Articles de revues sur le sujet « Semiconductors »
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Gösele, Ulrich M., et Teh Y. Tan. « Point Defects and Diffusion in Semiconductors ». MRS Bulletin 16, no 11 (novembre 1991) : 42–46. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400055512.
Texte intégralYang, Jin-Peng, Hai-Tao Chen et Gong-Bin Tang. « Modeling of thickness-dependent energy level alignment at organic and inorganic semiconductor interfaces ». Journal of Applied Physics 131, no 24 (28 juin 2022) : 245501. http://dx.doi.org/10.1063/5.0096697.
Texte intégralJiao, Yu Zhang, Xin Chao Wang, Tao Zhang, Ke Fu Yao, Zheng Jun Zhang et Na Chen. « Magnetic Semiconductors from Ferromagnetic Amorphous Alloys ». Materials Science Forum 1107 (6 décembre 2023) : 111–16. http://dx.doi.org/10.4028/p-jim2w4.
Texte intégralŁukasiak, Lidia, et Andrzej Jakubowski. « History of Semiconductors ». Journal of Telecommunications and Information Technology, no 1 (26 juin 2023) : 3–9. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2010.1.1015.
Texte intégralXu, Yuanqing, Weibiao Wang, Zhexue Chen, Xinyu Sui, Aocheng Wang, Cheng Liang, Jinquan Chang et al. « A general strategy for semiconductor quantum dot production ». Nanoscale 13, no 17 (2021) : 8004–11. http://dx.doi.org/10.1039/d0nr09067k.
Texte intégralWESSELS, B. W. « MAGNETORESISTANCE OF NARROW GAP MAGNETIC SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTIONS ». SPIN 03, no 04 (décembre 2013) : 1340011. http://dx.doi.org/10.1142/s2010324713400110.
Texte intégralSulaiman, Khaulah, Zubair Ahmad, Muhamad Saipul Fakir, Fadilah Abd Wahab, Shahino Mah Abdullah et Zurianti Abdul Rahman. « Organic Semiconductors : Applications in Solar Photovoltaic and Sensor Devices ». Materials Science Forum 737 (janvier 2013) : 126–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.737.126.
Texte intégralTang, Minghao. « Characteristics, application and development trend of the third-generation semiconductor ». Applied and Computational Engineering 7, no 1 (21 juillet 2023) : 41–46. http://dx.doi.org/10.54254/2755-2721/7/20230337.
Texte intégralKumar, Anoop. « PRESENT STATUS OF SEMICONDUCTOR INDUSTRY IN INDIA and IT’S FUTURE PROSPECTS ». SCHOLARLY RESEARCH JOURNAL FOR INTERDISCIPLINARY STUDIES 9, no 68 (31 octobre 2021) : 16095–100. http://dx.doi.org/10.21922/srjis.v9i68.10004.
Texte intégralKhan, Arif, et Atanu Das. « Diffusivity-Mobility Relationship for Heavily Doped Semiconductors with Non-Uniform Band Structures ». Zeitschrift für Naturforschung A 65, no 10 (1 octobre 2010) : 882–86. http://dx.doi.org/10.1515/zna-2010-1017.
Texte intégralMeng, X. Y., D. Y. Liu et G. W. Qin. « Band engineering of multicomponent semiconductors : a general theoretical model on the anion group ». Energy & ; Environmental Science 11, no 3 (2018) : 692–701. http://dx.doi.org/10.1039/c7ee03503a.
Texte intégralNgai, J. H., K. Ahmadi-Majlan, J. Moghadam, M. Chrysler, D. P. Kumah, C. H. Ahn, F. J. Walker et al. « Electrically Coupling Multifunctional Oxides to Semiconductors : A Route to Novel Material Functionalities ». MRS Advances 1, no 4 (2016) : 255–63. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2016.101.
Texte intégralYang, Xiaobing, Zhaodong Wen, Ziling Wu et Xuetao Luo. « Synthesis of ZnO/ZIF-8 hybrid photocatalysts derived from ZIF-8 with enhanced photocatalytic activity ». Inorganic Chemistry Frontiers 5, no 3 (2018) : 687–93. http://dx.doi.org/10.1039/c7qi00752c.
