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Strukov, Dmitri B., et R. Stanley Williams. « Intrinsic constrains on thermally-assisted memristive switching ». Applied Physics A 102, no 4 (26 janvier 2011) : 851–55. http://dx.doi.org/10.1007/s00339-011-6269-4.
Texte intégralTaniguchi, Tomohiro, et Hiroshi Imamura. « Spin torque assisted magnetization switching in thermally activated region ». Journal of the Korean Physical Society 62, no 12 (juin 2013) : 1773–77. http://dx.doi.org/10.3938/jkps.62.1773.
Texte intégralIskandarova, I. M., A. V. Ivanov, A. A. Knizhnik, A. F. Popkov, B. V. Potapkin, P. N. Skirdkov, K. A. Zvezdin, Q. Stainer, L. Lombard et K. Mackay. « Simulation of switching maps for thermally assisted MRAM nanodevices ». Nanotechnologies in Russia 11, no 3-4 (mars 2016) : 208–14. http://dx.doi.org/10.1134/s1995078016020063.
Texte intégralGuillemenet, Y., L. Torres, G. Sassatelli et N. Bruchon. « On the Use of Magnetic RAMs in Field-Programmable Gate Arrays ». International Journal of Reconfigurable Computing 2008 (2008) : 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2008/723950.
Texte intégralPrejbeanu, Ioan Lucian, Sebastien Bandiera, Ricardo Sousa et Bernard Dieny. « MRAM Concepts for Sub-Nanosecond Switching and Ultimate Scalability ». Advances in Science and Technology 95 (octobre 2014) : 126–35. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.95.126.
Texte intégralEl Baraji, M., V. Javerliac, W. Guo, G. Prenat et B. Dieny. « Dynamic compact model of thermally assisted switching magnetic tunnel junctions ». Journal of Applied Physics 106, no 12 (15 décembre 2009) : 123906. http://dx.doi.org/10.1063/1.3259373.
Texte intégralAkagi, F., T. Matsumoto et K. Nakamura. « Effect of switching field gradient for thermally assisted magnetic recording ». Journal of Applied Physics 101, no 9 (mai 2007) : 09H501. http://dx.doi.org/10.1063/1.2710546.
Texte intégralKhalili Amiri, P., P. Upadhyaya, J. G. Alzate et K. L. Wang. « Electric-field-induced thermally assisted switching of monodomain magnetic bits ». Journal of Applied Physics 113, no 1 (7 janvier 2013) : 013912. http://dx.doi.org/10.1063/1.4773342.
Texte intégralPrejbeanu, I. L., W. Kula, K. Ounadjela, R. C. Sousa, O. Redon, B. Dieny et J. P. Nozieres. « Thermally Assisted Switching in Exchange-Biased Storage Layer Magnetic Tunnel Junctions ». IEEE Transactions on Magnetics 40, no 4 (juillet 2004) : 2625–27. http://dx.doi.org/10.1109/tmag.2004.830395.
Texte intégralAzevedo, Joao, Arnaud Virazel, Alberto Bosio, Luigi Dilillo, Patrick Girard, Aida Todri-Sanial, Jeremy Alvarez-Herault et Ken Mackay. « A Complete Resistive-Open Defect Analysis for Thermally Assisted Switching MRAMs ». IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems 22, no 11 (novembre 2014) : 2326–35. http://dx.doi.org/10.1109/tvlsi.2013.2294080.
Texte intégralRalph, D. C., Y. T. Cui, L. Q. Liu, T. Moriyama, C. Wang et R. A. Buhrman. « Spin-transfer torque in nanoscale magnetic devices ». Philosophical Transactions of the Royal Society A : Mathematical, Physical and Engineering Sciences 369, no 1951 (28 septembre 2011) : 3617–30. http://dx.doi.org/10.1098/rsta.2011.0169.
Texte intégralTaniguchi, Tomohiro, et Hiroshi Imamura. « Minimization of the Switching Time of a Synthetic Free Layer in Thermally Assisted Spin Torque Switching ». Applied Physics Express 4, no 10 (20 septembre 2011) : 103001. http://dx.doi.org/10.1143/apex.4.103001.
Texte intégralRen, Yi, Tianle Zhou, Chun Jiang et Bin Tang. « Thermally switching between perfect absorber and asymmetric transmission in vanadium dioxide-assisted metamaterials ». Optics Express 29, no 5 (25 février 2021) : 7666. http://dx.doi.org/10.1364/oe.418273.
Texte intégralYoshikawa, D., Y. Fujisawa, T. Kato, S. Iwata et S. Tsunashima. « Thermally Assisted Magnetization Switching on Magnetic Tunnel Junctions With Perpendicularly Magnetized TbFe Layer ». Journal of the Magnetics Society of Japan 38, no 3-2 (2014) : 123–26. http://dx.doi.org/10.3379/msjmag.1403r003.
