Littérature scientifique sur le sujet « Technologie III-V »
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Articles de revues sur le sujet "Technologie III-V"
Perret, C., C. Lallement et A. Belleville. « Le Moulinet d'hydrométrie à axe horizontal à travers l'expérience française. Quel avenir pour cette technique ? » La Houille Blanche, no 5-6 (octobre 2018) : 75–86. http://dx.doi.org/10.1051/lhb/2018054.
Texte intégralČULÍK, J., V. KELLNER, B. ŠPINAR, J. PROKEŠ et G. BASAŘOVÁ. « Volatile N-nitrosamines in malt. III. Effect of barley germination on the formation of natural precursors of N-nitrosodimethylamine in green malt and final malt. » Kvasny Prumysl 36, no 6 (1 juin 1990) : 162–65. http://dx.doi.org/10.18832/kp1990020.
Texte intégralKawanami, H. « Heteroepitaxial technologies of III–V on Si ». Solar Energy Materials and Solar Cells 66, no 1-4 (février 2001) : 479–86. http://dx.doi.org/10.1016/s0927-0248(00)00209-9.
Texte intégralDutta, Nlloy K. « III-V Device Technologies for Lightwave Applications ». AT&T Technical Journal 68, no 1 (2 janvier 1989) : 5–18. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1989.tb00642.x.
Texte intégralShah, Nitin J., et Shin-Shem Pei. « III-V Device Technologies for Electronic Applications ». AT&T Technical Journal 68, no 1 (2 janvier 1989) : 19–28. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1989.tb00643.x.
Texte intégralTakagi, S., R. Zhang, S. H. Kim, M. Yokoyama et M. Takenaka. « (Invited) Performance Enhancement Technologies in III-V/Ge MOSFETs ». ECS Transactions 58, no 9 (31 août 2013) : 137–48. http://dx.doi.org/10.1149/05809.0137ecst.
Texte intégralHeinecke, Harald, et Eberhard Veuhoff. « Evaluation of III–V growth technologies for optoelectronic applications ». Materials Science and Engineering : B 21, no 2-3 (novembre 1993) : 120–29. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(93)90334-j.
Texte intégralRaj, Vidur, Tuomas Haggren, Wei Wen Wong, Hark Hoe Tan et Chennupati Jagadish. « Topical review : pathways toward cost-effective single-junction III–V solar cells ». Journal of Physics D : Applied Physics 55, no 14 (3 décembre 2021) : 143002. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ac3aa9.
Texte intégralCaimi, D., H. Schmid, T. Morf, P. Mueller, M. Sousa, K. E. Moselund et C. B. Zota. « III-V-on-Si transistor technologies : Performance boosters and integration ». Solid-State Electronics 185 (novembre 2021) : 108077. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2021.108077.
Texte intégralTakagi, S., M. Kim, M. Noguchi, K. Nishi et M. Takenaka. « (Invited) Tunneling FET Technologies Using III-V and Ge Materials ». ECS Transactions 69, no 10 (2 octobre 2015) : 99–108. http://dx.doi.org/10.1149/06910.0099ecst.
Texte intégralThèses sur le sujet "Technologie III-V"
Fawaz, Hussein. « Technologie multifonction de transistors à effet de champ sur matériaux III-V pour logique rapide et hyperfréquences ». Lille 1, 1993. http://www.theses.fr/1993LIL10038.
Texte intégralCallen, Olivier. « Nouvelle méthode d'investigation par effet Hall des états d'interface dans les composants à base d'hétérostructures III-V ». Montpellier 2, 2000. http://www.theses.fr/2000MON20029.
Texte intégralLe, Pallec Michel. « Technologie de photorécepteurs intégrés sur InP ». Grenoble INPG, 1997. http://www.theses.fr/1997INPG0144.
Texte intégralUng, Thuy Dieu Thi. « SYNTHÈSE ET CARACTÉRISATION DE NANOCRISTAUX COLLOÏDAUX DE SEMI-CONDUCTEURS III-V DOPÉS PAR DES TERRES RARES ». Phd thesis, Grenoble, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00626513.
Texte intégralSciancalepore, Corrado. « Intégration hétérogène III-V sur silicium de microlasers à émission par la surface à base de cristaux photoniques ». Phd thesis, Ecole Centrale de Lyon, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00915280.
Texte intégralMbow, Babacar. « Etude des réponses spectrales dans le proche infra-rouge des composés mixtes III-V, ternaires et quaternaires, à base de GaSb et de leurs dérivés ». Montpellier 2, 1992. http://www.theses.fr/1992MON20048.
