic Applications ». Bowling Green State University / OhioLINK, 2010. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=bgsu1277087935.
Texte intégralDiederich, Geoffrey M. « Synthesis of Zinc Telluride/Cadmium Selenide/Cadmium Sulfide Quantum Dot Heterostructures for use in Biological Applications ». Bowling Green State University / OhioLINK, 2012. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=bgsu1342542873.
Texte intégralFuchs, Christian [Verfasser], et Wolfgang [Akademischer Betreuer] Stolz. « Epitaxial growth and characterization of GaAs-based type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well heterostructures and lasers / Christian Fuchs ; Betreuer : Wolfgang Stolz ». Marburg : Philipps-Universität Marburg, 2018. http://d-nb.info/1171424728/34.
Texte intégralArnoult, Alexandre. « Dopage par modulation d'hétérostructures de semiconducteurs II-VI semimagnétiques en épitaxie par jets moléculaires ». Université Joseph Fourier (Grenoble), 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10237.
Texte intégralGodoy, Marcio Peron Franco de. « Propriedades de pontos quânticos de InP/GaAs ». [s.n.], 2006. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277715.
Texte intégralTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin
Made available in DSpace on 2018-08-06T18:02:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Godoy_MarcioPeronFrancode_D.pdf: 4057709 bytes, checksum: 0df1e56082150d4109dcf891f05d4da6 (MD5) Previous issue date: 2006
Resumo: Neste trabalho estudamos as propriedade estruturais e ópticas de pontos quânticos auto-organizados de InP crescidos sobre o substrato de GaAs. Esta estrutura apresenta o alinhamento de bandas tipo-II na interface, confinando o elétron no ponto quântico, enquanto o buraco mantém-se na barreira, próximo à interface devido à interação coulombiana atrativa. As amostras foram crescidas por epitaxia de feixe químico (CBE) no modo Stranskii-Krastanov. Os pontos quânticos apresentam raio médio de 25 nm e grande dispersão de altura (1-5 nm) e ocorre a relaxação parcial do parâmetro de rede, chegando a 2 %, em pontos quânticos superficiais. Do ponto de vista de propriedades ópticas, a fotoluminescência de pontos quânticos superficiais exibe uma eficiente emissão óptica, devido a baixa velocidade de recombinação dos estados superficiais do InP, e reflete a densidade e distribuição bimodal de tamanhos. Além disso, sua emissão óptica em função da intensidade de excitação exibe comportamento diverso em comparação com pontos quânticos cobertos com uma camada de GaAs. Em pontos quânticos cobertos, determinamos a energia de ativação térmica, que varia de 6 a 8 meV, e é associada à energia de ligação do éxciton ou energia de ionização do buraco. O decaimento temporal da luminescência de pontos quânticos é de 1,2 ns, um tempo relativamente curto para um ponto quântico tipo-II. A análise das propriedades magneto-ópticas em pontos quânticos individuais, inédita em QDs tipo-II, permitiu verificar que o fator-g do éxciton é praticamente constante, independentemente do tamanho dos QDs, devido ao fato dos buracos estarem levemente ligados. Por fim, mostramos a versatilidade do sistema acoplando-o a um poço quântico de InGaAs. Este acoplamento introduz mudanças na superposição das funções de onda do par elétron-buraco que permitem a manipulação do tempo de decaimento da luminescência e da energia de ligação excitônica
Abstract: We have investigated structural and optical properties of InP self-assembled quantum dots grown on GaAs substrate. This system presents a type-II band lineup where only electrons are confined in the InP quantum dots. The InP/GaAs quantum dots were grown by chemical beam epitaxy in the Stranskii-Krastanov mode. Our quantum dots present a mean radius of 25 nm and large height dispersion, 1-5 nm, and a partial relieve of the strain up to 2 % is observed. The photoluminescence spectra of surface quantum dots show an efficient optical emission, which is attributed to the low surface recombination velocity in InP. We observed a bimodal dispersion of the dots size distribution, giving rise to two distinct emission bands. A remarkable result is the relatively large blue shift of the emission band from uncapped samples as compared to those for capped dots. In capped quantum dots, we obtained the thermal activation energy, from 6 to 8 meV, which is associated to the exciton binding energy or hole ionization energy. The observed luminescence decay time is about 1.2 ns, relatively short decay time for type II system. We investigated magneto-optical properties using single-dot spectroscopy. The values of the exciton g factor obtained for a large number of single InP/GaAs dots are mainly constant independent of the emission energy and, therefore, of the quantum dot size. The result is attributed to the weak confinement of the holes in InP/GaAs QDs. We have also investigated structures where InP quantum dots are coupled to a InGaAs quantum well. This system permits the manipulation of the wave function overlap between electron-hole in order to control the optical emission decay time and exciton binding energy
Doutorado
Física
Doutor em Ciências
Eley, Clive William. « The rational design of photocatalytic semiconductor nanocrystals ». Thesis, University of Oxford, 2014. http://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:ee29c922-857c-432a-8316-a7e04c822b1d.
