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Lee, YongJae. « Simulations of Proposed Shallow Trench Isolation using TCAD Tool ». Journal of the Korea Society for Simulation 22, no 4 (31 décembre 2013) : 93–98. http://dx.doi.org/10.9709/jkss.2013.22.4.093.
Texte intégralLandowski, Matthew M., et Z. John Shen. « TCAD Based Power Semiconductor Device e-Learning Tool ». Journal of Power Electronics 10, no 6 (20 novembre 2010) : 643–46. http://dx.doi.org/10.6113/jpe.2010.10.6.643.
Texte intégralSakai, Atsushi, Katsumi Eikyu, Kenichi Hisada, Yasuhiro Yamashita, Koichi Arai, Hiroyuki Arie, Yutaka Akiyama et Tomohiro Yamashita. « Inverse Modeling of 4H-SiC Trench Gate MOSFETs Validated with Electrical and Physical Characterization ». Materials Science Forum 963 (juillet 2019) : 609–12. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.609.
Texte intégralRuey-Sing Wei et A. Sangiovanni-Vincentelli. « PLATYPUS : A PLA Test Pattern Generation Tool ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 5, no 4 (octobre 1986) : 633–44. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.1986.1270233.
Texte intégralHongmei Li, C. E. Zemke, G. Manetas, V. I. Okhmatovski, E. Rosenbaum et A. C. Cangellaris. « An automated and efficient substrate noise analysis tool ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 25, no 3 (mars 2006) : 454–68. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2005.854628.
Texte intégralRiente, Fabrizio, Giovanna Turvani, Marco Vacca, Massimo Ruo Roch, Maurizio Zamboni et Mariagrazia Graziano. « ToPoliNano : A CAD Tool for Nano Magnetic Logic ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 36, no 7 (juillet 2017) : 1061–74. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2017.2650983.
Texte intégralOikonomakos, P., et M. Zwolinski. « An Integrated High-Level On-Line Test Synthesis Tool ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 25, no 11 (novembre 2006) : 2479–91. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2006.882120.
Texte intégralTulunay, GÜlin, et Sina Balkir. « A Synthesis Tool for CMOS RF Low-Noise Amplifiers ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 27, no 5 (mai 2008) : 977–82. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2008.917579.
Texte intégralAbderehman, Mohammed, Rupak Gupta, Rakesh Reddy Theegala et Chandan Karfa. « BLAST : Belling the Black-Hat High-Level Synthesis Tool ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 41, no 11 (novembre 2022) : 3661–72. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2022.3200513.
Texte intégralKuznetsov, Maksim, Sergey Kalinin, Alexey Cherkaev et Dmitriy Ostertak. « Investigating physical model interface in the TCAD Sentaurus environment ». Transaction of Scientific Papers of the Novosibirsk State Technical University, no 3 (18 novembre 2020) : 39–48. http://dx.doi.org/10.17212/2307-6879-2020-3-39-48.
Texte intégralIbrahim, Walid, Valeriu Beiu et Azam Beg. « GREDA : A Fast and More Accurate Gate Reliability EDA Tool ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 31, no 4 (avril 2012) : 509–21. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2011.2176123.
Texte intégralKagaris, Dimitri. « MOTO-X : A Multiple-Output Transistor-Level Synthesis CAD Tool ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 35, no 1 (janvier 2016) : 114–27. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2015.2448675.
Texte intégralPantho, Jubaer Hossain, et Christophe Bobda. « MeXT-SE : A Design Tool to Transparently Generate Secure MPSoC ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 39, no 11 (novembre 2020) : 3799–808. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2020.3012651.
Texte intégralTao, Nick G. M., Bo-Rong Lin, Chien-Ping Lee, Tim Henderson et Barry J. F. Lin. « Study on mechanisms of InGaP/GaAs HBT safe operating area using TCAD simulation ». International Journal of Microwave and Wireless Technologies 7, no 3-4 (10 avril 2015) : 279–85. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078715000495.
