Littérature scientifique sur le sujet « Spacers gate »
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Articles de revues sur le sujet "Spacers gate"
Weng, Chun Jen. « Etching Effects of Nanotechnology Fabrication on CMOS Transistor Gate Wafer Manufacturing Process Integration ». Advanced Materials Research 154-155 (octobre 2010) : 938–41. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.154-155.938.
Texte intégralWeng, Chun Jen. « Etching Process Effects of CMOS Transistor Gate Manufacturing Nanotechnology Fabrication Integration ». Applied Mechanics and Materials 83 (juillet 2011) : 91–96. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.83.91.
Texte intégralWylie, Ian W., et N. Garry Tarr. « A new approach to gate/n− overlapped lightly doped drain structures : added gate after implantation of n− (AGAIN) ». Canadian Journal of Physics 69, no 3-4 (1 mars 1991) : 174–76. http://dx.doi.org/10.1139/p91-027.
Texte intégralKumar, Padakanti Kiran, Bukya Balaji et Karumuri Srinivasa Rao. « Design and analysis of asymmetrical low-k source side spacer halo doped nanowire metal oxide semiconductor field effect transistor ». International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE) 13, no 3 (1 juin 2023) : 3519. http://dx.doi.org/10.11591/ijece.v13i3.pp3519-3529.
Texte intégralWostyn, Kurt, Karine Kenis, Hans Mertens, Adrian Vaisman Chasin, Andriy Hikavyy, Frank Holsteyns et Naoto Horiguchi. « Low Temperature SiGe Steam Oxide - Aqueous Hf and NH3/NF3 Remote Plasma Etching and its Implementation as Si GAA Inner Spacer ». Solid State Phenomena 282 (août 2018) : 126–31. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.282.126.
Texte intégralGuo, Mengxue, Weifeng Lü, Ziqiang Xie, Mengjie Zhao, Weijie Wei et Ying Han. « Effects of Symmetric and Asymmetric Double-Layer Spacers on a Negative-Capacitance Nanosheet Field-Effect Transistor ». Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 17, no 6 (1 juin 2022) : 873–82. http://dx.doi.org/10.1166/jno.2022.3266.
Texte intégralDurfee, Curtis, Ivo Otto IV, Subhadeep Kal, Shanti Pancharatnam, Matthew Flaugh, Toshiki Kanaki, Matthew Rednor et al. « Epi Source-Drain Damage Mitigation During Channel Release of Stacked Nanosheet Gate-All-Around Transistors ». ECS Transactions 112, no 1 (29 septembre 2023) : 45–52. http://dx.doi.org/10.1149/11201.0045ecst.
Texte intégralConvertino, Clarissa, Cezar Zota, Heinz Schmid, Daniele Caimi, Marilyne Sousa, Kirsten Moselund et Lukas Czornomaz. « InGaAs FinFETs Directly Integrated on Silicon by Selective Growth in Oxide Cavities ». Materials 12, no 1 (27 décembre 2018) : 87. http://dx.doi.org/10.3390/ma12010087.
Texte intégralLi, Junjie, Yongliang Li, Na Zhou, Wenjuan Xiong, Guilei Wang, Qingzhu Zhang, Anyan Du et al. « Study of Silicon Nitride Inner Spacer Formation in Process of Gate-all-around Nano-Transistors ». Nanomaterials 10, no 4 (20 avril 2020) : 793. http://dx.doi.org/10.3390/nano10040793.
Texte intégralBacquié, Valentin, Aurélien Tavernier, François Boulard, Olivier Pollet et Nicolas Possémé. « Gate spacers etching of Si3N4 using cyclic approach for 3D CMOS devices ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A 39, no 3 (mai 2021) : 033005. http://dx.doi.org/10.1116/6.0000871.
Texte intégralThèses sur le sujet "Spacers gate"
Jaffal, Moustapha. « Développement de Dépôt Sélectif Topographique 3D par combinaison de procédés PE(ALD) et ALE en microélectronique ». Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2024. http://www.theses.fr/2024GRALT046.