Texte intégralO'Connor, Timothy F. III. « Synthesis and Dynamics of Photocatalytic Type-II ZnSe/CdS/Pt Metal-Semiconductor Heteronanostructures ». Bowling Green State University / OhioLINK, 2012. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=bgsu1340038781.
Texte intégralNogaret, Alain. « Etude comparée du transport par effet tunnel résonnant dans les hétérostructures semiconductrices de type I et II en présence de pression hydrostatique et de fort champ magnétique ». Toulouse, INSA, 1993. http://www.theses.fr/1993ISAT0037.
Texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Type II Heterostructures"
Mendez, E. E., H. Ohno, L. Esaki et W. I. Wang. « Resonant Magnetotunneling in Type II Heterostructures ». Dans Resonant Tunneling in Semiconductors, 51–60. Boston, MA : Springer US, 1991. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-3846-2_5.
Texte intégralZhang, Yong. « ZnO and GaN Nanowire-Based Type II Heterostructures ». Dans Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2, 85–103. Hoboken, NJ, USA : John Wiley & Sons, Inc., 2014. http://dx.doi.org/10.1002/9781118984291.ch4.
Texte intégralHeuring, W., E. Bangert, G. Landwehr, G. Weimann et W. Schlapp. « p-Type GaAs-(GaAI)As Heterostructures in Tilted Magnetic Fields : Theory and Experiments ». Dans High Magnetic Fields in Semiconductor Physics II, 190–93. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-83810-1_30.
Texte intégralRoberts, M., N. J. Mason, S. G. Lyapin, Y. C. Chung et P. C. Klipstein. « Vertical transport and interband luminescence in type II InAs/GaSb/InAs heterostructures ». Dans Springer Proceedings in Physics, 829–30. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2001. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-59484-7_393.
Texte intégralOssau, W., T. L. Kuhn, E. Bangert et G. Weimann. « The H-Band Luminescence of p-Type GaAs-(GaAl)As Heterostructures in High Magnetic Fields ». Dans High Magnetic Fields in Semiconductor Physics II, 268–77. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-83810-1_41.
Texte intégralAkimoto, R., Y. Kinpara et K. Akita. « Large quantum confinement effect of conduction electrons in ZnSe/BeTe type II heterostructures ». Dans Springer Proceedings in Physics, 471–72. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2001. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-59484-7_220.
Texte intégralGourdon, C., D. Martins, V. Voliotis, P. Lavallard et E. L. Ivchenko. « Oscillatory behavior of the Г-X coupling with AlAs thickness in type II GaAs/AlAs heterostructures ». Dans Springer Proceedings in Physics, 515–16. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2001. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-59484-7_242.
Texte intégralTeissier, R., R. Planel et F. Mollot. « All Optical Bistability in a Type II Heterostructure ». Dans Optical Information Technology, 265–71. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-78140-7_29.
Texte intégralSingh, Amit Kumar, Rohit Singh, Dibyendu Chowdhury et Amit Rathi. « Optical Response in Strained Type-II AlInAs/AlSb Ultrathin QW Heterostructure ». Dans Lecture Notes in Electrical Engineering, 569–75. Singapore : Springer Nature Singapore, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-19-0588-9_56.
