Articles de revues sur le sujet « SiC power MOSFET »
Créez une référence correcte selon les styles APA, MLA, Chicago, Harvard et plusieurs autres
Consultez les 50 meilleurs articles de revues pour votre recherche sur le sujet « SiC power MOSFET ».
À côté de chaque source dans la liste de références il y a un bouton « Ajouter à la bibliographie ». Cliquez sur ce bouton, et nous générerons automatiquement la référence bibliographique pour la source choisie selon votre style de citation préféré : APA, MLA, Harvard, Vancouver, Chicago, etc.
Vous pouvez aussi télécharger le texte intégral de la publication scolaire au format pdf et consulter son résumé en ligne lorsque ces informations sont inclues dans les métadonnées.
Parcourez les articles de revues sur diverses disciplines et organisez correctement votre bibliographie.
Lichtenwalner, Daniel J., Brett Hull, Vipindas Pala, Edward Van Brunt, Sei-Hyung Ryu, Joe J. Sumakeris, Michael J. O’Loughlin, Albert A. Burk, Scott T. Allen et John W. Palmour. « Performance and Reliability of SiC Power MOSFETs ». MRS Advances 1, no 2 (2016) : 81–89. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2015.57.
Texte intégralLi, Ruizhe. « The advantages and short circuit characteristics of SiC MOSFETs ». Applied and Computational Engineering 49, no 1 (22 mars 2024) : 58–64. http://dx.doi.org/10.54254/2755-2721/49/20241059.
Texte intégralHsu, Fu Jen, Cheng Tyng Yen, Hsiang Ting Hung, Jia Wei Hu et Chih Fang Huang. « High Density 65W AC-DC Adaptor Enabled by SiC MOSFET with Ultralow V<sub>GS(on)</sub> ; ». Key Engineering Materials 948 (6 juin 2023) : 89–93. http://dx.doi.org/10.4028/p-tuypqj.
Texte intégralFunaki, Tsuyoshi, Yuki Nakano et Takashi Nakamura. « Comparative Study of SiC MOSFETs in High Voltage Switching Operation ». Materials Science Forum 717-720 (mai 2012) : 1081–84. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1081.
Texte intégralKong, Moufu, Zewei Hu, Ronghe Yan, Bo Yi, Bingke Zhang et Hongqiang Yang. « A novel SiC high-k superjunction power MOSFET integrated Schottky barrier diode with improved forward and reverse performance ». Journal of Semiconductors 44, no 5 (1 mai 2023) : 052801. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/44/5/052801.
Texte intégralvan Zeghbroeck, Bart, et Hamid Fardi. « Comparison of 3C-SiC and 4H-SiC Power MOSFETs ». Materials Science Forum 924 (juin 2018) : 774–77. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.774.
Texte intégralQiu, Guoqing, Kedi Jiang, Shengyou Xu, Xin Yang et Wei Wang. « Modeling and analysis of the characteristics of SiC MOSFET ». Journal of Physics : Conference Series 2125, no 1 (1 novembre 2021) : 012051. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2125/1/012051.
Texte intégralMatocha, Kevin, Peter A. Losee, Arun Gowda, Eladio Delgado, Greg Dunne, Richard Beaupre et Ljubisa Stevanovic. « Performance and Reliability of SiC MOSFETs for High-Current Power Modules ». Materials Science Forum 645-648 (avril 2010) : 1123–26. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.1123.
Texte intégralGreen, Ronald, Aivars J. Lelis et Daniel B. Habersat. « Charge Trapping in Sic Power MOSFETs and its Consequences for Robust Reliability Testing ». Materials Science Forum 717-720 (mai 2012) : 1085–88. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1085.
Texte intégralHan, Ki Jeong, B. Jayant Baliga et Woong Je Sung. « 1.2 kV 4H-SiC Split-Gate Power MOSFET : Analysis and Experimental Results ». Materials Science Forum 924 (juin 2018) : 684–88. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.684.
Texte intégralLangpoklakpam, Catherine, An-Chen Liu, Kuo-Hsiung Chu, Lung-Hsing Hsu, Wen-Chung Lee, Shih-Chen Chen, Chia-Wei Sun, Min-Hsiung Shih, Kung-Yen Lee et Hao-Chung Kuo. « Review of Silicon Carbide Processing for Power MOSFET ». Crystals 12, no 2 (11 février 2022) : 245. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12020245.