Texte intégralOver the past decades, the semiconductor industry has witnessed a remarkable increase in the performance of integrated circuits. Photolithography, a crucial process in the manufacturing of integrated circuits, requires an increasingly complex sequence of steps, including various successive treatments such as Self-Aligned Double Patterning (SADP) and Self-Aligned Quadruple Patterning (SAQP). Beyond their complexity and the associated cost escalation, patterning steps can result in alignment errors, known as Edge Placement Error (EPE), which can impact the proper functioning of devices such as transistors. The objective of this thesis is to develop a novel topographical selective deposition (TSD) process using a "Deposition/Etching" super-cycle approach. The advantages of this TSD process include the lateral and direct formation of spacers on the sidewalls of 3D architectures, such as CMOS transistor gates at the nanoscale. This innovative manufacturing approach paves the way for reducing the number of steps and equipment required in the fabrication process, minimizing the potential EPE introduced by photolithography. Consequently, it offers the opportunity to reduce the consumption of horizontal surfaces in 3D transistors, a critical factor in the integration of advanced technological nodes during spacer creation. This work offers a proof of concept of the TSD deposition, using a super-cycle approach that alternates between a conformal deposition process by PE(ALD) and various anisotropic plasma etching processes in the same tool. This approach leverages the physical and chemical properties of plasma interactions with materials
Bertram, David. « Game-Space ». Thesis, Virginia Tech, 2005. http://hdl.handle.net/10919/31140.
Texte intégralMaster of Architecture
Calderon, Ana C. M. A. « Understanding game semantics through coherence spaces ». Thesis, University of Bath, 2012. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.580675.
Texte intégralBalog, Michael Rosen Warren A. « The automated compilation of comprehensive hardware design search spaces of algorithmic-based implementations for FPGA design exploration / ». Philadelphia, Pa. : Drexel University, 2007. http://hdl.handle.net/1860/1770.
Texte intégralBendele, Rigby L. « NEGOTIATING MASCULINITY IN TABLETOP ROLEPLAYING GAME SPACES ». VCU Scholars Compass, 2019. https://scholarscompass.vcu.edu/etd/5805.
Texte intégralMeldgaard, Betty Li. « Perception, action, and game space ». Universität Potsdam, 2008. http://opus.kobv.de/ubp/volltexte/2008/2462/.
Texte intégralBrown, Eric L. « A quadratic partial assignment and packing model and algorithm for the airline gate assignment problem ». Thesis, This resource online, 1995. http://scholar.lib.vt.edu/theses/available/etd-07212009-040541/.
Texte intégralGingold, Chaim. « Miniature gardens and magic crayons : games, spaces and worlds ». Thesis, Georgia Institute of Technology, 2003. http://hdl.handle.net/1853/17671.
Texte intégralEbert, Dean A. « Design and development of a configurable fault-tolerant processor (CFTP) for space applications ». Thesis, Monterey, Calif. : Springfield, Va. : Naval Postgraduate School ; Available from National Technical Information Service, 2003. http://library.nps.navy.mil/uhtbin/hyperion-image/03Jun%5FEbert.pdf.
Texte intégralThesis advisor(s): Herschel H. Loomis, Alan A. Ross. Includes bibliographical references (p. 219-224). Also available online.
Humberd, Caleb J. « A compression algorithm for field programmable gate arrays in the space environment ». Monterey, California. Naval Postgraduate School, 2011. http://hdl.handle.net/10945/10623.
Texte intégralLivres sur le sujet "Spacers gate"
Linda, Evans, dir. Hell's gate. Riverdale, NY : Baen, 2006.
Trouver le texte intégralMarroquin-Burr, Kristina. Learn to draw Angry Birds space. [Irvine, Calif.] : Walter Foster Pub., Inc., 2013.
Trouver le texte intégralChampion, Jill. The official guide to Roger Wilco's space adventures. 2e éd. Greensboro, N.C : Compute Books, 1993.
Trouver le texte intégralC, Leinecker Richard, dir. The official guide to Roger Wilco's space adventures. Greensboro, N.C : Compute Books, 1991.
Trouver le texte intégralJohn, Peel. Where in space is Carmen Sandiego ? Racine, Wis : Western Pub. Co., 1993.
Trouver le texte intégralBarham, Pamela. Winning space : Game strategies for netball. [U.K.] : Network Coaching International, 1994.
Trouver le texte intégral1959-, Maas Winy, MVRDV (Firm), Delft School of Design, Berlage Instituut, Massachusetts Institute of Technology et cThrough (Firm), dir. Space fighter : The evolutionary city (game:). Barcelona : Actar, 2007.
Trouver le texte intégralKahn, Charles M. The good, the bad, and the ugly : Coalition proof equilibrium in games with infinite strategy spaces. [Urbana, Ill.] : College of Commerce and Business Administration, University of Illinois at Urbana-Champaign, 1989.
Trouver le texte intégralErikson, Steven. Deadhouse gates. New York : Tor, 2005.
