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Seifert, A., A. Vojta, J. S. Speck et F. F. Lange. « Microstructural instability in single-crystal thin films ». Journal of Materials Research 11, no 6 (juin 1996) : 1470–82. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1996.0183.
Texte intégralCai, Chuanbing, et Hiroyuki Fujimoto. « Effects of Nd123/MgO Thin Film and MgO Single-crystal Seeds in Isothermal Solidification of YBaCuO/Ag ». Journal of Materials Research 15, no 8 (août 2000) : 1742–48. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2000.0251.
Texte intégralIchikawa, Yoko, Toshiyuki Matsunaga, Mohsen Hassan, Isaku Kanno, Takaaki Suzuki et Kiyotaka Wasa. « Growth and structure of heteroepitaxial lead titanate thin films constrained by miscut strontium titanate substrates ». Journal of Materials Research 21, no 5 (1 mai 2006) : 1261–68. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2006.0162.
Texte intégralChang, H. L. M., T. J. Zhang, H. Zhang, J. Guo, H. K. Kim et D. J. Lam. « Epitaxy, microstructure, and processing-structure relationships of TiO2 thin films grown on sapphire (0001) by MOCVD ». Journal of Materials Research 8, no 10 (octobre 1993) : 2634–43. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1993.2634.
Texte intégralKrakow, W., N. M. Rivera, R. A. Roy, R. S. Ruoff et J. J. Cuomo. « Epitaxial growth of C60 thin films on mica ». Journal of Materials Research 7, no 4 (avril 1992) : 784–87. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1992.0784.
Texte intégralOhtake, Mitsuru, Shigeyuki Minakawa et Masaaki Futamoto. « Preparation of 3d Ferromagnetic Transition Metal Thin Films with Metastable bcc Structure on GaAs(100) Substrates ». Key Engineering Materials 605 (avril 2014) : 478–82. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.605.478.
Texte intégralWang, Nan, Yu-Xiang Dai, Tian-Lin Wang, Hua-Zhe Yang et Yang Qi. « Investigation of growth characteristics and semimetal–semiconductor transition of polycrystalline bismuth thin films ». IUCrJ 7, no 1 (1 janvier 2020) : 49–57. http://dx.doi.org/10.1107/s2052252519015458.
Texte intégralMiller, K. T., et F. F. Lange. « Highly oriented thin films of cubic zirconia on sapphire through grain growth seeding ». Journal of Materials Research 6, no 11 (novembre 1991) : 2387–92. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1991.2387.
Texte intégralHeimann, D., T. Wagner, J. Bill, F. Aldinger et F. F. Lange. « Epitaxial growth of β–SiC thin films on a 6H–SiC substrate using the chemical solution deposition method ». Journal of Materials Research 12, no 11 (novembre 1997) : 3099–101. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1997.0403.
Texte intégralTamaki, Jun, Gregory K. L. Goh et Fred F. Lange. « Novel epitaxial growth of barium titanate thin films by electrodeposition ». Journal of Materials Research 15, no 12 (décembre 2000) : 2583–86. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2000.0368.
Texte intégralYang, Tsung-Han, Chunming Jin, Ravi Aggarwal, R. J. Narayan et Jay Narayan. « On growth of epitaxial vanadium oxide thin film on sapphire (0001) ». Journal of Materials Research 25, no 3 (mars 2010) : 422–26. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2010.0059.
Texte intégralMurakami, Toshiaki, et Minoru Suzuki. « Single-Crystal Thin-Film Growth and Properties of BaPb1-xBixO3 ». Japanese Journal of Applied Physics 24, S2 (1 janvier 1985) : 323. http://dx.doi.org/10.7567/jjaps.24s2.323.
Texte intégralWASA, K., S. H. SEO, D. Y. NOH, I. KANNO et T. SUZUKI. « HETEROEPITAXIAL GROWTH OF STRESS FREE SINGLE CRYSTAL PEROVSKITE THIN FILMS ». Surface Review and Letters 13, no 02n03 (avril 2006) : 167–72. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x06008189.