Texte intégralXu, Yige. « Applications and challenges of Silicon Carbide (SiC) MOSFET technology in electric vehicle propulsion systems : A review ». Applied and Computational Engineering 40, no 1 (21 février 2024) : 180–86. http://dx.doi.org/10.54254/2755-2721/40/20230647.
Texte intégralYang, Dong, Stephan Wirths, Lars Knoll, Yi Han, Dan Mihai Buca et Qing Tai Zhao. « Enhanced Device Performance with Vertical SiC Gate-All-Around Nanowire Power MOSFETs ». Key Engineering Materials 945 (19 mai 2023) : 77–82. http://dx.doi.org/10.4028/p-0ta22r.
Texte intégralMüting, Johanna, Bhagyalakshmi Kakarla et Ulrike Grossner. « Comprehensive and Detailed Study on the Modeling of Commercial SiC Power MOSFET Devices Using TCAD ». Materials Science Forum 897 (mai 2017) : 553–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.897.553.
Texte intégralLichtenwalner, Daniel J., Akin Akturk, James McGarrity, Jim Richmond, Thomas Barbieri, Brett Hull, Dave Grider, Scott Allen et John W. Palmour. « Reliability of SiC Power Devices against Cosmic Ray Neutron Single-Event Burnout ». Materials Science Forum 924 (juin 2018) : 559–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.559.
Texte intégralKampitsis, Georgios E., Stavros A. Papathanassiou et Stefanos N. Manias. « Comparative Analysis of the Thermal Stress of Si and SiC MOSFETs during Short Circuits ». Materials Science Forum 856 (mai 2016) : 362–67. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.856.362.
Texte intégralGrome, Christopher A., et Wei Ji. « A Brief Review of Single-Event Burnout Failure Mechanisms and Design Tolerances of Silicon Carbide Power MOSFETs ». Electronics 13, no 8 (9 avril 2024) : 1414. http://dx.doi.org/10.3390/electronics13081414.
Texte intégralXie, Li Jun, Jin Yuan Li et Kun Shan Yu. « Study on Loss Calculation for Inverter Based on 1200V SiC MOSFET ». Applied Mechanics and Materials 672-674 (octobre 2014) : 906–13. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.672-674.906.
Texte intégralChe, Haoming. « Simulation study on dynamic characteristics of SiC MOSFET ». Theoretical and Natural Science 5, no 1 (25 mai 2023) : 805–14. http://dx.doi.org/10.54254/2753-8818/5/20230507.
Texte intégralDevadas, Shree Chakravarthy, et Ramani Kannan. « COMPARATIVE ANALYSIS OF THERMAL STRESS OF Si AND SiC MOSFETs ». Platform : A Journal of Engineering 5, no 2 (30 juin 2021) : 23. http://dx.doi.org/10.61762/pajevol5iss2art12810.
Texte intégralUmegami, Hirokatsu, Toshikazu Harada et Ken Nakahara. « Performance Comparison of Si IGBT and SiC MOSFET Power Module Driving IPMSM or IM under WLTC ». World Electric Vehicle Journal 14, no 4 (17 avril 2023) : 112. http://dx.doi.org/10.3390/wevj14040112.
Texte intégralSato, Shinji, Fumiki Kato, Hidekazu Tanisawa, Kenichi Koui, Kinuyo Watanabe, Yoshinori Murakami, Yusuke Kobayashi, Hiroshi Sato, Hiroshi Yamaguchi et Shinsuke Harada. « Development of a High-Speed Switching Silicon Carbide Power Module ». Materials Science Forum 963 (juillet 2019) : 864–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.864.
Texte intégralHebali, Mourad, Menaouer Bennaoum, Mohammed Berka, Abdelkader Baghdad Bey, Mohammed Benzohra, Djilali Chalabi et Abdelkader Saidane. « A high electrical performance of DG-MOSFET transistors in 4H-SiC and 6H-SiC 130 nm technology by BSIM3v3 model ». Journal of Electrical Engineering 70, no 2 (1 avril 2019) : 145–51. http://dx.doi.org/10.2478/jee-2019-0021.
Texte intégralKannan, Ramani, Saranya Krishnamurthy, Chay Che Kiong et Taib B. Ibrahim. « Impact of gamma-ray irradiation on dynamic characteristics of Si and SiC power MOSFETs ». International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE) 9, no 2 (1 avril 2019) : 1453. http://dx.doi.org/10.11591/ijece.v9i2.pp1453-1460.
