Articles de revues sur le sujet « Surface Activated Bonding »
Créez une référence correcte selon les styles APA, MLA, Chicago, Harvard et plusieurs autres
Consultez les 50 meilleurs articles de revues pour votre recherche sur le sujet « Surface Activated Bonding ».
À côté de chaque source dans la liste de références il y a un bouton « Ajouter à la bibliographie ». Cliquez sur ce bouton, et nous générerons automatiquement la référence bibliographique pour la source choisie selon votre style de citation préféré : APA, MLA, Harvard, Vancouver, Chicago, etc.
Vous pouvez aussi télécharger le texte intégral de la publication scolaire au format pdf et consulter son résumé en ligne lorsque ces informations sont inclues dans les métadonnées.
Parcourez les articles de revues sur diverses disciplines et organisez correctement votre bibliographie.
Takeuchi, Kai, Junsha Wang, Beomjoon Kim, Tadatomo Suga et Eiji Higurashi. « Room temperature bonding of Au assisted by self-assembled monolayer ». Applied Physics Letters 122, no 5 (30 janvier 2023) : 051603. http://dx.doi.org/10.1063/5.0128187.
Texte intégralLomonaco, Quentin, Karine Abadie, Jean-Michel Hartmann, Christophe Morales, Paul Noël, Tanguy Marion, Christophe Lecouvey, Anne-Marie Papon et Frank Fournel. « Soft Surface Activated Bonding of Hydrophobic Silicon Substrates ». ECS Meeting Abstracts MA2023-02, no 33 (22 décembre 2023) : 1601. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02331601mtgabs.
Texte intégralODA, Tomohiro, Tomoyuki ABE et Isao KUSUNOKI. « Wafer Bonding by Surface Activated Method ». Shinku 49, no 5 (2006) : 310–12. http://dx.doi.org/10.3131/jvsj.49.310.
Texte intégralLomonaco, Quentin, Karine Abadie, Jean-Michel Hartmann, Christophe Morales, Paul Noël, Tanguy Marion, Christophe Lecouvey, Anne-Marie Papon et Frank Fournel. « Soft Surface Activated Bonding of Hydrophobic Silicon Substrates ». ECS Transactions 112, no 3 (29 septembre 2023) : 139–45. http://dx.doi.org/10.1149/11203.0139ecst.
Texte intégralYang, Song, Ningkang Deng, Yongfeng Qu, Kang Wang, Yuan Yuan, Wenbo Hu, Shengli Wu et Hongxing Wang. « Argon Ion Beam Current Dependence of Si-Si Surface Activated Bonding ». Materials 15, no 9 (25 avril 2022) : 3115. http://dx.doi.org/10.3390/ma15093115.
Texte intégralYang, Song, Ningkang Deng, Yongfeng Qu, Kang Wang, Yuan Yuan, Wenbo Hu, Shengli Wu et Hongxing Wang. « Argon Ion Beam Current Dependence of Si-Si Surface Activated Bonding ». Materials 15, no 9 (25 avril 2022) : 3115. http://dx.doi.org/10.3390/ma15093115.
Texte intégralYang, Song, Ningkang Deng, Yongfeng Qu, Kang Wang, Yuan Yuan, Wenbo Hu, Shengli Wu et Hongxing Wang. « Argon Ion Beam Current Dependence of Si-Si Surface Activated Bonding ». Materials 15, no 9 (25 avril 2022) : 3115. http://dx.doi.org/10.3390/ma15093115.
Texte intégralSuga, Tadatomo, Fengwen Mu, Masahisa Fujino, Yoshikazu Takahashi, Haruo Nakazawa et Kenichi Iguchi. « Silicon carbide wafer bonding by modified surface activated bonding method ». Japanese Journal of Applied Physics 54, no 3 (15 janvier 2015) : 030214. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.030214.
Texte intégralHe, Ran, Masahisa Fujino, Akira Yamauchi et Tadatomo Suga. « Novel hydrophilic SiO2wafer bonding using combined surface-activated bonding technique ». Japanese Journal of Applied Physics 54, no 3 (12 février 2015) : 030218. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.030218.
Texte intégralSUGA, Tadatomo. « Low Temperature Bonding for 3D Integration-Surface Activated Bonding (SAB) ». Hyomen Kagaku 35, no 5 (2014) : 262–66. http://dx.doi.org/10.1380/jsssj.35.262.
Texte intégralSuga, Tadatomo. « Low Temperature Bonding by Means of the Surface Activated Bonding Method. » Materia Japan 35, no 5 (1996) : 496–500. http://dx.doi.org/10.2320/materia.35.496.