Texte intégralShaw, David T. « Controlled Growth of High-Temperature Superconducting Thin Films on Polycrystalline Substrates ». MRS Bulletin 17, no 8 (août 1992) : 39–44. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400041841.
Texte intégralGrant Norton, M., et C. Barry Carter. « Observation of the early stages of heteroepitactic growth of BaTiO3 thin-films ». Journal of Materials Research 5, no 12 (décembre 1990) : 2762–65. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1990.2762.
Texte intégralWasa, Kiyotaka, Isaku Kanno et Takaaki Suzuki. « Structure and Electromechanical Properties of Quenched PMN-PT Single Crystal Thin Films ». Advances in Science and Technology 45 (octobre 2006) : 1212–17. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.45.1212.
Texte intégralMoustakas, Theodore D. « Molecular Beam Epitaxy : Thin Film Growth and Surface Studies ». MRS Bulletin 13, no 11 (novembre 1988) : 29–36. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400063892.
Texte intégralSong, Yiwen, Chi Zhang, James Spencer Lundh, Hsien-Lien Huang, Yue Zheng, Yingying Zhang, Mingyo Park et al. « Growth-microstructure-thermal property relations in AlN thin films ». Journal of Applied Physics 132, no 17 (7 novembre 2022) : 175108. http://dx.doi.org/10.1063/5.0106916.
Texte intégralNg, Man Fai, et Michael J. Cima. « Heteroepitaxial growth of lanthanum aluminate films derived from mixed metal nitrates ». Journal of Materials Research 12, no 5 (mai 1997) : 1306–14. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1997.0179.
Texte intégralKang, Geon-Hyeong, Ki Chul Jung, Jongbum Kim, JoonHyun Kang, In Soo Kim et Young-Hwan Kim. « Growth of High-Quality Perovskite KTa1-xNbxO3 Thin Films by RF Magnetron Co-Sputtering ». Coatings 12, no 11 (21 novembre 2022) : 1787. http://dx.doi.org/10.3390/coatings12111787.
Texte intégralHe, Xi, Xiaotao Xu, Xiaoyan Shi et Ivan Božović. « Optimization of La2−xSrxCuO4 Single Crystal Film Growth via Molecular Beam Epitaxy ». Condensed Matter 8, no 1 (20 janvier 2023) : 13. http://dx.doi.org/10.3390/condmat8010013.
Texte intégralGrant Norton, M., James Bentley et Rand R. Biggers. « In Situ Electron Microscopy observations of structural transformations in single crystal lanthanum aluminate ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 53 (13 août 1995) : 238–39. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100137562.
Texte intégralTakeyama, Shojiro, Katsuyosi Watanabe et Teruo Komatsu. « Thin-Film Single-Crystal Growth of BiI3by a Hot Wall Technique ». Japanese Journal of Applied Physics 29, Part 1, No. 4 (20 avril 1990) : 710–17. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.29.710.
Texte intégralKomatsu, Keiji, Pineda Marulanda David Alonso, Nozomi Kobayashi, Ikumi Toda, Shigeo Ohshio, Hiroyuki Muramatsu et Hidetoshi Saitoh. « Epitaxial Growth of Magnesia Films on Single Crystalline Magnesia Substrates by Atmospheric-Pressure Chemical Vapor Deposition ». Journal of Materials Science Research 5, no 2 (31 janvier 2016) : 56. http://dx.doi.org/10.5539/jmsr.v5n2p56.
Texte intégralRen, Shi Wei, Jing Wei Sun et Yan Zhong Hao. « Simulation of the Growth, Structure and Crystallization of the Amorphous Silicon Thin Film ». Advanced Materials Research 602-604 (décembre 2012) : 1457–60. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.602-604.1457.
Texte intégralQiu, Yu, Peter Gerstel, Linqin Jiang, Peter Lipowsky, Luciana Pitta Bauermann et Joachim Bill. « Aqueous solution deposition of indium hydroxide and indium oxide columnar type thin films ». International Journal of Materials Research 97, no 6 (1 juin 2006) : 808–11. http://dx.doi.org/10.1515/ijmr-2006-0130.
