Articles de revues sur le sujet « Two Dimensional Electron Systems (2DES) »
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Satou, Akira, et Koichi Narahara. « Numerical Characterization of Dyakonov-Shur Instability in Gated Two-Dimensional Electron Systems ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 25, no 03n04 (septembre 2016) : 1640024. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156416400243.
Texte intégralFreeman, M. L., Tzu-Ming Lu et L. W. Engel. « Resistively loaded coplanar waveguide for microwave measurements of induced carriers ». Review of Scientific Instruments 93, no 4 (1 avril 2022) : 043901. http://dx.doi.org/10.1063/5.0085112.
Texte intégralD’Antuono, M., A. Kalaboukhov, R. Caruso, S. Wissberg, S. Weitz Sobelman, B. Kalisky, G. Ausanio, M. Salluzzo et D. Stornaiuolo. « Nanopatterning of oxide 2-dimensional electron systems using low-temperature ion milling ». Nanotechnology 33, no 8 (30 novembre 2021) : 085301. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac385e.
Texte intégralVerseils, Marine, Alexandre Voute, Benjamin Langerome, Maxime Deutsch, Jean-Blaise Brubach, Alexei Kalaboukhov, Alessandro Nucara, Paolo Calvani et Pascale Roy. « Grazing-angle reflectivity setup for the low-temperature infrared spectroscopy of two-dimensional systems ». Journal of Synchrotron Radiation 26, no 6 (11 septembre 2019) : 1945–50. http://dx.doi.org/10.1107/s1600577519010920.
Texte intégralPHONG, TRAN CONG, VO THANH LAM et LUONG VAN TUNG. « CALCULATION OF THE INTENSITY-DEPENDENT ABSORPTION SPECTRUM IN TWO-DIMENSIONAL ELECTRON SYSTEMS ». Modern Physics Letters B 25, no 11 (10 mai 2011) : 863–72. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984911026061.
Texte intégralCHEBOTAREV, ANDREY, et GALINA CHEBOTAREVA. « CYCLOTRON RESONANCE VANISHING EFFECT AND THz DETECTION ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 18, no 04 (décembre 2008) : 959–69. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156408005916.
Texte intégralCangas, R., et M. A. Hidalgo. « Influence of the Spin–Orbit Interaction on the Magnetotransport Properties of a Two-Dimensional Electron System ». SPIN 05, no 03 (septembre 2015) : 1530003. http://dx.doi.org/10.1142/s2010324715300030.
Texte intégralMORGENSTERN, MARKUS. « PROBING THE LOCAL DENSITY OF STATES OF DILUTE ELECTRON SYSTEMS IN DIFFERENT DIMENSIONS ». Surface Review and Letters 10, no 06 (décembre 2003) : 933–62. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x0300575x.
Texte intégralBAENNINGER, MATTHIAS, ARINDAM GHOSH, MICHAEL PEPPER, HARVEY E. BEERE, IAN FARRER et DAVID A. RITCHIE. « MAGNETIC FIELD INDUCED INSTABILITIES IN LOCALIZED TWO-DIMENSIONAL ELECTRON SYSTEMS ». International Journal of Modern Physics B 23, no 12n13 (20 mai 2009) : 2708–12. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979209062232.
Texte intégralDOHI, M., R. YONAMINE, K. OTO et K. MURO. « POTENTIAL IMAGING IN QUANTUM HALL DEVICES BY OPTICAL FIBER BASED POCKELS MEASUREMENT ». International Journal of Modern Physics B 21, no 08n09 (10 avril 2007) : 1414–18. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979207042926.
Texte intégralHatke, A. T., H. Deng, Yang Liu, L. W. Engel, L. N. Pfeiffer, K. W. West, K. W. Baldwin et M. Shayegan. « Wigner solid pinning modes tuned by fractional quantum Hall states of a nearby layer ». Science Advances 5, no 3 (mars 2019) : eaao2848. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.aao2848.
Texte intégralDAHAN, PINCHAS, et ISRAEL VAGNER. « HIGH FIELD RESONANT TUNING OF THE NUCLEAR SPIN-QUBIT RELAXATION RATE IN 2DES WITH MAGNETIC IMPURITIES : STRONG SCATTERING LIMIT ». International Journal of Modern Physics B 18, no 27n29 (30 novembre 2004) : 3865–70. http://dx.doi.org/10.1142/s021797920402761x.
