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Harris, C. I., A. O. Konstantinov, C. Hallin et E. Janzén. « SiC power device passivation using porous SiC ». Applied Physics Letters 66, no 12 (20 mars 1995) : 1501–2. http://dx.doi.org/10.1063/1.113668.
Texte intégralLichtenwalner, Daniel J., Brett Hull, Vipindas Pala, Edward Van Brunt, Sei-Hyung Ryu, Joe J. Sumakeris, Michael J. O’Loughlin, Albert A. Burk, Scott T. Allen et John W. Palmour. « Performance and Reliability of SiC Power MOSFETs ». MRS Advances 1, no 2 (2016) : 81–89. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2015.57.
Texte intégralChow, T. Paul. « SiC Bipolar Power Devices ». MRS Bulletin 30, no 4 (avril 2005) : 299–304. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2005.77.
Texte intégralvan Zeghbroeck, Bart, et Hamid Fardi. « Comparison of 3C-SiC and 4H-SiC Power MOSFETs ». Materials Science Forum 924 (juin 2018) : 774–77. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.774.
Texte intégralFriedrichs, Peter. « SiC Power Devices as Enabler for High Power Density - Aspects and Prospects ». Materials Science Forum 778-780 (février 2014) : 1104–9. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.1104.
Texte intégralPalmer, Michael J., R. Wayne Johnson, Tracy Autry, Rizal Aguirre, Victor Lee et James D. Scofield. « SiC Power Switch Module ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2010, HITEC (1 janvier 2010) : 000316–24. http://dx.doi.org/10.4071/hitec-rwjohnson-wp26.
Texte intégralSoelkner, Gerald, Winfried Kaindl, Michael Treu et Dethard Peters. « Reliability of SiC Power Devices Against Cosmic Radiation-Induced Failure ». Materials Science Forum 556-557 (septembre 2007) : 851–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.556-557.851.
Texte intégralAl-bayati, Ali Mahmoud Salman. « Behavior, Switching Losses, and Efficiency Enhancement Potentials of 1200 V SiC Power Devices for Hard-Switched Power Converters ». CPSS Transactions on Power Electronics and Applications 7, no 2 (30 juin 2022) : 113–29. http://dx.doi.org/10.24295/cpsstpea.2022.00011.
Texte intégralWalden, Ginger G., Ty McNutt, Marc Sherwin, Stephen Van Campen, Ranbir Singh et Rob Howell. « Comparison of 10 kV 4H-SiC Power MOSFETs and IGBTs for High Frequency Power Conversion ». Materials Science Forum 600-603 (septembre 2008) : 1139–42. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.1139.
Texte intégralChowdhury, Sauvik, Zachary Stum, Zhong Da Li, Katsunori Ueno et T. Paul Chow. « Comparison of 600V Si, SiC and GaN Power Devices ». Materials Science Forum 778-780 (février 2014) : 971–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.971.
Texte intégralVobecký, Jan. « The current status of power semiconductors ». Facta universitatis - series : Electronics and Energetics 28, no 2 (2015) : 193–203. http://dx.doi.org/10.2298/fuee1502193v.
Texte intégralGreen, Ronald, Aivars J. Lelis et Daniel B. Habersat. « Charge Trapping in Sic Power MOSFETs and its Consequences for Robust Reliability Testing ». Materials Science Forum 717-720 (mai 2012) : 1085–88. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1085.
Texte intégralFurubayashi, Yutaka, Takafumi Tanehira, Kei Yonemori, Nobuhide Seo et Shinichiro Kuroki. « 3D Integration of Si-Based Peltier Device onto 4H-SiC Power Device ». Materials Science Forum 858 (mai 2016) : 1107–11. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.1107.
Texte intégralTournier, Dominique, Miquel Vellvehi, Phillippe Godignon, Josep Montserrat, Dominique Planson et F. Sarrus. « Current Sensing for SiC Power Devices ». Materials Science Forum 527-529 (octobre 2006) : 1215–18. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1215.