Texte intégralKitahara, Gyo, Satoru Inoue, Toshiki Higashino, Mitsuhiro Ikawa, Taichi Hayashi, Satoshi Matsuoka, Shunto Arai et Tatsuo Hasegawa. « Meniscus-controlled printing of single-crystal interfaces showing extremely sharp switching transistor operation ». Science Advances 6, no 41 (octobre 2020) : eabc8847. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.abc8847.
Texte intégralWang, Jing, Weiyuan Wang, Jiyu Fan, Huan Zheng, Hao Liu, Chunlan Ma, Lei Zhang et al. « Epitaxial growth and room-temperature ferromagnetism of quasi-2D layered Cr4Te5 thin film ». Journal of Physics D : Applied Physics 55, no 16 (24 janvier 2022) : 165001. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ac47c2.
Texte intégralResel, Roland, Markus Koini, Jiri Novak, Steven Berkebile, Georg Koller et Michael Ramsey. « Epitaxial Order Driven by Surface Corrugation : Quinquephenyl Crystals on a Cu(110)-(2×1)O Surface ». Crystals 9, no 7 (22 juillet 2019) : 373. http://dx.doi.org/10.3390/cryst9070373.
Texte intégralGrant Norton, M., et C. Barry Carter. « Nucleation and Heteroepitaxy of YBa2Cu3O7-δ thin films ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 48, no 4 (août 1990) : 88–89. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100173571.
Texte intégralSeifert, Andreas. « Epitaxial growth of PbTiO3 thin films on {100} SrTiO3 from solution precursors ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 52 (1994) : 576–77. http://dx.doi.org/10.1017/s042482010017061x.
Texte intégralChaudhuri, J., R. Thokala, J. H. Edgar et B. S. Sywe. « Characterization Of Single Crystal Epitaxial Aluminum Nitride Thin Films On Sapphire, Silicon Carbide And Silicon Substrates By X-Ray Double Crystal Diffractometry And Transmission Electron Microscopy ». Advances in X-ray Analysis 39 (1995) : 645–51. http://dx.doi.org/10.1154/s0376030800023077.
Texte intégralEndoh, Norifumi, Shoji Akiyama, Keiichiro Tashima, Kento Suwa, Takamasa Kamogawa, Roki Kohama, Kazutoshi Funakubo et al. « High-Quality Few-Layer Graphene on Single-Crystalline SiC thin Film Grown on Affordable Wafer for Device Applications ». Nanomaterials 11, no 2 (4 février 2021) : 392. http://dx.doi.org/10.3390/nano11020392.
Texte intégralCheng, Xiankun, Qiang Gao, Kaifeng Li, Zhongliang Liu, Qinzhuang Liu, Qiangchun Liu, Yongxing Zhang et Bing Li. « Enhanced Phase Transition Properties of VO2 Thin Films on 6H-SiC (0001) Substrate Prepared by Pulsed Laser Deposition ». Nanomaterials 9, no 8 (24 juillet 2019) : 1061. http://dx.doi.org/10.3390/nano9081061.
Texte intégralMiller, K. T., F. F. Lange et D. B. Marshall. « The instability of polycrystalline thin films : Experiment and theory ». Journal of Materials Research 5, no 1 (janvier 1990) : 151–60. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1990.0151.
Texte intégralShin, D. H., J. Silcox, S. E. Russek, D. K. Lathrop, B. Moeckly et R. A. Buhrman. « Quasi-epitaxial orientations of grains and structure of grain boundaries in YBa2Cu3O7−x thin films ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 48, no 4 (août 1990) : 4–5. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100173157.
Texte intégralFave, A., S. Berger, A. Beaumont, B. Semmache, P. Kleimann, J. Linnroos et A. Laugier. « LPE growth of textured single crystal silicon thin film for PV applications ». Thin Solid Films 383, no 1-2 (février 2001) : 209–11. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(00)01619-9.