Texte intégralAtaseven, Ismail, Ilker Sahin et Salih Baris Ozturk. « Design and Implementation of a Paralleled Discrete SiC MOSFET Half-Bridge Circuit with an Improved Symmetric Layout and Unique Laminated Busbar ». Energies 16, no 6 (21 mars 2023) : 2903. http://dx.doi.org/10.3390/en16062903.
Texte intégralLi, Jinyuan, Meiting Cui, Yujie Du, Junji Ke et Zhibin Zhao. « Influence of Parasitic Inductances on Switching Performance of SiC MOSFET ». E3S Web of Conferences 64 (2018) : 04005. http://dx.doi.org/10.1051/e3sconf/20186404005.
Texte intégralZhang, Liqi, Suxuan Guo, Pengkun Liu et Alex Q. Huang. « Comparative Evaluation and Analysis of Gate Driver Impacts on a SiC MOSFET-Gate Driver Integrated Power Module ». International Symposium on Microelectronics 2017, no 1 (1 octobre 2017) : 000247–51. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2017-wa35_023.
Texte intégralRace, Salvatore, Ivana Kovacevic-Badstubner, Roger Stark, Alexander Tsibizov, Manuel Belanche, Yulieth Arango, Gianpaolo Romano, Lars Knoll et Ulrike Grossner. « Small-Signal Impedance and Split C-V Characterization of High-κ SiC Power MOSFETs ». Materials Science Forum 1091 (5 juin 2023) : 67–71. http://dx.doi.org/10.4028/p-2388hx.
Texte intégralZhu, Tianle. « Study on switching behavior of silicon carbide MOSFET by gate driver ». Highlights in Science, Engineering and Technology 56 (14 juillet 2023) : 506–19. http://dx.doi.org/10.54097/hset.v56i.10720.
Texte intégralPrado, Edemar O., Pedro C. Bolsi, Hamiltom C. Sartori et José R. Pinheiro. « An Overview about Si, Superjunction, SiC and GaN Power MOSFET Technologies in Power Electronics Applications ». Energies 15, no 14 (20 juillet 2022) : 5244. http://dx.doi.org/10.3390/en15145244.
Texte intégralImaizumi, Masayuki, Yoichiro Tarui, Shin Ichi Kinouchi, Hiroshi Nakatake, Yukiyasu Nakao, Tomokatsu Watanabe, Keiko Fujihira, Naruhisa Miura, Tetsuya Takami et Tatsuo Ozeki. « Switching Characteristics of SiC-MOSFET and SBD Power Modules ». Materials Science Forum 527-529 (octobre 2006) : 1289–92. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1289.
Texte intégralZhu, Shengnan, Tianshi Liu, Junchong Fan, Arash Salemi, Marvin H. White, David Sheridan et Anant K. Agarwal. « A New Cell Topology for 4H-SiC Planar Power MOSFETs for High-Frequency Switching ». Materials 15, no 19 (27 septembre 2022) : 6690. http://dx.doi.org/10.3390/ma15196690.
Texte intégralVobecký, Jan. « The current status of power semiconductors ». Facta universitatis - series : Electronics and Energetics 28, no 2 (2015) : 193–203. http://dx.doi.org/10.2298/fuee1502193v.
Texte intégralMatocha, Kevin, Sujit Banerjee et Kiran Chatty. « Advanced SiC Power MOSFETs Manufactured on 150mm SiC Wafers ». Materials Science Forum 858 (mai 2016) : 803–6. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.803.
Texte intégralAn, Yiping, Yifan Wang, Yujin Wu et Jiazhen Yang. « Conduction Mechanism and Influencing Factors of SiC MOSFET ». Journal of Physics : Conference Series 2435, no 1 (1 février 2023) : 012021. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2435/1/012021.
Texte intégralLuo, Qixiao. « Research on the advantages and development status of new material MOSFET ». Highlights in Science, Engineering and Technology 33 (21 février 2023) : 210–18. http://dx.doi.org/10.54097/hset.v33i.5313.
Texte intégralOkabe, Hiroaki, Motoru Yoshida, Takaaki Tominaga, Jun Fujita, Kazuyo Endo, Yoshinori Yokoyama, Kazuyasu Nishikawa, Yoshihiko Toyoda et Satoshi Yamakawa. « High Temperature Reliability of the SiC-MOSFET with Copper Metallization ». Materials Science Forum 778-780 (février 2014) : 955–58. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.955.
