Articles de revues sur le sujet « SUBMICRON TECHNOLOGIES »
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Claeys, Cor, Jan Vanhellemont et Eddy Simoen. « Defect Engineering in Submicron CMOS Technologies ». Solid State Phenomena 19-20 (janvier 1991) : 95–108. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.19-20.95.
Texte intégralGal, Laszlo, C. Prunty et R. Kumar. « Comparative study of submicron BiCMOS technologies ». Microelectronics Journal 23, no 1 (mars 1992) : 59–74. http://dx.doi.org/10.1016/0026-2692(92)90097-k.
Texte intégralZhu, Tao, Hai Rong Li, Yan Dong Wan, Sha Chen et Hai Bing Liu. « Recognizability and Controlling Technology of Submicron Particles ». Applied Mechanics and Materials 182-183 (juin 2012) : 369–73. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.182-183.369.
Texte intégralLiu, Xiaoxiao, Guangsheng Ma, Jingbo Shao, Zhi Yang et Guanjun Wang. « Interconnect crosstalk noise evaluation in deep-submicron technologies ». Microelectronics Reliability 49, no 2 (février 2009) : 170–77. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2008.11.013.
Texte intégralJarron, P., G. Anelli, T. Calin, J. Cosculluela, M. Campbell, M. Delmastro, F. Faccio et al. « Deep submicron CMOS technologies for the LHC experiments ». Nuclear Physics B - Proceedings Supplements 78, no 1-3 (août 1999) : 625–34. http://dx.doi.org/10.1016/s0920-5632(99)00615-5.
Texte intégralChong, Y. F., K. L. Pey, A. T. S. Wee, A. See, Z. X. Shen, C. H. Tung, R. Gopalakrishnan et Y. F. Lu. « Laser-induced titanium disilicide formation for submicron technologies ». Journal of Electronic Materials 30, no 12 (décembre 2001) : 1549–53. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-001-0172-2.
Texte intégralAchkasov, A., Maksim Solodilov, Nikolay Litvinov, Pavel Chubunov, V. Zolnikov, Dmitriy Shehovcov et Oleg Bordyuzha. « Features of the design of microcircuits made using deep-submicron technologies ». Modeling of systems and processes 15, no 4 (13 décembre 2022) : 7–17. http://dx.doi.org/10.12737/2219-0767-2022-15-4-7-17.
Texte intégralSchwalke, U., M. Kerber, K. Koller et H. J. Jacobs. « EXTIGATE : The ultimate process architecture for submicron CMOS technologies ». IEEE Transactions on Electron Devices 44, no 11 (1997) : 2070–77. http://dx.doi.org/10.1109/16.641386.
Texte intégralNikolaidis, T., et C. Papadas. « ESD production for deep submicron triple well CMOS technologies ». Electronics Letters 35, no 23 (1999) : 2025. http://dx.doi.org/10.1049/el:19991393.
Texte intégralЧубур, K. Chubur, Яньков, A. Yankov, Зольников, Konstantin Zolnikov, Ачкасов et A. Achkasov. « ALGORITHMIC BASIS OF MODELING FAILURES IN DEEP-SUBMICRON TECHNOLOGIES ». Modeling of systems and processes 8, no 1 (2 juillet 2015) : 15–17. http://dx.doi.org/10.12737/12014.
Texte intégralShields, Christopher. « Submicron Filtration Media ». International Nonwovens Journal os-14, no 3 (septembre 2005) : 1558925005os—14. http://dx.doi.org/10.1177/1558925005os-1400305.
Texte intégralClaeys, C., J. Vanhellemont, T. Cavioni et F. Gualandris. « Structural and Electrical Characterization of SWAMI Techniques for Submicron Technologies ». Journal of The Electrochemical Society 136, no 9 (1 septembre 1989) : 2619–24. http://dx.doi.org/10.1149/1.2097519.
Texte intégralYao, Chunhua, Kewal K. Saluja et Parameswaran Ramanathan. « Power and Thermal Constrained Test Scheduling Under Deep Submicron Technologies ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 30, no 2 (février 2011) : 317–22. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2010.2079350.
Texte intégralMogul, H. C., T. A. Rost et Der-Gao Lin. « Advantages of LDD-only implanted fluorine with submicron CMOS technologies ». IEEE Transactions on Electron Devices 44, no 3 (mars 1997) : 388–94. http://dx.doi.org/10.1109/16.556148.
Texte intégralPonomarev, Y. V., P. A. Stolk, C. Salm, J. Schmitz et P. H. Woerlee. « High-performance deep submicron CMOS technologies with polycrystalline-SiGe gates ». IEEE Transactions on Electron Devices 47, no 4 (avril 2000) : 848–55. http://dx.doi.org/10.1109/16.831003.
Texte intégralManghisoni, M., L. Ratti, V. Re et V. Speziali. « Submicron CMOS technologies for low-noise analog front-end circuits ». IEEE Transactions on Nuclear Science 49, no 4 (août 2002) : 1783–90. http://dx.doi.org/10.1109/tns.2002.801540.