Trouver le texte intégralErikson, Steven. Deadhouse Gates. London : Transworld, 2009.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Spacers gate"
Jungkeit, Steven R. « The Infinite Gaze ». Dans Spaces of Modern Theology, 41–81. New York : Palgrave Macmillan US, 2012. http://dx.doi.org/10.1057/9781137269027_2.
Texte intégralKaushik, Brajesh Kumar, Sudeb Dasgupta et Pankaj Kumar Pal. « Tri-Gate FinFET Technology and Its Advancement ». Dans Spacer Engineered FinFET Architectures, 11–36. Boca Raton : Taylor & Francis, CRC Press, 2017. : CRC Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1201/9781315191089-2.
Texte intégralCaracciolo, Marco. « Game Space ». Dans On Soulsring Worlds, 26–41. London : Routledge, 2024. http://dx.doi.org/10.4324/9781032684024-3.
Texte intégralRiviere, Alex. « Space ». Dans Game Audio Mixing, 110–20. London : Focal Press, 2023. http://dx.doi.org/10.4324/9781003351146-10.
Texte intégralSanliturk, Cagri. « Game of being state ». Dans Civic Spaces and Desire, 68–81. New York : Routledge, 2019. : Routledge, 2019. http://dx.doi.org/10.4324/9781351184137-5.
Texte intégralYoung, Anthony. « Game Changer : SpaceX ». Dans The Twenty-First Century Commercial Space Imperative, 15–28. Cham : Springer International Publishing, 2015. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-18929-1_2.
Texte intégralEspinola-Arredondo, Ana, et Felix Muñoz-Garcia. « Nash Equilibria in Games with Continuous Action Spaces ». Dans Game Theory, 77–103. Cham : Springer International Publishing, 2023. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-37574-3_4.
Texte intégralLeeney, Cathy, et Deirdre McFeely. « Social Class, Space, and Containment in 1950s Ireland ». Dans The Golden Thread, 233–56. Liverpool University Press, 2021. http://dx.doi.org/10.3828/liverpool/9781800859463.003.0018.
Texte intégral« Video/Game ». Dans Architectonics of Game Spaces, 71–84. transcript-Verlag, 2019. http://dx.doi.org/10.14361/9783839448021-005.
Texte intégralBinotto, Johannes. « Video/Game ». Dans Architectonics of Game Spaces, 71–84. transcript Verlag, 2019. http://dx.doi.org/10.1515/9783839448021-005.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Spacers gate"
Dhiman, Gaurav, et Rajeev Pourush. « Analysis on Variations of Metal Gate Work Function on Junctionless Double Gate MOSFET with High-k Spacers ». Dans 2020 International Conference on Emerging Trends in Communication, Control and Computing (ICONC3). IEEE, 2020. http://dx.doi.org/10.1109/iconc345789.2020.9117425.
Texte intégralKola, Sekhar Reddy, Yiming Li- et Narasimhulu Thoti. « Characteristics of Gate-All-Around Silicon Nanowire and Nanosheet MOSFETs with Various Spacers ». Dans 2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD). IEEE, 2020. http://dx.doi.org/10.23919/sispad49475.2020.9241603.
Texte intégralSachid, Angada B., Roswald Francis, Maryam Shojaei Baghini, Dinesh K. Sharma, Karl-Heinz Bach, Reinhard Mahnkopf et V. Ramgopal Rao. « Sub-20 nm gate length FinFET design : Can high-κ ; spacers make a difference ? » Dans 2008 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2008. http://dx.doi.org/10.1109/iedm.2008.4796790.
Texte intégralMalviya, Abhishek Kumar, et R. K. Chauhan. « Optimizing performance of dual metal gate modified source FDSOI using symmetric and asymmetric oxide spacers ». Dans 2017 International Conference on Emerging Trends in Computing and Communication Technologies (ICETCCT). IEEE, 2017. http://dx.doi.org/10.1109/icetcct.2017.8280327.
Texte intégralMiyashita, T., K. Ookoshi, A. Hatada, K. Ikeda, Y. S. Kim, M. Nishikawa, T. Sakoda, K. Hosaka et H. Kurata. « Design and Optimization of Gate Sidewall Spacers to Achieve 45nm Ground Rule for High-performance Applications ». Dans 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2008. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2008.b-5-1.
Texte intégralGong, Jun-Wei, Yeh-Chang Fang, Ta-Yung Wang, Jia-Rui Hu, Chung-I. Chang, Shih-Jung Lee et Jon Opsal. « Thickness and Topography of Dielectric Dual-Sidewall Spacers on Metal Gate of DRAM Extracted by Spectroscopic Ellipsometry ». Dans 2007 IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference. IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/asmc.2007.375115.
