Articles de revues sur le sujet « Smat Power IC »
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Wong, King-Yuen, Wanjun Chen, Xiaosen Liu, Chunhua Zhou et Kevin J. Chen. « GaN smart power IC technology ». physica status solidi (b) 247, no 7 (23 juin 2010) : 1732–34. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.200983453.
Texte intégralXu, H., H. J. Kim, H. Kim et W. S. Chung. « Small signal modelling of Smart power IC ». Electronics Letters 43, no 21 (2007) : 1142. http://dx.doi.org/10.1049/el:20071848.
Texte intégralPetrosyants, Konstantin O., Igor A. Kharitonov et Nikita I. Ryabov. « Electro-Thermal Design of Smart Power Devices and Integrated Circuits ». Advanced Materials Research 918 (avril 2014) : 191–94. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.918.191.
Texte intégralFloros, George, et Athanasios Tziouvaras. « Special Issue “Smart IC Design and Sensing Technologies” ». Chips 1, no 3 (20 octobre 2022) : 172–74. http://dx.doi.org/10.3390/chips1030011.
Texte intégralNg, Wai Tung, Florin Udrea, Ichiro Omura, Jan Vobecky et Don Disney. « Guest Editorial Special Issue on Power Semiconductor Devices and Smart Power IC Technologies ». IEEE Transactions on Electron Devices 64, no 3 (mars 2017) : 654–58. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2017.2661578.
Texte intégralChan, Chi-Hang, Lin Cheng, Wei Deng, Peng Feng, Li Geng, Mo Huang, Haikun Jia et al. « Trending IC design directions in 2022 ». Journal of Semiconductors 43, no 7 (1 juillet 2022) : 071401. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/7/071401.
Texte intégralGleim, G., L. Bertolini et F. Heizmann. « Combined smart power IC for VCR with PWM controlled motor voltage ». IEEE Transactions on Consumer Electronics 40, no 3 (1994) : 377–86. http://dx.doi.org/10.1109/30.320818.
Texte intégralHai Xu, Hee-Jun Kim et Hoon Kim. « A Direct Measurement Method of Frequency Responses of the Smart Power IC ». IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement 59, no 3 (mars 2010) : 682–86. http://dx.doi.org/10.1109/tim.2009.2025985.
Texte intégralSankin, Igor, V. Bondarenko, Robin L. Kelley et Jeff B. Casady. « SiC Smart Power JFET Technology for High-Temperature Applications ». Materials Science Forum 527-529 (octobre 2006) : 1207–10. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1207.
Texte intégralZhang, Wei Jia, Jingshu Yu, Wen Tao Cui, Yahui Leng, Jingyuan Liang, Yuan-Ta Hsieh, Hann-Huei Tsai, Ying-Zong Juang, Wen-Kuan Yeh et Wai Tung Ng. « A Smart Gate Driver IC for GaN Power HEMTs With Dynamic Ringing Suppression ». IEEE Transactions on Power Electronics 36, no 12 (décembre 2021) : 14119–32. http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2021.3089679.
Texte intégralKwan, Alex Man Ho, Yue Guan, Xiaosen Liu et Kevin J. Chen. « A Highly Linear Integrated Temperature Sensor on a GaN Smart Power IC Platform ». IEEE Transactions on Electron Devices 61, no 8 (août 2014) : 2970–76. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2014.2327386.
Texte intégralZhang, Z., Y. Tsuchiya, O. Akiyama et H. Konno. « An Ultra Low-Power MR*1) Sensor for a Smart Water Meter or a Smart Gas Meter ». Key Engineering Materials 543 (mars 2013) : 418–21. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.543.418.
Texte intégralFilios, Gabriel, Ioannis Katsidimas, Sotiris Nikoletseas et Ioannis Tsenempis. « A Smart Energy Harvesting Platform for Wireless Sensor Network Applications ». Information 10, no 11 (6 novembre 2019) : 345. http://dx.doi.org/10.3390/info10110345.
Texte intégralParimalam, L., et R. Rajeswari. « Efficient Optimization and Placement using Enhanced GHB-IC Approach in Smart Power grid System ». Asian Journal of Research in Social Sciences and Humanities 6, no 10 (2016) : 246. http://dx.doi.org/10.5958/2249-7315.2016.01011.x.
Texte intégralHardas, Mrs Vedanti, Sagar Ingole, Sahil Sheikh et Sagar Kale. « Solar Panel Monitoring System Using IOT ». International Journal for Research in Applied Science and Engineering Technology 10, no 5 (31 mai 2022) : 935–38. http://dx.doi.org/10.22214/ijraset.2022.42133.
Texte intégralWu, Yu Chi, Meng Jen Chen, Fu Hsiang Chi, Jin Yuan Lin et Chao Shu Chang. « Digital Power Meter with Demand Control for Residential Energy Management ». Advanced Materials Research 562-564 (août 2012) : 1767–71. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.562-564.1767.
