Articles de revues sur le sujet « Three-phase SiC Inverter »
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Kranzer, Dirk, Florian Reiners, Christian Wilhelm et Bruno Burger. « System Improvements of Photovoltaic Inverters with SiC-Transistors ». Materials Science Forum 645-648 (avril 2010) : 1171–76. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.1171.
Texte intégralKim, Jaechang, Sangshin Kwak et Seungdeog Choi. « Impacts of SiC-MOSFET Gate Oxide Degradation on Three-Phase Voltage and Current Source Inverters ». Machines 10, no 12 (9 décembre 2022) : 1194. http://dx.doi.org/10.3390/machines10121194.
Texte intégralCosta, Pedro, Sónia Pinto et José Fernando Silva. « A Novel Analytical Formulation of SiC-MOSFET Losses to Size High-Efficiency Three-Phase Inverters ». Energies 16, no 2 (11 janvier 2023) : 818. http://dx.doi.org/10.3390/en16020818.
Texte intégralYang et Choi. « Power Efficiency Improvement of Three-Phase Split-Output Inverter Using Magnetically Coupled Inductor Switching ». Electronics 8, no 9 (30 août 2019) : 969. http://dx.doi.org/10.3390/electronics8090969.
Texte intégralAbdalgader, Ibrahim A. S., Sinan Kivrak et Tolga Özer. « Power Performance Comparison of SiC-IGBT and Si-IGBT Switches in a Three-Phase Inverter for Aircraft Applications ». Micromachines 13, no 2 (17 février 2022) : 313. http://dx.doi.org/10.3390/mi13020313.
Texte intégralColmenares, Juan, Diane-Perle Sadik, Patrik Hilber et Hans-Peter Nee. « Reliability Analysis of a High-Efficiency SiC Three-Phase Inverter ». IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 4, no 3 (septembre 2016) : 996–1006. http://dx.doi.org/10.1109/jestpe.2016.2551980.
Texte intégralLee, Heng, Chun Kai Liu et Tao Chih Chang. « The Study of Comparative Characterization between SiC MOSFET and Si- IGBT for Power Module and Three-Phase SPWM Inverter ». Materials Science Forum 1004 (juillet 2020) : 1045–53. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.1004.1045.
Texte intégralSasaki, Kensuke, Shinji Sato, Kohei Matsui, Yoshinori Murakami, Satoshi Tanimoto et Hidekazu Tanisawa. « 40 kW/L High Switching Frequency Three-Phase AC 400 V All-SiC Inverter ». Materials Science Forum 740-742 (janvier 2013) : 1081–84. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.1081.
Texte intégraldi Benedetto, Marco, Luca Bigarelli, Alessandro Lidozzi et Luca Solero. « Efficiency Comparison of 2-Level SiC Inverter and Soft Switching-Snubber SiC Inverter for Electric Motor Drives ». Energies 14, no 6 (18 mars 2021) : 1690. http://dx.doi.org/10.3390/en14061690.
Texte intégralCougo, Bernardo, Lenin Morais, Gilles Segond, Raphael Riva et Hoan Tran Duc. « Influence of PWM Methods on Semiconductor Losses and Thermal Cycling of 15-kVA Three-Phase SiC Inverter for Aircraft Applications ». Electronics 9, no 4 (7 avril 2020) : 620. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9040620.
Texte intégralChinthavali, Madhu Sudhan, et Zhi Qiang Wang. « 30-kW All-SiC Inverter with 3D-Printed Air-Cooled Heatsinks for Plug-In and Full Electric Vehicle Applications ». Materials Science Forum 924 (juin 2018) : 845–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.845.
Texte intégralRąbkowski, Jacek, et Rafał Kopacz. « Extended T-type Inverter ». Power Electronics and Drives 3, no 1 (1 décembre 2018) : 55–64. http://dx.doi.org/10.2478/pead-2018-0015.
Texte intégralStella, Fausto, Gianmario Pellegrino et Eric Armando. « Three-phase SiC inverter with active limitation of all MOSFETs junction temperature ». Microelectronics Reliability 110 (juillet 2020) : 113659. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2020.113659.
Texte intégralAguilar Vega, F., N. Mukherjee, R. Carter, J. Fuerst et F. Diepold. « Three-level GaN inverter with SiC diodes for a possible three-phase high power solution ». Journal of Engineering 2019, no 17 (1 juin 2019) : 4461–65. http://dx.doi.org/10.1049/joe.2018.8096.