Texte intégralOZPINECI, BURAK, LEON M. TOLBERT, SYED K. ISLAM et MD HASANUZZAMAN. « SYSTEM IMPACT OF SILICON CARBIDE POWER DEVICES ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, no 02 (juin 2002) : 439–48. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156402001368.
Texte intégralPhlips, Bernard F., Karl D. Hobart, Francis J. Kub, Robert E. Stahlbush, Mrinal K. Das, Gianluigi De Geronimo et Paul O' Connor. « Silicon Carbide Power Diodes as Radiation Detectors ». Materials Science Forum 527-529 (octobre 2006) : 1465–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1465.
Texte intégralRadhakrishnan, Rahul, Tony Witt, Seungchul Lee et Richard Woodin. « Design of Silicon Carbide Devices to Minimize the Impact of Variation of Epitaxial Parameters ». Materials Science Forum 858 (mai 2016) : 177–80. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.177.
Texte intégralIkpe, Stanley A., Jean-Marie Lauenstein, Gregory A. Carr, Don Hunter, Lawrence L. Ludwig, William Wood, Linda Y. Del Castillo, Mohammad M. Mojarradi, Fred Fitzpatrick et Yuan Chen. « Silicon-Carbide Power MOSFET Performance in High Efficiency Boost Power Processing Unit for Extreme Environments ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2016, HiTEC (1 janvier 2016) : 000184–89. http://dx.doi.org/10.4071/2016-hitec-184.
Texte intégralMaralani, Ayden, Wei Cheng Lien, Nuo Zhang et A. P. Pisano. « Silicon Carbide Transistors for IC Design Applications up to 600 °C ». Materials Science Forum 778-780 (février 2014) : 1126–29. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.1126.
Texte intégralPotbhare, Siddharth, Neil Goldsman, Akin Akturk et Aivars J. Lelis. « Mixed Mode Modeling and Characterization of a 4H-SiC Power DMOSFET Based DC-DC Power Converter ». Materials Science Forum 645-648 (avril 2010) : 1163–66. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.1163.
Texte intégralPotbhare, Siddharth, Akin Akturk, Neil Goldsman, James M. McGarrity et Anant Agarwal. « Modeling and Design of High Temperature Silicon Carbide DMOSFET Based Medium Power DC-DC Converter ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2010, HITEC (1 janvier 2010) : 000144–51. http://dx.doi.org/10.4071/hitec-spotbhare-tp22.
Texte intégralKodolitsch, E., V. Sodan, M. Krieger et N. Tsavdaris. « Impact of Epitaxial Defects on Device Behavior and their Correlation to the Reverse Characteristics of SiC Devices ». Materials Science Forum 1062 (31 mai 2022) : 49–53. http://dx.doi.org/10.4028/p-f26rb5.
Texte intégralGuo, Jianing. « Analysis of Current Imbalance in Paralleled Silicon Carbide Power MOSFETs ». Academic Journal of Science and Technology 3, no 3 (22 novembre 2022) : 247–54. http://dx.doi.org/10.54097/ajst.v3i3.2992.
Texte intégralTezuka, Kazuo, Tatsurou Tsuyuki, Saburou Shimizu, Shinichi Nakamata, Takashi Tsuji, Noriyuki Iwamuro, Shinsuke Harada, Kenji Fukuda et Hiroshi Kimura. « High Temperature Ion Implantation and Activation Annealing Technologies for Mass Production of SiC Power Devices ». Materials Science Forum 717-720 (mai 2012) : 821–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.821.
Texte intégralSUGAWARA, YOSHITAKA. « Progress of Power Semiconductor Devices. 5. Recent Development of SiC Power Device. » Journal of the Institute of Electrical Engineers of Japan 118, no 5 (1998) : 282–85. http://dx.doi.org/10.1541/ieejjournal.118.282.
Texte intégralHolz, Matthias, Jochen Hilsenbeck, Ralf Otremba, Alexander Heinrich, Peter Türkes et Roland Rupp. « SiC Power Devices : Product Improvement Using Diffusion Soldering ». Materials Science Forum 615-617 (mars 2009) : 613–16. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.613.
