Articles de revues sur le sujet « Technologie III-V »
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Perret, C., C. Lallement et A. Belleville. « Le Moulinet d'hydrométrie à axe horizontal à travers l'expérience française. Quel avenir pour cette technique ? » La Houille Blanche, no 5-6 (octobre 2018) : 75–86. http://dx.doi.org/10.1051/lhb/2018054.
Texte intégralČULÍK, J., V. KELLNER, B. ŠPINAR, J. PROKEŠ et G. BASAŘOVÁ. « Volatile N-nitrosamines in malt. III. Effect of barley germination on the formation of natural precursors of N-nitrosodimethylamine in green malt and final malt. » Kvasny Prumysl 36, no 6 (1 juin 1990) : 162–65. http://dx.doi.org/10.18832/kp1990020.
Texte intégralKawanami, H. « Heteroepitaxial technologies of III–V on Si ». Solar Energy Materials and Solar Cells 66, no 1-4 (février 2001) : 479–86. http://dx.doi.org/10.1016/s0927-0248(00)00209-9.
Texte intégralDutta, Nlloy K. « III-V Device Technologies for Lightwave Applications ». AT&T Technical Journal 68, no 1 (2 janvier 1989) : 5–18. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1989.tb00642.x.
Texte intégralShah, Nitin J., et Shin-Shem Pei. « III-V Device Technologies for Electronic Applications ». AT&T Technical Journal 68, no 1 (2 janvier 1989) : 19–28. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1989.tb00643.x.
Texte intégralTakagi, S., R. Zhang, S. H. Kim, M. Yokoyama et M. Takenaka. « (Invited) Performance Enhancement Technologies in III-V/Ge MOSFETs ». ECS Transactions 58, no 9 (31 août 2013) : 137–48. http://dx.doi.org/10.1149/05809.0137ecst.
Texte intégralHeinecke, Harald, et Eberhard Veuhoff. « Evaluation of III–V growth technologies for optoelectronic applications ». Materials Science and Engineering : B 21, no 2-3 (novembre 1993) : 120–29. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(93)90334-j.
Texte intégralRaj, Vidur, Tuomas Haggren, Wei Wen Wong, Hark Hoe Tan et Chennupati Jagadish. « Topical review : pathways toward cost-effective single-junction III–V solar cells ». Journal of Physics D : Applied Physics 55, no 14 (3 décembre 2021) : 143002. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ac3aa9.
Texte intégralCaimi, D., H. Schmid, T. Morf, P. Mueller, M. Sousa, K. E. Moselund et C. B. Zota. « III-V-on-Si transistor technologies : Performance boosters and integration ». Solid-State Electronics 185 (novembre 2021) : 108077. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2021.108077.
Texte intégralTakagi, S., M. Kim, M. Noguchi, K. Nishi et M. Takenaka. « (Invited) Tunneling FET Technologies Using III-V and Ge Materials ». ECS Transactions 69, no 10 (2 octobre 2015) : 99–108. http://dx.doi.org/10.1149/06910.0099ecst.
Texte intégralTakagi, S., et M. Takenaka. « (Invited) III-V/Ge MOS Transistor Technologies for Future ULSI ». ECS Transactions 54, no 1 (28 juin 2013) : 39–54. http://dx.doi.org/10.1149/05401.0039ecst.
Texte intégralTomioka, Katsuhiro, Hironori Gamo et Junichi Motohisa. « (Invited) Vertical Tunnel FET Technologies Using III-V/Si Heterojunction ». ECS Transactions 92, no 4 (3 juillet 2019) : 71–78. http://dx.doi.org/10.1149/09204.0071ecst.
Texte intégralNedelcu, Alexandru, Cyrille Bonvalot, Rachid Taalat, Jérôme Fantini, Thierry Colin, Philippe Muller, Odile Huet et al. « III-V detector technologies at Sofradir : Dealing with image quality ». Infrared Physics & ; Technology 94 (novembre 2018) : 273–79. http://dx.doi.org/10.1016/j.infrared.2018.09.027.
Texte intégralTongesayi, Tsanangurayi, et Ronald B. Smart. « Arsenic Speciation : Reduction of Arsenic(V) to Arsenic(III) by Fulvic Acid ». Environmental Chemistry 3, no 2 (2006) : 137. http://dx.doi.org/10.1071/en05095.