Texte intégralSato, Shinji, Kohei Matsui, Yusuke Zushi, Yoshinori Murakami, Satoshi Tanimoto, Hiroshi Sato et Hiroshi Yamaguchi. « Forced-Air-Cooled 10 kW Three-Phase SiC Inverter with Output Power Density of More than 20 kW/L ». Materials Science Forum 679-680 (mars 2011) : 738–41. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.738.
Texte intégralOzpineci, Burak, Madhu Sudhan Chinthavali, Leon M. Tolbert, Avinash S. Kashyap et H. Alan Mantooth. « A 55-kW Three-Phase Inverter With Si IGBTs and SiC Schottky Diodes ». IEEE Transactions on Industry Applications 45, no 1 (2009) : 278–85. http://dx.doi.org/10.1109/tia.2008.2009501.
Texte intégralJegal, Jun-Hyeok, Minho Kwon, Chang-Yeol Oh, Kiryong Kim et Jong-Pil Lee. « Implementation of three-phase four-leg inverter using SiC MOSFET for UPS applications ». Journal of Power Electronics 21, no 1 (19 novembre 2020) : 103–12. http://dx.doi.org/10.1007/s43236-020-00173-w.
Texte intégralRąbkowski, Jacek, Hubert Skoneczny, Rafał Kopacz, Przemysław Trochimiuk et Grzegorz Wrona. « A Simple Method to Validate Power Loss in Medium Voltage SiC MOSFETs and Schottky Diodes Operating in a Three-Phase Inverter ». Energies 13, no 18 (12 septembre 2020) : 4773. http://dx.doi.org/10.3390/en13184773.
Texte intégralColussi, Jacopo, Alessandro La Ganga, Roberto Re, Paolo Guglielmi et Eric Armando. « 100 kW Three-Phase Wireless Charger for EV : Experimental Validation Adopting Opposition Method ». Energies 14, no 8 (10 avril 2021) : 2113. http://dx.doi.org/10.3390/en14082113.
Texte intégralConcari, Luca, Davide Barater, Andrea Toscani, Carlo Concari, Giovanni Franceschini, Giampaolo Buticchi, Marco Liserre et He Zhang. « Assessment of Efficiency and Reliability of Wide Band-Gap Based H8 Inverter in Electric Vehicle Applications ». Energies 12, no 10 (20 mai 2019) : 1922. http://dx.doi.org/10.3390/en12101922.
Texte intégralDubois, Fabien, Dominique Bergogne, Damien Risaletto, Rémi Robutel, Hervé Morel, Régis Meuret et Sonia Dhokkar. « High Temperature Inverter for Airborne Application ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2010, HITEC (1 janvier 2010) : 000222–27. http://dx.doi.org/10.4071/hitec-fdubois-wa23.
Texte intégralAli, Ahmed Ismail M., Cao Anh Tuan, Takaharu Takeshita, Mahmoud A. Sayed et Zuhair Muhammed Alaas. « Modular Single-Stage Three-Phase Flyback Differential Inverter for Medium/High-Power Grid Integrated Applications ». Sensors 22, no 5 (7 mars 2022) : 2064. http://dx.doi.org/10.3390/s22052064.
Texte intégralBernacki, Krzysztof, et Zbigniew Rymarski. « The Experimentally Measured Influence of the Si-MOSFET Replacement Switches to WBG Transistors in the Voltage Source Inverters as the Source of Radiation Noise ». Energies 16, no 2 (12 janvier 2023) : 870. http://dx.doi.org/10.3390/en16020870.
Texte intégralSkibinski, G., D. Braun, D. Kirschnik et R. Lukaszewski. « Developments in Hybrid Si – SiC Power Modules ». Materials Science Forum 527-529 (octobre 2006) : 1141–47. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1141.
Texte intégralWright, W., J. Carter, P. Alexandrov, M. Pan, M. Weiner et J. H. Zhao. « Comparison of Si and SiC diodes during operation in three-phase inverter driving ac induction motor ». Electronics Letters 37, no 12 (2001) : 787. http://dx.doi.org/10.1049/el:20010535.
Texte intégralChen, Jianliang, Deshang Sha, Jiankun Zhang et Xiaozhong Liao. « An SiC MOSFET Based Three-Phase ZVS Inverter Employing Variable Switching Frequency Space Vector PWM Control ». IEEE Transactions on Power Electronics 34, no 7 (juillet 2019) : 6320–31. http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2018.2874036.
