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1

Takahashi, Saburo, et Sadamichi Maekawa. « Spin current, spin accumulation and spin Hall effect ». Science and Technology of Advanced Materials 9, no 1 (janvier 2008) : 014105. http://dx.doi.org/10.1088/1468-6996/9/1/014105.

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2

DYAKONOV, M. I. « SPIN HALL EFFECT ». International Journal of Modern Physics B 23, no 12n13 (20 mai 2009) : 2556–65. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979209061986.

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Résumé :
A review of the phenomenology of the Spin Hall Effect and related phenomena originating from the coupling between spin and charge currents by spin-orbit interaction is presented. The physical origin of various effects in spin-dependent scattering is demonstrated. A previously unknown feature of spin transport, the swapping of spin currents, is discussed.
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3

GANICHEV, S. D. « SPIN-GALVANIC EFFECT AND SPIN ORIENTATION BY CURRENT IN NON-MAGNETIC SEMICONDUCTORS ». International Journal of Modern Physics B 22, no 01n02 (20 janvier 2008) : 113–14. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979208046177.

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Résumé :
Lately, there is much interest in the use of the spin of carriers in semiconductor quantum well (QW) structures together with their charge to realize novel concepts like spintronics. The necessary conditions to develop spintronic devices are high spin polarizations in QWs and a large spin-splitting of subbands in k-space. The latter is important for the ability to control spins with an external electric field by the Rashba effect. Significant progress has been achieved recently in generating large spin polarizations, in demonstrating the Rashba splitting and also in using the splitting for manipulating the spins. At the same time as these conditions are fulfilled and spins are polarized in-plane of QW, it has been shown that the spin polarization itself drives a current resulting in the spin galvanic effect [1,2]. The spin-galvanic effect is due to asymmetric spin-flip scattering of spin polarized carriers and it is determined by the process of spin relaxation. In some optical experiments, where circularly polarized radiation is used to orient spins, the photocurrent may represent a sum of spin-galvanic and circular photogalvanic effects effects.2,3 Both effects provide methods to determine spin relaxation times and the relative strength of the Rashba/Dresselhaus spin-splitting in semiconductor quantum wells.2 The inverse spin-galvanic effect4 has also been detected demonstrating that electric current in non-magnetic but gyrotropic QWs results in a non-equilibrium spin orientation. Just recently a first direct experimental proof of this effect was obtained in semiconductor QWs5,6 as well as in strained bulk material.7 Microscopically the effect is a consequence of spin-orbit coupling which lifts the spin-egeneracy in k-space of charge carriers together with spin dependent relaxation. Note from Publisher: This article contains the abstract only.
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4

Hirsch, J. E. « Spin Hall Effect ». Physical Review Letters 83, no 9 (30 août 1999) : 1834–37. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.83.1834.

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5

Ganichev, S. D., E. L. Ivchenko, V. V. Bel'kov, S. A. Tarasenko, M. Sollinger, D. Weiss, W. Wegscheider et W. Prettl. « Spin-galvanic effect ». Nature 417, no 6885 (mai 2002) : 153–56. http://dx.doi.org/10.1038/417153a.

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6

Won, Rachel. « Metasurface spin effect ». Nature Photonics 7, no 11 (30 octobre 2013) : 849. http://dx.doi.org/10.1038/nphoton.2013.302.

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7

Lee, W. « Spin Holstein effect ». Physica B : Condensed Matter 194-196 (février 1994) : 1537–38. http://dx.doi.org/10.1016/0921-4526(94)91268-8.

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8

SCHLIEMANN, JOHN. « SPIN HALL EFFECT ». International Journal of Modern Physics B 20, no 09 (10 avril 2006) : 1015–36. http://dx.doi.org/10.1142/s021797920603370x.