Texte intégralShih, Hsiu-Chuan, Pei-Wen Luo, Jen-Chieh Yeh, Shu-Yen Lin, Ding-Ming Kwai, Shih-Lien Lu, Andre Schaefer et Cheng-Wen Wu. « DArT : A Component-Based DRAM Area, Power, and Timing Modeling Tool ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 33, no 9 (septembre 2014) : 1356–69. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2014.2323203.
Texte intégralSZCZESNY, ROMUALD, et MIECZYSLAW RONKOWSKI. « MODELING AND SIMULATION OF CONVERTER SYSTEMS PART II : SIMULATION PACKAGE TCAD ». Journal of Circuits, Systems and Computers 05, no 04 (décembre 1995) : 669–97. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126695000400.
Texte intégralLouris, E., D. Stefanakis, G. Priniotakis, L. Van Langenhove et D. Tassis. « Optimization of cylindrical textile organic field effect transistors using TCAD simulation tool ». IOP Conference Series : Materials Science and Engineering 254 (octobre 2017) : 162006. http://dx.doi.org/10.1088/1757-899x/254/16/162006.
Texte intégralMamidipaka, M., K. Khouri, N. Dutt et M. Abadir. « IDAP : A Tool for High-Level Power Estimation of Custom Array Structures ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 23, no 9 (septembre 2004) : 1361–69. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2004.833609.
Texte intégralTseng, Tsun-Ming, Mengchu Li, Daniel Nestor Freitas, Travis McAuley, Bing Li, Tsung-Yi Ho, Ismail Emre Araci et Ulf Schlichtmann. « Columba 2.0 : A Co-Layout Synthesis Tool for Continuous-Flow Microfluidic Biochips ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 37, no 8 (août 2018) : 1588–601. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2017.2760628.
Texte intégralMohanachandran Nair, Sarath, Rajendra Bishnoi, Mohammad Saber Golanbari, Fabian Oboril, Fazal Hameed et Mehdi B. Tahoori. « VAET-STT : Variation Aware STT-MRAM Analysis and Design Space Exploration Tool ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 37, no 7 (juillet 2018) : 1396–407. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2017.2760861.
Texte intégralRouying Zhan, Haigang Feng, Qiong Wu, Haolu Xie, Xiaokang Guan, Guang Chen et A. Z. H. Wang. « Esdextractor : a new technology-independent cad tool for arbitrary esd protection device extraction ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 22, no 10 (octobre 2003) : 1362–70. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2003.818140.
Texte intégralMichez, A., S. Dhombres et J. Boch. « ECORCE : A TCAD Tool for Total Ionizing Dose and Single Event Effect Modeling ». IEEE Transactions on Nuclear Science 62, no 4 (août 2015) : 1516–27. http://dx.doi.org/10.1109/tns.2015.2449281.
Texte intégralBiagetti, G., S. Orcioni, C. Turchetti, P. Crippa et M. Alessandrini. « SiSMA—A Tool for Efficient Analysis of Analog CMOS Integrated Circuits Affected by Device Mismatch ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 23, no 2 (février 2004) : 192–207. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2003.822131.
Texte intégralHazra, Aritra, Rajdeep Mukherjee, Pallab Dasgupta, Ajit Pal, Kevin M. Harer, Ansuman Banerjee et Subhankar Mukherjee. « POWER-TRUCTOR : An Integrated Tool Flow for Formal Verification and Coverage of Architectural Power Intent ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 32, no 11 (novembre 2013) : 1801–13. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2013.2267454.
Texte intégralAkopyan, Filipp, Jun Sawada, Andrew Cassidy, Rodrigo Alvarez-Icaza, John Arthur, Paul Merolla, Nabil Imam et al. « TrueNorth : Design and Tool Flow of a 65 mW 1 Million Neuron Programmable Neurosynaptic Chip ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 34, no 10 (octobre 2015) : 1537–57. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2015.2474396.
Texte intégralViale, Benjamin, et Bruno Allard. « Scalable and Versatile Design Guidance Tool for the ESD Robustness of Integrated Circuits—Part II ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 39, no 10 (octobre 2020) : 3107–17. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2019.2962119.