Texte intégralMecke, R. « Multilevel inverter with active clamping diodes for energy efficiency improvement ». Renewable Energy and Power Quality Journal 20 (septembre 2022) : 138–42. http://dx.doi.org/10.24084/repqj20.245.
Texte intégralMa, Chao-Tsung, et Zhi-Yuan Zheng. « Design and Implementation of a SiC-Based Multifunctional Back-to-Back Three-Phase Inverter for Advanced Microgrid Operation ». Micromachines 14, no 1 (3 janvier 2023) : 134. http://dx.doi.org/10.3390/mi14010134.
Texte intégralBarbagallo, Carmelo, Santi Agatino Rizzo, Giacomo Scelba, Giuseppe Scarcella et Mario Cacciato. « On the Lifetime Estimation of SiC Power MOSFETs for Motor Drive Applications ». Electronics 10, no 3 (30 janvier 2021) : 324. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10030324.
Texte intégralQi, Feng, Miao Wang et Longya Xu. « Investigation and Review of Challenges in a High-Temperature 30-kVA Three-Phase Inverter Using SiC MOSFETs ». IEEE Transactions on Industry Applications 54, no 3 (mai 2018) : 2483–91. http://dx.doi.org/10.1109/tia.2018.2796059.
Texte intégralAhmed, Mohammed Hassan, Mingyu Wang, Muhammad Arshad Shehzad Hassan et Irfan Ullah. « Power Loss Model and Efficiency Analysis of Three-Phase Inverter Based on SiC MOSFETs for PV Applications ». IEEE Access 7 (2019) : 75768–81. http://dx.doi.org/10.1109/access.2019.2922741.
Texte intégralZhao, Jian Hui, Petre Alexandrov, Yu Zhu Li, Larry X. Li, Kuang Sheng et Ramon Lebron-Velilla. « Design, Fabrication and Application of 4H-SiC Trenched-and-Implanted Vertical JFETs ». Materials Science Forum 527-529 (octobre 2006) : 1191–94. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1191.
Texte intégralColussi, Jacopo, Roberto Re et Paolo Guglielmi. « Modelling and Design of a Coils Structure for 100 kW Three-Phase Inductive Power Transfer System ». Energies 15, no 14 (12 juillet 2022) : 5079. http://dx.doi.org/10.3390/en15145079.
Texte intégralAcosta-Cambranis, Fernando, Jordi Zaragoza, Luis Romeral et Néstor Berbel. « Comparative Analysis of SVM Techniques for a Five-Phase VSI Based on SiC Devices ». Energies 13, no 24 (14 décembre 2020) : 6581. http://dx.doi.org/10.3390/en13246581.
Texte intégralHaider, Michael, Simon Fuchs, Grayson Zulauf, Dominik Bortis, Johann W. Kolar et Yasuo Ono. « Analytical Loss Model for Three-Phase 1200V SiC MOSFET Inverter Drive System Utilizing Miller Capacitor-Based dv/dt-Limitation ». IEEE Open Journal of Power Electronics 3 (2022) : 93–104. http://dx.doi.org/10.1109/ojpel.2022.3143995.
Texte intégralMhiesan, Haider, Janviere Umuhoza, Kenneth Mordi, Chris Farnell et H. Alan Mantooth. « Evaluation of 1.2 kV SiC MOSFETs in multilevel cascaded H-bridge three-phase inverter for medium-voltage grid applications ». Chinese Journal of Electrical Engineering 5, no 2 (juin 2019) : 1–13. http://dx.doi.org/10.23919/cjee.2019.000007.
Texte intégralLiu, Yitao, Shiqi Jiang, Dianheng Jin et Jianchun Peng. « Performance comparison of Si IGBT and SiC MOSFET power devices based LCL three‐phase inverter with double closed‐loop control ». IET Power Electronics 12, no 2 (14 janvier 2019) : 322–29. http://dx.doi.org/10.1049/iet-pel.2018.5702.
Texte intégralMa, Chao-Tsung, et Zhen-Huang Gu. « Investigation on GaN HEMTs Based Three-Phase STATCOM with Hybrid Control Scheme ». Micromachines 12, no 4 (20 avril 2021) : 464. http://dx.doi.org/10.3390/mi12040464.