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Résumé :
The intrinsic spin Hall effect in semiconductors has developed to a remarkably lively and rapidly growing branch of research in the field of semiconductor spintronics. In this article we give a pedagogical overview on both theoretical and experimental accomplishments and challenges. Emphasis is put on the the description of the intrinsic mechanisms of spin Hall transport in III-V zinc-blende semiconductors and on the effects of dissipation.
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9

Liu, S. Y., Norman J. M. Horing et X. L. Lei. « Inverse spin Hall effect by spin injection ». Applied Physics Letters 91, no 12 (17 septembre 2007) : 122508. http://dx.doi.org/10.1063/1.2783254.

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Niu, Zhi Ping. « Thermoelectric effects in spin field-effect transistors ». Physics Letters A 375, no 36 (août 2011) : 3218–22. http://dx.doi.org/10.1016/j.physleta.2011.07.018.

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Iguchi, R., K. Ando, E. Saitoh et T. Sato. « Spin current study of spin glass AgMn using spin pumping effect ». Journal of Physics : Conference Series 266 (1 janvier 2011) : 012089. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/266/1/012089.

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VALENZUELA, SERGIO O. « NONLOCAL ELECTRONIC SPIN DETECTION, SPIN ACCUMULATION AND THE SPIN HALL EFFECT ». International Journal of Modern Physics B 23, no 11 (30 avril 2009) : 2413–38. http://dx.doi.org/10.1142/s021797920905290x.

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Résumé :
In recent years, electrical spin injection and detection has grown into a lively area of research in the field of spintronics. Spin injection into a paramagnetic material is usually achieved by means of a ferromagnetic source, whereas the induced spin accumulation or associated spin currents are detected by means of a second ferromagnet or the reciprocal spin Hall effect, respectively. This article reviews the current status of this subject, describing both recent progress and well-established results. The emphasis is on experimental techniques and accomplishments that brought about important advances in spin phenomena and possible technological applications. These advances include, amongst others, the characterization of spin diffusion and precession in a variety of materials, such as metals, semiconductors and graphene, the determination of the spin polarization of tunneling electrons as a function of the bias voltage, and the implementation of magnetization reversal in nanoscale ferromagnetic particles with pure spin currents.
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13

Hong, Seokmin, Shehrin Sayed et Supriyo Datta. « Spin Circuit Representation for the Spin Hall Effect ». IEEE Transactions on Nanotechnology 15, no 2 (mars 2016) : 225–36. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2016.2514410.

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Basu, B., et P. Bandyopadhyay. « Spin–orbit gauge and quantum spin Hall effect ». Physics Letters A 373, no 1 (décembre 2008) : 148–51. http://dx.doi.org/10.1016/j.physleta.2008.10.077.

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Huh, Seon-Gu, Hyun Cheol Koo, Jonghwa Eom, Hyunjung Yi, Joonyeon Chang et Suk-Hee Han. « Unbalanced spin accumulation induced by spin Hall effect ». Journal of Magnetism and Magnetic Materials 310, no 2 (mars 2007) : e705-e707. http://dx.doi.org/10.1016/j.jmmm.2006.10.1013.

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Marinescu, D. C. « Spin back-flow effect in spin-polarized transport ». Journal of Physics : Condensed Matter 15, no 22 (23 mai 2003) : 3759–65. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/15/22/310.

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Chowdhury, Debashree, et B. Basu. « Effect of spin rotation coupling on spin transport ». Annals of Physics 339 (décembre 2013) : 358–70. http://dx.doi.org/10.1016/j.aop.2013.09.011.

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Ellsworth, David, Lei Lu, Jin Lan, Houchen Chang, Peng Li, Zhe Wang, Jun Hu et al. « Photo-spin-voltaic effect ». Nature Physics 12, no 9 (25 avril 2016) : 861–66. http://dx.doi.org/10.1038/nphys3738.

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Wunderlich, J., B. G. Park, A. C. Irvine, L. P. Zarbo, E. Rozkotova, P. Nemec, V. Novak, J. Sinova et T. Jungwirth. « Spin Hall Effect Transistor ». Science 330, no 6012 (23 décembre 2010) : 1801–4. http://dx.doi.org/10.1126/science.1195816.

