Articles de revues sur le sujet « Single electron devices »
Créez une référence correcte selon les styles APA, MLA, Chicago, Harvard et plusieurs autres
Consultez les 50 meilleurs articles de revues pour votre recherche sur le sujet « Single electron devices ».
À côté de chaque source dans la liste de références il y a un bouton « Ajouter à la bibliographie ». Cliquez sur ce bouton, et nous générerons automatiquement la référence bibliographique pour la source choisie selon votre style de citation préféré : APA, MLA, Harvard, Vancouver, Chicago, etc.
Vous pouvez aussi télécharger le texte intégral de la publication scolaire au format pdf et consulter son résumé en ligne lorsque ces informations sont inclues dans les métadonnées.
Parcourez les articles de revues sur diverses disciplines et organisez correctement votre bibliographie.
Oda, Shunri. « Single Electron Devices ». IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 121, no 1 (2001) : 19–22. http://dx.doi.org/10.1541/ieejeiss1987.121.1_19.
Texte intégralSMITH, DORAN D. « SINGLE ELECTRON DEVICES ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 09, no 01 (mars 1998) : 165–207. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156498000099.
Texte intégralAhmed, Haroon, et Kazuo Nakazato. « Single-electron devices ». Microelectronic Engineering 32, no 1-4 (septembre 1996) : 297–315. http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(95)00179-4.
Texte intégralTAKAHASHI, YASUO, AKIRA FUJIWARA, MASAO NAGASE, HIDEO NAMATSU, KENJI KURIHARA, KAZUMI IWADATE et KATSUMI MURASE. « Silicon single-electron devices ». International Journal of Electronics 86, no 5 (mai 1999) : 605–39. http://dx.doi.org/10.1080/002072199133283.
Texte intégralTakahashi, Yasuo, Yukinori Ono, Akira Fujiwara et Hiroshi Inokawa. « Silicon single-electron devices ». Journal of Physics : Condensed Matter 14, no 39 (20 septembre 2002) : R995—R1033. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/14/39/201.
Texte intégralFLENSBERG, KARSTEN, ARKADI A. ODINTSOV, FEIKE LIEFRINK et PAUL TEUNISSEN. « TOWARDS SINGLE-ELECTRON METROLOGY ». International Journal of Modern Physics B 13, no 21n22 (10 septembre 1999) : 2651–87. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979299002587.
Texte intégralLi, Rui-Hao, Jun-Yang Liu et Wen-Jing Hong. « Regulation strategies based on quantum interference in electrical transport of single-molecule devices ». Acta Physica Sinica 71, no 6 (2022) : 067303. http://dx.doi.org/10.7498/aps.71.20211819.
Texte intégralLabra-Muñoz, Jacqueline A., Arie de Reuver, Friso Koeleman, Martina Huber et Herre S. J. van der Zant. « Ferritin-Based Single-Electron Devices ». Biomolecules 12, no 5 (15 mai 2022) : 705. http://dx.doi.org/10.3390/biom12050705.
Texte intégralSchupp, Felix J. « Single-electron devices in silicon ». Materials Science and Technology 33, no 8 (18 octobre 2016) : 944–62. http://dx.doi.org/10.1080/02670836.2016.1242826.
Texte intégralAbramov, I. I., et E. G. Novik. « Classification of single-electron devices ». Semiconductors 33, no 11 (novembre 1999) : 1254–59. http://dx.doi.org/10.1134/1.1187860.
Texte intégralMizuta, H., Y. Furuta, T. Kamiya, Y. T. Tan, Z. A. K. Durrani, S. Amakawa, K. Nakazato et H. Ahmed. « Nanosilicon for single-electron devices ». Current Applied Physics 4, no 2-4 (avril 2004) : 98–101. http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2003.10.005.
Texte intégralFujiwara, A., Y. Takahashi, K. Yamazaki, H. Namatsu, M. Nagase, K. Kurihara et K. Murase. « Double-island single-electron devices. A useful unit device for single-electron logic LSI's ». IEEE Transactions on Electron Devices 46, no 5 (mai 1999) : 954–59. http://dx.doi.org/10.1109/16.760403.
Texte intégralLikharev, Konstantin K., et Alexander N. Korotkov. « Single-Electron Parametron ». VLSI Design 6, no 1-4 (1 janvier 1998) : 43–46. http://dx.doi.org/10.1155/1998/58268.
Texte intégralMatsutani, Masahiro, Fujio Wakaya, Sadao Takaoka, Kazuo Murase et Kenji Gamo. « Electron-Beam-Induced Oxidation for Single-Electron Devices ». Japanese Journal of Applied Physics 36, Part 1, No. 12B (30 décembre 1997) : 7782–85. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.36.7782.
Texte intégralGunasekaran, Suman, Douglas A. Reed, Daniel W. Paley, Amymarie K. Bartholomew, Latha Venkataraman, Michael L. Steigerwald, Xavier Roy et Colin Nuckolls. « Single-Electron Currents in Designer Single-Cluster Devices ». Journal of the American Chemical Society 142, no 35 (18 août 2020) : 14924–32. http://dx.doi.org/10.1021/jacs.0c04970.