Texte intégralCHANG, M. F., et P. M. ASBECK. « III-V HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS FOR HIGH-SPEED APPLICATIONS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 01, no 03n04 (septembre 1990) : 245–301. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156490000137.
Texte intégralTakagi, Shinichi, Rui Zhang, Junkyo Suh, Sang-Hyeon Kim, Masafumi Yokoyama, Koichi Nishi et Mitsuru Takenaka. « III–V/Ge channel MOS device technologies in nano CMOS era ». Japanese Journal of Applied Physics 54, no 6S1 (7 mai 2015) : 06FA01. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.06fa01.
Texte intégralKAMIMURA, Ryuichiro, et Kanji FURUTA. « Dry Etching Technologies of Optical Device and III-V Compound Semiconductors ». IEICE Transactions on Electronics E100.C, no 2 (2017) : 150–55. http://dx.doi.org/10.1587/transele.e100.c.150.
Texte intégralTakagi, S., C. Y. Chang, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, M. Ke, J. H. Han et M. Takenaka. « (Invited) MOS Interface Control Technologies for Advanced III-V/ Ge Devices ». ECS Transactions 69, no 5 (2 octobre 2015) : 37–51. http://dx.doi.org/10.1149/06905.0037ecst.
Texte intégralTakagi, Shinichi, Rui Zhang, Takuya Hoshii, Noriyuki Taoka et Mitsuru Takenaka. « (Invited) MOS Interface Control Technologies for III-V/Ge Channel MOSFETs ». ECS Transactions 41, no 3 (16 décembre 2019) : 3–20. http://dx.doi.org/10.1149/1.3633015.
Texte intégralTakagi, Shinichi, Masafumi Yokoyama, Sang-Hyeon Kim, Rui Zhang et Mitsuru Takenaka. « (Invited) Device and Integration Technologies of III-V/Ge Channel CMOS ». ECS Transactions 41, no 7 (16 décembre 2019) : 203–18. http://dx.doi.org/10.1149/1.3633300.
Texte intégralTakagi, Shinichi, Dae-Hwan Ahn, Munetaka Noguchi, Sanghee Yoon, Takahiro Gotow, Koichi Nishi, Minsoo Kim et al. « (Invited) Low Power Tunneling FET Technologies Using Ge/III-V Materials ». ECS Transactions 80, no 4 (1 août 2017) : 115–24. http://dx.doi.org/10.1149/08004.0115ecst.
Texte intégralTakagi, S., M. Noguchi, M. Kim, S. H. Kim, C. Y. Chang, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, M. Ke et M. Takenaka. « III-V/Ge MOS device technologies for low power integrated systems ». Solid-State Electronics 125 (novembre 2016) : 82–102. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2016.07.002.
Texte intégralHeyns, Marc M., Marc M. Meuris et Matty R. Caymax. « Ge and III/V as Enabling Materials for Future CMOS Technologies ». ECS Transactions 3, no 7 (21 décembre 2019) : 511–18. http://dx.doi.org/10.1149/1.2355848.
Texte intégralDautremont-Smith, William C., R. J. McCoy, Randolph H. Burton et Albert G. Baca. « Fabrication Technologies for III-V Compound Semiconductor Photonic and Electronic Devices ». AT&T Technical Journal 68, no 1 (2 janvier 1989) : 64–82. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1989.tb00647.x.
Texte intégralZeng, Cong, Donghui Fu, Yunjiang Jin et Yu Han. « Recent Progress in III–V Photodetectors Grown on Silicon ». Photonics 10, no 5 (14 mai 2023) : 573. http://dx.doi.org/10.3390/photonics10050573.
Texte intégralKühn, G. « Landolt-Börnstein. Zahlenwerte und Funktionen aus Naturwissenschaften und Technik, Neue Serie, Gruppe III : Kristall- und Festkörperphysik Bd. 17 : Halbleiter, Teilband d : Technologie von III—V, II—VI und nicht-tetraedrisch gebundenen Verbindungen. Herausgegeben von M. Schulz und H. Weiss. Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo, 429 Seiten, 446 Abbildungen, zahlreiche Tabellen und Literaturzitate. Preis : DM 750.00. ISBN 3–540–11779–2 ». Crystal Research and Technology 20, no 7 (juillet 1985) : 898. http://dx.doi.org/10.1002/crat.2170200705.
