Articles de revues sur le sujet « TCAD ANALYSIS »
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Wang, Ke, Haodong Jiang, Yiming Liao, Yue Xu, Feng Yan et Xiaoli Ji. « Degradation Prediction of GaN HEMTs under Hot-Electron Stress Based on ML-TCAD Approach ». Electronics 11, no 21 (2 novembre 2022) : 3582. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11213582.
Texte intégralPan, Zijin, Cheng Li, Mengfu Di, Feilong Zhang et Albert Wang. « 3D TCAD Analysis Enabling ESD Layout Design Optimization ». IEEE Journal of the Electron Devices Society 8 (2020) : 1289–96. http://dx.doi.org/10.1109/jeds.2020.3027034.
Texte intégralGupta, Vaibhav. « Performance Analysis of TFET and VDSTFET for Low Power Application using the Work Function Engineering ». International Journal for Research in Applied Science and Engineering Technology 9, no VI (25 juin 2021) : 2722–27. http://dx.doi.org/10.22214/ijraset.2021.35534.
Texte intégralKim, Won-Young, Gee Young Suh, Jin Won Huh, Sung-Han Kim, Min-ju Kim, Yun Seong Kim, Hye-Ryoun Kim et al. « Triple-Combination Antiviral Drug for Pandemic H1N1 Influenza Virus Infection in Critically Ill Patients on Mechanical Ventilation ». Antimicrobial Agents and Chemotherapy 55, no 12 (3 octobre 2011) : 5703–9. http://dx.doi.org/10.1128/aac.05529-11.
Texte intégralPasseri, D., M. Baroncini, P. Ciampolini, G. M. Bilei, A. Santocchia, B. Checcucci et E. Fiandrini. « TCAD-based analysis of radiation-hardness in silicon detectors ». IEEE Transactions on Nuclear Science 45, no 3 (juin 1998) : 602–8. http://dx.doi.org/10.1109/23.682456.
Texte intégralScheinemann, Artur, et Andreas Schenk. « TCAD-based DLTS simulation for analysis of extended defects ». physica status solidi (a) 211, no 1 (janvier 2014) : 136–42. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201300233.
Texte intégralLi, Fuxing, Changchun Chai, Yuqian Liu, Yanxing Song, Lei Wang et Yintang Yang. « Study on ESD Protection Circuit by TCAD Simulation and TLP Experiment ». Micromachines 14, no 3 (4 mars 2023) : 600. http://dx.doi.org/10.3390/mi14030600.
Texte intégralHajj, Ibrahim N. « Extended Nodal Analysis ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 31, no 1 (janvier 2012) : 89–100. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2011.2167330.
Texte intégralJongyoon Jung et Taewhan Kim. « Variation-Aware False Path Analysis Based on Statistical Dynamic Timing Analysis ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 31, no 11 (novembre 2012) : 1684–97. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2012.2202392.
Texte intégralVytyaz, Igor, David C. Lee, Pavan Kumar Hanumolu, Un-Ku Moon et Kartikeya Mayaram. « Sensitivity Analysis for Oscillators ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 27, no 9 (septembre 2008) : 1521–34. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2008.927731.
Texte intégralKobayashi, Koji, Ryosuke Okuyama, Takeshi Kadono, Ayumi Onaka-Masada, Ryo Hirose, Akihiro Suzuki, Yoshihiro Koga, Koji Sueoka et Kazunari Kurita. « TEM Image Analysis and Simulation Physics for Two-Step Recrystallization of Discretely Amorphized C3H5-Molecular-Ion-Implanted Silicon Substrate Surface ». Crystals 14, no 2 (24 janvier 2024) : 112. http://dx.doi.org/10.3390/cryst14020112.
Texte intégralRigaud-Minet, Florian, Julien Buckley, William Vandendaele, Matthew Charles, Marie-Anne Jaud, Elise Rémont, Hervé Morel et al. « Capacitance Temperature Dependence Analysis of GaN-on-Si Power Transistors ». Energies 15, no 19 (26 septembre 2022) : 7062. http://dx.doi.org/10.3390/en15197062.
Texte intégralBoufouss, E., J. Alvarado et D. Flandre. « Compact modeling of the high temperature effect on the single event transient current generated by heavy ions in SOI 6T-SRAM ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2010, HITEC (1 janvier 2010) : 000077–82. http://dx.doi.org/10.4071/hitec-eboufouss-ta25.
