Articles de revues sur le sujet « SiOx Matrix »
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Sarikov, Andrey. « Thermodynamic Theory of Phase Separation in Nonstoichiometric Si Oxide Films Induced by High-Temperature Anneals ». Nanomanufacturing 3, no 3 (3 juillet 2023) : 293–314. http://dx.doi.org/10.3390/nanomanufacturing3030019.
Texte intégralDelimitis, A., S. D. Pappas, S. Grammatikopoulos, Panagiotis Poulopoulos, Vassilios Kapaklis, D. Trachylis et C. Politis. « Microstructural Investigation of SiOx Thin Films Grown by Reactive Sputtering on (001) Si Substrates ». Journal of Nano Research 17 (février 2012) : 147–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/jnanor.17.147.
Texte intégralKizjak, Anatoliy, Anatoliy Evtukh, Olga Steblova et Yuriy Pedchenko. « Electron Transport through Thin SiO2 Films Containing Si Nanoclusters ». Journal of Nano Research 39 (février 2016) : 169–77. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/jnanor.39.169.
Texte intégralNikolenko, A. S. « Laser heating effect on Raman spectra of Si nanocrystals embedded into SiOx matrix ». Semiconductor Physics Quantum Electronics and Optoelectronics 16, no 1 (28 février 2013) : 86–90. http://dx.doi.org/10.15407/spqeo16.01.086.
Texte intégralMilutinović, A., Z. Dohčević-Mitrović, Diana Nesheva, M. Šćepanović, M. Grujić-Brojčin et Zoran V. Popović. « Infrared and Photoluminescence Study of Rapidly Thermally Annealed SiOx Thin Films ». Materials Science Forum 555 (septembre 2007) : 309–14. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.555.309.
Texte intégralCuriel, Mario, Ivan Petrov, Nicola Nedev, Diana Nesheva, Mauro R. Sardela, Yuya Murata, Benjamin Valdez, Emil Manolov et Irina Bineva. « Formation of Si Nanocrystals in Thin SiO2 Films for Memory Device Applications ». Materials Science Forum 644 (mars 2010) : 101–4. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.644.101.
Texte intégralPrikryl, Radek, Pavel Otrisal, Vladimir Obsel, Lubomír Svorc, Radovan Karkalic et Jan Buk. « Protective Properties of a Microstructure Composed of Barrier Nanostructured Organics and SiOx Layers Deposited on a Polymer Matrix ». Nanomaterials 8, no 9 (31 août 2018) : 679. http://dx.doi.org/10.3390/nano8090679.
Texte intégralLuna-López, José Alberto, G. Garcia-Salgado, J. Carrillo-López, Dianeli E. Vázquez-Valerdi, A. Ponce-Pedraza, T. Díaz-Becerril, F. J. Flores Gracia et A. Morales-Sánchez. « Si Nanocrystals Deposited by HFCVD ». Solid State Phenomena 194 (novembre 2012) : 204–8. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.194.204.
Texte intégralHan, Li Hao, Jing Wang et Ren Rong Liang. « Germanium-Silicon Quantum Dots Produced by Pulsed Laser Deposition for Photovoltaic Applications ». Advanced Materials Research 383-390 (novembre 2011) : 6270–76. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.383-390.6270.
Texte intégralFeng, Xuejiao, Hongmin Cui, Zhenming Li, Rongrong Miao et Nanfu Yan. « Scalable Synthesis of Dual-Carbon Enhanced Silicon-Suboxide/Silicon Composite as Anode for Lithium Ion Batteries ». Nano 12, no 07 (juillet 2017) : 1750084. http://dx.doi.org/10.1142/s1793292017500849.
Texte intégralShen, Yi, Jiechao Jiang, Petr Zeman, Michaela Kotrlová, Veronika Šímová, Jaroslav Vlček et Efstathios I. Meletis. « Microstructure of High Temperature Oxidation Resistant Hf6B10Si31C2N50 and Hf7B10Si32C2N44 Films ». Coatings 10, no 12 (29 novembre 2020) : 1170. http://dx.doi.org/10.3390/coatings10121170.
Texte intégralZhang, X. H., S. J. Chua, A. M. Yong, S. Y. Chow, H. Y. Yang, S. P. Lau et S. F. Yu. « Exciton radiative lifetime in ZnO quantum dots embedded in SiOx matrix ». Applied Physics Letters 88, no 22 (29 mai 2006) : 221903. http://dx.doi.org/10.1063/1.2207848.
Texte intégralNesheva, D., C. Raptis, Z. Levi, Z. Popovic et I. Hinic. « Photoluminescence of CdSe nanocrystals embedded in a SiOx thin film matrix ». Journal of Luminescence 82, no 3 (septembre 1999) : 233–40. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-2313(99)00043-5.