Texte intégralSánchez-Vergara, Guevara-Martínez, Arreola-Castillo et Mendoza-Sevilla. « Fabrication of Hybrid Membranes Containing Nylon-11 and Organic Semiconductor Particles with Potential Applications in Molecular Electronics ». Polymers 12, no 1 (19 décembre 2019) : 9. http://dx.doi.org/10.3390/polym12010009.
Texte intégralLund, Mark W. « More than One Ever Wanted to Know about X-Ray Detectors Part VI : Alternate Semiconductors for Detectors ». Microscopy Today 3, no 5 (juin 1995) : 12–13. http://dx.doi.org/10.1017/s1551929500066116.
Texte intégralMAHMOOD, RASHA SHAKIR, Muna Ali Shakir, Younis Turki Mahmood et Dhia Hadi Hussain. « Semiconductors between past and present ». Journal of Advanced Sciences and Engineering Technologies 3, no 1 (5 janvier 2022) : 54–56. http://dx.doi.org/10.32441/jaset03.01.05.
Texte intégralМ. Н. Аликулов. « ЗАВИСИМОСТЬ СТРУКТУРЫ ЗОН ПОЛУПРОВОДНИКОВ ОТ СКОРОСТИ РЕКОМБИНАЦИИ МЕЖДУ ЗОНАМИ ». World Science 1, no 5(57) (31 mai 2020) : 31–34. http://dx.doi.org/10.31435/rsglobal_ws/31052020/7073.
Texte intégralGunshor, Robert L., et Arto V. Nurmikko. « II-VI Blue-Green Laser Diodes : A Frontier of Materials Research ». MRS Bulletin 20, no 7 (juillet 1995) : 15–19. http://dx.doi.org/10.1557/s088376940003712x.
Texte intégralXia, Qingjiao. « Charge Transport Mechanism of Organic Semiconductors Based on Molecular Dynamics Simulation ». Academic Journal of Science and Technology 7, no 3 (27 octobre 2023) : 148–50. http://dx.doi.org/10.54097/ajst.v7i3.13265.
Texte intégralYakubovich, Boris. « Influence of penetrating radiations on electrical low frequency noise of semiconductors ». ADVANCES IN APPLIED PHYSICS 9, no 3 (3 août 2021) : 181–86. http://dx.doi.org/10.51368/2307-4469-2021-9-3-181-186.
Texte intégralChen, Sheng. « Theory And Application of Gallium Nitride Based Dilute Magnetic Semiconductors ». Highlights in Science, Engineering and Technology 81 (26 janvier 2024) : 286–90. http://dx.doi.org/10.54097/26qm0041.
Texte intégralTALANINA, I. B. « EXCITONIC SELF-INDUCED TRANSPARENCY IN SEMICONDUCTORS ». Journal of Nonlinear Optical Physics & ; Materials 05, no 01 (janvier 1996) : 51–57. http://dx.doi.org/10.1142/s0218863596000064.
Texte intégralTao, Kai, Pandeeswar Makam, Ruth Aizen et Ehud Gazit. « Self-assembling peptide semiconductors ». Science 358, no 6365 (16 novembre 2017) : eaam9756. http://dx.doi.org/10.1126/science.aam9756.
Texte intégralAnthony, John E., Martin Heeney et Beng S. Ong. « Synthetic Aspects of Organic Semiconductors ». MRS Bulletin 33, no 7 (juillet 2008) : 698–705. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2008.142.
Texte intégralBorges-González, Jorge, Christina J. Kousseff et Christian B. Nielsen. « Organic semiconductors for biological sensing ». Journal of Materials Chemistry C 7, no 5 (2019) : 1111–30. http://dx.doi.org/10.1039/c8tc05900d.
Texte intégralKim, Kyunghun, Hocheon Yoo et Eun Kwang Lee. « New Opportunities for Organic Semiconducting Polymers in Biomedical Applications ». Polymers 14, no 14 (21 juillet 2022) : 2960. http://dx.doi.org/10.3390/polym14142960.