Texte intégralZhu, R., V. Khemka, A. Bose et T. Roggenbauer. « Substrate Majority Carrier-Induced NLDMOSFET Failure and Its Prevention in Advanced Smart Power IC Technologies ». IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 6, no 3 (septembre 2006) : 386–92. http://dx.doi.org/10.1109/tdmr.2006.882198.
Texte intégralJiang, Qimeng, Zhikai Tang, Chunhua Zhou, Shu Yang et Kevin J. Chen. « Substrate-Coupled Cross-Talk Effects on an AlGaN/GaN-on-Si Smart Power IC Platform ». IEEE Transactions on Electron Devices 61, no 11 (novembre 2014) : 3808–13. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2014.2355834.
Texte intégralChu, Min, Jie Chen, Abidur Rahman et Rajen Murugan. « Methodology to Quantify Impact of Package Delamination on Performance of High-Side Smart Power Switch Design ». International Symposium on Microelectronics 2020, no 1 (1 septembre 2020) : 000015–20. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4505-2020.1.000015.
Texte intégralBimbi, Cesare, Salvatore Pennisi, Salvatore Privitera et Francesco Pulvirenti. « Single-Branch Wide-Swing-Cascode Subthreshold GaN Monolithic Voltage Reference ». Electronics 11, no 12 (9 juin 2022) : 1840. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11121840.
Texte intégralJohan, Arief Prima, et Anom Yusuf. « Counterproductive work behavior, job stress, trait emotional intelligence and person organization fit among employees of leasing industry in Indonesia ». Intangible Capital 18, no 2 (11 juillet 2022) : 233. http://dx.doi.org/10.3926/ic.1318.
Texte intégralRasheed, Israa Mohammed, et Hassan Jasim Motlak. « Performance parameters optimization of CMOS analog signal processing circuits based on smart algorithms ». Bulletin of Electrical Engineering and Informatics 12, no 1 (1 février 2023) : 149–57. http://dx.doi.org/10.11591/eei.v12i1.4128.
Texte intégralJia, Li-Fang, Lian Zhang, Jin-Ping Xiao, Zhe Cheng, De-Feng Lin, Yu-Jie Ai, Jin-Chao Zhao et Yun Zhang. « E/D-Mode GaN Inverter on a 150-mm Si Wafer Based on p-GaN Gate E-Mode HEMT Technology ». Micromachines 12, no 6 (27 mai 2021) : 617. http://dx.doi.org/10.3390/mi12060617.
Texte intégralMohri, Kaneo, Tsuyoshi Uchiyama, Larissa V. Panina, Michiharu Yamamoto et Kenichi Bushida. « Recent Advances of Amorphous Wire CMOS IC Magneto-Impedance Sensors : Innovative High-Performance Micromagnetic Sensor Chip ». Journal of Sensors 2015 (2015) : 1–8. http://dx.doi.org/10.1155/2015/718069.
Texte intégralNasrullah, Jawad, Zhiquan Luo et Greg Taylor. « Designing Software Configurable Chips and SIPs using Chiplets and zGlue ». International Symposium on Microelectronics 2019, no 1 (1 octobre 2019) : 000027–32. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4505-2019.1.000027.
Texte intégralZhang, Fan. « Development of a Smart Cabinet Lock Based on Finger Vein Technology ». Scientific and Social Research 4, no 2 (17 février 2022) : 111–26. http://dx.doi.org/10.26689/ssr.v4i2.3648.
Texte intégralYang, Chih Kuang. « System on film type substrates : processes, structure and real modules ». International Symposium on Microelectronics 2015, no 1 (1 octobre 2015) : 000031–34. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2015-tp16.
Texte intégralJia, Zhou, Tong Ge, Linfei Guo, Ng Pei Jian Eileen, Huiqiao He et Joseph Chang. « A High Power Driver IC for Electroluminescent Panel : Design Challenges and Advantages of using the Emerging LEES-SMART GaN-on-CMOS process ». Procedia Engineering 141 (2016) : 91–93. http://dx.doi.org/10.1016/j.proeng.2015.09.227.
Texte intégralBryzek, Janusz. « MEMS Tornado to Challenge Next Generation Packaging ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2012, DPC (1 janvier 2012) : 000417–56. http://dx.doi.org/10.4071/2012dpc-keynote_mems_fairchildsemi.
Texte intégralBiswas, Tathagato. « Spy Robot ». International Journal for Research in Applied Science and Engineering Technology 10, no 6 (30 juin 2022) : 4265–69. http://dx.doi.org/10.22214/ijraset.2022.44887.
Texte intégralEt. al., Srilakshmi Kaza,. « Performance Analysis of Adiabatic Vedic Multipliers ». Turkish Journal of Computer and Mathematics Education (TURCOMAT) 12, no 5 (11 avril 2021) : 1429–35. http://dx.doi.org/10.17762/turcomat.v12i5.2039.