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Bass, S. D., et A. W. Thomas. « The EMC spin effect ». Journal of Physics G : Nuclear and Particle Physics 19, no 7 (1 juillet 1993) : 925–55. http://dx.doi.org/10.1088/0954-3899/19/7/005.

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Yanson, I. K., Yu G. Naidyuk, V. V. Fisun, A. Konovalenko, O. P. Balkashin, L. Yu Triputen et V. Korenivski. « Surface Spin-Valve Effect ». Nano Letters 7, no 4 (avril 2007) : 927–31. http://dx.doi.org/10.1021/nl0628192.

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Gurzhi, R. N., A. N. Kalinenko, A. I. Kopeliovich et A. V. Yanovskiĭ. « Nanocontact spin-electric effect ». Low Temperature Physics 34, no 7 (juillet 2008) : 535–37. http://dx.doi.org/10.1063/1.2957005.

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Jungwirth, Tomas, Jörg Wunderlich et Kamil Olejník. « Spin Hall effect devices ». Nature Materials 11, no 5 (23 avril 2012) : 382–90. http://dx.doi.org/10.1038/nmat3279.

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CHEN, KUO-CHIN, et CHING-RAY CHANG. « GEOMETRICAL EFFECT ON SPIN TRANSPORT ». SPIN 03, no 03 (septembre 2013) : 1340006. http://dx.doi.org/10.1142/s2010324713400067.

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Résumé :
This review paper shows some methods to study electrons with spin transport properties. We focus on spin precession patterns with the influence of the spin orbital interaction (SOI) by different way to discuss the spin transport on curved system. This paper can be divided into three parts. The first part is studying the spin precession patterns in the U-shaped 1D wire by introducing a confined potential. In the second part, we introduce a non-Abelian spin–orbital gauge field to study electrons transport on a curved surface. The third part is a generalized form of part one, we study exact Hamiltonians for Rashba and cubic Dresselhaus SOIs on a curved surface. We can see a lot of significant influence of SOI on curved system in this review paper.
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YANG, JUN, KAI-MING JIANG, WEN YUAN WU et YAN CHUN GONG. « MAGNETIC SWITCHING EFFECT IN SPIN FIELD-EFFECT TRANSISTORS ». International Journal of Modern Physics B 24, no 23 (20 septembre 2010) : 4501–7. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979210056190.

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Résumé :
Taking account the presence of external magnetic field, we study the conductance properties in spin field-effect transistors (SFET). It is shown that the conductance of the SFET exhibits an excellent magnetic switching characteristic for high potential barriers, and it is more and more pronounced with the potential barrier strength increasing. According to the effect, we can switch the SFET on or off by tuning the strength of the magnetic field. We also study how the conductance of the SFET is manipulated by spin–orbit coupling strength and spin polarization in source and drain.
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Kawada, Takuya, Masashi Kawaguchi, Takumi Funato, Hiroshi Kohno et Masamitsu Hayashi. « Acoustic spin Hall effect in strong spin-orbit metals ». Science Advances 7, no 2 (janvier 2021) : eabd9697. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.abd9697.

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Résumé :
We report on the observation of the acoustic spin Hall effect that facilitates lattice motion–induced spin current via spin-orbit interaction (SOI). Under excitation of surface acoustic wave (SAW), we find that a spin current flows orthogonal to the SAW propagation in nonmagnetic metals (NMs). The acoustic spin Hall effect manifests itself in a field-dependent acoustic voltage in NM/ferromagnetic metal bilayers. The acoustic voltage takes a maximum when the NM layer thickness is close to its spin diffusion length, vanishes for NM layers with weak SOI, and increases linearly with the SAW frequency. To account for these results, we find that the spin current must scale with the SOI and the time derivative of the lattice displacement. These results, which imply the strong coupling of electron spins with rotating lattices via the SOI, show the potential of lattice dynamics to supply spin current in strong spin-orbit metals.
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Hattori, Kiminori. « Spin-Current-Driven Spin Pumping in Rashba Spin–Orbit Coupled Systems : A Spin Torque Effect ». Journal of the Physical Society of Japan 78, no 8 (15 août 2009) : 084703. http://dx.doi.org/10.1143/jpsj.78.084703.