Texte intégralPeters, Dethard, Reinhold Schörner, Peter Friedrichs et Dietrich Stephani. « SiC Power MOSFETs – Status, Trends and Challenges ». Materials Science Forum 527-529 (octobre 2006) : 1255–60. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1255.
Texte intégralMatacena, Ilaria, Luca Maresca, Michele Riccio, Andrea Irace, Giovanni Breglio et Santolo Daliento. « Evaluation of Interface Traps Type, Energy Level and Density of SiC MOSFETs by Means of C-V Curves TCAD Simulations ». Materials Science Forum 1004 (juillet 2020) : 608–13. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.1004.608.
Texte intégralHarada, Shinsuke, Makoto Kato, Tsutomu Yatsuo, Kenji Fukuda et Kazuo Arai. « Influence of Metallization Annealing on Channel Mobility in 4H-SiC MOSFET on Carbon Face ». Materials Science Forum 600-603 (septembre 2008) : 675–78. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.675.
Texte intégralZhang, Q. J., G. Wang, Charlotte Jonas, Craig Capell, Steve Pickle, P. Butler, Daniel J. Lichtenwalner et al. « Next Generation Planar 1700 V, 20 mΩ 4H-SiC DMOSFETs with Low Specific On-Resistance and High Switching Speed ». Materials Science Forum 897 (mai 2017) : 521–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.897.521.
Texte intégralMatacena, Ilaria, Luca Maresca, Michele Riccio, Andrea Irace, Giovanni Breglio et Santolo Daliento. « Experimental Analysis of C-V and I-V Curves Hysteresis in SiC MOSFETs ». Materials Science Forum 1062 (31 mai 2022) : 669–75. http://dx.doi.org/10.4028/p-bzki64.
Texte intégralDhar, Sarit, Shurui Wang, John R. Williams, Sokrates T. Pantelides et Leonard C. Feldman. « Interface Passivation for Silicon Dioxide Layers on Silicon Carbide ». MRS Bulletin 30, no 4 (avril 2005) : 288–92. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2005.75.
Texte intégralAlbrecht, Matthaeus, Tobias Erlbacher, Anton Bauer et Lothar Frey. « Improving 5V Digital 4H-SiC CMOS ICs for Operating at 400°C Using PMOS Channel Implantation ». Materials Science Forum 963 (juillet 2019) : 827–31. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.827.
Texte intégralTominaga, Takaaki, Shiro Hino, Yohei Mitsui, Junichi Nakashima, Koutarou Kawahara, Shingo Tomohisa et Naruhisa Miura. « Investigation on the Effect of Total Loss Reduction of HV Power Module by Using SiC-MOSFET Embedding SBD ». Materials Science Forum 1004 (juillet 2020) : 801–7. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.1004.801.
Texte intégralHoffmann, Felix, Stefan Schmitt et Nando Kaminski. « Comparison of the H3TRB Performance of Silicon and Silicon Carbide Power Modules ». Materials Science Forum 1062 (31 mai 2022) : 487–92. http://dx.doi.org/10.4028/p-7j50kd.
Texte intégralFeng, Haonan, Sheng Yang, Xiaowen Liang, Dan Zhang, Xiaojuan Pu, Xu Cui, Haiyang Wang, Jing Sun, Xuefeng Yu et Qi Guo. « Radiation Effects and Mechanisms on Switching Characteristics of Silicon Carbide Power MOSFETs ». Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 16, no 9 (1 septembre 2021) : 1423–29. http://dx.doi.org/10.1166/jno.2021.3088.
Texte intégralZhao, Zhiqin, et Xiaoqiong He. « Research on Digital Synchronous Rectification for a High-Efficiency DC-DC Converter in an Auxiliary Power Supply System of Magnetic Levitation ». Energies 13, no 1 (20 décembre 2019) : 51. http://dx.doi.org/10.3390/en13010051.
Texte intégralChen, Zheng, Yiying Yao, Wenli Zhang, Dushan Boroyevich, Khai Ngo, Paolo Mattavelli et Rolando Burgos. « Development of an SiC Multichip Phase-Leg Module for High-Temperature and High-Frequency Applications ». Journal of Microelectronics and Electronic Packaging 13, no 2 (1 avril 2016) : 39–50. http://dx.doi.org/10.4071/imaps.503.
Texte intégralWu, Zhaohui, Kangping Chen et Bin Li. « A High Crosstalk Suppression SiC MOSFET Gate Driver ». Journal of Physics : Conference Series 2584, no 1 (1 septembre 2023) : 012071. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2584/1/012071.
Texte intégral