Texte intégralVakili, Aref, Lucio Pancheri, Mahsa Farasat, Antonino La Magna, David Mascali et Matteo Bregoli. « Analysis of the performance of low gain avalanche diodes for future particle detectors ». Journal of Instrumentation 18, no 07 (1 juillet 2023) : P07052. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/18/07/p07052.
Texte intégralBryant, R. E. « Boolean Analysis of MOS Circuits ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 6, no 4 (juillet 1987) : 634–49. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.1987.1270310.
Texte intégralGnudi, A., P. Ciampolini, R. Guerrieri, M. Rudan et G. Baccarani. « Sensitivity Analysis for Device Design ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 6, no 5 (septembre 1987) : 879–85. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.1987.1270330.
Texte intégralJianwen Zhu et S. Calman. « Context sensitive symbolic pointer analysis ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 24, no 4 (avril 2005) : 516–31. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2005.844092.
Texte intégralVygen, J. « Slack in static timing analysis ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 25, no 9 (septembre 2006) : 1876–85. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2005.858348.
Texte intégralKouroussis, D., R. Ahmadi et F. N. Najm. « Voltage-Aware Static Timing Analysis ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 25, no 10 (octobre 2006) : 2156–69. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2005.860953.
Texte intégralSinha, Debjit, et Hai Zhou. « Statistical Timing Analysis With Coupling ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 25, no 12 (décembre 2006) : 2965–75. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2006.882482.
Texte intégralChoudhury, M. R., et K. Mohanram. « Reliability Analysis of Logic Circuits ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 28, no 3 (mars 2009) : 392–405. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2009.2012530.
Texte intégralYe, Zuochang, Zhenhai Zhu et Joel R. Phillips. « Incremental Large-Scale Electrostatic Analysis ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 28, no 11 (novembre 2009) : 1641–53. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2009.2030267.
Texte intégralFinder, Alexander, Andre Sulflow et Gorschwin Fey. « Latency Analysis for Sequential Circuits ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 33, no 4 (avril 2014) : 643–47. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2013.2292501.
Texte intégralLu, Zhonghai, et Xueqian Zhao. « xMAS-Based QoS Analysis Methodology ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 37, no 2 (février 2018) : 364–77. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2017.2706561.
Texte intégralJung, Hakkee. « Analysis of Subthreshold Swing of Symmetric Junctionless Double Gate MOSFET Using Gaussian Doping Profile ». International Journal of Emerging Technology and Advanced Engineering 12, no 1 (16 janvier 2022) : 23–30. http://dx.doi.org/10.46338/ijetae0122_03.
Texte intégralJeong, Jee-Hun, Ogyun Seok et Ho-Jun Lee. « Analysis of Electrical Characteristics in 4H-SiC Trench-Gate MOSFETs with Grounded Bottom Protection p-Well Using Analytical Modeling ». Applied Sciences 11, no 24 (18 décembre 2021) : 12075. http://dx.doi.org/10.3390/app112412075.
Texte intégralHerrera-Moreno, Alfonso, José Luis García-Gervacio, Héctor Villacorta-Minaya et Héctor Vázquez-Leal. « TCAD analysis and modeling for NBTI mechanism in FinFET transistors ». IEICE Electronics Express 15, no 14 (2018) : 20180502. http://dx.doi.org/10.1587/elex.15.20180502.
Texte intégralPetrosyants, K. O., A. A. Pugachev, I. A. Kharitinov et B. G. Lvov. « I-V- Characteristics analysis of betavoltaic microbatteries using TCAD model ». Journal of Physics : Conference Series 1353 (novembre 2019) : 012093. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1353/1/012093.
Texte intégralWang, Jinghui, Padhraic L. Mulligan et Lei R. Cao. « Transient current analysis of a GaN radiation detector by TCAD ». Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A : Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 761 (octobre 2014) : 7–12. http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2014.05.098.
Texte intégralHanson, D. A., R. J. G. Goossens, M. Redford, J. McGinty, J. K. Kibarian et K. W. Michaels. « Analysis of mixed-signal manufacturability with statistical technology CAD (TCAD) ». IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 9, no 4 (1996) : 478–88. http://dx.doi.org/10.1109/66.542163.