Texte intégralBringer, Charlotte. « Technologie et caractérisation des VCSELs à diaphragme d'oxyde : application à la détection en cavité verticale ». Toulouse 3, 2005. http://www.theses.fr/2005TOU30008.
Texte intégralThis work deals with the fabrication and the characterization of buried oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs AlOx) for emission at 850 nm. We first focus on the structure design and on the fabrication steps. Optical and electrical measurements show the improvements of the VCSELs characteristics and allow for identify current limitations. Further, we explain the principle of resonant cavity enhanced detector and then describe each detailed vertical geometry: single photodetector, standard VCSEL and BiVCSEL. Measured spectral behaviors on each device are show and discussed. Last part deals with lateral integrated detection owing the optical waveguiding of spontaneous emission between neighboting VCSELs sharing the same cavity. The main application of this new detection system concerns the VCSEL power monitoring
BRINGER, Charlotte. « Technologie et caractérisation des VCSELs à diaphragme d'oxyde. Application à la détection en cavité verticale ». Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2005. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00010239.
Texte intégralBouguen, Laure. « Annulation de la dérive thermique de capteurs magnétiques à base d'hétérostructures pseudomorphiques AlGaAs/InGaAs/GaAs ». Montpellier 2, 2009. http://www.theses.fr/2009MON20075.
Texte intégralThe goal of this work was to decrease, and even cancel, the thermal drift of magnetic sensors based on pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterojunction. For that, the chosen solution consisted in controlling the Fermi level pinning at the surface of existing heterojunction. This control has been done by the addition of a gate with different geometries and with a suitable polarisation. We showed that an one dimensional model was not adapted and that it was necessary to do a two dimensional analysis with the finite element method witch explain the results obtained
Bouillaud, Hugo. « Fabrication et optimisation des caractéristiques thermiques de diodes Schottky de la filière GaAs et reportées sur SiHR pour des applications de multiplication de fréquences ». Electronic Thesis or Diss., Université de Lille (2022-....), 2023. http://www.theses.fr/2023ULILN043.
Texte intégralThe exponential needs associated with applications exploiting the THz domain require to expand the range of available sources and optimize their fabrication processes. In this thesis, we focused on schottky diodes for its use as frequency multipliers. Our experimental research involved optimizing the characteristics of GaAs schottky diodes through the development and implementation of an innovative fabrication process. First, we fabricated GaAs schottky diodes on GaAs substrate with several aspect ratios in order to make a reference in terms of device. Then we fabricated a flip-chip device for a 150 GHz frequency multiplication application in a waveguide block. Finally, in order to enhance the power handling of the diodes, we optimized their thermal dissipation by transferring their epitaxial structure onto a substrate with higher thermal conductivity : SiHR (high resistivity silicon). The complete technological processes for these fabrications are detailed, and the last part of the study is dedicated to their characterization. On one hand, we assessed any variations in the characteristics of GaAs diodes on GaAs induced by the different aspect ratios. On the other hand, we compared the two technologies on SiHR and GaAs substrates. This work demonstrates the potential of this type of transferred technology, where a significant reduction of thermal resistance is observed and is associated with a notable improvement of the series resistance
Livres sur le sujet "Technologie III-V"
Prost, Werner. Technologie der III/V-Halbleiter. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1997. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-60786-8.
Texte intégralLi, Tingkai, Michael A. Mastro et Armin Dadgar. III-V compound semiconductors : Integration with silicon-based microelectronics. Boca Raton : Taylor & Francis, 2010.
Trouver le texte intégralConference on Semi-insulating III-V Materials (5th 1988 Malmö, Sweden). Semi-insulating III-V materials : Malmö, 1988 : proceedings of the 5th Conference on Semi-insulating III-V Materials held in Malmö, Sweden, 1-3 June 1988. Bristol, England : A. Hilger, 1988.
Trouver le texte intégralEkaterinburg, Russia) Mezhdunarodnyĭ nauchno-prakticheskiĭ seminar "Intellektualʹnye informat︠s︡ionnye tekhnologii v. upravlencheskoĭ dei︠a︡telʹnosti" (3rd 2001. Intellektualʹnye informat︠s︡ionnye tekhnologii v upravlencheskoĭ dei︠a︡telʹnosti : III Mezhdunarodnyĭ nauchno-prakticheskiĭ seminar, 23-24 i︠a︡nvari︠a︡ 2001 g. : materialy. Ekaterinburg : Uralʹskiĭ gos. tekhn. universitet, 2001.