Texte intégralLangpoklakpam, Catherine, An-Chen Liu, Kuo-Hsiung Chu, Lung-Hsing Hsu, Wen-Chung Lee, Shih-Chen Chen, Chia-Wei Sun, Min-Hsiung Shih, Kung-Yen Lee et Hao-Chung Kuo. « Review of Silicon Carbide Processing for Power MOSFET ». Crystals 12, no 2 (11 février 2022) : 245. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12020245.
Texte intégralRyu, Sei Hyung, Sumi Krishnaswami, Mrinal K. Das, Jim Richmond, Anant K. Agarwal, John W. Palmour et James D. Scofield. « 4H-SiC DMOSFETs for High Speed Switching Applications ». Materials Science Forum 483-485 (mai 2005) : 797–800. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.797.
Texte intégralRYU, SEI-HYUNG, SUMI KRISHNASWAMI, MRINAL DAS, JAMES RICHMOND, ANANT ANANT AGARWAL, JOHN PALMOUR et JAMES SCOFIELD. « 2 KV 4H-SiC DMOSFETS FOR LOW LOSS, HIGH FREQUENCY SWITCHING APPLICATIONS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 14, no 03 (septembre 2004) : 879–83. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156404002983.
Texte intégralRichmond, Jim, Sei-Hyung Ryu, Qingchun (Jon) Zhang, Brett Hull, Mrinal Das, Albert Burk, Anant Agarwal et John Palmour. « Comparison of High Temperature Operation of Silicon Carbide MOSFETs and Bipolar Junction Transistors ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2010, HITEC (1 janvier 2010) : 000136–43. http://dx.doi.org/10.4071/hitec-jrichmond-tp21.
Texte intégralCheng, Lin, John W. Palmour, Anant K. Agarwal, Scott T. Allen, Edward V. Brunt, Gang Yao Wang, Vipindas Pala et al. « Strategic Overview of High-Voltage SiC Power Device Development Aiming at Global Energy Savings ». Materials Science Forum 778-780 (février 2014) : 1089–95. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.1089.
Texte intégralGudjónsson, G., Fredrik Allerstam, Per Åke Nilsson, Hans Hjelmgren, Einar Ö. Sveinbjörnsson, Herbert Zirath, T. Rödle et R. Jos. « High Frequency 4H-SiC MOSFETs ». Materials Science Forum 556-557 (septembre 2007) : 795–98. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.556-557.795.
Texte intégralRueschenschmidt, Kathrin, Michael Treu, Roland Rupp, Peter Friedrichs, Rudolf Elpelt, Dethard Peters et Peter Blaschitz. « SiC JFET : Currently the Best Solution for an Unipolar SiC High Power Switch ». Materials Science Forum 600-603 (septembre 2008) : 901–6. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.901.
Texte intégralMarek, Juraj, Jozef Kozarik, Michal Minarik, Aleš Chvála, Matej Matus, Martin Donoval, Lubica Stuchlikova et Martin Weis. « Charge Trap States of SiC Power TrenchMOS Transistor under Repetitive Unclamped Inductive Switching Stress ». Materials 15, no 22 (19 novembre 2022) : 8230. http://dx.doi.org/10.3390/ma15228230.
Texte intégralIwamuro, Noriyuki. « Recent Progress of SiC MOSFET Devices ». Materials Science Forum 954 (mai 2019) : 90–98. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.954.90.
Texte intégralBAKIN, ANDREY S. « SiC HOMOEPITAXY AND HETEROEPITAXY ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 15, no 04 (décembre 2005) : 747–80. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156405003417.
Texte intégralHazdra, Pavel, Stanislav Popelka, Vít Záhlava et Jan Vobecký. « Radiation Damage in 4H-SiC and its Effect on Power Device Characteristics ». Solid State Phenomena 242 (octobre 2015) : 421–26. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.242.421.