Texte intégralYin, Mulin. « Research on Behavior Monitoring of Elderly Living Alone Based on Wearable Devices and Sensing Technology ». International Journal of Antennas and Propagation 2021 (15 octobre 2021) : 1–10. http://dx.doi.org/10.1155/2021/4200137.
Texte intégralHanifi, Gulhabib, et Noor Mohammad Azizi. « Study of the Strategy of Energy Harvester Pattern Besides the Influence Preparing Journey ». Integrated Journal for Research in Arts and Humanities 3, no 1 (26 janvier 2023) : 89–95. http://dx.doi.org/10.55544/ijrah.3.1.15.
Texte intégralWei, Yifan, Yuan Yao, Kang Pang, Chaojie Xu, Xuebing Han, Languang Lu, Yalun Li et al. « A Comprehensive Study of Degradation Characteristics and Mechanisms of Commercial Li(NiMnCo)O2 EV Batteries under Vehicle-To-Grid (V2G) Services ». Batteries 8, no 10 (17 octobre 2022) : 188. http://dx.doi.org/10.3390/batteries8100188.
Texte intégralGalang Yudha Murih Raharja et Padjar Setyobudi. « RANCANG BANGUN SISTEM KEAMANAN SEPEDA MOTOR MENGGUNAKAN RFID DAN PERSONAL IDENTIFICATION NUMBER (PIN) BERBASIS MIKROKONTROLER ATMEGA16 ». Elkom : Jurnal Elektronika dan Komputer 12, no 1 (16 juillet 2019) : 6–12. http://dx.doi.org/10.51903/elkom.v12i1.104.
Texte intégral« Power Semiconductor Devices and Smart Power IC Technologies ». IEEE Journal of Photovoltaics 6, no 3 (mai 2016) : 791. http://dx.doi.org/10.1109/jphotov.2016.2551080.
Texte intégral« Power Semiconductor Devices and Smart Power IC Technologies ». IEEE Journal of Photovoltaics 6, no 4 (juillet 2016) : 1055. http://dx.doi.org/10.1109/jphotov.2016.2579378.
Texte intégral« Power Semiconductor Devices and Smart Power IC Technologies ». IEEE Journal of Photovoltaics 6, no 5 (septembre 2016) : 1391. http://dx.doi.org/10.1109/jphotov.2016.2598291.
Texte intégral« Power Semiconductor Devices and Smart Power IC Technologies CFP ». IEEE Journal of the Electron Devices Society 4, no 3 (mai 2016) : 168. http://dx.doi.org/10.1109/jeds.2016.2545959.
Texte intégral« Power Semiconductor Devices and Smart Power IC Technologies CFP ». IEEE Journal of the Electron Devices Society 4, no 4 (juillet 2016) : 198. http://dx.doi.org/10.1109/jeds.2016.2578502.
Texte intégral« Power Semiconductor Devices and Smart Power IC Technologies CFP ». IEEE Journal of the Electron Devices Society 4, no 5 (septembre 2016) : 374. http://dx.doi.org/10.1109/jeds.2016.2594098.
Texte intégral« Power Semiconductor Devices and Smart Power IC Technologies CFP ». IEEE Transactions on Electron Devices 63, no 5 (mai 2016) : 2227. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2016.2546844.
Texte intégral« Power Semiconductor Devices and Smart Power IC Technologies CFP ». IEEE Transactions on Electron Devices 63, no 6 (juin 2016) : 2631. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2016.2566699.
Texte intégral« Power Semiconductor Devices and Smart Power IC Technologies CFP ». IEEE Transactions on Electron Devices 63, no 7 (juillet 2016) : 2981. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2016.2574400.
Texte intégral« Power Semiconductor Devices and Smart Power IC Technologies CFP ». IEEE Transactions on Electron Devices 63, no 8 (août 2016) : 3365. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2016.2586906.
Texte intégral« Power Semiconductor Devices and Smart Power IC Technologies CFP ». IEEE Transactions on Electron Devices 63, no 9 (septembre 2016) : 3813. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2016.2598234.
Texte intégral« Power Semiconductor Devices and Smart Power IC Technologies CFP ». IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 29, no 2 (mai 2016) : 176. http://dx.doi.org/10.1109/tsm.2016.2545898.
Texte intégral« Power Semiconductor Devices and Smart Power IC Technologies CFP ». IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 29, no 3 (août 2016) : 270. http://dx.doi.org/10.1109/tsm.2016.2594153.
Texte intégral« Power Semiconductor Devices and Smart Power IC Technologies CFP ». IEEE Electron Device Letters 37, no 5 (mai 2016) : 693. http://dx.doi.org/10.1109/led.2016.2553799.
Texte intégral« Power Semiconductor Devices and Smart Power IC Technologies CFP ». IEEE Electron Device Letters 37, no 6 (juin 2016) : 816. http://dx.doi.org/10.1109/led.2016.2564558.
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