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DESPOTULI, ALEXANDER, et ALEXANDRA ANDREEVA. « A SHORT REVIEW ON DEEP-SUB-VOLTAGE NANOELECTRONICS AND RELATED TECHNOLOGIES ». International Journal of Nanoscience 08, no 04n05 (août 2009) : 389–402. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x09006328.
Texte intégralYamazaki, T., K. Imai, H. Yoshida, Y. Kinoshita et H. Suzuki. « Process integration technologies for sub-half micron BiCMOS LSls ». Electrical Engineering 79, no 5 (octobre 1996) : 329–33. http://dx.doi.org/10.1007/bf01235873.
Texte intégralBude, J. D., et M. Mastrapasqua. « Impact ionization and distribution functions in sub-micron nMOSFET technologies ». IEEE Electron Device Letters 16, no 10 (octobre 1995) : 439–41. http://dx.doi.org/10.1109/55.464810.
Texte intégralManolopoulos, Spyros, K. Mathieson et R. Turchetta. « Simulation of monolithic active pixels in deep sub-micron technologies ». Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A : Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 487, no 1-2 (juillet 2002) : 181–87. http://dx.doi.org/10.1016/s0168-9002(02)00963-4.
Texte intégralBoyes, E. D. « LVEDS For Advanced Materials and Semiconductor Technologies ». Microscopy and Microanalysis 5, S2 (août 1999) : 314–15. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600014896.
Texte intégralDuruk, Alper, Ece Olcay Güneş et Hakan Kuntman. « A new low voltage CMOS differential OTRA for sub-micron technologies ». AEU - International Journal of Electronics and Communications 61, no 5 (mai 2007) : 291–99. http://dx.doi.org/10.1016/j.aeue.2006.05.009.
Texte intégralKaloyeros, Alain E., et Michael A. Fury. « Chemical Vapor Deposition of Copper for Multilevel Metallization ». MRS Bulletin 18, no 6 (juin 1993) : 22–29. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400047291.
Texte intégralBude, Jeff D. « Monte Carlo Simulations of Impact Ionization Feedback in MOSFET Structures ». VLSI Design 8, no 1-4 (1 janvier 1998) : 13–19. http://dx.doi.org/10.1155/1998/10649.
Texte intégralVishnoi, U., et T. G. Noll. « Area- and energy-efficient CORDIC accelerators in deep sub-micron CMOS technologies ». Advances in Radio Science 10 (18 septembre 2012) : 207–13. http://dx.doi.org/10.5194/ars-10-207-2012.
Texte intégralGul, Waqas, Maitham Shams et Dhamin Al-Khalili. « SRAM Cell Design Challenges in Modern Deep Sub-Micron Technologies : An Overview ». Micromachines 13, no 8 (17 août 2022) : 1332. http://dx.doi.org/10.3390/mi13081332.
Texte intégralBaldi, L., B. Franzini, D. Pandini et R. Zafalon. « Design solutions for the interconnection parasitic effects in deep sub-micron technologies ». Microelectronic Engineering 55, no 1-4 (mars 2001) : 11–18. http://dx.doi.org/10.1016/s0167-9317(00)00423-8.
Texte intégralGelpey, Jeffrey C., Steve McCoy, Dave Camm et Wilfried Lerch. « An Overview of ms Annealing for Deep Sub-Micron Activation ». Materials Science Forum 573-574 (mars 2008) : 257–67. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.573-574.257.
Texte intégralArmigliato, A., R. Balboni, G. P. Carnevale, P. Colpani, S. Frabboni et G. Pavia. « Strain Field Distribution in Submicron Devices by TEM/CBED. A European Project ». Microscopy and Microanalysis 6, S2 (août 2000) : 1076–77. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600037879.
Texte intégralLudeke, Sascha, et Arto Javanainen. « Proton Direct Ionization in Sub-Micron Technologies : Numerical Method for RPP Parameter Extraction ». IEEE Transactions on Nuclear Science 69, no 3 (mars 2022) : 254–63. http://dx.doi.org/10.1109/tns.2022.3147592.