Texte intégralKim, T. H., M. M. R. Howlader, T. Itoh et T. Suga. « Room temperature Cu–Cu direct bonding using surface activated bonding method ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A : Vacuum, Surfaces, and Films 21, no 2 (mars 2003) : 449–53. http://dx.doi.org/10.1116/1.1537716.
Texte intégralChang, Chao Cheng. « Molecular Dynamics Simulation of Aluminium Thin Film Surface Activated Bonding ». Key Engineering Materials 486 (juillet 2011) : 127–30. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.486.127.
Texte intégralUTSUMI, Jun, Kensuke IDE et Yuko ICHIYANAGI. « Room Temperature Wafer Bonding by Surface Activated Method ». Hyomen Kagaku 38, no 2 (2017) : 72–76. http://dx.doi.org/10.1380/jsssj.38.72.
Texte intégralKerepesi, Péter, Bernhard Rebhan, Matthias Danner, Karin Stadlmann, Heiko Groiss, Peter Oberhumer, Jiri Duchoslav et Kurt Hingerl. « Oxide-Free SiC-SiC Direct Wafer Bonding and Its Characterization ». ECS Transactions 112, no 3 (29 septembre 2023) : 159–72. http://dx.doi.org/10.1149/11203.0159ecst.
Texte intégralHigurashi, Eiji, Yuta Sasaki, Ryuji Kurayama, Tadatomo Suga, Yasuo Doi, Yoshihiro Sawayama et Iwao Hosako. « Room-temperature direct bonding of germanium wafers by surface-activated bonding method ». Japanese Journal of Applied Physics 54, no 3 (22 janvier 2015) : 030213. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.030213.
Texte intégralHe, Ran, Masahisa Fujino, Akira Yamauchi et Tadatomo Suga. « Combined surface-activated bonding technique for low-temperature hydrophilic direct wafer bonding ». Japanese Journal of Applied Physics 55, no 4S (9 mars 2016) : 04EC02. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.55.04ec02.
Texte intégralHe, Ran, Masahisa Fujino, Akira Yamauchi, Yinghui Wang et Tadatomo Suga. « Combined Surface Activated Bonding Technique for Low-Temperature Cu/Dielectric Hybrid Bonding ». ECS Journal of Solid State Science and Technology 5, no 7 (2016) : P419—P424. http://dx.doi.org/10.1149/2.0201607jss.
Texte intégralHe, R., M. Fujino, A. Yamauchi et T. Suga. « Combined Surface-Activated Bonding Technique for Low-Temperature Cu/SiO2 Hybrid Bonding ». ECS Transactions 69, no 6 (2 octobre 2015) : 79–88. http://dx.doi.org/10.1149/06906.0079ecst.
Texte intégralSuga, T. « Cu-Cu Room Temperature Bonding - Current Status of Surface Activated Bonding(SAB) - ». ECS Transactions 3, no 6 (21 décembre 2019) : 155–63. http://dx.doi.org/10.1149/1.2357065.
Texte intégralShigetou, A., T. Itoh et T. Suga. « Direct bonding of CMP-Cu films by surface activated bonding (SAB) method ». Journal of Materials Science 40, no 12 (juin 2005) : 3149–54. http://dx.doi.org/10.1007/s10853-005-2677-1.
Texte intégralMu, Fengwen, Kenichi Iguchi, Haruo Nakazawa, Yoshikazu Takahashi, Masahisa Fujino, Ran He et Tadatomo Suga. « A comparison study : Direct wafer bonding of SiC–SiC by standard surface-activated bonding and modified surface-activated bonding with Si-containing Ar ion beam ». Applied Physics Express 9, no 8 (13 juillet 2016) : 081302. http://dx.doi.org/10.7567/apex.9.081302.
Texte intégralDanner, Matthias, Bernhard Rebhan, Péter Kerepesi et Wolfgang S. M. Werner. « Surface Activated Si-Si Wafer Bonding Using Different Ion Species ». ECS Transactions 112, no 3 (29 septembre 2023) : 119–24. http://dx.doi.org/10.1149/11203.0119ecst.
Texte intégralDanner, Matthias, Bernhard Rebhan, Péter Kerepesi et Wolfgang S. M. Werner. « Surface Activated Si-Si Wafer Bonding Using Different Ion Species ». ECS Meeting Abstracts MA2023-02, no 33 (22 décembre 2023) : 1599. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02331599mtgabs.