Texte intégralLe Gallo, Manuel, Aravinthan Athmanathan, Daniel Krebs et Abu Sebastian. « Evidence for thermally assisted threshold switching behavior in nanoscale phase-change memory cells ». Journal of Applied Physics 119, no 2 (14 janvier 2016) : 025704. http://dx.doi.org/10.1063/1.4938532.
Texte intégralSiddik, Manzar, Seungjae Jung, Jubong Park, Wootae Lee, Seonghyun Kim, Joonmyoung Lee, Jungho Shin et al. « Thermally assisted resistive switching in Pr0.7Ca0.3MnO3/Ti/Ge2Sb2Te5 stack for nonvolatile memory applications ». Applied Physics Letters 99, no 6 (8 août 2011) : 063501. http://dx.doi.org/10.1063/1.3622656.
Texte intégralHassdenteufel, Alexander, Birgit Hebler, Christian Schubert, Andreas Liebig, Martin Teich, Manfred Helm, Martin Aeschlimann, Manfred Albrecht et Rudolf Bratschitsch. « Thermally Assisted All-Optical Helicity Dependent Magnetic Switching in Amorphous Fe100-xTbxAlloy Films ». Advanced Materials 25, no 22 (25 avril 2013) : 3122–28. http://dx.doi.org/10.1002/adma.201300176.
Texte intégralZheng, Yuankai, Yihong Wu, Kebin Li, Jinjun Qiu, Guchang Han, Zaibing Guo, Ping Luo et al. « Magnetic Random Access Memory (MRAM) ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 7, no 1 (1 janvier 2007) : 117–37. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2007.18010.
Texte intégralCebollada, F., J. M. González, J. De Frutos et A. M. González. « Mecanismos de inversión de la magnetización e interacciones en sistemas magnéticos : campo coercitivo versus campo de conmutación y desimanación térmicamente asistida ». Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio 44, no 3 (30 juin 2005) : 169–76. http://dx.doi.org/10.3989/cyv.2005.v44.i3.385.
Texte intégralChavent, Antoine, Jeremy Alvarez-Herault, Celine Portemont, Claire Creuzet, Jeremy Pereira, Julien Vidal, Ken Mackay, Ricardo C. Sousa, Ioan L. Prejbeanu et Bernard Dieny. « Effects of the Heating Current Polarity on the Writing of Thermally Assisted Switching-MRAM ». IEEE Transactions on Magnetics 50, no 11 (novembre 2014) : 1–4. http://dx.doi.org/10.1109/tmag.2014.2322494.
Texte intégralPapusoi, C., Y. Conraux, I. L. Prejbeanu, R. Sousa et B. Dieny. « Switching field dependence on heating pulse duration in thermally assisted magnetic random access memories ». Journal of Magnetism and Magnetic Materials 321, no 16 (août 2009) : 2467–71. http://dx.doi.org/10.1016/j.jmmm.2009.03.050.
Texte intégralHérault, J., R. C. Sousa, C. Ducruet, B. Dieny, Y. Conraux, C. Portemont, K. Mackay et al. « Nanosecond magnetic switching of ferromagnet-antiferromagnet bilayers in thermally assisted magnetic random access memory ». Journal of Applied Physics 106, no 1 (juillet 2009) : 014505. http://dx.doi.org/10.1063/1.3158231.
Texte intégralTang, Ke, HongJie Yang, LinHong Cao, HongTao Yu, JinSong Liu et JunXia Wang. « Thermally assisted switching in FePt single-domain particles with a Gaussian distribution of temperature ». Science China Physics, Mechanics and Astronomy 54, no 7 (28 mai 2011) : 1263–66. http://dx.doi.org/10.1007/s11433-011-4353-6.
Texte intégralLi, Zhen, Liesbet Lagae, Gustaaf Borghs, Robert Mertens et Willem Van Roy. « Fast thermally assisted switching at low current density in (Ga,Mn)As magnetic tunnel junctions ». Applied Physics Letters 96, no 5 (février 2010) : 052513. http://dx.doi.org/10.1063/1.3302465.
Texte intégralBandiera, S., R. C. Sousa, M. Marins de Castro, C. Ducruet, C. Portemont, S. Auffret, L. Vila, I. L. Prejbeanu, B. Rodmacq et B. Dieny. « Spin transfer torque switching assisted by thermally induced anisotropy reorientation in perpendicular magnetic tunnel junctions ». Applied Physics Letters 99, no 20 (14 novembre 2011) : 202507. http://dx.doi.org/10.1063/1.3662971.
