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Texte intégralKastner, M. A., et D. Goldhaber-Gordon. « Kondo physics with single electron transistors ». Solid State Communications 119, no 4-5 (juillet 2001) : 245–52. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00106-5.
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Texte intégralSeneor, Pierre, Anne Bernand-Mantel et Frédéric Petroff. « Nanospintronics : when spintronics meets single electron physics ». Journal of Physics : Condensed Matter 19, no 16 (5 avril 2007) : 165222. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/19/16/165222.
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Texte intégralJamshidnezhad, K., et M. J. Sharifi. « Physics-based analytical model for ferromagnetic single electron transistor ». Journal of Applied Physics 121, no 11 (21 mars 2017) : 113905. http://dx.doi.org/10.1063/1.4978425.
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Texte intégralWu Fan et Wang Tai-Hong. « Single-electron control by single-electron pump and its stability diagrams ». Acta Physica Sinica 52, no 3 (2003) : 696. http://dx.doi.org/10.7498/aps.52.696.
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Texte intégralNagase, Masao, Seiji Horiguchi, Akira Fujiwara et Yasuo Takahashi. « Microscopic Observations of Single-Electron Island in Si Single-Electron Transistors ». Japanese Journal of Applied Physics 42, Part 1, No. 4B (30 avril 2003) : 2438–43. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.42.2438.
Texte intégralMonreal, Benjamin. « Single-electron cyclotron radiation ». Physics Today 69, no 1 (janvier 2016) : 70–71. http://dx.doi.org/10.1063/pt.3.3060.
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Texte intégralYano, Kazuo, et David K. Ferry. « Single-electron solitons ». Superlattices and Microstructures 11, no 1 (janvier 1992) : 61–64. http://dx.doi.org/10.1016/0749-6036(92)90362-9.
Texte intégralAKAMINE, Yuta, Kazuto FUJIWARA, Bokulae CHO et Chuhei OSHIMA. « New Phenomena in Physics Related with Single-Atom Electron Sources ». Journal of the Vacuum Society of Japan 55, no 2 (2012) : 59–63. http://dx.doi.org/10.3131/jvsj2.55.59.
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Texte intégralTanttu, Tuomo, Alessandro Rossi, Kuan Yen Tan, Kukka-Emilia Huhtinen, Kok Wai Chan, Mikko Möttönen et Andrew S. Dzurak. « Electron counting in a silicon single-electron pump ». New Journal of Physics 17, no 10 (16 octobre 2015) : 103030. http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/17/10/103030.
Texte intégralKauppinen, J. P., et J. P. Pekola. « Hot electron effects in metallic single electron components ». Czechoslovak Journal of Physics 46, S4 (avril 1996) : 2295–96. http://dx.doi.org/10.1007/bf02571139.
Texte intégralTakahashi, Yasuo, Yukinori Ono, Akira Fujiwara et Hiroshi Inokawa. « Silicon single-electron devices ». Journal of Physics : Condensed Matter 14, no 39 (20 septembre 2002) : R995—R1033. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/14/39/201.
Texte intégralKim, Sang Jin, Yukinori Ono, Yasuo Takahashi et Jung Bum Choi. « Real-Time Observation of Single-Electron Movement through Silicon Single-Electron Transistor ». Japanese Journal of Applied Physics 43, no 10 (8 octobre 2004) : 6863–67. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.43.6863.
Texte intégralBoese, D., et H. Schoeller. « Influence of nanomechanical properties on single-electron tunneling : A vibrating single-electron transistor ». Europhysics Letters (EPL) 54, no 5 (juin 2001) : 668–74. http://dx.doi.org/10.1209/epl/i2001-00367-8.
Texte intégralSui Bing-Cai, Fang Liang et Zhang Chao. « Conductance of single-electron transistor with single island ». Acta Physica Sinica 60, no 7 (2011) : 077302. http://dx.doi.org/10.7498/aps.60.077302.
Texte intégralWang, Y., D. MacKernan, D. Cubero, D. F. Coker et N. Quirke. « Single electron states in polyethylene ». Journal of Chemical Physics 140, no 15 (21 avril 2014) : 154902. http://dx.doi.org/10.1063/1.4869831.
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Texte intégralCiccarello, F., G. M. Palma, M. Zarcone, Y. Omar et V. R. Vieira. « Entanglement controlled single-electron transmittivity ». New Journal of Physics 8, no 9 (27 septembre 2006) : 214. http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/8/9/214.
Texte intégralDasenbrook, David, Joseph Bowles, Jonatan Bohr Brask, Patrick P. Hofer, Christian Flindt et Nicolas Brunner. « Single-electron entanglement and nonlocality ». New Journal of Physics 18, no 4 (26 avril 2016) : 043036. http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/18/4/043036.
Texte intégralBushev, P. A., J. H. Cole, D. Sholokhov, N. Kukharchyk et M. Zych. « Single electron relativistic clock interferometer ». New Journal of Physics 18, no 9 (27 septembre 2016) : 093050. http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/18/9/093050.
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Texte intégralHasko, D. G., T. Ferrus, Q. R. Morrissey, S. R. Burge, E. J. Freeman, M. J. French, A. Lam et al. « Single shot measurement of a silicon single electron transistor ». Applied Physics Letters 93, no 19 (10 novembre 2008) : 192116. http://dx.doi.org/10.1063/1.3028344.
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Texte intégralSo, Hye-Mi, Jinhee Kim, Wan Soo Yun, Jong Wan Park, Ju-Jin Kim, Do-Jae Won, Yongku Kang et Changjin Lee. « Molecule-based single electron transistor ». Physica E : Low-dimensional Systems and Nanostructures 18, no 1-3 (mai 2003) : 243–44. http://dx.doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00996-7.
Texte intégralAbramov, I. I., et E. G. Novik. « Classification of single-electron devices ». Semiconductors 33, no 11 (novembre 1999) : 1254–59. http://dx.doi.org/10.1134/1.1187860.
Texte intégralYu, Yun Seop, Seung Hun Son, Hee Tae Kim, Yong Gyu Kim, Jung Hyun Oh, Hanjung Kim, Sung Woo Hwang, Bum Ho Choi et Doyeol Ahn. « Transmission-Type Radio-Frequency Single-Electron Transistor with In-Plane-Gate Single-Electron Transistor ». Japanese Journal of Applied Physics 46, no 4B (24 avril 2007) : 2592–95. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.46.2592.
Texte intégralFernández-Rossier, J., R. Aguado et L. Brey. « Anisotropic magnetoresistance in single electron transport ». physica status solidi (c) 3, no 12 (décembre 2006) : 4231–34. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200672837.
Texte intégralSpeirs, Rory W., Corey T. Putkunz, Andrew J. McCulloch, Keith A. Nugent, Benjamin M. Sparkes et Robert E. Scholten. « Single-shot electron diffraction using a cold atom electron source ». Journal of Physics B : Atomic, Molecular and Optical Physics 48, no 21 (23 septembre 2015) : 214002. http://dx.doi.org/10.1088/0953-4075/48/21/214002.
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