Texte intégralJie, Y. X., X. Wu, C. H. A. Huan, A. T. S. Wee, Y. Guo, T. J. Zhang, J. S. Pan, J. Chai et S. J. Chua. « Synthesis and characterization of Ge nanocrystals immersed in amorphous SiOx matrix ». Surface and Interface Analysis 28, no 1 (août 1999) : 195–99. http://dx.doi.org/10.1002/(sici)1096-9918(199908)28:1<195 ::aid-sia606>3.0.co;2-l.
Texte intégralZhang, X. H., Soo Jin Chua, A. M. Yong, S. Y. Chow, H. Y. Yang, S. P. Lau, S. F. Yu et X. W. Sun. « Fabrication and Optical Properties of ZnO Quantum Dots ». Advanced Materials Research 31 (novembre 2007) : 71–73. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.31.71.
Texte intégralЛожкина, Д. А., Е. В. Астрова, Р. В. Соколов, Д. А. Кириленко, А. А. Левин, А. В. Парфеньева et В. П. Улин. « Формирование кремниевых нанокластеров при диспропорционировании моноокиси кремния ». Физика и техника полупроводников 55, no 4 (2021) : 373. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.04.50743.9575.
Texte intégralЛожкина, Д. А., Е. В. Астрова, Р. В. Соколов, Д. А. Кириленко, А. А. Левин, А. В. Парфеньева et В. П. Улин. « Формирование кремниевых нанокластеров при диспропорционировании моноокиси кремния ». Физика и техника полупроводников 55, no 4 (2021) : 373. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.04.50743.9575.
Texte intégralKumar, V. V. Siva, et D. Kanjilal. « Enhancement in visible luminescence from nanocomposite ZnO-SiOx thin films due to annealing ». Functional Materials Letters 07, no 02 (avril 2014) : 1450007. http://dx.doi.org/10.1142/s1793604714500076.
Texte intégralSong, Seunggon, Kyongmin Kim, Kyun Ho Jung, Junghyun Sok et Kyoungwan Park. « Properties of Resistive Switching in TiO₂ Nanocluster-SiOx(x<2) Matrix Structure ». JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 18, no 1 (28 février 2018) : 108–14. http://dx.doi.org/10.5573/jsts.2018.18.1.108.
Texte intégralYazicioglu, Deniz, Sebastian Gutsch et Margit Zacharias. « (Invited) Size Controlled Silicon Quantum Dots : Understanding Basic Properties and Electronic Applications ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 20 (7 juillet 2022) : 1077. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01201077mtgabs.
Texte intégralCuriel, Mario, Nicola Nedev, Judith Paz, Oscar Perez, Benjamin Valdez, David Mateos, Abraham Arias et al. « UV Sensitivity of MOS Structures with Silicon Nanoclusters ». Sensors 19, no 10 (17 mai 2019) : 2277. http://dx.doi.org/10.3390/s19102277.
Texte intégralHuang, Xieyi, Peng Wang, Zhichao Zhang, Shaoning Zhang, Xianlong Du, Qingyuan Bi et Fuqiang Huang. « Efficient conversion of CO2 to methane using thin-layer SiOx matrix anchored nickel catalysts ». New Journal of Chemistry 43, no 33 (2019) : 13217–24. http://dx.doi.org/10.1039/c9nj03152a.
Texte intégralSayed, Hassan, Z. S. Matar, M. Al-Dossari, A. F. Amin, N. S. Abd El-Gawaad et Arafa H. Aly. « The Design and Optimization of an Anti-Reflection Coating and an Intermediate Reflective Layer to Enhance Tandem Solar Cell Photons Capture ». Crystals 12, no 1 (31 décembre 2021) : 57. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12010057.
Texte intégralSchumann, Erik, René Hübner, Jörg Grenzer, Sibylle Gemming et Matthias Krause. « Percolated Si:SiO2 Nanocomposites : Oven- vs. Millisecond Laser-Induced Crystallization of SiOx Thin Films ». Nanomaterials 8, no 7 (13 juillet 2018) : 525. http://dx.doi.org/10.3390/nano8070525.
Texte intégralSingh, Sarab Preet, et Pankaj Srivastava. « Recent Progress in the Understanding of Si-Nanostructures Formation in a-SiNx:H Thin Film for Si-Based Optoelectronic Devices ». Solid State Phenomena 171 (mai 2011) : 1–17. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.171.1.