Texte intégralChen, X. Y., J. A. Johansen, C. Salm et A. D. van Rheenen. « On low-frequency noise of polycrystalline GexSi1−x for sub-micron CMOS technologies ». Solid-State Electronics 45, no 11 (novembre 2001) : 1967–71. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00242-8.
Texte intégralBalasubramanian, A., A. L. Sternberg, B. L. Bhuva et L. W. Massengill. « Crosstalk Effects Caused by Single Event Hits in Deep Sub-Micron CMOS Technologies ». IEEE Transactions on Nuclear Science 53, no 6 (décembre 2006) : 3306–11. http://dx.doi.org/10.1109/tns.2006.884675.
Texte intégralPak, Murat, Zeliha Yilmaz et Aylin Ersoy. « A Novel OPC Technique for 2D Critical Dimension Optimization of Sub-micron Patterns using an Experimental Methodology ». International Symposium on Microelectronics 2012, no 1 (1 janvier 2012) : 000702–9. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2012-wa56.
Texte intégralNGAN, A. H. W., P. C. WO, L. ZUO, H. LI et N. AFRIN. « THE STRENGTH OF SUBMICRON-SIZED MATERIALS ». International Journal of Modern Physics B 20, no 25n27 (30 octobre 2006) : 3579–86. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979206040027.
Texte intégralNunes, A. M., S. A. Moshkalev, P. J. Tatsch et A. M. Daltrini. « Plasma Etching of Polycrystalline Silicon using Thinning Technology for Application in CMOS and MEMS Technologies ». Journal of Integrated Circuits and Systems 2, no 2 (18 novembre 2007) : 74–80. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v2i2.269.
Texte intégralSHANG, Kefeng, Wudi CAO, Weiwei HUAN, Nan JIANG, Na LU et Jie LI. « Effect of megapore particles packing on dielectric barrier discharge, O3 generation and benzene degradation ». Plasma Science and Technology 24, no 1 (22 novembre 2021) : 015501. http://dx.doi.org/10.1088/2058-6272/ac3379.
Texte intégralFossum, Jon Otto. « Clay nanolayer encapsulation, evolving from origins of life to future technologies ». European Physical Journal Special Topics 229, no 17-18 (novembre 2020) : 2863–79. http://dx.doi.org/10.1140/epjst/e2020-000131-1.
Texte intégralKrishna, R., et Punithavathi Duraiswamy. « Low leakage 10T SRAM cell with improved data stability in deep sub-micron technologies ». Analog Integrated Circuits and Signal Processing 109, no 1 (6 mai 2021) : 153–63. http://dx.doi.org/10.1007/s10470-021-01870-7.
Texte intégralFobelets, K., W. Jeamsaksiri, C. Papavasilliou, T. Vilches, V. Gaspari, J. E. Velazquez-Perez, K. Michelakis, T. Hackbarth et U. König. « Comparison of sub-micron Si:SiGe heterojunction nFETs to Si nMOSFET in present-day technologies ». Solid-State Electronics 48, no 8 (août 2004) : 1401–6. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2004.01.017.
Texte intégralNing, Zhenqiu, Yuri Sneyders, Wim Vanderbauwhede, Renaud Gillon, Marnix Tack et Paul Raes. « A compact test structure for characterisation of leakage currents in sub-micron CMOS technologies ». Microelectronics Reliability 41, no 12 (décembre 2001) : 1939–45. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(01)00100-7.
Texte intégralJo, Seongmin, et Yong Ho Song. « Leakage-aware adaptive routing for pipelined on-chip networks in ultra-deep sub-micron technologies ». IEICE Electronics Express 9, no 24 (2012) : 1887–92. http://dx.doi.org/10.1587/elex.9.1887.
Texte intégralSamanta, Smrutilekha, Bhawna Tiwari, Pydi Ganga Bahubalindruni, Pedro Barquinha et Joao Goes. « Threshold voltage extraction techniques adaptable from sub-micron CMOS to large-area oxide TFT technologies ». International Journal of Circuit Theory and Applications 45, no 12 (5 avril 2017) : 2201–10. http://dx.doi.org/10.1002/cta.2340.