Texte intégralAhmed, H. « Single atom scale lithography for single electron devices ». Physica B : Condensed Matter 227, no 1-4 (septembre 1996) : 259–63. http://dx.doi.org/10.1016/0921-4526(96)00415-2.
Texte intégralGoodnick, S. M., et J. Bird. « Quantum-effect and single-electron devices ». IEEE Transactions On Nanotechnology 2, no 4 (décembre 2003) : 368–85. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2003.820773.
Texte intégralMizugaki, Y., M. Takiguchi, S. Hayami, A. Kawai, M. Moriya, K. Usami, T. Kobayashi et H. Shimada. « Single-Electron Devices With Input Discretizer ». IEEE Transactions on Nanotechnology 7, no 5 (septembre 2008) : 601–6. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2008.2003352.
Texte intégralLikharev, K. K. « Single-electron devices and their applications ». Proceedings of the IEEE 87, no 4 (avril 1999) : 606–32. http://dx.doi.org/10.1109/5.752518.
Texte intégralKOROTKOV, ALEXANDER N. « Single-electron logic and memory devices ». International Journal of Electronics 86, no 5 (mai 1999) : 511–47. http://dx.doi.org/10.1080/002072199133256.
Texte intégralOno, Yukinori, Kenji Yamazaki, Masao Nagase, Seiji Horiguchi, Kenji Shiraishi et Yasuo Takahashi. « Single-electron and quantum SOI devices ». Microelectronic Engineering 59, no 1-4 (novembre 2001) : 435–42. http://dx.doi.org/10.1016/s0167-9317(01)00638-4.
Texte intégralTakahashi, Yasuo, Yukinori Ono, Akira Fujiwara et Hiroshi Inokawa. « Development of silicon single-electron devices ». Physica E : Low-dimensional Systems and Nanostructures 19, no 1-2 (juillet 2003) : 95–101. http://dx.doi.org/10.1016/s1386-9477(03)00314-x.
Texte intégralKorotkov, Alexander N., et Konstantin K. Likharev. « Single-electron-parametron-based logic devices ». Journal of Applied Physics 84, no 11 (décembre 1998) : 6114–26. http://dx.doi.org/10.1063/1.368926.
Texte intégralDempsey, Kari J., David Ciudad et Christopher H. Marrows. « Single electron spintronics ». Philosophical Transactions of the Royal Society A : Mathematical, Physical and Engineering Sciences 369, no 1948 (13 août 2011) : 3150–74. http://dx.doi.org/10.1098/rsta.2011.0105.
Texte intégralBryant, Garnett W., D. B. Murray et A. H. MacDonald. « Electronic structure of single ultrasmall electron devices and device arrays ». Superlattices and Microstructures 3, no 3 (janvier 1987) : 211–15. http://dx.doi.org/10.1016/0749-6036(87)90060-7.
Texte intégralBarnes, C. H. W., J. M. Shilton et A. M. Robinson. « Quantum computation using electrons trapped by surface acoustic waves ». Quantum Information and Computation 1, Special (décembre 2001) : 96–101. http://dx.doi.org/10.26421/qic1.s-9.
Texte intégralLi, Xinxing, Jinggao Sui et Jingyue Fang. « Single-Electron Transport and Detection of Graphene Quantum Dots ». Nanomaterials 13, no 5 (27 février 2023) : 889. http://dx.doi.org/10.3390/nano13050889.
Texte intégralYadav, Pooja, Hemant Arora et Arup Samanta. « Nitrogen in silicon for room temperature single-electron tunneling devices ». Applied Physics Letters 122, no 8 (20 février 2023) : 083502. http://dx.doi.org/10.1063/5.0136182.
Texte intégralVisscher, E. H., S. M. Verbrugh, J. Lindeman, P. Hadley et J. E. Mooij. « Fabrication of multilayer single‐electron tunneling devices ». Applied Physics Letters 66, no 3 (16 janvier 1995) : 305–7. http://dx.doi.org/10.1063/1.113526.
Texte intégralVion, D., P. F. Orfila, P. Joyez, D. Esteve et M. H. Devoret. « Miniature electrical filters for single electron devices ». Journal of Applied Physics 77, no 6 (15 mars 1995) : 2519–24. http://dx.doi.org/10.1063/1.358781.
Texte intégralGarcía, N., et F. Guinea. « Nonequilibrium electronic distribution in single-electron devices ». Physical Review B 57, no 3 (15 janvier 1998) : 1398–401. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.57.1398.
Texte intégralNagase, M., S. Horiguchi, K. Shiraishi, A. Fujiwara et Y. Takahashi. « Single-electron devices formed by thermal oxidation ». Journal of Electroanalytical Chemistry 559 (novembre 2003) : 19–23. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0728(03)00420-0.