Texte intégralFleury, C., G. Notermans, H. M. Ritter et D. Pogany. « TIM, EMMI and 3D TCAD analysis of discrete-technology SCRs ». Microelectronics Reliability 76-77 (septembre 2017) : 698–702. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2017.06.070.
Texte intégralKenrow, J. A. « Characterization and Analysis of OFET Devices Based on TCAD Simulations ». IEEE Transactions on Electron Devices 52, no 9 (septembre 2005) : 2034–41. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2005.854281.
Texte intégralCeric, Hajdin, Orio de, Wolfhard Zisser et Siegfried Selberherr. « Microstructural impact on electromigration : A TCAD study ». Facta universitatis - series : Electronics and Energetics 27, no 1 (2014) : 1–11. http://dx.doi.org/10.2298/fuee1401001c.
Texte intégralBlaauw, D., V. Zolotov et S. Sundareswaran. « Slope propagation in static timing analysis ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 21, no 10 (octobre 2002) : 1180–95. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2002.802274.
Texte intégralVrudhula, S., D. T. Blaauw et S. Sirichotiyakul. « Probabilistic analysis of interconnect coupling noise ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 22, no 9 (septembre 2003) : 1188–203. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2003.816212.
Texte intégralHongliang Chang et S. S. Sapatnekar. « Statistical timing analysis under spatial correlations ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 24, no 9 (septembre 2005) : 1467–82. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2005.850834.
Texte intégralHaifeng Qian, S. R. Nassif et S. S. Sapatnekar. « Power grid analysis using random walks ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 24, no 8 (août 2005) : 1204–24. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2005.850863.
Texte intégralTseng, K., et M. Horowitz. « False coupling exploration in timing analysis ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 24, no 11 (novembre 2005) : 1795–805. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2005.852435.
Texte intégralRuibing Lu et Cheng-Kok Koh. « Performance analysis of latency-insensitive systems ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 25, no 3 (mars 2006) : 469–83. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2005.854636.
Texte intégralZhang, M., et N. R. Shanbhag. « Soft-Error-Rate-Analysis (SERA) Methodology ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 25, no 10 (octobre 2006) : 2140–55. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2005.862738.
Texte intégralMiskov-Zivanov, Natasa, et Diana Marculescu. « Circuit Reliability Analysis Using Symbolic Techniques ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 25, no 12 (décembre 2006) : 2638–49. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2006.882592.
Texte intégralLasbouygues, Benoit, Robin Wilson, Nadine Azemard et Philippe Maurine. « Temperature- and Voltage-Aware Timing Analysis ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 26, no 4 (avril 2007) : 801–15. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2006.884860.
Texte intégralJongeun Lee et Aviral Shrivastava. « Static Analysis of Register File Vulnerability ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 30, no 4 (avril 2011) : 607–16. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2010.2095630.
Texte intégralMakarenko, D. D., et J. Tartar. « A Statistical Analysis of PLA Folding ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 5, no 1 (janvier 1986) : 39–51. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.1986.1270176.
Texte intégralFeiten, Linus, Matthias Sauer, Tobias Schubert, Victor Tomashevich, Ilia Polian et Bernd Becker. « Formal Vulnerability Analysis of Security Components ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 34, no 8 (août 2015) : 1358–69. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2015.2448687.
Texte intégralHua, Wenmian, et Rajit Manohar. « Exact Timing Analysis for Asynchronous Systems ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 37, no 1 (janvier 2018) : 203–16. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2017.2693268.
Texte intégralBryant, R. E. « Algorithmic Aspects of Symbolic Switch Network Analysis ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 6, no 4 (juillet 1987) : 618–33. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.1987.1270309.
Texte intégralGang Li et N. R. Aluru. « Efficient mixed-domain analysis of electrostatic MEMS ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 22, no 9 (septembre 2003) : 1228–42. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2003.816210.
Texte intégralHashimoto, M., Y. Yamada et H. Onodera. « Equivalent Waveform Propagation for Static Timing Analysis ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 23, no 4 (avril 2004) : 498–508. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2004.825858.
Texte intégralRan, Y., A. Kondratyev, K. H. Tseng, Y. Watanabe et M. Marek-Sadowska. « Eliminating false positives in crosstalk noise analysis ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 24, no 9 (septembre 2005) : 1406–19. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2005.850829.
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