Texte intégralYadav, Nisha, Garima Bhardwaj, S. G. Anjum, K. Sandhya, M. J. Siddiqui et P. A. Alvi. « Quantum Well Width Effect on Intraband Optical Absorption in Type-II InAs/AlSb Nano-Scale Heterostructure ». Dans Lecture Notes in Electrical Engineering, 191–97. Singapore : Springer Singapore, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-10-7395-3_22.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Type II Heterostructures"
Hirst, Louise C., Michael K. Yakes, Chaffra A. Affouda, Christopher G. Bailey, Joseph G. Tischler, Hamidreza Esmaielpour, Vincent R. Whiteside et al. « Hot-carrier effects in type II heterostructures ». Dans 2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/pvsc.2015.7356231.
Texte intégralAhn, H. S., M. S. Park et J. H. Jang. « Phototransistors based on InP/GaAsSb/InGaAs type-II heterostructures ». Dans Related Materials (IPRM). IEEE, 2008. http://dx.doi.org/10.1109/iciprm.2008.4703037.
Texte intégralNussbaum, Simon. « Towards organic-inorganic hybrid type-II layered perovskite nano-heterostructures ». Dans MATSUS23 & Sustainable Technology Forum València (STECH23). València : FUNDACIO DE LA COMUNITAT VALENCIANA SCITO, 2022. http://dx.doi.org/10.29363/nanoge.matsus.2023.029.
Texte intégralShterengas, L., A. Ongstad, R. Kaspi, S. Suchalkin, G. Belenky, M. Kisin et D. Donetsky. « Carrier capture in InGaAsSb/InAs/InGaSb type-II QW laser heterostructures ». Dans 2006 Conference on Lasers and Electro-Optics and 2006 Quantum Electronics and Laser Science Conference. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/cleo.2006.4628718.
Texte intégralDuggan, G., et H. I. Ralph. « Exciton Binding Energy In Type-II GaAs-AlAs Quantum Well Heterostructures ». Dans Semiconductor Conferences, sous la direction de Gottfried H. Doehler et Joel N. Schulman. SPIE, 1987. http://dx.doi.org/10.1117/12.940833.
Texte intégralZheng, Jun, C. H. T. Lin et Shin Shem Pei. « Simulations of InAs/InGaSb type-II heterostructures for mid-IR lasers ». Dans Optoelectronics '99 - Integrated Optoelectronic Devices, sous la direction de Peter Blood, Akira Ishibashi et Marek Osinski. SPIE, 1999. http://dx.doi.org/10.1117/12.356917.
Texte intégralMiles, R. H., et M. E. Flatté. « Type-II Superlattices for Infrared Optoelectronics and Lasers ». Dans Quantum Optoelectronics. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1997. http://dx.doi.org/10.1364/qo.1997.qfa.3.
Texte intégralNanda, Jagjit, Sergei Ivanov, Ilya Bezel et Victor I. Klimov. « Tunable optical gain and amplified spontaneous emission using type I and type II nanocrystal heterostructures ». Dans International Quantum Electronics Conference. Washington, D.C. : OSA, 2004. http://dx.doi.org/10.1364/iqec.2004.ithc2.
Texte intégralTitkov, A. N., Yury P. Yakovlev, Alexej N. Baranov et V. N. Cheban. « Tunneling recombination of carriers at type-II interface in GaInAsSb-GaSb heterostructures ». Dans Physical Concepts of Materials for Novel Optoelectronic Device Applications, sous la direction de Manijeh Razeghi. SPIE, 1991. http://dx.doi.org/10.1117/12.24429.
Texte intégralLiu, Hui C., Emmanuel Dupont, John P. McCaffrey, Margaret Buchanan, Dongxu Zhang, Rui Q. Yang, C. H. T. Lin, Stefan J. Murry et Shin Shem Pei. « Mid-infrared interband cascade emission in InAs/GaInSb/AlSb type-II heterostructures ». Dans Optoelectronics and High-Power Lasers & Applications, sous la direction de Hong K. Choi et Peter S. Zory. SPIE, 1998. http://dx.doi.org/10.1117/12.304456.
Texte intégral