Trouver le texte intégralMezhdunarodnai︠a︡, nauchnai︠a︡ konferent︠s︡ii︠a︡ "Chelovek kulʹtura i. obshchestvo v. kontekste globalizat︠s︡ii sovremennogo mira" (3rd 2004 Moscow Russia). Chelovek, kulʹtura i obshchestvo v kontekste globalizat︠s︡ii sovremennogo mira : Ėlektronnai︠a︡ kulʹtura i novye gumanitarnye tekhnologii XXI veka : materialy III Mezhdunarodnoĭ nauchnoĭ konferent︠s︡ii. Moskva : Izd-vo "Nezavisimyĭ in-t grazhdanskogo ob-va", 2004.
Trouver le texte intégralSoldatkina, I͡A V., et Elena I͡Urʹevna Lazareva. Mediĭnye prot︠s︡essy v sovremennom gumanitarnom prostranstve : Podkhody k izuchenii︠u︡, ėvoli︠u︡t︠s︡ii︠a︡, perspektivy : materialy III nauchno-prakticheskoĭ konferent︠s︡ii. Moskva : MPGU, 2017.
Trouver le texte intégralLi, Daoliang. Computer and Computing Technologies in Agriculture V : 5th IFIP TC 5/SIG 5.1 Conference, CCTA 2011, Beijing, China, October 29-31, 2011, Proceedings, Part III. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2012.
Trouver le texte intégralBelarus) Mezhdunarodnai︠a︡ konferent︠s︡ii︠a︡ "Informat︠s︡ionnye sistemy i tekhnologii" (3nd 2006 Minsk. Informat︠s︡ionnye sistemy i tekhnologii (IST'2006) : Tretʹi︠a︡ Mezhdunarodnai︠a︡ konferent︠s︡ii︠a︡ (Minsk, 1--3 noi︠a︡bri︠a︡ 2006 g.) : materialy : v 2 chasti︠a︡kh = Information systems and technologies (IST'2006) : proceedings of the III International conference (Minsk, November 1--3, 2006) In two parts. Minsk : Akademii︠a︡ upravlenii︠a︡ pri Prezidente Respubliki Belarusʹ, 2006.
Trouver le texte intégralTechnologie der III/V-Halbleiter : III/V-Heterostrukturen und elektronische Höchstfrequenz-Bauelemente. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1997.
Trouver le texte intégralProst, Werner. Technologie der III/V-Halbleiter. III/V-Heterostrukturen und elektronische Höchstfrequenz-Bauelemente. Springer Verlag, 1997.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Technologie III-V"
Prost, Werner. « Einleitung ». Dans Technologie der III/V-Halbleiter, 1–2. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1997. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-60786-8_1.
Texte intégralProst, Werner. « Halbleiter-Materialsysteme ». Dans Technologie der III/V-Halbleiter, 3–17. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1997. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-60786-8_2.
Texte intégralProst, Werner. « Halbleiterkristallzucht (GaAs) ». Dans Technologie der III/V-Halbleiter, 19–23. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1997. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-60786-8_3.
Texte intégralProst, Werner. « Herstellung aktiver Bauelementschichten ». Dans Technologie der III/V-Halbleiter, 25–68. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1997. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-60786-8_4.
Texte intégralProst, Werner. « Material-Charakterisierung von Halbleiter-Heterostrukturen ». Dans Technologie der III/V-Halbleiter, 69–91. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1997. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-60786-8_5.
Texte intégralProst, Werner. « Abscheidung und Charakterisierung dielektrischer Schichten ». Dans Technologie der III/V-Halbleiter, 93–113. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1997. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-60786-8_6.
Texte intégralProst, Werner. « Bauelementtechnologie ». Dans Technologie der III/V-Halbleiter, 115–67. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1997. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-60786-8_7.
Texte intégralProst, Werner. « Umweltschutz und Arbeitssicherheit ». Dans Technologie der III/V-Halbleiter, 169–83. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1997. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-60786-8_8.
Texte intégralCheng, Keh Yung. « Material Technologies ». Dans III–V Compound Semiconductors and Devices, 161–202. Cham : Springer International Publishing, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-51903-2_5.
Texte intégralSingh, R. B., R. S. Paroda et Malavika Dadlani. « Science, Technology and Innovation ». Dans India Studies in Business and Economics, 213–50. Singapore : Springer Singapore, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-19-0763-0_8.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Technologie III-V"
Rodwell, M. J. W., S. Lee, C. Y. Huang, D. Elias, V. Chobpattana, B. J. Thibeault, W. Mitchell, S. Stemmer et A. C. Gossard. « High Performance III-V MOS Technologies ». Dans 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2014. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2014.e-8-1.
Texte intégralClaeys, C., A. Firrincieli, K. Martens, J. A. Kittl et E. Simoen. « Contact technology schemes for advanced Ge and III-V CMOS technologies ». Dans 2012 International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems (ICCDCS). IEEE, 2012. http://dx.doi.org/10.1109/iccdcs.2012.6188889.