Texte intégralAbed Ali, Fatme, Yvan Avenas, Pierre Lefranc, Pierre Olivier Jeannin, Hadi Alawieh, Toni Youssef et Hassan Moussa. « Design of an Integrated Power Module for Silicon Carbide MOSFET with Self-Compensation of the Magnetic Field ». Materials Science Forum 1062 (31 mai 2022) : 637–41. http://dx.doi.org/10.4028/p-gvcp58.
Texte intégralElsayad, Nour, Hadi Moradisizkoohi et Osama Mohammed. « A New Three-Level Flying-Capacitor Boost Converter with an Integrated LC2D Output Network for Fuel-Cell Vehicles : Analysis and Design ». Inventions 3, no 3 (28 août 2018) : 61. http://dx.doi.org/10.3390/inventions3030061.
Texte intégralPerrin, Rémi, Dominique Bergogne, Christian Martin et Bruno Allard. « GaN Power Module with High Temperature Gate Driver and Insulated Power Supply ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2014, HITEC (1 janvier 2014) : 000198–205. http://dx.doi.org/10.4071/hitec-wp11.
Texte intégralMa, Chao-Tsung, et Yi-Hung Tian. « Design and Implementation of a SiC-Based VRFB Power Conditioning System ». Micromachines 11, no 12 (12 décembre 2020) : 1099. http://dx.doi.org/10.3390/mi11121099.
Texte intégralSun, Shaojie, et Bubo Zhu. « Main Circuit Topology and Electromagnetic Interference of Electric Vehicle Bidirectional Charger ». Journal of Control Science and Engineering 2022 (3 octobre 2022) : 1–7. http://dx.doi.org/10.1155/2022/9507377.
Texte intégralAli, Ahmed Ismail M., Takaharu Takeshita et Mahmoud A. Sayed. « In depth mathematical-analysis and experimentation of high-power SiC-FET based single-stage three-phase differential-based flyback inverter with practical design issues for grid-tied applications ». International Journal of Electrical Power & ; Energy Systems 140 (septembre 2022) : 108041. http://dx.doi.org/10.1016/j.ijepes.2022.108041.
Texte intégralDuan, Zhuolin, Tao Fan, Dong Zhang et Xuhui Wen. « Differential Mode Conducted EMI Prediction in Three Phase SiC Inverters ». IOP Conference Series : Materials Science and Engineering 199 (mai 2017) : 012126. http://dx.doi.org/10.1088/1757-899x/199/1/012126.
Texte intégralMatsui, Kohei, Yusuke Zushi, Yoshinori Murakami, Satoshi Tanimoto et Shinji Sato. « A Compact 5-nH One-Phase-Leg SiC Power Module for a 600V-60A-40W/cc Inverter ». Materials Science Forum 717-720 (mai 2012) : 1233–36. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1233.
Texte intégralMohamed Ali, Jagabar Sathik Mohamed, et Dhafer Almakhles. « A Compact Five-Level Single-Stage Boost Inverter ». Energies 16, no 3 (20 janvier 2023) : 1181. http://dx.doi.org/10.3390/en16031181.
Texte intégralRasyid, Ramly, Miftah Muhammad et Rahman R. Rasyid. « Pengaturan Kecepatan Motor Induksi Tiga Fasa Menggunakan Spwm Inverter dan Kontrol Pid dengan Metode Hibrid Volt/Herzt Konstan-Sensor Arus ». PROtek : Jurnal Ilmiah Teknik Elektro 9, no 1 (20 mai 2022) : 57. http://dx.doi.org/10.33387/protk.v9i1.4201.
Texte intégralZhang, Lei, Xibo Yuan, Jiahang Zhang, Xiaojie Wu, Yonglei Zhang et Chen Wei. « Modeling and Implementation of Optimal Asymmetric Variable Dead-Time Setting for SiC MOSFET-Based Three-Phase Two-Level Inverters ». IEEE Transactions on Power Electronics 34, no 12 (décembre 2019) : 11645–60. http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2019.2905882.
Texte intégralBergogne, Dominique, Fabien Dubois, Christian Martin, Khalil El Falahi, Luong Viet Phung, Cyril Buttay, Sonia Dhokkar, Bruno Allard, Régis Meuret et Hervé Morel. « An Airborne High Temperature SiC Power Converter for Medium Power Smart Electro Mechanical Actuators ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2012, HITEC (1 janvier 2012) : 000388–93. http://dx.doi.org/10.4071/hitec-thp14.
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