Texte intégralAltmeyer, S., K. Hofmann, A. Hamidi, S. Hu, B. Spangenberg et H. Kurz. « Potential and challenges of single electron devices ». Vacuum 51, no 2 (octobre 1998) : 295–99. http://dx.doi.org/10.1016/s0042-207x(98)00178-x.
Texte intégralSplettstoesser, Janine, et Rolf J. Haug. « Single-electron control in solid state devices ». physica status solidi (b) 254, no 3 (mars 2017) : 1770217. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201770217.
Texte intégralMelnyk, Oleksandr, et Viktoriia Kozarevych. « SIMULATION OF PROGRAMMABLE SINGLE-ELECTRON NANOCIRCUITS ». Bulletin of the National Technical University "KhPI". Series : Mathematical modeling in engineering and technologies, no 1 (5 mars 2021) : 64–68. http://dx.doi.org/10.20998/2222-0631.2020.01.05.
Texte intégralTANIGUCHI, KENJI. « Frontier of Nanometer Devices. Electronic Devices Using Single Electron Tunneling Phenomena. » Journal of the Institute of Electrical Engineers of Japan 114, no 6 (1994) : 371–75. http://dx.doi.org/10.1541/ieejjournal.114.371.
Texte intégralLikharev, Konstantin K., et Alexander N. Korotkov. « Analysis of Q0-Independent Single-Electron Systems ». VLSI Design 6, no 1-4 (1 janvier 1998) : 341–44. http://dx.doi.org/10.1155/1998/46535.
Texte intégralStewart, M., et Neil Zimmerman. « Stability of Single Electron Devices : Charge Offset Drift ». Applied Sciences 6, no 7 (29 juin 2016) : 187. http://dx.doi.org/10.3390/app6070187.
Texte intégralSato, Shigeo, et Koji Nakajima. « Application of Single Electron Devices Utilizing Stochastic Dynamics ». International Journal of Nanotechnology and Molecular Computation 1, no 2 (avril 2009) : 29–42. http://dx.doi.org/10.4018/jnmc.2009040102.
Texte intégralMahdavi, Mojdeh, Sattar Mirzakuchaki, Mohammad Naser Moghaddasi et Mohammad Amin Amiri. « Single Electron Fault Modeling in Basic Quantum Devices ». Japanese Journal of Applied Physics 50, no 9R (1 septembre 2011) : 094401. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.50.094401.
Texte intégralAllec, N., R. G. Knobel et L. Shang. « SEMSIM : Adaptive Multiscale Simulation For Single-Electron Devices ». IEEE Transactions on Nanotechnology 7, no 3 (mai 2008) : 351–54. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2008.917794.
Texte intégralHoekstra, Jaap. « On Circuit Theories for Single-Electron Tunneling Devices ». IEEE Transactions on Circuits and Systems I : Regular Papers 54, no 11 (novembre 2007) : 2353–59. http://dx.doi.org/10.1109/tcsi.2007.907797.
Texte intégralEscott, C. C., F. E. Hudson, V. C. Chan, K. D. Petersson, R. G. Clark et A. S. Dzurak. « Scaling of ion implanted Si:P single electron devices ». Nanotechnology 18, no 23 (8 mai 2007) : 235401. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/18/23/235401.
Texte intégralMahdavi, Mojdeh, Sattar Mirzakuchaki, Mohammad Naser Moghaddasi et Mohammad Amin Amiri. « Single Electron Fault Modeling in Basic Quantum Devices ». Japanese Journal of Applied Physics 50, no 9 (20 septembre 2011) : 094401. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.50.094401.
Texte intégralBułka, B. R., J. Martinek, G. Michałek et J. Barnaś. « Shot noise in ferromagnetic single-electron tunneling devices ». Physical Review B 60, no 17 (1 novembre 1999) : 12246–55. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.60.12246.
Texte intégralDelsing, P., et D. B. Haviland. « A current mirror based on single electron devices ». Applied Superconductivity 6, no 10-12 (octobre 1999) : 789–93. http://dx.doi.org/10.1016/s0964-1807(99)00043-5.
Texte intégralFerry, D. K., M. Khoury, C. Gerousis, M. J. Rack, A. Gunther et S. M. Goodnick. « Single-electron charging effects in Si MOS devices ». Physica E : Low-dimensional Systems and Nanostructures 9, no 1 (janvier 2001) : 69–75. http://dx.doi.org/10.1016/s1386-9477(00)00179-x.
Texte intégralGroshev, Atanas. « Nontrival Coulomb staircase in single-electron turnstile devices ». Physical Review B 46, no 16 (15 octobre 1992) : 10289–94. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.46.10289.
Texte intégralHoekstra, J. « On the delay of single-electron logic devices ». International Journal of Circuit Theory and Applications 41, no 6 (28 mars 2012) : 563–72. http://dx.doi.org/10.1002/cta.1802.
Texte intégralYamada, Takashi, et Yoshihito Amemiya. « Multiple-valued logic devices using single-electron circuits ». Superlattices and Microstructures 27, no 5-6 (mai 2000) : 607–11. http://dx.doi.org/10.1006/spmi.2000.0875.
Texte intégral