Texte intégralPasslack, M., R. Droopad, K. Rajagopalan, J. Abrokwah, P. Zurcher et P. Fejes. « High Mobility III-V Mosfet Technology ». Dans 2006 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/csics.2006.319914.
Texte intégralGrant, Ian R. « Progress in III-V materials technology ». Dans European Symposium on Optics and Photonics for Defence and Security, sous la direction de Anthony W. Vere, James G. Grote et Francois Kajzar. SPIE, 2004. http://dx.doi.org/10.1117/12.583023.
Texte intégralPasslack, Matthias. « III–V metal-oxide-semiconductor technology ». Dans Related Materials (IPRM). IEEE, 2008. http://dx.doi.org/10.1109/iciprm.2008.4703075.
Texte intégralCrean, G. M., S. Paineau, B. Corbett, D. O’Connell, K. Rodgers, F. Stain, P. V. Kelly et G. Redmond. « Hybridisation Issues for Optoelectronic Components ». Dans The European Conference on Lasers and Electro-Optics. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1998. http://dx.doi.org/10.1364/cleo_europe.1998.ctuc1.
Texte intégralChiah, Siau Ben, Xing Zhou, Binit Syamal, Kenneth Eng Kian Lee, Cheng Yeow Ng et Eugene A. Fitzgerald. « Hybrid III–V/Si-CMOS PDK for Monolithic Heterogeneously-Integrated III–V/Si Technology Platforms ». Dans 2020 IEEE 15th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT). IEEE, 2020. http://dx.doi.org/10.1109/icsict49897.2020.9278196.
Texte intégralTakagi, S., et M. Takenaka. « III-V/Ge CMOS technologies on Si platform ». Dans 2010 IEEE Symposium on VLSI Technology. IEEE, 2010. http://dx.doi.org/10.1109/vlsit.2010.5556205.
Texte intégralKoch, Thomas L. « III-V and Silicon Photonic Integrated Circuit Technologies ». Dans Asia Communications and Photonics Conference. Washington, D.C. : OSA, 2012. http://dx.doi.org/10.1364/acp.2012.aw1a.2.
Texte intégralKoch, Thomas L. « III-V and Silicon Photonic Integrated Circuit Technologies ». Dans Asia Communications and Photonics Conference. Washington, D.C. : OSA, 2012. http://dx.doi.org/10.1364/acpc.2012.aw1a.2.
Texte intégralRapports d'organisations sur le sujet "Technologie III-V"
Muñoz, Ernesto, Iván Hernández, Francisco González, Nathalie Cely et Iván Prieto. The Discovery of New Export Products in Ecuador. Inter-American Development Bank, juin 2010. http://dx.doi.org/10.18235/0010828.
Texte intégralAldendifer, Elise, McKenzie Coe, Taylor Faught, Ian Klein, Peter Kuylen, Keeli Lane, Robert Loughran et al. The Safe and Efficient Development of Offshore Transboundary Hydrocarbons : Best Practices from the North Sea and Their Application to the Gulf of Mexico. Sous la direction de Gabriel Eckstein. Texas A&M University School of Law Program in Energy, Environmental, & Natural Resource Systems, septembre 2019. http://dx.doi.org/10.37419/eenrs.offshoretransboundaryhydrocarbons.
Texte intégralWilson, Thomas E., Avraham A. Levy et Tzvi Tzfira. Controlling Early Stages of DNA Repair for Gene-targeting Enhancement in Plants. United States Department of Agriculture, mars 2012. http://dx.doi.org/10.32747/2012.7697124.bard.
Texte intégralDawson, William O., et Moshe Bar-Joseph. Creating an Ally from an Adversary : Genetic Manipulation of Citrus Tristeza. United States Department of Agriculture, janvier 2004. http://dx.doi.org/10.32747/2004.7586540.bard.
Texte intégralKira, Beatriz, Rutendo Tavengerwei et Valary Mumbo. Points à examiner à l'approche des négociations de Phase II de la ZLECAf : enjeux de la politique commerciale numérique dans quatre pays d'Afrique subsaharienne. Digital Pathways at Oxford, mars 2022. http://dx.doi.org/10.35489/bsg-dp-wp_2022/01.
Texte intégralJoel, Daniel M., Steven J. Knapp et Yaakov Tadmor. Genomic Approaches for Understanding Virulence and Resistance in the Sunflower-Orobanche Host-Parasite Interaction. United States Department of Agriculture, août 2011. http://dx.doi.org/10.32747/2011.7592655.bard.
Texte intégral