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SHENG, L., et C. S. TING. « INTRINSIC SPIN HALL EFFECT IN MESOSCOPIC SYSTEMS ». International Journal of Modern Physics B 20, no 17 (10 juillet 2006) : 2339–58. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979206034613.

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Résumé :
The intrinsic spin Hall effect has been attracting increasing theoretical and experimental interest since its discovery about two years ago. In this article, we review the main achievements in the theoretical aspect of both dissipative and nondissipative spin Hall effects in mesoscopic systems. The Landauer–Büttiker formula and Green's function approach based numerical method for the spin Hall effect is also introduced.
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Lyapilin, I. I. « Spin Hall Effect Induced by Sound ». Solid State Phenomena 190 (juin 2012) : 117–20. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.190.117.

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Résumé :
Transport of electronic spins in low-dimensional and nanoscale systems is the subject of thenovel and quickly developing eld of spintronics. The possibility of coherent spin manipulationrepresents an ultimate goal of this eld. Typically, spin transport is strongly aected by couplingof spin and orbital degrees of freedom. The inuence of the spin orbit interaction is twofold.The momentum relaxation due to the scattering of carriers, inevitably leads to spin relaxationand destroys the spin coherence. On the other hand, the controlled orbital motion of carrierscan result in a coherent motion of their spins. Thus, the spin orbit coupling is envisaged as apossible tool for spin controling in electronic devices. In particular, it is possible to generatespin polarization and spin currents by applying electric eld, the phenomenon known as thespin-Hall eect (SHE) [1- 3]. The eect is manifested in the form of a spin current directedperpendicular to the normal current, which takes place in an electric eld.
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Minning Ji, Minning Ji, Gang-Ding Peng Gang-Ding Peng et Yanhua Luo Yanhua Luo. « Spin effect on a single-mode single-polarization optical fiber ». Chinese Optics Letters 13, no 2 (2015) : 020602–20607. http://dx.doi.org/10.3788/col201513.020602.

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Fedorov, Dmitry V., Martin Gradhand, Katarina Tauber, Gerrit E. W. Bauer et Ingrid Mertig. « Seebeck effect in nanomagnets ». Journal of Physics : Condensed Matter 34, no 8 (2 décembre 2021) : 085801. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/ac3b26.

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Résumé :
Abstract We present a theory of the Seebeck effect in nanomagnets with dimensions smaller than the spin diffusion length, showing that the spin accumulation generated by a temperature gradient strongly affects the thermopower. We also identify a correction arising from the transverse temperature gradient induced by the anomalous Ettingshausen effect and an induced spin-heat accumulation gradient. The relevance of these effects for nanoscale magnets is illustrated by ab initio calculations on dilute magnetic alloys.
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Pournaghavi, Nezhat, Mahdi Esmaeilzadeh, Adib Abrishamifar et Somaieh Ahmadi. « Extrinsic Rashba spin–orbit coupling effect on silicene spin polarized field effect transistors ». Journal of Physics : Condensed Matter 29, no 14 (27 février 2017) : 145501. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/aa5b06.

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Bhardwaj, Ravindra G., Paul C. Lou et Sandeep Kumar. « Spin Seebeck effect and thermal spin galvanic effect in Ni80Fe20/p-Si bilayers ». Applied Physics Letters 112, no 4 (22 janvier 2018) : 042404. http://dx.doi.org/10.1063/1.5003008.

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Zhao Junqian, 赵军倩, 周新星 Zhou Xinxing et 罗海陆 Luo Hailu. « Spin Angle Splitting in Spin Hall Effect of Light ». Acta Optica Sinica 33, no 5 (2013) : 0526003. http://dx.doi.org/10.3788/aos201333.0526003.

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Lee, Kyung-Jin, et Seo-Won Lee. « Effect of Spin Memory Loss on Spin-Transfer Torque ». Journal of the Korean Physical Society 55, no 4 (15 octobre 2009) : 1501–8. http://dx.doi.org/10.3938/jkps.55.1501.