Texte intégralDeschenes, Austin, Sadid Muneer, Mustafa Akbulut, Ali Gokirmak et Helena Silva. « Analysis of self-heating of thermally assisted spin-transfer torque magnetic random access memory ». Beilstein Journal of Nanotechnology 7 (11 novembre 2016) : 1676–83. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.7.160.
Texte intégralChen, Yu-Ting, Ting-Chang Chang, Po-Chun Yang, Jheng-Jie Huang, Hsueh-Chih Tseng, Hui-Chun Huang, Jyun-Bao Yang et al. « Improvement of Resistive Switching Characteristics by Thermally Assisted Forming Process for $\hbox{SiO}_{2}$-Based Structure ». IEEE Electron Device Letters 34, no 2 (février 2013) : 226–28. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2232276.
Texte intégralDai, Bing, Takeshi Kato, Satoshi Iwata et Shigeru Tsunashima. « Spin Transfer Torque Switching of Amorphous GdFeCo With Perpendicular Magnetic Anisotropy for Thermally Assisted Magnetic Memories ». IEEE Transactions on Magnetics 48, no 11 (novembre 2012) : 3223–26. http://dx.doi.org/10.1109/tmag.2012.2196988.
Texte intégralLiu, Weikang, Bin Cheng, Shaoqing Ren, Wei Huang, Jihao Xie, Guangjun Zhou, Hongwei Qin et Jifan Hu. « Thermally assisted magnetization control and switching of Dy3Fe5O12 and Tb3Fe5O12 ferrimagnetic garnet by low density current ». Journal of Magnetism and Magnetic Materials 507 (août 2020) : 166804. http://dx.doi.org/10.1016/j.jmmm.2020.166804.
Texte intégralBi, Chong, Lin Huang, Shibing Long, Qi Liu, Zhihong Yao, Ling Li, Zongliang Huo, Liqing Pan et Ming Liu. « Thermally assisted magnetic switching of a single perpendicularly magnetized layer induced by an in-plane current ». Applied Physics Letters 105, no 2 (14 juillet 2014) : 022407. http://dx.doi.org/10.1063/1.4890539.
Texte intégralDai, Bing, Yong Guo, Jiaqi Zhu, Takeshi Kato, Satoshi Iwata, Shigeru Tsunashima, Lei Yang et Jiecai Han. « Spin transfer torque switching in exchange-coupled amorphous GdFeCo/TbFe bilayers for thermally assisted MRAM application ». Journal of Physics D : Applied Physics 50, no 13 (2 mars 2017) : 135005. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/aa5bca.
Texte intégralKim, Taewook, Tobias Vogel, Eszter Piros, Déspina Nasiou, Nico Kaiser, Philipp Schreyer, Robert Winkler et al. « Oxide thickness-dependent resistive switching characteristics of Cu/HfO2/Pt ECM devices ». Applied Physics Letters 122, no 2 (9 janvier 2023) : 023502. http://dx.doi.org/10.1063/5.0124781.
Texte intégralWibowo, Nur A., Cahya Handoyo et Leopoldus R. Sasongko. « Thermally Activated Magnetic Switching Mode for Various Thicknesses of Perpendicularly Ferromagnetic Nano-dot ». Nanoscience &Nanotechnology-Asia 9, no 2 (25 juin 2019) : 259–66. http://dx.doi.org/10.2174/2210681208666180507101809.
Texte intégralDai, Bing, Takeshi Kato, Satoshi Iwata et Shigeru Tsunashima. « Temperature Dependence of Critical Current Density of Spin Transfer Torque Switching Amorphous GdFeCo for Thermally Assisted MRAM ». IEEE Transactions on Magnetics 49, no 7 (juillet 2013) : 4359–62. http://dx.doi.org/10.1109/tmag.2013.2240380.
Texte intégralTomita, H., S. Miwa, T. Nozaki, S. Yamashita, T. Nagase, K. Nishiyama, E. Kitagawa et al. « Unified understanding of both thermally assisted and precessional spin-transfer switching in perpendicularly magnetized giant magnetoresistive nanopillars ». Applied Physics Letters 102, no 4 (28 janvier 2013) : 042409. http://dx.doi.org/10.1063/1.4789879.
Texte intégralGuillemenet, Y., G. Sassatelli et L. Torres. « Non-volatile run-time field-programmable gate arrays structures using thermally assisted switching magnetic random access memories ». IET Computers & ; Digital Techniques 4, no 3 (1 mai 2010) : 211–26. http://dx.doi.org/10.1049/iet-cdt.2009.0019.
