Littérature scientifique sur le sujet « [SiH4 + CO2 + He] plasma »
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Articles de revues sur le sujet "[SiH4 + CO2 + He] plasma"
Samanta, Arup, et Debajyoti Das. « Structural investigation of nC-Si/SiOx:H thin films from He diluted (SiH4+CO2) plasma at low temperature ». Applied Surface Science 259 (octobre 2012) : 477–85. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.07.070.
Texte intégralSamanta, Arup, et Debajyoti Das. « Studies on the structural properties of SiO:H films prepared from (SiH4+CO2+He) plasma in RF-PECVD ». Solar Energy Materials and Solar Cells 93, no 5 (mai 2009) : 588–96. http://dx.doi.org/10.1016/j.solmat.2008.12.005.
Texte intégralSobajima, Yasushi, Shota Kinoshita, Shinnosuke Kakimoto, Ryoji Okumoto, Chitose Sada, Akihisa Matsuda et Hiroaki Okamoto. « Control of growth process for obtaining high-quality a-SiO:H ». Canadian Journal of Physics 92, no 7/8 (juillet 2014) : 582–85. http://dx.doi.org/10.1139/cjp-2013-0558.
Texte intégralJo, Sanghyun, Suik Kang, Kyungjun Lee et Ho Jun Kim. « Helium Metastable Distributions and Their Effect on the Uniformity of Hydrogenated Amorphous Silicon Depositions in He/SiH4 Capacitively Coupled Plasmas ». Coatings 12, no 9 (15 septembre 2022) : 1342. http://dx.doi.org/10.3390/coatings12091342.
Texte intégralErshov, I. A., V. I. Pustovoy, V. I. Krasovskii, A. N. Orlov, S. I. Rasmagin, L. D. Iskhakova, F. O. Milovich, M. N. Kirichenko, L. L. Chaikov et E. A. Konstantinova. « Synthesis and properties of silicon carbide nanoparticles obtained by laser pyrolysis method ». Physics and Chemistry of Materials Treatment 1 (2021) : 51–57. http://dx.doi.org/10.30791/0015-3214-2021-1-51-57.
Texte intégralPark, Hwanyeol, et Ho Jun Kim. « Theoretical Analysis of Si2H6 Adsorption on Hydrogenated Silicon Surfaces for Fast Deposition Using Intermediate Pressure SiH4 Capacitively Coupled Plasma ». Coatings 11, no 9 (29 août 2021) : 1041. http://dx.doi.org/10.3390/coatings11091041.
Texte intégralJia, Haijun, et Michio Kondo. « High rate synthesis of crystalline silicon films from SiH4+He using high density microwave plasma ». Journal of Applied Physics 105, no 10 (15 mai 2009) : 104903. http://dx.doi.org/10.1063/1.3129321.
Texte intégralDas, Debajyoti, Madhusudan Jana et A. K. Barua. « Characterization of undoped μc-SiO:H films prepared from (SiH4+CO2+H2)-plasma in RF glow discharge ». Solar Energy Materials and Solar Cells 63, no 3 (juillet 2000) : 285–97. http://dx.doi.org/10.1016/s0927-0248(00)00035-0.
Texte intégralLee, Sung‐Woo, Du‐Chang Heo, Jin‐Kyu Kang, Young‐Bae Park et Shi‐Woo Rhee. « Microcrystalline Silicon Film Deposition from H 2 ‐ He ‐ SiH4 Using Remote Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ». Journal of The Electrochemical Society 145, no 8 (1 août 1998) : 2900–2904. http://dx.doi.org/10.1149/1.1838733.
Texte intégralDian, J., J. Valenta, J. Hála, A. Poruba, P. Horváth, K. Luterová, I. Gregora et I. Pelant. « Visible photoluminescence in hydrogenated amorphous silicon grown in microwave plasma from SiH4 strongly diluted with He ». Journal of Applied Physics 86, no 3 (août 1999) : 1415–19. http://dx.doi.org/10.1063/1.370904.
Texte intégralThèses sur le sujet "[SiH4 + CO2 + He] plasma"
Lin, Hsiu-Chi, et 林秀錡. « The characteristics of SiH4-H2 plasma with additional He, Ne, Ar gases and their effects on the resultant properties of nc-Si:H thin films ». Thesis, 2015. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/em2hmr.
Texte intégral明志科技大學
材料工程系碩士班
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In this study, hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) films were prepared using ICP-CVD system attached with four internal U-shaped low inductance antennas. Ar, He, and Ne gases were introduced into SiH4/H2 plasma during deposition, with the variation of gas flow rate and SiH4/H2 ratios. During deposition, an OES (optical emission spectrometer) and a plasma probe were used to characterize the conditions of plasma. The crystalllinity, structure, and Si-H bonding of these Si:H films were investigated using Raman scattering spectroscopy, XRD, and FTIR. The correlations of plasma characteristics and thin film properties were studied. It is found that the crystallinity of nc-Si:H film increases with the introduction of Ar, He, and Ne gases, especially when Ar is added. The plasma density and IH* increase with the increase of the inert gases, most likely due to penning ionization effect. The deposition rate decreases with the inert gases. This might be caused by the enhancement of hydrogen etching.
Actes de conférences sur le sujet "[SiH4 + CO2 + He] plasma"
Akaishi, Ryushiro, Kouhei Kitazawa, Satoshi Ono, Kazuhiro Gotoh, Eiji Ichihara, Shinya Kato, Noritaka Usami et Yasuyoshi Kurokawa. « Deposition and Characterization of Si Quantum Dot Multilayers Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition using SiH4 and CO2 Gases ». Dans 2018 IEEE 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC) (A Joint Conference of 45th IEEE PVSC, 28th PVSEC & 34th EU PVSEC). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/pvsc.2018.8548207.
Texte intégralPershin, L., et J. Mostaghimi. « Yttria Deposition by a Novel Plasma Torch ». Dans ITSC2010, sous la direction de B. R. Marple, A. Agarwal, M. M. Hyland, Y. C. Lau, C. J. Li, R. S. Lima et G. Montavon. DVS Media GmbH, 2010. http://dx.doi.org/10.31399/asm.cp.itsc2010p0038.
Texte intégralSankur, Haluk, C. Pritt et Jeffrey G. Nelson. « Plasma luminescence generated in laser evaporation of optical thin-film material ». Dans OSA Annual Meeting. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1985. http://dx.doi.org/10.1364/oam.1985.fl2.
Texte intégralDecker, Jennifer E., Simon Lagacé, Jean Bérubé, Yves Beaudoin et See Leang Chin. « Stable operation of a powerful 3-Hz line-tunable TEA-CO2 oscillator-amplifier system ». Dans OSA Annual Meeting. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1990. http://dx.doi.org/10.1364/oam.1990.tuqq1.
Texte intégral