Texte intégralMelvin David Kumar, M., et Suganthi Devadason. « Quantum confinement effect in multilayer structure of alternate CdSe and SiOx insulator matrix thinfilms ». Superlattices and Microstructures 58 (juin 2013) : 154–64. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2013.03.016.
Texte intégralIlday, Serim, Gizem Nogay et Rasit Turan. « Spectroscopic ellipsometry study of Si nanocrystals embedded in a SiOx matrix : Modeling and optical characterization ». Applied Surface Science 318 (novembre 2014) : 256–61. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.04.153.
Texte intégralChae, Somin, Hyung-kyu Lim et Sangheon Lee. « Computation-Based Investigation of Motion and Dynamics of Lithium in Phase Separated Silicon-Oxide Anode Materials ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 55 (7 juillet 2022) : 2269. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01552269mtgabs.
Texte intégralEvtukh, A., Oleg Bratus’, Volodymyr Ilchenko, Volodymyr Marin et Iegor Vasyliev. « Capacitive Properties of MIS Structures with SiOx and SixOyNz Films Containing Si Nanoclusters ». Journal of Nano Research 39 (février 2016) : 162–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/jnanor.39.162.
Texte intégralTrinh, Thanh Thuy, Chonghoon Shin, Cam Phu Thi Nguyen, Kyungsoo Jang, Van Duy Nguyen, Jae Hyeong Lee, Vinh Ai Dao et Junsin Yi. « Charge Storage Capabilities of (a/nc) Si Embedded in SiOx Matrix and the Influence of Tunneling Layer Thickness of SiO2/(a/nc)Si–SiOx/SiOxNy Stack on the Memory Performances of MIS Structure ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 17, no 5 (1 mai 2017) : 3210–16. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2017.14096.
Texte intégralRapp, Christin, Andreas Baumgärtel, Lucas Artmann, Markus Eblenkamp et Syed Salman Asad. « Open air plasma deposited antimicrobial SiOx/TiOx composite films for biomedical applications ». Current Directions in Biomedical Engineering 2, no 1 (1 septembre 2016) : 43–47. http://dx.doi.org/10.1515/cdbme-2016-0013.
Texte intégralZhao, Jie, Hyun-Wook Lee, Jie Sun, Kai Yan, Yayuan Liu, Wei Liu, Zhenda Lu, Dingchang Lin, Guangmin Zhou et Yi Cui. « Metallurgically lithiated SiOx anode with high capacity and ambient air compatibility ». Proceedings of the National Academy of Sciences 113, no 27 (16 juin 2016) : 7408–13. http://dx.doi.org/10.1073/pnas.1603810113.
Texte intégralYing, Zhifeng, Wentao Tang, Zhigao Hu, Wenwu Li, Jian Sun, Ning Xu et Jiada Wu. « Annealing behaviors of structural, interfacial and optical properties of HfO2 thin films prepared by plasma assisted reactive pulsed laser deposition ». Journal of Materials Research 25, no 4 (avril 2010) : 680–86. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2010.0087.
Texte intégralFang, Fang, Wei Zhang, Jian Sun, Ning Xu, Jiang Zhu, Zhifeng Ying et Jiada Wu. « Evolution of photoluminescence from Si nanocrystals embedded in a SiO2 matrix prepared by reactive pulsed laser deposition ». Journal of Materials Research 24, no 7 (juillet 2009) : 2259–67. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2009.0279.
Texte intégralSamanta, Arup, et Debajyoti Das. « Effect of RF power on the formation and size evolution of nC-Si quantum dots in an amorphous SiOx matrix ». Journal of Materials Chemistry 21, no 20 (2011) : 7452. http://dx.doi.org/10.1039/c1jm10443h.
Texte intégralHeo, Sung-Bo, Wang Ryeol Kim, Jun-Ho Kim, Su-Hyeon Choe, Daeil Kim, Jae-Hun Lim et In-Wook Park. « Effects of Copper Content on the Microstructural, Mechanical and Tribological Properties of TiAlSiN–Cu Superhard Nanocomposite Coatings ». Coatings 12, no 12 (19 décembre 2022) : 1995. http://dx.doi.org/10.3390/coatings12121995.
Texte intégralDas, Debajyoti, et Arup Samanta. « Quantum size effects on the optical properties of nc-Si QDs embedded in an a-SiOx matrix synthesized by spontaneous plasma processing ». Physical Chemistry Chemical Physics 17, no 7 (2015) : 5063–71. http://dx.doi.org/10.1039/c4cp05126b.
Texte intégralTerekhov, Vladimir A., Evgeny I. Terukov, Yury K. Undalov, Konstantin A. Barkov, Igor E. Zanin, Oleg V. Serbin et Irina N. Trapeznikova. « Structural Rearrangement of a-SiOx:H Films with Pulse Photon Annealing ». Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases 22, no 4 (15 décembre 2020) : 489–95. http://dx.doi.org/10.17308/kcmf.2020.22/3119.