Texte intégralMeng, You, Fangzhou Li, Changyong Lan, Xiuming Bu, Xiaolin Kang, Renjie Wei, SenPo Yip et al. « Artificial visual systems enabled by quasi–two-dimensional electron gases in oxide superlattice nanowires ». Science Advances 6, no 46 (novembre 2020) : eabc6389. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.abc6389.
Texte intégralWEXLER, CARLOS, et ORION CIFTJA. « NOVEL LIQUID CRYSTALLINE PHASES IN QUANTUM HALL SYSTEMS ». International Journal of Modern Physics B 20, no 07 (20 mars 2006) : 747–78. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979206033632.
Texte intégralDu, Shuo, Yang Guo, Xin Huang, Chi Sun, Zhaoqian Zhang, Leyong Hu, Ruixuan Zheng et al. « Strain lithography for two-dimensional materials by electron irradiation ». Applied Physics Letters 120, no 9 (28 février 2022) : 093104. http://dx.doi.org/10.1063/5.0082556.
Texte intégralXU, W. « FAR-INFRARED EMISSION BY HEATED ELECTRONS IN A TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR SYSTEM ». Modern Physics Letters B 10, no 06 (10 mars 1996) : 181–88. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984996000225.
Texte intégralJavaid Iqbal, Muhammad, Dirk Reuter, Andreas Dirk Wieck et Caspar van der Wal. « Characterization of low-resistance ohmic contacts to a two-dimensional electron gas in a GaAs/AlGaAs heterostructure ». European Physical Journal Applied Physics 89, no 2 (février 2020) : 20101. http://dx.doi.org/10.1051/epjap/2020190202.
Texte intégralJin, Eric N., Lior Kornblum, Charles H. Ahn et Frederick J. Walker. « Integrating 2D electron gas oxide heterostructures on silicon using rare-earth titanates ». MRS Advances 1, no 4 (2016) : 287–92. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2016.95.
Texte intégralAn, Yuan, Kailin Ren, Luqiao Yin et Jianhua Zhang. « Modeling on Monolithic Integration Structure of AlGaN/InGaN/GaN High Electron Mobility Transistors and LEDs : 2DEG Density and Radiative Recombination ». Electronics 12, no 5 (22 février 2023) : 1087. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12051087.
Texte intégralNITTA, JUNSAKU. « SPIN RELATED TRANSPORT IN RASHBA 2DEG SYSTEMS ». International Journal of Modern Physics B 22, no 01n02 (20 janvier 2008) : 107. http://dx.doi.org/10.1142/s021797920804613x.
Texte intégralFARID, BEHNAM. « ON THE RESPONSE OF COMPOSITE FERMIONS TO WEAK ELECTROSTATIC POTENTIALS ». International Journal of Modern Physics B 18, no 22 (20 septembre 2004) : 3047–55. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979204026378.
Texte intégralChauhan, Prashant, Candice Thomas, Tyler Lindemann, Geoffrey C. Gardner, J. Gukelberger, M. J. Manfra et N. P. Armitage. « Measurements of cyclotron resonance of the interfacial states in strong spin–orbit coupled 2D electron gases proximitized with aluminum ». Applied Physics Letters 120, no 14 (4 avril 2022) : 142105. http://dx.doi.org/10.1063/5.0087401.
Texte intégralRodríguez, Eduardo Martín, et Estrella González R. « GaAs/AlGaAs nanoheterostructures : Simulation and application on high mobility transistors ». Ingeniería e Investigación 31, no 1 (1 janvier 2011) : 144–53. http://dx.doi.org/10.15446/ing.investig.v31n1.20535.
Texte intégralThalhammer, Stefan, Andreas Hörner, Matthias Küß, Stephan Eberle, Florian Pantle, Achim Wixforth et Wolfgang Nagel. « GaN Heterostructures as Innovative X-ray Imaging Sensors—Change of Paradigm ». Micromachines 13, no 2 (19 janvier 2022) : 147. http://dx.doi.org/10.3390/mi13020147.
Texte intégralTan, Yuting, Vladimir Dobrosavljević et Louk Rademaker. « How to Recognize the Universal Aspects of Mott Criticality ? » Crystals 12, no 7 (30 juin 2022) : 932. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12070932.
Texte intégralZIMBOVSKAYA, NATALIYA A., et JOSEPH L. BIRMAN. « DEFORMED FERMI SURFACE THEORY OF MAGNETO–ACOUSTIC RESPONSE IN MODULATED QUANTUM HALL SYSTEMS NEAR ν=1/2 ». International Journal of Modern Physics B 13, no 08 (30 mars 1999) : 859–68. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979299000722.