Texte intégralYang, Z. Y., Y. A. Huang, H. C. Lin, P. W. Li, K. M. Chen et G. W. Huang. « Radio-frequency Superiority of Poly-Si TFTs with T-Shaped Gate and Air Spacers for IoT Applications ». Dans 2018 IEEE 2nd Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/edtm.2018.8421455.
Texte intégralYou, W. X., et P. Su. « Investigation of Gate-Length Dependence of Memory Window for 2D Ferroelectric-FET NVMs Considering the Impact of Spacers ». Dans 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2019. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2019.m-4-04.
Texte intégralKaur, Prabhjot, Sandeep Singh Gill et Navneet Kaur. « Performance Analysis of Junction Less Accumulation Mode (JAM) Bulk FinFETs Using Dual- K Spacers at 15nm Gate Length ». Dans 2018 2nd International Conference on Trends in Electronics and Informatics (ICOEI). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/icoei.2018.8553706.
Texte intégralHuang, Po-Yen, Xue-Han Chen, Haoran Wang, Shawn S. H. Hsu et Roy K. Y. Wong. « Comprehensive Study of Human-Body-Model Electrostatic Discharge on p-GaN Gate Power HEMT with AlGaN Barrier Spacers ». Dans 2024 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD). IEEE, 2024. http://dx.doi.org/10.1109/ispsd59661.2024.10579584.
Texte intégralRapports d'organisations sur le sujet "Spacers gate"
Aleksandrov, Pavlo. NEWS GAMES IN THE UKRAINIAN MEDIA SPACE DURING THE FULL-SCALE RUSSIAN INVASION. Ivan Franko National University of Lviv, mars 2024. http://dx.doi.org/10.30970/vjo.2024.54-55.12140.
Texte intégralPtsuty, Norbert, Andrea Habeck et Christopher Menke. Shoreline position and coastal topographical change monitoring at Gateway National Recreation Area : 2017–2022 and 2007–2022 trend report. National Park Service, août 2023. http://dx.doi.org/10.36967/2299536.
Texte intégralDatsyshyn, Chrystyna. FUNCTIONAL PARAMETERS OF ANTHROPONYM AS ONE OF THE VARIETIES OF FACTUAL MATERIAL IN THE MEDIA TEXT. Ivan Franko National University of Lviv, mars 2024. http://dx.doi.org/10.30970/vjo.2024.54-55.12169.
Texte intégralKourkoutas, Konstantinos, Begonya Saez, Veronica Junjan, Anders Riel Müller, Wiro Kuipers, Fabio Hernández Palacio, Kristiane Marie Fjær Lindland, Tina-Simone Neset et Sara Malmgren. ECIU Position Paper on Living Labs and Experimentation Spaces : Recommendations and insights about the potential of Living Labs as innovation and learning platforms in the ECIU University. University of Stavanger, avril 2024. http://dx.doi.org/10.31265/usps.276.
Texte intégralDudoit, Alain. The urgency of the first link : Canada’s supply chain at breaking point, a national security issue. CIRANO, juillet 2023. http://dx.doi.org/10.54932/cxwf7311.
Texte intégralSlotiuk, Tetiana. CONCEPT OF SOLUTIONS JOURNALISM MODEL : CONNOTION, FUNCTIONS, FEATURES OF FUNCTIONING. Ivan Franko National University of Lviv, mars 2021. http://dx.doi.org/10.30970/vjo.2021.50.11097.
Texte intégralDemchenko, Dmytro. DEMASSIFICATION OF SOCIAL PROCESSES IN THE CONTEXT OF DIGITAL COMMUNICATION (TO THE PROBLEM OF THE DICHOTOMY OF “ELITE-MASS” AS A POLITICAL COMMUNICATION PARADOX). Ivan Franko National University of Lviv, mars 2024. http://dx.doi.org/10.30970/vjo.2024.54-55.12171.
Texte intégralLevantovych, Oksana. COVID 19 MEDIA COVERAGE : AN ANALYSIS OF HEORHII POCHEPTSOV’S VIEW. Ivan Franko National University of Lviv, février 2021. http://dx.doi.org/10.30970/vjo.2021.49.11061.
Texte intégralYatsymirska, Mariya. SOCIAL EXPRESSION IN MULTIMEDIA TEXTS. Ivan Franko National University of Lviv, février 2021. http://dx.doi.org/10.30970/vjo.2021.49.11072.
Texte intégralOpening the gate : A resource to support Victorian schools to activate school grounds and open spaces for community use. VicHealth, septembre 2024. http://dx.doi.org/10.37309/2023.pa1068.
Texte intégral