Texte intégralDishari, Shudipto K. « (Invited) Novel Nature-Inspired Concepts to Design Ionomeric Nanomaterials for Energy Conversion and Storage Devices ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 38 (7 juillet 2022) : 1707. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01381707mtgabs.
Texte intégralZhao, Gaoyang, Zhen Wei, Weilei Wang, Daohuan Feng, Aoxue Xu, Weili Liu et Zhitang Song. « Review on modeling and application of chemical mechanical polishing ». Nanotechnology Reviews 9, no 1 (12 mars 2020) : 182–89. http://dx.doi.org/10.1515/ntrev-2020-0016.
Texte intégralHwang, T., G. W. Wang, Y. Chang et C. L. Lau. « Comparison of Single and Tri‐Layer Technologies for Volume Production of Sub‐Half Micron Gate GaAs MESFETs ». Journal of The Electrochemical Society 139, no 2 (1 février 1992) : 625–28. http://dx.doi.org/10.1149/1.2069269.
Texte intégralJavaheri, Reza, et Reza Sedaghat. « Multi-valued logic mapping of resistive short and open delay-fault testing in deep sub-micron technologies ». Microelectronics Reliability 49, no 2 (février 2009) : 178–85. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2008.11.010.
Texte intégralWaghmare, Parag C., Samadhan B. Patil, Alka Kumbhar, R. O. Dusane et V. Ramgopal Rao. « Ultra-thin silicon nitride by hot wire chemical vapor deposition (HWCVD) for deep sub-micron CMOS technologies ». Microelectronic Engineering 61-62 (juillet 2002) : 625–29. http://dx.doi.org/10.1016/s0167-9317(02)00575-0.
Texte intégralMillan, Alejandro, Manuel J. Bellido, Jorge Juan, David Guerrero, Paulino Ruiz-de-Clavijo et Julian Viejo. « Comprehensive Analysis on the Internal Power Dissipation of Static CMOS Cells in Ultra-Deep Sub-Micron Technologies ». Journal of Low Power Electronics 6, no 1 (1 avril 2010) : 93–102. http://dx.doi.org/10.1166/jolpe.2010.1059.
Texte intégralRao Tirumalasetty, Venkata, C. V. Mohan Krishna, K. Sai Sree Tanmaie, T. Lakshmi Naveena et Ch Jonathan. « A novel design of high performance1-bit adder circuit at deep sub-micron technology ». International Journal of Engineering & ; Technology 7, no 1.1 (21 décembre 2017) : 660. http://dx.doi.org/10.14419/ijet.v7i1.1.10822.
Texte intégralBashirpour, Mohammad, Wei Cui, Angela Gamouras et Jean-Michel Ménard. « Scalable Fabrication of Nanogratings on GaP for Efficient Diffraction of Near-Infrared Pulses and Enhanced Terahertz Generation by Optical Rectification ». Crystals 12, no 5 (10 mai 2022) : 684. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12050684.
Texte intégralCox Jr, Kevin L., Sai Guna Ranjan Gurazada, Keith E. Duncan, Kirk J. Czymmek, Christopher N. Topp et Blake C. Meyers. « Organizing your space : The potential for integrating spatial transcriptomics and 3D imaging data in plants ». Plant Physiology 188, no 2 (2 novembre 2021) : 703–12. http://dx.doi.org/10.1093/plphys/kiab508.
Texte intégralPandey, Ayush, Yixin Xiao, Maddaka Reddeppa, Yakshita Malhotra, Jiangnan Liu, Jungwook Min, Yuanpeng Wu et Zetian Mi. « A red-emitting micrometer scale LED with external quantum efficiency >8% ». Applied Physics Letters 122, no 15 (10 avril 2023) : 151103. http://dx.doi.org/10.1063/5.0129234.