Texte intégralIto, Akihiko, Hiroshi Masumoto et Takashi Goto. « Morphology of Epitaxially Grown BaRuO3 and CaRuO3 Thin Films by Laser Ablation ». Key Engineering Materials 352 (août 2007) : 315–18. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.352.315.
Texte intégralFrancis, Andrew J., et Paul A. Salvador. « Crystal orientation and surface morphology of face-centered-cubic metal thin films deposited upon single-crystal ceramic substrates using pulsed laser deposition ». Journal of Materials Research 22, no 1 (janvier 2007) : 89–102. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2007.0014.
Texte intégralTu, Rong, Jin Huang, Song Zhang et Lian Meng Zhang. « Epitaxial Growth of Copper Film by MOCVD ». Key Engineering Materials 680 (février 2016) : 507–10. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.680.507.
Texte intégralNashimoto, Keiichi, Michael J. Cima, Paul C. McIntyre et Wendell E. Rhine. « Microstructure development of sol-gel derived epitaxial LiNbO3 thin films ». Journal of Materials Research 10, no 10 (octobre 1995) : 2564–72. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1995.2564.
Texte intégralHuang, Jen Ching, Yi Chia Liao, Huail Siang Liu et Fu Jen Cheng. « The Study on Deposition Process and Mechanical Properties of Deposited Cu Thin Films Using Molecular Dynamics ». Advanced Materials Research 684 (avril 2013) : 37–41. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.684.37.
Texte intégralHwang, Cheol Seong, Mark D. Vaudin et Gregory T. Stauf. « Influence of substrate annealing on the epitaxial growth of BaTiO3 thin films by metal-organic chemical vapor deposition ». Journal of Materials Research 12, no 6 (juin 1997) : 1625–33. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1997.0222.
Texte intégralZhang, Ying Xiao, Hong Li Suo, Yue Zhao, Min Liu, Rong Wang, Dong He, Lin Ma et Mei Ling Zhou. « Epitaxial Growth of CeO2 Buffer Layers on Both YSZ Single Crystal and Textured Ni5W Substrates by MOD Method ». Materials Science Forum 546-549 (mai 2007) : 2011–14. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.546-549.2011.
Texte intégralJokerst, N. M. « Integrated Optoelectronics Using Thin Film Epitaxial Liftoff Materials and Devices ». Journal of Nonlinear Optical Physics & ; Materials 06, no 01 (mars 1997) : 19–48. http://dx.doi.org/10.1142/s0218863597000034.
Texte intégralOjonugwa Daniel, Thomas, Uno Essang Uno, Kasim Uthman Isah et Umaru Ahmadu. « Structural and microstructural study of SnS thin film semiconductor of 0.2 ». International Journal of Physical Research 7, no 1 (27 mai 2019) : 26. http://dx.doi.org/10.14419/ijpr.v7i1.27700.
Texte intégralChien, A. T., L. Zhao, M. Colic, J. S. Speck et F. F. Lange. « Microstructural development of BaTiO3 heteroepitaxial thin films by hydrothermal synthesis ». Journal of Materials Research 13, no 3 (mars 1998) : 649–59. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1998.0081.
Texte intégralNutt, S. R., et David J. Smith. « High-resolution TEM of thin-film β-SiC interfaces ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 44 (août 1986) : 408–9. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100143638.
Texte intégralSaraf, L. V., Z. H. Zhu, C. M. Wang et M. H. Engelhard. « Microstructure and secondary phase segregation correlation in epitaxial/oriented ZnO films with unfavorable Cr dopant ». Journal of Materials Research 24, no 2 (février 2009) : 506–15. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2009.0054.
Texte intégralPavlenko A.V., Stryukov D. V. et Kubrin S.P. « The phase composition and structure of the BiFeO-=SUB=-3-=/SUB=- film grown on MgO(001) substrate by high frequency cathode deposition in oxygen atmosphere ». Physics of the Solid State 64, no 2 (2022) : 206. http://dx.doi.org/10.21883/pss.2022.02.52969.215.
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