Texte intégralDeleonibus, S., P. Molle, L. Tosti et M. C. Taccusel. « Sealing Silicon Nitride Removal in SILO Field Isolation for Submicron Technologies ». Journal of The Electrochemical Society 138, no 12 (1 décembre 1991) : 3739–42. http://dx.doi.org/10.1149/1.2085491.
Texte intégralPriya, M. Geetha, K. Baskaran et D. Krishnaveni. « Leakage Power Reduction Techniques in Deep Submicron Technologies for VLSI Applications ». Procedia Engineering 30 (2012) : 1163–70. http://dx.doi.org/10.1016/j.proeng.2012.01.976.
Texte intégralHansen, D. L. « Proton Cross-Sections from Heavy-Ion Data in Deep-Submicron Technologies ». IEEE Transactions on Nuclear Science 62, no 6 (décembre 2015) : 2874–80. http://dx.doi.org/10.1109/tns.2015.2482360.
Texte intégralVincent, E., S. Bruyere, C. Papadas et P. Mortini. « Dielectric reliability in deep-submicron technologies : From thin to ultrathin oxides ». Microelectronics Reliability 37, no 10-11 (octobre 1997) : 1499–506. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(97)00095-4.
Texte intégralKobeda, E., J. D. Warnock, J. P. Gambino, S. B. Brodsky, B. Cunningham et S. Basavaiah. « Diffusion barrier properties of TiN films for submicron silicon bipolar technologies ». Journal of Applied Physics 72, no 7 (octobre 1992) : 2743–48. http://dx.doi.org/10.1063/1.351525.
Texte intégralDeura, Manabu, Yasuo Nara, Tatsuya Yamazaki, Kenichi Gotoh, Fumio Ohtake, Hajime Kurata et Toshihiro Sugii. « Deep-submicron CMOS technologies for low-power and high-performance operation ». Electronics and Communications in Japan (Part II : Electronics) 79, no 11 (1996) : 1–9. http://dx.doi.org/10.1002/ecjb.4420791101.
Texte intégralNGAN, A. H. W., P. C. WO, L. ZUO, H. LI et N. AFRIN. « THE STRENGTH OF SUBMICRON-SIZED MATERIALS ». International Journal of Modern Physics B 20, no 25n27 (30 octobre 2006) : 3579–86. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979206040027.
Texte intégralLiu, Xiao Xiao, Jing Bo Shao et Ling Ling Zhao. « An Efficient Methodology for Estimating Interconnect Crosstalk Noise in Deep-Submicron Technologies ». Advanced Materials Research 989-994 (juillet 2014) : 2647–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.989-994.2647.
Texte intégralАчкасов, A. Achkasov, Яньков, A. Yankov, Зольников, Konstantin Zolnikov, Чубур et K. Chubur. « THE ALGORITHMIC BASIS OF MODELLING OF FAILURES FROM EXPOSURE TO HEAVY CHARGED PARTICLES IN VLSI, MADE BY DEEP-SUBMICRON TECHNOLOGIES ». Modeling of systems and processes 8, no 3 (11 janvier 2016) : 36–38. http://dx.doi.org/10.12737/17166.
Texte intégralKalra, Shruti. « On the mathematical insight of moderate inversion for ultradeep submicron CMOS technologies ». Journal of Computational Electronics 17, no 1 (16 novembre 2017) : 205–10. http://dx.doi.org/10.1007/s10825-017-1109-1.
Texte intégralSimoen, E., et C. Claeys. « Reliability aspects of the low-frequency noise behaviour of submicron CMOS technologies ». Semiconductor Science and Technology 14, no 8 (1 janvier 1999) : R61—R71. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/14/8/201.
Texte intégralClaeys, Cor, Geert Eneman, Mireia Bargallo Gonzalez, Sofie Put et Eddy Simoen. « Electrical Performance and Reliability Aspects of Strain Engineered Deep Submicron CMOS Technologies ». ECS Transactions 8, no 1 (19 décembre 2019) : 15–22. http://dx.doi.org/10.1149/1.2767280.
Texte intégralKim, Jisu, Kyungho Ryu, Jung Pill Kim, Seung H. Kang et Seong-Ook Jung. « STT-MRAM Sensing Circuit With Self-Body Biasing in Deep Submicron Technologies ». IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems 22, no 7 (juillet 2014) : 1630–34. http://dx.doi.org/10.1109/tvlsi.2013.2272587.
Texte intégralEndzhievskaya, I. G., A. V. Demina et M. A. Galkin. « Industrial waste-based submicron additives in cement mortars ». Vestnik Tomskogo gosudarstvennogo arkhitekturno-stroitel'nogo universiteta. JOURNAL of Construction and Architecture 24, no 3 (26 juin 2022) : 114–27. http://dx.doi.org/10.31675/1607-1859-2022-24-3-114-127.