Texte intégralSheu, Gene, Yu-Lin Song, Ramyasri Mogarala, Dupati Susmitha et Kutagulla Issac. « Breakdown Behavior of Metal Contact Positions in GaN HEMT with Nitrogen-Implanted Gate Using TCAD Simulation ». Micromachines 13, no 2 (22 janvier 2022) : 169. http://dx.doi.org/10.3390/mi13020169.
Texte intégralZavjalov, Alexey, Sergey Tikhonov et Denis Kosyanov. « TiO2–SrTiO3 Biphase Nanoceramics as Advanced Thermoelectric Materials ». Materials 12, no 18 (7 septembre 2019) : 2895. http://dx.doi.org/10.3390/ma12182895.
Texte intégralNiu, Di, Quan Wang, Wei Li, Changxi Chen, Jiankai Xu, Lijuan Jiang, Chun Feng et al. « The Influence of the Different Repair Methods on the Electrical Properties of the Normally off p-GaN HEMT ». Micromachines 12, no 2 (26 janvier 2021) : 131. http://dx.doi.org/10.3390/mi12020131.
Texte intégralFang, Yi, Ling Chen, Yuqi Liu et Hong Wang. « Reduction in RF Loss Based on AlGaN Back-Barrier Structure Changes ». Micromachines 13, no 6 (26 mai 2022) : 830. http://dx.doi.org/10.3390/mi13060830.
Texte intégralBartoš, I., et B. Rosenstein. « Deviations from Quantized Hall Conductivity and Current Density Distribution in Finite 2DEG Samples ». International Journal of Modern Physics B 11, no 22 (10 septembre 1997) : 2683–706. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979297001325.
Texte intégralFauzi, Najihah, Rahil Izzati Mohd Asri, Mohamad Faiz Mohamed Omar, Asrulnizam Abd Manaf, Hiroshi Kawarada, Shaili Falina et Mohd Syamsul. « Status and Prospects of Heterojunction-Based HEMT for Next-Generation Biosensors ». Micromachines 14, no 2 (27 janvier 2023) : 325. http://dx.doi.org/10.3390/mi14020325.
Texte intégralAnda, André, Darius Abramavičius et Thorsten Hansen. « Two-dimensional electronic spectroscopy of anharmonic molecular potentials ». Physical Chemistry Chemical Physics 20, no 3 (2018) : 1642–52. http://dx.doi.org/10.1039/c7cp06583c.
Texte intégralYashchyshyn, Yevhen, Paweł Bajurko, Jakub Sobolewski, Pavlo Sai, Aleksandra Przewłoka, Aleksandra Krajewska, Paweł Prystawko et al. « Graphene/AlGaN/GaN RF Switch ». Micromachines 12, no 11 (31 octobre 2021) : 1343. http://dx.doi.org/10.3390/mi12111343.
Texte intégralRaja, P. Vigneshwara, Nandha Kumar Subramani, Florent Gaillard, Mohamed Bouslama, Raphaël Sommet et Jean-Christophe Nallatamby. « Identification of Buffer and Surface Traps in Fe-Doped AlGaN/GaN HEMTs Using Y21 Frequency Dispersion Properties ». Electronics 10, no 24 (13 décembre 2021) : 3096. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10243096.
Texte intégralWEIS, JÜRGEN. « Hall Potential Profiles in Quantum Hall Samples Measured by a Low-Temperature Scanning Force Microscope ». International Journal of Modern Physics B 21, no 08n09 (10 avril 2007) : 1297–306. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979207042768.
Texte intégralYe, Tianyu, R. G. Mani et W. Wegscheider. « Microwave Reflection From The Microwave Photo-Excited High Mobility GaAs/AlGaAs Two-Dimensional Electron System ». MRS Proceedings 1617 (2013) : 19–24. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.1158.
Texte intégralNakata, H., K. Fujii, M. Saitoh et T. Ohyama. « Photoluminescence of Two-Dimensional Electron System in Modulation-Doped GaAs Quantum Well ». International Journal of Modern Physics B 15, no 28n30 (10 décembre 2001) : 3897–900. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979201008949.