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Balinskiy, Michael, Howard Chiang, David Gutierrez et Alexander Khitun. « Spin wave interference detection via inverse spin Hall effect ». Applied Physics Letters 118, no 24 (14 juin 2021) : 242402. http://dx.doi.org/10.1063/5.0055402.

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Manchon, A., et K. J. Lee. « Spin Hall effect-driven spin torque in magnetic textures ». Applied Physics Letters 99, no 2 (11 juillet 2011) : 022504. http://dx.doi.org/10.1063/1.3609236.

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Bellucci, S., F. Corrente et P. Onorato. « Spin Hall effect and spin filtering in ballistic nanojunctions ». Journal of Physics : Condensed Matter 19, no 39 (30 août 2007) : 395019. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/19/39/395019.

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Gould, C. R., D. G. Haase, L. W. Seagondollar, J. P. Soderstrum, K. E. Nash, M. B. Schneider et N. R. Roberson. « Spin-Spin Potentials inAlpol27+npoland the Nuclear Ramsauer Effect ». Physical Review Letters 57, no 19 (10 novembre 1986) : 2371–74. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.57.2371.

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Padrón-Hernández, E., A. Azevedo et S. M. Rezende. « Amplification of spin waves by the spin Seebeck effect ». Journal of Applied Physics 111, no 7 (avril 2012) : 07D504. http://dx.doi.org/10.1063/1.3673419.

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Zhang, R. Q., J. Su, J. W. Cai, G. Y. Shi, F. Li, L. Y. Liao, F. Pan et C. Song. « Spin valve effect induced by spin-orbit torque switching ». Applied Physics Letters 114, no 9 (4 mars 2019) : 092404. http://dx.doi.org/10.1063/1.5086775.

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Zhang, Shufeng. « Spin Hall Effect in the Presence of Spin Diffusion ». Physical Review Letters 85, no 2 (10 juillet 2000) : 393–96. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.85.393.

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Fu, Yong-Ping, Fei-Jie Huang et Qi-Hui Chen. « Intrinsic spin Hall effect with spin-tensor-momentum coupling ». Physica B : Condensed Matter 583 (avril 2020) : 412046. http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2020.412046.

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Zouhair, A., S. Harir, M. Bennai et Y. Boughaleb. « Spin–spin interaction effect in 2D Extended Hubbard Model ». Superlattices and Microstructures 73 (septembre 2014) : 306–10. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2014.04.014.

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Wang, Jian-Wei, et Shu-Shen Li. « Spin Hall effect of excitons with spin-orbit coupling ». Applied Physics Letters 91, no 5 (30 juillet 2007) : 052104. http://dx.doi.org/10.1063/1.2757604.

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Uchida, K., H. Adachi, T. An, T. Ota, M. Toda, B. Hillebrands, S. Maekawa et E. Saitoh. « Long-range spin Seebeck effect and acoustic spin pumping ». Nature Materials 10, no 10 (21 août 2011) : 737–41. http://dx.doi.org/10.1038/nmat3099.

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Basu, B., et Debashree Chowdhury. « Inertial effect on spin–orbit coupling and spin transport ». Annals of Physics 335 (août 2013) : 47–60. http://dx.doi.org/10.1016/j.aop.2013.04.014.

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Jiang, K. M., Z. M. Zheng, Baigeng Wang et D. Y. Xing. « Switching effect in spin field-effect transistors ». Applied Physics Letters 89, no 1 (3 juillet 2006) : 012105. http://dx.doi.org/10.1063/1.2219742.

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Sensharma, Ankur, et Sudhansu S. Mandal. « ‘Spin–spin’ Hall effect in two dimensional electron systems with spin–orbit interaction ». Journal of Physics : Condensed Matter 18, no 31 (21 juillet 2006) : 7349–59. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/18/31/027.

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Zadorozhnyi, Andrei, et Yuri Dahnovsky. « Spin filtering and spin separation in 2D materials by topological spin Hall effect ». Journal of Physics : Condensed Matter 32, no 40 (6 juillet 2020) : 405803. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/ab926c.

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