Texte intégralViale, Benjamin, et Bruno Allard. « Scalable and Versatile Design Guidance Tool for the ESD Robustness of Integrated Circuits - Part I ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 39, no 10 (octobre 2020) : 3067–80. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2019.2962120.
Texte intégralSeiculescu, Ciprian, Srinivasan Murali, Luca Benini et Giovanni De Micheli. « SunFloor 3D : A Tool for Networks on Chip Topology Synthesis for 3-D Systems on Chips ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 29, no 12 (décembre 2010) : 1987–2000. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2010.2061610.
Texte intégralUsha, C., et Palanichamy Vimala. « Analytical Drain Current Model for Fully Depleted Surrounding Gate TFET ». Journal of Nano Research 55 (novembre 2018) : 75–81. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/jnanor.55.75.
Texte intégralZhan, R., H. Feng, Q. Wu, H. Xie, X. Guan, G. Chen et A. Z. H. Wang. « ESDInspector : A New Layout-Level ESD Protection Circuitry Design Verification Tool Using a Smart-Parametric Checking Mechanism ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 23, no 10 (octobre 2004) : 1421–28. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2004.833613.
Texte intégralDuan, B. h., C. Xiong, L. Zhong, C. Zeng et J. h. Xiong. « Simulation of 14 MeV neutron-induced SEU in SRAM ». Journal of Instrumentation 18, no 02 (1 février 2023) : T02003. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/18/02/t02003.
Texte intégralLiu, Manwen, Wenzheng Cheng, Zheng Li, Zhenyang Zhao et Zhihua Li. « 3D Simulation, Electrical Characteristics and Customized Manufacturing Method for a Hemispherical Electrode Detector ». Sensors 22, no 18 (9 septembre 2022) : 6835. http://dx.doi.org/10.3390/s22186835.
Texte intégralChen, Jing, Yufeng Guo, Jun Zhang, Jianhua Liu, Qing Yao, Jiafei Yao, Maolin Zhang et Man Li. « Off-State Performance Characterization of an AlGaN/GaN Device via Artificial Neural Networks ». Micromachines 13, no 5 (5 mai 2022) : 737. http://dx.doi.org/10.3390/mi13050737.
Texte intégralDargar, Shashi Kant, J. K. Srivastava, Santosh Bharti et Abha Nyati. « Performance Evaluation of GaN based Thin Film Transistor using TCAD Simulation ». International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE) 7, no 1 (1 février 2017) : 144. http://dx.doi.org/10.11591/ijece.v7i1.pp144-151.
Texte intégralSirakoulis, G. Ch, I. Karafyllidis et A. Thanailakis. « A TCAD tool for the simulation of the CVD process based on cellular automata ». Le Journal de Physique IV 11, PR3 (août 2001) : Pr3–205—Pr3–212. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:2001326.
Texte intégralKUMARI, RITI, MANISH GOSWAMI et B. R. SINGH. « THE IMPACT OF CHANNEL ENGINEERING ON SHORT CHANNEL BEHAVIOR OF NANO FIN-FETs ». International Journal of Nanoscience 11, no 02 (avril 2012) : 1250021. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x12500214.
Texte intégralKim, Ki Yeong, Joo Seok Noh, Tae Young Yoon et Jang Hyun Kim. « Improvement in Turn-Off Loss of the Super Junction IGBT with Separated n-Buffer Layers ». Micromachines 12, no 11 (19 novembre 2021) : 1422. http://dx.doi.org/10.3390/mi12111422.
Texte intégralSharma, Sanjeev Kumar, Jeetendra Singh, Balwinder Raj et Mamta Khosla. « Analysis of Barrier Layer Thickness on Performance of In1–xGaxAs Based Gate Stack Cylindrical Gate Nanowire MOSFET ». Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 13, no 10 (1 octobre 2018) : 1473–77. http://dx.doi.org/10.1166/jno.2018.2374.