Texte intégralAbadie, Karine, Quentin Lomonaco, Laurent Michaud, Frank Fournel et Christophe Morales. « (First Best Paper Award) Vacuum Quality Impact on Covalent Bonding ». ECS Meeting Abstracts MA2023-02, no 33 (22 décembre 2023) : 1600. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02331600mtgabs.
Texte intégralLomonaco, Quentin, Karine Abadie, Christophe Morales, Laurent Gaëtan Michaud, Jérôme Richy, Stephane Moreau, Jean-Philippe Colonna et Frank Fournel. « Stress Engineering in Germanium-Silicon Heterostructure Using Surface Activated Hot Bonding ». ECS Transactions 109, no 4 (30 septembre 2022) : 277–87. http://dx.doi.org/10.1149/10904.0277ecst.
Texte intégralChoowitsakunlert, Salinee, Kenji Takagiwa, Takuya Kobashigawa, Nariaki Hosoya, Rardchawadee Silapunt et Hideki Yokoi. « Fabrication Processes of SOI Structure for Optical Nonreciprocal Devices ». Key Engineering Materials 777 (août 2018) : 107–12. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.777.107.
Texte intégralKim, Kyung Hoon, Soon Hyung Hong, Seung Il Cha, Sung Chul Lim, Hyouk Chon Kwon et Won Kyu Yoon. « Bonding Quality of Copper-Nickel Fine Clad Metal Prepared by Surface Activated Bonding ». MATERIALS TRANSACTIONS 51, no 4 (2010) : 787–92. http://dx.doi.org/10.2320/matertrans.m2009354.
Texte intégralHe, R., M. Fujino, A. Yamauchi et T. Suga. « Combined Surface Activated Bonding Technique for Hydrophilic SiO2-SiO2 and Cu-Cu Bonding ». ECS Transactions 75, no 9 (23 septembre 2016) : 117–28. http://dx.doi.org/10.1149/07509.0117ecst.
Texte intégralTakagi, H., Y. Kurashima et T. Suga. « (Invited) Surface Activated Wafer Bonding ; Principle and Current Status ». ECS Transactions 75, no 9 (23 septembre 2016) : 3–8. http://dx.doi.org/10.1149/07509.0003ecst.
Texte intégralLi, Y., S. Wang, B. Sun, H. Chang, W. Zhao, X. Zhang et H. Liu. « Room Temperature Wafer Bonding by Surface Activated ALD- Al2O3 ». ECS Transactions 50, no 7 (15 mars 2013) : 303–11. http://dx.doi.org/10.1149/05007.0303ecst.
Texte intégralHowlader, M. M. R., H. Okada, T. H. Kim, T. Itoh et T. Suga. « Wafer Level Surface Activated Bonding Tool for MEMS Packaging ». Journal of The Electrochemical Society 151, no 7 (2004) : G461. http://dx.doi.org/10.1149/1.1758723.
Texte intégralTakagi, H., K. Kikuchi, R. Maeda, T. R. Chung et T. Suga. « Surface activated bonding of silicon wafers at room temperature ». Applied Physics Letters 68, no 16 (15 avril 1996) : 2222–24. http://dx.doi.org/10.1063/1.115865.
Texte intégralHowlader, M. M. R., T. Suga, A. Takahashi, K. Saijo, S. Ozawa et K. Nanbu. « Surface activated bonding of LCP/Cu for electronic packaging ». Journal of Materials Science 40, no 12 (juin 2005) : 3177–84. http://dx.doi.org/10.1007/s10853-005-2681-5.
Texte intégralGardner, Douglas J., Jeffrey G. Ostmeyer et Thomas J. Elder. « Bonding Surface Activated Hardwood Flakeboard with Phenol-Formaldehyde Resin ». Holzforschung 45, no 3 (janvier 1991) : 215–22. http://dx.doi.org/10.1515/hfsg.1991.45.3.215.
Texte intégralKim, Kyung Hoon, Sung Chul Lim et Hyouk Chon Kwon. « The Effects of Heat Treatment on the Bonding Strength of Surface-Activated Bonding (SAB)-Treated Copper-Nickel Fine Clad Metals ». Materials Science Forum 654-656 (juin 2010) : 1932–35. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.654-656.1932.
Texte intégralLomonaco, Quentin, Karine Abadie, Christophe Morales, Laurent Gaëtan Michaud, Jérôme Richy, Stephane Moreau, Jean-Philippe Colonna et Frank Fournel. « Stress Engineering in Germanium-Silicon Heterostructure Using Surface Activated Hot Bonding ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 32 (9 octobre 2022) : 1219. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321219mtgabs.