Texte intégralStaman, J. W., R. L. Hodges, G. A. Dixit, F. R. Bryant, R. Sundaresan, C. C. Wei et F. T. Liou. « Characterization of defects resulting from the poly-buffered local oxidation isolation process ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 50, no 2 (août 1992) : 1392–93. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100131590.
Texte intégralSchmitz, A., et R. Tielert. « A new circuit technique for reduced leakage current in Deep Submicron CMOS technologies ». Advances in Radio Science 3 (13 mai 2005) : 355–58. http://dx.doi.org/10.5194/ars-3-355-2005.
Texte intégralClaeys, Cor, Sofie Put, Alessio Griffoni, Andrea Cester, Simone Gerardin, G. Meneghesso, Alessandro Paccagnella et Eddy Simoen. « Impact of Radiation on the Operation and Reliability of Deep Submicron CMOS Technologies ». ECS Transactions 27, no 1 (17 décembre 2019) : 39–46. http://dx.doi.org/10.1149/1.3360593.
Texte intégralKleczek, R., et P. Kmon. « Comparative analysis of the readout front-end electronics implemented in deep submicron technologies ». Journal of Instrumentation 13, no 11 (5 novembre 2018) : C11002. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/13/11/c11002.
Texte intégralLa Rosa, Giuseppe, et Stewart E. Rauch. « Channel hot carrier effects in n-MOSFET devices of advanced submicron CMOS technologies ». Microelectronics Reliability 47, no 4-5 (avril 2007) : 552–58. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2007.01.031.
Texte intégralEkekwe, Ndubuisi, et Ralph Etienne-Cummings. « Power dissipation sources and possible control techniques in ultra deep submicron CMOS technologies ». Microelectronics Journal 37, no 9 (septembre 2006) : 851–60. http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2006.03.008.
Texte intégralIsmail, Ayman, et Mohamed Elmasry. « Analysis of the Flash ADC Bandwidth–Accuracy Tradeoff in Deep-Submicron CMOS Technologies ». IEEE Transactions on Circuits and Systems II : Express Briefs 55, no 10 (octobre 2008) : 1001–5. http://dx.doi.org/10.1109/tcsii.2008.2001979.
Texte intégralAmerasekera, Ajith, et Amitava Chatterjee. « An investigation of BiCMOS ESD protection circuit elements and applications in submicron technologies ». Journal of Electrostatics 31, no 2-3 (décembre 1993) : 145–60. http://dx.doi.org/10.1016/0304-3886(93)90006-s.
Texte intégralAgrawal, Pankaj, et Nikhil Saxena. « Leakage current analysis for stack based Nano CMOS Digital Circuits ». International Journal of Electrical and Electronics Research 2, no 2 (30 juin 2014) : 5–11. http://dx.doi.org/10.37391/ijeer.020202.
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Texte intégralViswadha, Singathala Guru. « Next Generation Computing Using Quantum Dot Cellular Automata Nano Technology, New Promising Alternative to CMOS ». Asian Journal of Computer Science and Technology 8, S3 (5 juin 2019) : 19–24. http://dx.doi.org/10.51983/ajcst-2019.8.s3.2111.
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Texte intégralFazeli, M., S. G. Miremadi, A. Ejlali et A. Patooghy. « Low energy single event upset/single event transient-tolerant latch for deep subMicron technologies ». IET Computers & ; Digital Techniques 3, no 3 (2009) : 289. http://dx.doi.org/10.1049/iet-cdt.2008.0099.
Texte intégralJenkins, K. A., J. N. Burghartz et P. D. Agnello. « Identification of gate electrode discontinuities in submicron CMOS technologies, and effect on circuit performance ». IEEE Transactions on Electron Devices 43, no 5 (mai 1996) : 759–65. http://dx.doi.org/10.1109/16.491253.
Texte intégralSallagoity, P., M. Ada-Hanifi, M. Paoli et M. Haond. « Analysis of width edge effects in advanced isolation schemes for deep submicron CMOS technologies ». IEEE Transactions on Electron Devices 43, no 11 (1996) : 1900–1906. http://dx.doi.org/10.1109/16.543025.
Texte intégralLeonenko, Nina. « Integration of fiber lasers in processes of mineral raw material processing ». E3S Web of Conferences 56 (2018) : 03020. http://dx.doi.org/10.1051/e3sconf/20185603020.
Texte intégralLukyanenko, A. V., et T. E. Smolyarova. « Alternative technology for creating nanostructures using Dip Pen Nanolithography ». Физика и техника полупроводников 52, no 5 (2018) : 519. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2018.05.45863.52.
Texte intégralLiu, Xiao Xiao, Jing Bo Shao et Ling Ling Zhao. « A New Spatial Correlation Model Based on the Distributed RC-∏ Model ». Advanced Materials Research 989-994 (juillet 2014) : 2204–7. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.989-994.2204.
Texte intégralBoyes, E. D. « LVEDS For Advanced Materials and Semiconductor Technologies ». Microscopy and Microanalysis 5, S2 (août 1999) : 314–15. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600014896.
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