Texte intégralHandke, Miroslaw. « Vibrational Spectra, Force Constants, and Si-O Bond Character in Calcium Silicate Crystal Structure ». Applied Spectroscopy 40, no 6 (août 1986) : 871–77. http://dx.doi.org/10.1366/0003702864508322.
Texte intégralMatveeva, L. O., E. F. Venger, R. V. Konakova, O. Yu Kolyadina, P. L. Neluba et V. V. Shynkarenko. « Effect of Microwave Radiation on the Band Structure and Electronic Parameters of the Heterosystems with Fullerenes ». Фізика і хімія твердого тіла 18, no 2 (15 juin 2017) : 173–79. http://dx.doi.org/10.15330/pcss.18.2.173-179.
Texte intégralZhu, Min, Jie Yang, Zhihao Yu, Haibiao Chen et Feng Pan. « Novel hybrid Si nanocrystals embedded in a conductive SiOx@C matrix from one single precursor as a high performance anode material for lithium-ion batteries ». Journal of Materials Chemistry A 5, no 15 (2017) : 7026–34. http://dx.doi.org/10.1039/c7ta01254c.
Texte intégralLee, Dong Bok, et Seung Wan Woo. « Oxidation of SiOC Composite Having Dispersoids of Mo4.8Si3C0.6 and MoSi2 ». Materials Science Forum 486-487 (juin 2005) : 165–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.486-487.165.
Texte intégralЛожкина, Д. А., Е. В. Астрова et А. М. Румянцев. « Зависимость электрохимических параметров композитных SiO/C-анодов для литий-ионных аккумуляторов от состава и температуры синтеза ». Журнал технической физики 92, no 3 (2022) : 421. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2022.03.52137.267-21.
Texte intégralLozhkina D.A., Astrova E.V. et Rumyantsev A.M. « Dependence of the electrochemical parameters of composite SiO/C anodes for lithium-ion batteries on the composition and synthesis temperature ». Technical Physics 92, no 3 (2022) : 339. http://dx.doi.org/10.21883/tp.2022.03.53264.267-21.
Texte intégralRyu, Sel Gi, Hyung Yong Ji, Myeong Jun Kim, Jong Hyeon Peck et Keunjoo Kim. « Reduced Fresnel Reflection by Photon Tunneling in Antireflection Coating Layer of Crystalline Si Solar Cells ». Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 13, no 10 (1 octobre 2018) : 1576–83. http://dx.doi.org/10.1166/jno.2018.2390.
Texte intégralCui, Yi, Rong Lin Wang, Li Ren Wang, Jing Long Bu et Qian Wang. « Effects of Recycling Ladle Lining Materials on Phase Composition and Microstructure of Al2O3-SiC-C Castable for Iron Runner ». Advanced Materials Research 652-654 (janvier 2013) : 1614–18. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.652-654.1614.
Texte intégralZhigunov, D. M., A. A. Popov, Yu M. Chesnokov, A. L. Vasiliev, A. M. Lebedev, I. A. Subbotin, S. N. Yakunin, O. A. Shalygina et I. A. Kamenskikh. « Near-IR Emitting Si Nanocrystals Fabricated by Thermal Annealing of SiNx/Si3N4 Multilayers ». Applied Sciences 9, no 22 (6 novembre 2019) : 4725. http://dx.doi.org/10.3390/app9224725.
Texte intégralHou, Zhao Xia, Zhao Lu Xue, Shao Hong Wang, Xiao Dan Hu, Hao Ran Lu, Chang Lei Niu, Hao Wang, Cai Wang et Yin Zhou. « Transparent Oxyfluoride Glass-Ceramics Containing CaF2 Nano-Crystalline Phase ». Key Engineering Materials 512-515 (juin 2012) : 1015–18. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.512-515.1015.
Texte intégralYoung, D., H. D. Wu, R. C. Y. Auyeung, R. Modi, J. Fitz-Gerald, A. Pique, D. B. Chrisey, P. Atanassova et T. Kodas. « Dielectric properties of oxide structures by a laser-based direct-writing method ». Journal of Materials Research 16, no 6 (juin 2001) : 1720–25. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2001.0237.
Texte intégralLi, Xian Xin, Ying Sun, Jia Lu Li et Ming Ma. « Research Progress of SiO2 Matrix Composite Materials for Radomes ». Advanced Materials Research 430-432 (janvier 2012) : 1119–22. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.430-432.1119.
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