Texte intégralSimon, John, Kevin Schulte, Kelsey Horowitz, Timothy Remo, David Young et Aaron Ptak. « III-V-Based Optoelectronics with Low-Cost Dynamic Hydride Vapor Phase Epitaxy ». Crystals 9, no 1 (20 décembre 2018) : 3. http://dx.doi.org/10.3390/cryst9010003.
Texte intégralLan, Luis E., Fernando D. Reina, Graciela E. De Seta, Jorge M. Meichtry et Marta I. Litter. « Comparison between Different Technologies (Zerovalent Iron, Coagulation-Flocculation, Adsorption) for Arsenic Treatment at High Concentrations ». Water 15, no 8 (11 avril 2023) : 1481. http://dx.doi.org/10.3390/w15081481.
Texte intégralAkram, Sabahat, Hajra Faraqat et Saadia Bano Hashmi. « Examining the Impact of Information and Communication Technologies on Female Economic Participation in Pakistan ». Global Economics Review V, no III (30 septembre 2020) : 118–30. http://dx.doi.org/10.31703/ger.2020(v-iii).11.
Texte intégralTakagi, S., M. Yokoyama, S. H. Kim, R. Zhang, R. Suzuki, N. Taoka et M. Takenaka. « (Invited) III-V/Ge CMOS Device Technologies for High Performance Logic Applications ». ECS Transactions 53, no 3 (2 mai 2013) : 85–96. http://dx.doi.org/10.1149/05303.0085ecst.
Texte intégralZhao, Lixia. « Studies of III-V Semiconductor Materials and Devices Using Different Analytical Technologies ». Journal of Surface Analysis 26, no 2 (2019) : 136–37. http://dx.doi.org/10.1384/jsa.26.136.
Texte intégralClaeys, C., P.-C. Hsu, L. He, Y. Mols, R. Langer, N. Waldron, G. Eneman, N. Collaert, M. Heyns et E. Simoen. « Are Extended Defects a Show Stopper for Future III-V CMOS Technologies ». Journal of Physics : Conference Series 1190 (mai 2019) : 012001. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1190/1/012001.
Texte intégralTakagi, S., S. H. Kim, M. Yokoyama, R. Zhang, N. Taoka, Y. Urabe, T. Yasuda et al. « High mobility CMOS technologies using III–V/Ge channels on Si platform ». Solid-State Electronics 88 (octobre 2013) : 2–8. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2013.04.020.
Texte intégralKerio, Ghulam Ali, Naimatullah Keeryo et Anjum Bano Kazimi. « A Qualitative Study on Classroom Management of Undergraduate Students : A Case of Information Technologies Class ». Global Regional Review V, no III (30 septembre 2020) : 91–100. http://dx.doi.org/10.31703/grr.2020(v-iii).10.
Texte intégralWattoo, Rashid Minas, Muhammad Latif et Namra Munir. « Information Communication Technologies Hauling Out University Students' Effective Learning during COVID-19 : A Qualitative Study ». Global Social Sciences Review V, no III (30 septembre 2020) : 351–57. http://dx.doi.org/10.31703/gssr.2020(v-iii).37.
Texte intégralSeo, Jung-Hun. « Editorial for the Special Issue on Wide Bandgap Semiconductor Based Micro/Nano Devices ». Micromachines 10, no 3 (26 mars 2019) : 213. http://dx.doi.org/10.3390/mi10030213.
Texte intégralBrennan, B., S. McDonnell, D. Zhernokletov, H. Dong, C. L. Hinkle, J. Kim et R. M. Wallace. « In Situ Studies of III-V Surfaces and High-K Atomic Layer Deposition ». Solid State Phenomena 195 (décembre 2012) : 90–94. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.195.90.
Texte intégralDu, Yong, Buqing Xu, Guilei Wang, Yuanhao Miao, Ben Li, Zhenzhen Kong, Yan Dong, Wenwu Wang et Henry H. Radamson. « Review of Highly Mismatched III-V Heteroepitaxy Growth on (001) Silicon ». Nanomaterials 12, no 5 (22 février 2022) : 741. http://dx.doi.org/10.3390/nano12050741.