Texte intégralZhang, Penghao, Luyu Wang, Kaiyue Zhu, Qiang Wang, Maolin Pan, Ziqiang Huang, Yannan Yang et al. « Non-Buffer Epi-AlGaN/GaN on SiC for High-Performance Depletion-Mode MIS-HEMTs Fabrication ». Micromachines 14, no 8 (29 juillet 2023) : 1523. http://dx.doi.org/10.3390/mi14081523.
Texte intégralYe, Tianyu, Ramesh Mani et Werner Wegscheider. « Microwave reflection study of ultra-high mobility GaAs/AlGaAs 2D-electron system at large filling factors ». MRS Proceedings 1635 (2014) : 69–74. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2014.107.
Texte intégralPatrizi, Barbara, Concetta Cozza, Adriana Pietropaolo, Paolo Foggi et Mario Siciliani de Cumis. « Synergistic Approach of Ultrafast Spectroscopy and Molecular Simulations in the Characterization of Intramolecular Charge Transfer in Push-Pull Molecules ». Molecules 25, no 2 (20 janvier 2020) : 430. http://dx.doi.org/10.3390/molecules25020430.
Texte intégralWang, Hongyue, Yijun Shi, Yajie Xin, Chang Liu, Guoguang Lu et Yun Huang. « Improving Breakdown Voltage and Threshold Voltage Stability by Clamping Channel Potential for Short-Channel Power p-GaN HEMTs ». Micromachines 13, no 2 (25 janvier 2022) : 176. http://dx.doi.org/10.3390/mi13020176.
Texte intégralCHEN, YONG P., Z. H. WANG, R. M. LEWIS, P. D. YE, L. W. ENGEL, D. C. TSUI, L. N. PFEIFFER et K. W. WEST. « AC MAGNETOTRANSPORT IN REENTRANT INSULATING PHASES OF TWO-DIMENSIONAL ELECTRONS NEAR 1/5 AND 1/3 LANDAU FILLINGS ». International Journal of Modern Physics B 18, no 27n29 (30 novembre 2004) : 3553–56. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979204027001.
Texte intégralDe Sio, Antonietta, Xuan Trung Nguyen et Christoph Lienau. « Signatures of Strong Vibronic Coupling Mediating Coherent Charge Transfer in Two-Dimensional Electronic Spectroscopy ». Zeitschrift für Naturforschung A 74, no 8 (27 août 2019) : 721–37. http://dx.doi.org/10.1515/zna-2019-0150.
Texte intégralAnna, Jessica M., Yin Song, Rayomond Dinshaw et Gregory D. Scholes. « Two-dimensional electronic spectroscopy for mapping molecular photophysics ». Pure and Applied Chemistry 85, no 7 (26 avril 2013) : 1307–19. http://dx.doi.org/10.1351/pac-con-12-10-21.
Texte intégralNanayakkara, T. R., R. L. Samaraweera, A. Kriisa, U. Kushan Wijewardena, S. Withanage, C. Reichl, W. Wegscheider et R. G. Mani. « Influence of microwave photo-excitation on the transport properties of the high mobility GaAs/AlGaAs 2D electron system ». MRS Advances 4, no 61-62 (2019) : 3347–52. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2020.30.
Texte intégralWang, Haiping, Haifan You, Jiangui Yang, Minqiang Yang, Lu Wang, Hong Zhao, Zili Xie et Dunjun Chen. « Simulation Study on the Structure Design of p-GaN/AlGaN/GaN HEMT-Based Ultraviolet Phototransistors ». Micromachines 13, no 12 (13 décembre 2022) : 2210. http://dx.doi.org/10.3390/mi13122210.
Texte intégralSun, Youlei, Ying Wang, Jianxiang Tang, Wenju Wang, Yifei Huang et Xiaofei Kuang. « A Breakdown Enhanced AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode with the T-Anode Position Deep into the Bottom Buffer Layer ». Micromachines 10, no 2 (26 janvier 2019) : 91. http://dx.doi.org/10.3390/mi10020091.
Texte intégralTAKEHANA, K., Y. IMANAKA, T. TAKAMASU et M. HENINI. « INFLUENCE OF NEARBY QD LAYER ON 2DES IN QUANTUM HALL REGIME ». International Journal of Modern Physics B 21, no 08n09 (10 avril 2007) : 1445–49. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979207042987.
Texte intégralTakaoka, Sadao, Kenichi Oto et Kazuo Murase. « Magnetocapacitance Investigation of Quantum Hall Effect and Edge States ». International Journal of Modern Physics B 11, no 22 (10 septembre 1997) : 2593–619. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979297001295.
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