Texte intégralDai, B., J. Zhu, K. Liu, L. Yang et J. Han. « The dependence of critical current density of GdFeCo layer on composition of thermally assisted STT-RAM ». International Journal of Modern Physics B 31, no 16-19 (26 juillet 2017) : 1744075. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979217440751.
Texte intégralYaulema, Jorge, Jose Bon, M. Carmen Gómez-Collado, Juan José Pérez, Enrique Berjano et Macarena Trujillo. « Switching Monopolar Mode for RF-Assisted Resection and Superficial Ablation of Biological Tissue : Computational Modeling and Ex Vivo Experiments ». Processes 8, no 12 (16 décembre 2020) : 1660. http://dx.doi.org/10.3390/pr8121660.
Texte intégralYoon, Jong-Gul. « A New Approach to the Fabrication of Memristive Neuromorphic Devices : Compositionally Graded Films ». Materials 13, no 17 (20 août 2020) : 3680. http://dx.doi.org/10.3390/ma13173680.
Texte intégralGayen, Anabil, Barnali Biswas, Akhilesh Kumar Singh, Padmanapan Saravanan et Alagarsamy Perumal. « High Temperature Magnetic Properties of Indirect Exchange Spring FePt/M(Cu,C)/Fe Trilayer Thin Films ». Journal of Nanomaterials 2013 (2013) : 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2013/718365.
Texte intégralPushp, Aakash, Timothy Phung, Charles Rettner, Brian P. Hughes, See-Hun Yang et Stuart S. P. Parkin. « Giant thermal spin-torque–assisted magnetic tunnel junction switching ». Proceedings of the National Academy of Sciences 112, no 21 (13 mai 2015) : 6585–90. http://dx.doi.org/10.1073/pnas.1507084112.
Texte intégralZhang, Xiangping, Xingan Jiang, Jianming Deng, Xueyun Wang et Jiawang Hong. « Sunlight-assisted ferroelectric domain switching and ionic migration in Sn-based ferroelectric ». Applied Physics Letters 121, no 19 (7 novembre 2022) : 192902. http://dx.doi.org/10.1063/5.0113665.
Texte intégralMishra, Pinkesh Kumar, Meenakshi Sravani, M. V. V. Satya Narayana et Swapnil Bhuktare. « Acoustically assisted energy efficient field free spin orbit torque switching of out of plane nanomagnet ». Journal of Applied Physics 133, no 13 (7 avril 2023) : 133901. http://dx.doi.org/10.1063/5.0143459.
Texte intégralAdhinarta, J. K., E. Jobiliong, M. Shiddiq, H. P. Uranus et E. Steven. « Light storage and thermal-assisted switching of SrAl2O4:Eu2+, Dy3+ ». Journal of Nonlinear Optical Physics & ; Materials 28, no 04 (décembre 2019) : 1950042. http://dx.doi.org/10.1142/s0218863519500425.
Texte intégralYang, Zichu, Yuanchang Zhong, Yu Chen et Dalin Li. « Mixed Variable Parameter Energy Storage-Assisted Frequency Support Strategy ». Electronics 13, no 8 (11 avril 2024) : 1450. http://dx.doi.org/10.3390/electronics13081450.
Texte intégralTaniguchi, Tomohiro, et Hiroshi Imamura. « Theory of Spin Torque Assisted Thermal Switching of Single Free Layer ». IEEE Transactions on Magnetics 48, no 11 (novembre 2012) : 3803–6. http://dx.doi.org/10.1109/tmag.2012.2196979.
Texte intégralBarra, Felipe. « Efficiency Fluctuations in a Quantum Battery Charged by a Repeated Interaction Process ». Entropy 24, no 6 (13 juin 2022) : 820. http://dx.doi.org/10.3390/e24060820.
Texte intégralLiu, Zengyuan, Pin-Wei Huang, Ganping Ju et R. H. Victora. « Thermal switching probability distribution of L10 FePt for heat assisted magnetic recording ». Applied Physics Letters 110, no 18 (mai 2017) : 182405. http://dx.doi.org/10.1063/1.4983033.
Texte intégralPanda, Debashis, et Paritosh Piyush Sahu. « Thermal assisted reset modelling in nickel oxide based unipolar resistive switching memory ». Journal of Applied Physics 121, no 20 (28 mai 2017) : 204504. http://dx.doi.org/10.1063/1.4984200.
Texte intégralVishnuram, Pradeep, Sudhanshu Kumar, Vivek Kumar Singh, Thanikanti Sudhakar Babu, Ramani Kannan et Khairul Nisak Bt Md Hasan. « Phase Shift-Controlled Dual-Frequency Multi-Load Converter with Independent Power Control for Induction Cooking Applications ». Sustainability 14, no 16 (18 août 2022) : 10278. http://dx.doi.org/10.3390/su141610278.
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