Texte intégralChan, Cho X. J., et Peter N. Lipke. « Role of Force-Sensitive Amyloid-Like Interactions in Fungal Catch Bonding and Biofilms ». Eukaryotic Cell 13, no 9 (28 mars 2014) : 1136–42. http://dx.doi.org/10.1128/ec.00068-14.
Texte intégralKlokkevold, Katherine N., Weston Keeven, Dong Hun Lee, Michael Clevenger, Mingyuan Liu, Kwangsoo No, Han Wook Song et Sunghwan Lee. « Low-temperature metal/Zerodur heterogeneous bonding through gas-phase processed adhesion promoting interfacial layers ». AIP Advances 12, no 10 (1 octobre 2022) : 105224. http://dx.doi.org/10.1063/6.0002114.
Texte intégralUtsumi, Jun, Kensuke Ide et Yuko Ichiyanagi. « Room temperature bonding of SiO2and SiO2by surface activated bonding method using Si ultrathin films ». Japanese Journal of Applied Physics 55, no 2 (18 janvier 2016) : 026503. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.55.026503.
Texte intégralTakeuchi, Kai, Masahisa Fujino, Yoshiie Matsumoto et Tadatomo Suga. « Mechanism of bonding and debonding using surface activated bonding method with Si intermediate layer ». Japanese Journal of Applied Physics 57, no 4S (22 mars 2018) : 04FC11. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.57.04fc11.
Texte intégralHe, R., M. Fujino, A. Yamauchi et T. Suga. « Combined Surface-Activated Bonding (SAB) Technologies for New Approach to Low Temperature Wafer Bonding ». ECS Transactions 64, no 5 (14 août 2014) : 83–93. http://dx.doi.org/10.1149/06405.0083ecst.
Texte intégralMatsumae, T., M. Nakano, Y. Matsumoto et T. Suga. « Room Temperature Bonding of Polymer to Glass Wafers Using Surface Activated Bonding (SAB) Method ». ECS Transactions 50, no 7 (15 mars 2013) : 297–302. http://dx.doi.org/10.1149/05007.0297ecst.
Texte intégralKerepesi, Péter, Bernhard Rebhan, Matthias Danner, Karin Stadlmann, Heiko Groiss, Peter Oberhumer, Jiri Duchoslav et Kurt Hingerl. « Oxide-Free SiC-SiC Direct Wafer Bonding and Its Characterization ». ECS Meeting Abstracts MA2023-02, no 33 (22 décembre 2023) : 1603. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02331603mtgabs.
Texte intégralZhang, Wenting, Caorui Zhang, Junmin Wu, Fei Yang, Yunlai An, Fangjing Hu et Ji Fan. « Low Temperature Hydrophilic SiC Wafer Level Direct Bonding for Ultrahigh-Voltage Device Applications ». Micromachines 12, no 12 (17 décembre 2021) : 1575. http://dx.doi.org/10.3390/mi12121575.
Texte intégralAbadie, Karine, Quentin Lomonaco, Laurent Michaud, Frank Fournel et Christophe Morales. « Vacuum Quality Impact on Covalent Bonding ». ECS Transactions 112, no 3 (29 septembre 2023) : 125–37. http://dx.doi.org/10.1149/11203.0125ecst.
Texte intégralShigekawa, Naoteru, Masashi Morimoto, Shota Nishida et Jianbo Liang. « Surface-activated-bonding-based InGaP-on-Si double-junction cells ». Japanese Journal of Applied Physics 53, no 4S (1 janvier 2014) : 04ER05. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.53.04er05.
Texte intégralSaijo, Kinji, Kazuo Yoshida, Yoshihiko Isobe, Akio Miyachi et Kazuyuki Koike. « Development of Clad Sheet Manufacturing Process by Surface Activated Bonding. » Materia Japan 39, no 2 (2000) : 172–74. http://dx.doi.org/10.2320/materia.39.172.
Texte intégralMatsumae, Takashi, et Tadatomo Suga. « Graphene transfer by surface activated bonding with poly(methyl glutarimide) ». Japanese Journal of Applied Physics 57, no 2S1 (5 décembre 2017) : 02BB02. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.57.02bb02.
Texte intégralLiang, J., K. Furuna, M. Matsubara, M. Dhamrin, Y. Nishio et N. Shigekawa. « Ultra-Thick Metal Ohmic Contact Fabrication Using Surface Activated Bonding ». ECS Transactions 75, no 9 (23 septembre 2016) : 25–32. http://dx.doi.org/10.1149/07509.0025ecst.
Texte intégral