Texte intégralTakenaka, Mitsuru, et Shinichi Takagi. « III-V/Ge Device Engineering for CMOS Photonics ». Materials Science Forum 783-786 (mai 2014) : 2028–33. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.783-786.2028.
Texte intégralGAO, GUANG-BO, S. NOOR MOHAMMAND, GREGORY A. MARTIN et HADIS MORKOÇ. « FUNDAMENTALS, PERFORMANCE AND RELIABILITY OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 06, no 01 (mars 1995) : 1–89. http://dx.doi.org/10.1142/s012915649500002x.
Texte intégralMuhammad, Rehan, Shahid Nawaz et Muhammad Hammad Hussain Shah. « Teachers' Perceptions about the Use of Information Communication Technologies (ICTs) in Second Language Learning at Higher Secondary Level ». Global Mass Communication Review V, no III (30 septembre 2020) : 164–74. http://dx.doi.org/10.31703/gmcr.2020(v-iii).14.
Texte intégralYoon, Jongseung. « III-V Nanomembranes for High Performance, Cost-Competitive Photovoltaics ». MRS Advances 2, no 30 (2017) : 1591–96. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.139.
Texte intégralBerd, David, Takami Sato, Henry C. Maguire, John Kairys et Michael J. Mastrangelo. « Immunopharmacologic Analysis of an Autologous, Hapten-Modified Human Melanoma Vaccine ». Journal of Clinical Oncology 22, no 3 (1 février 2004) : 403–15. http://dx.doi.org/10.1200/jco.2004.06.043.
Texte intégralKong, Shu Qiong, Yan Xin Wang, Cheng Wang, Li Ling Jin, Ming Liang Liu et Mei Yu. « Nanoscale Iron-Manganese Binary Oxide for As(III) Removal in Synthesized Groundwater ». Applied Mechanics and Materials 319 (mai 2013) : 209–12. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.319.209.
Texte intégralFeng, Qi, Wenqi Wei, Bin Zhang, Hailing Wang, Jianhuan Wang, Hui Cong, Ting Wang et Jianjun Zhang. « O-Band and C/L-Band III-V Quantum Dot Lasers Monolithically Grown on Ge and Si Substrate ». Applied Sciences 9, no 3 (23 janvier 2019) : 385. http://dx.doi.org/10.3390/app9030385.
Texte intégralJi, Chunnuan, Rongjun Qu, Qinghua Tang, Xiguang Liu, Hou Chen, Changmei Sun et Peng Yin. « Removal of trace As(V) from aqueous solution by Fe(III)-loaded porous amidoximated polyacrylonitrile ». Water Supply 16, no 6 (18 mai 2016) : 1603–13. http://dx.doi.org/10.2166/ws.2016.085.
Texte intégralXi, Jianhong, et Mengchang He. « Removal of Sb(III) and Sb(V) from aqueous media by goethite ». Water Quality Research Journal 48, no 3 (1 août 2013) : 223–31. http://dx.doi.org/10.2166/wqrjc.2013.030.
Texte intégralNayak, Bishwajit, Md Amir Hossain, Mrinal Kumar Sengupta, Saad Ahamed, Bhaskar Das, Arup Pal et Amitava Mukherjee. « Adsorption Studies with Arsenic onto Ferric Hydroxide Gel in a Non-oxidizing Environment : the Effect of Co-occurring Solutes and Speciation ». Water Quality Research Journal 41, no 3 (1 août 2006) : 333–40. http://dx.doi.org/10.2166/wqrj.2006.037.
Texte intégralLiu, Chun Tong, Li Bing, Wang Tao et Hong Cai Li. « Key Technologies Research of New Generation Concentrating Photovoltaic ». Advanced Materials Research 724-725 (août 2013) : 171–75. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.724-725.171.
Texte intégralBakkers, Erik P. A. M., Magnus T. Borgström et Marcel A. Verheijen. « Epitaxial Growth of III-V Nanowires on Group IV Substrates ». MRS Bulletin 32, no 2 (février 2007) : 117–22. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2007.43.
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