Texte intégralChrzanowska-Jeske, Malgorzata, Yang Xu et Marek Perkowski. « Logic Synthesis for a Regular Layout ». VLSI Design 10, no 1 (1 janvier 1999) : 35–55. http://dx.doi.org/10.1155/1999/85272.
Texte intégralXu, Yux, Ping Xiang et Xiaopeng Xie. « Comprehensive understanding of dark count mechanisms of single-photon avalanche diodes fabricated in deep sub-micron CMOS technologies ». Solid-State Electronics 129 (mars 2017) : 168–74. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2016.11.009.
Texte intégralVerhaege, Koen G., et Christian C. Russ. « Novel fully silicided ballasting and MFT design techniques for ESD protection in advanced deep sub-micron CMOS technologies ». Microelectronics Reliability 41, no 11 (novembre 2001) : 1739–49. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(01)00030-0.
Texte intégralSexton, B. A., et R. J. Marnock. « Characterization of High Resolution Resists and Metal Shims by Scanning Probe Microscopy ». Microscopy and Microanalysis 6, no 2 (mars 2000) : 129–36. http://dx.doi.org/10.1007/s100059910012.
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Texte intégralTANIGUCHI, Kazuhiro. « New Technologies for Scaled-down Cu Interconnection in Ultra-Large Scale Integrated Circuits. Copper Deposition System for Sub-micron Patterning. » Journal of the Surface Finishing Society of Japan 49, no 11 (1998) : 1176–79. http://dx.doi.org/10.4139/sfj.49.1176.
Texte intégralByeon, Kyeong Jae, Sung Hoon Hong, Ki Yeon Yang, Seung Hyun Ra, Jin Ho Ahn et Heon Lee. « Embossing Lithography on Sticky Thermoset Polymer Using Ni Template ». Solid State Phenomena 124-126 (juin 2007) : 147–51. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.124-126.147.
Texte intégralXiao, Tong, et Malgorzata Marek-Sadowska. « Using Temporal and Functional Information in Crosstalk Aware Static Timing Analysis ». VLSI Design 15, no 3 (1 janvier 2002) : 647–66. http://dx.doi.org/10.1080/1065514021000012264.
Texte intégralWaghmare, Parag C., Samadhan B. Patil, Alka A. Kumbhar, Ramgopal Rao et R. O. Dusane. « Nitrogen dilution effects on structural and electrical properties of hot-wire-deposited a-SiN:H films for deep-sub-micron CMOS technologies ». Thin Solid Films 430, no 1-2 (avril 2003) : 189–91. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(03)00108-1.
Texte intégralChatterjee, Sayan. « Study and Analysis of Full Adder in Different Sub-Micron Technologies with an Area Efficient Layout of 4-Bit Ripple Carry Adder ». International Journal of Innovative Research in Computer and Communication Engineering 03, no 06 (10 juin 2015) : 4979–84. http://dx.doi.org/10.15680/ijircce.2015.0306005.
Texte intégralNadeem, Irfan, Rehan Akhter, Shazeen Akhtar et Anjum Tauqir. « Optimization of Pulsed Fiber Laser Texturing for Solid Lubricant Deposition on a Ti/TiN Coated Aerospace Alloy ». Key Engineering Materials 875 (février 2021) : 337–45. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.875.337.
Texte intégralFaraji Rad, Zahra, Philip D. Prewett et Graham J. Davies. « An overview of microneedle applications, materials, and fabrication methods ». Beilstein Journal of Nanotechnology 12 (13 septembre 2021) : 1034–46. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.12.77.
Texte intégralParadhasaradhi, Damarla, Kollu Jaya Lakshmi, Yadavalli Harika, Busa Ravi Teja Sai et Golla Jayanth Krishna. « Comparative analysis of SRAM cell with leakage power reduction approaches ». International Journal of Engineering & ; Technology 7, no 2.7 (18 mars 2018) : 863. http://dx.doi.org/10.14419/ijet.v7i2.7.11083.
Texte intégralHeimbrook, L. A. « Analytical solutions for complex problems using multiple diagnostic techniques ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 53 (13 août 1995) : 686–87. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100139809.
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