Texte intégralCha, Kwang-Hyung, Chang-Tae Ju et Rae-Young Kim. « Analysis and Evaluation of WBG Power Device in High Frequency Induction Heating Application ». Energies 13, no 20 (14 octobre 2020) : 5351. http://dx.doi.org/10.3390/en13205351.
Texte intégralTreu, M., R. Rupp, P. Blaschitz et J. Hilsenbeck. « Commercial SiC device processing : Status and requirements with respect to SiC based power devices ». Superlattices and Microstructures 40, no 4-6 (octobre 2006) : 380–87. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2006.09.005.
Texte intégralDas, Mrinal K., Joseph J. Sumakeris, Brett A. Hull et Jim Richmond. « Evolution of Drift-Free, High Power 4H-SiC PiN Diodes ». Materials Science Forum 527-529 (octobre 2006) : 1329–34. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1329.
Texte intégralNagao, Shijo, Hirofumi Fujita, Akio Shimoyama, Shinya Seki, Hao Zhang et Katsuaki Suganuma. « Power cycle reliability of SiC devices with metal-sinter die-attach and thermostable molding ». International Symposium on Microelectronics 2017, no 1 (1 octobre 2017) : 000008–12. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2017-tp12_024.
Texte intégralGreen, Ronald, Aivars J. Lelis, Mooro El et Daniel B. Habersat. « Bias-Temperature-Stress Response of Commercially-Available SiC Power MOSFETs ». Materials Science Forum 821-823 (juin 2015) : 677–80. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.677.
Texte intégralRyu, Sei Hyung, Brett A. Hull, Sarit Dhar, L. Cheng, Qing Chun Jon Zhang, Jim Richmond, Mrinal K. Das et al. « Performance, Reliability, and Robustness of 4H-SiC Power DMOSFETs ». Materials Science Forum 645-648 (avril 2010) : 969–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.969.
Texte intégralHatakeyama, Tetsuo, Kyoichi Ichinoseki, N. Higuchi, Kenji Fukuda et Kazuo Arai. « Imaging and Metrology of Silicon Carbide Wafers by Laser-Based Optical Surface Inspection System ». Materials Science Forum 600-603 (septembre 2008) : 553–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.553.
Texte intégralBrinkfeldt, K., T. Åklint, C. Sandberg, P. Johander et D. Andersson. « High Temperature Packaging for SiC Power Transistors ». International Symposium on Microelectronics 2012, no 1 (1 janvier 2012) : 001124–30. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2012-thp36.
Texte intégralLarkin, D. J. « An Overview of SiC Epitaxial Growth ». MRS Bulletin 22, no 3 (mars 1997) : 36–41. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400032747.
Texte intégralScofield, James D., Hiroyuki Kosai, Brett Jordan, Sei Hyung Ryu, Sumi Krishnaswami, Fatima Husna et Anant K. Agarwal. « High Temperature DC-DC Converter Performance Comparison Using SiC JFETs, BJTs and Si MOSFETs ». Materials Science Forum 556-557 (septembre 2007) : 991–94. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.556-557.991.
Texte intégralKaminski, Nando. « Reliability Challenges for SiC Power Devices in Systems and the Impact on Reliability Testing ». Materials Science Forum 924 (juin 2018) : 805–10. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.805.
Texte intégralLichtenwalner, Daniel J., Akin Akturk, James McGarrity, Jim Richmond, Thomas Barbieri, Brett Hull, Dave Grider, Scott Allen et John W. Palmour. « Reliability of SiC Power Devices against Cosmic Ray Neutron Single-Event Burnout ». Materials Science Forum 924 (juin 2018) : 559–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.559.
Texte intégralChao, P. C., Kanin Chu, Jose Diaz, Carlton Creamer, Scott Sweetland, Ray Kallaher, Craig McGray, Glen D. Via et John Blevins. « GaN-on-Diamond HEMTs with 11W/mm Output Power at 10GHz ». MRS Advances 1, no 2 (2016) : 147–55. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2016.176.
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