Texte intégralJiang, Yi Fan, B. Jayant Baliga et Alex Q. Huang. « Influence of Lateral Straggling of Implated Aluminum Ions on High Voltage 4H-SiC Device Edge Termination Design ». Materials Science Forum 924 (juin 2018) : 361–64. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.361.
Texte intégralOthman, Nurul Aida Farhana, Sharidya Rahman, Sharifah Fatmadiana Wan Muhamad Hatta, Norhayati Soin, Brahim Benbakhti et Steven Duffy. « Design optimization of the graded AlGaN/GaN HEMT device performance based on material and physical dimensions ». Microelectronics International 36, no 2 (1 avril 2019) : 73–82. http://dx.doi.org/10.1108/mi-09-2018-0057.
Texte intégralJayachandran, Remya, Dhanaraj Jagalchandran et Perinkolam Chidambaram Subramaniam. « Planar CMOS and multigate transistors based wide-band OTA buffer amplifiers for heavy resistance load ». Facta universitatis - series : Electronics and Energetics 35, no 1 (2022) : 13–28. http://dx.doi.org/10.2298/fuee2201013j.
Texte intégralVimala, Palanichamy, et N. R. Nithin Kumar. « Comparative Analysis of Various Parameters of Tri-Gate MOSFET with High-K Spacer ». Journal of Nano Research 56 (février 2019) : 119–30. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/jnanor.56.119.
Texte intégralMasalsky, Nikolae V. « Simulation of the characteristics of low-voltage gates on combined cylindrical surrounding gate field-effect nanotransistors ». Radioelectronics. Nanosystems. Information Technologies. 13, no 4 (29 décembre 2021) : 449–56. http://dx.doi.org/10.17725/rensit.2021.13.449.
Texte intégralElpelt, Rudolf, Bernd Zippelius, Stefan Doering et Uwe Winkler. « Employing Scanning Spreading Resistance Microscopy (SSRM) for Improving TCAD Simulation Accuracy of Silicon Carbide ». Materials Science Forum 897 (mai 2017) : 295–98. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.897.295.
Texte intégralMorozzi, A., M. Hoffmann, R. Mulargia, S. Slesazeck et E. Robutti. « Negative capacitance devices : sensitivity analyses of the developed TCAD ferroelectric model for HZO ». Journal of Instrumentation 17, no 01 (1 janvier 2022) : C01048. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/17/01/c01048.
Texte intégralZhou, Kai, Songming Miao, Xuanze Zhou, Guangwei Xu, Lingfei Wang et Shibing Long. « A core drain current model for β-Ga2O3 power MOSFETs based on surface potential ». AIP Advances 13, no 1 (1 janvier 2023) : 015202. http://dx.doi.org/10.1063/5.0134215.
Texte intégralItalia, Markus, Ioannis Deretzis, Alfio Nastasi, Silvia Scalese, Antonino La Magna, Massimo Pirnaci, Daniele Pagano, Dario Tenaglia et Patrizia Vasquez. « Multiscale Simulations of Plasma Etching in Silicon Carbide Structures ». Materials Science Forum 1062 (31 mai 2022) : 214–18. http://dx.doi.org/10.4028/p-n9v122.
Texte intégralSubash, T. D., T. Gnanasekaran, J. Jagannathan et C. Divya. « Relative Analysis of GaAs, InSb, InP Using QWFET ». Advanced Materials Research 984-985 (juillet 2014) : 1080–84. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.984-985.1080.
Texte intégralYang, Shao-Ming, Gene Sheu, Tzu Chieh Lee, Ting Yao Chien, Chieh Chih Wu et Yun Jung Lin. « Design of a Low on Resistance High Voltage (120V) Novel 3D NLDMOS with Side Isolation Based on 0.35um BCD Process Technology ». MATEC Web of Conferences 201 (2018) : 02004. http://dx.doi.org/10.1051/matecconf/201820102004.
Texte intégralTang, Zhao Huan, Bin Wang, Jia Nan Wang et Kai Zhou Tan. « Use N+ Buried Layer to Design a Low On-Resistance VDMOS ». Advanced Materials Research 756-759 (septembre 2013) : 4267–70. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.756-759.4267.
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