Texte intégralZaizen, Shohei, Kyohei Asami, Takashi Furukawa, Takeshi Hatta, Tsubasa Nakamura, Takashi Sakugawa et Takahisa Ueno. « The Development of a Compact Pulsed Power Supply with Semiconductor Series Connection ». Electronics 12, no 21 (4 novembre 2023) : 4541. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12214541.
Texte intégralXiang, Wenlong. « Semiconductor Culture in the Global Economy ». Lecture Notes in Education Psychology and Public Media 25, no 1 (28 novembre 2023) : 7–11. http://dx.doi.org/10.54254/2753-7048/25/20230188.
Texte intégralKhurana, Divyansh Anil, Nina Plankensteiner et Philippe M. Vereecken. « Reversible Redox Probes to Determine the Band Edge Locations for Nano-TiO2 ». ECS Meeting Abstracts MA2023-01, no 30 (28 août 2023) : 1803. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-01301803mtgabs.
Texte intégralGreco, Rossella, Romain Botella et Javier Fernández-Catalá. « Cu-Based Z-Schemes Family Photocatalysts for Solar H2 Production ». Hydrogen 4, no 3 (6 septembre 2023) : 620–43. http://dx.doi.org/10.3390/hydrogen4030040.
Texte intégralYonenaga, Ichiro, Koji Sumino, Gunzo Izawa, Hisao Watanabe et Junji Matsui. « Mechanical property and dislocation dynamics of GaAsP alloy semiconductor ». Journal of Materials Research 4, no 2 (avril 1989) : 361–65. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1989.0361.
Texte intégralZhao, Wenkai. « The Application Status of the Third Generation of Semiconductor Materials in the FIeld of Electric Power ». Highlights in Science, Engineering and Technology 53 (30 juin 2023) : 194–98. http://dx.doi.org/10.54097/hset.v53i.9723.
Texte intégralCHENG, L. J., D. T. H. LIU et K. L. LUKE. « OPTICAL PROCESSING WITH PHOTOREFRACTIVE COMPOUND SEMICONDUCTORS ». Journal of Nonlinear Optical Physics & ; Materials 01, no 03 (juillet 1992) : 609–38. http://dx.doi.org/10.1142/s0218199192000303.
Texte intégralKim, Dongwook, Hyeonju Lee, Bokyung Kim, Sungkeun Baang, Kadir Ejderha, Jin-Hyuk Bae et Jaehoon Park. « Investigation on Atomic Bonding Structure of Solution-Processed Indium-Zinc-Oxide Semiconductors According to Doped Indium Content and Its Effects on the Transistor Performance ». Materials 15, no 19 (29 septembre 2022) : 6763. http://dx.doi.org/10.3390/ma15196763.
Texte intégralDas, Rajat Suvra. « TensorFlow : Revolutionizing Large-Scale Machine Learning in Complex Semiconductor Design ». International Journal of Computing and Engineering 5, no 3 (19 avril 2024) : 1–9. http://dx.doi.org/10.47941/ijce.1812.
Texte intégralPalmstrøm, Chris. « Epitaxial Heusler Alloys : New Materials for Semiconductor Spintronics ». MRS Bulletin 28, no 10 (octobre 2003) : 725–28. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2003.213.
Texte intégralDietl, Tomasz, et Hideo Ohno. « Ferromagnetic III–V and II–VI Semiconductors ». MRS Bulletin 28, no 10 (octobre 2003) : 714–19. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2003.211.
Texte intégralStrandjord, Andrew, Thorsten Teutsch, Axel Scheffler, Bernd Otto, Anna Paat, Oscar Alinabon et Jing Li. « Wafer Level Packaging of Compound Semiconductors ». Journal of Microelectronics and Electronic Packaging 7, no 3 (1 juillet 2010) : 152–59. http://dx.doi.org/10.4071/imaps.263.
Texte intégralDeng, Zhanpeng. « Development of The Third Generation of Semiconductors with SiC and GaN as The Mainstay ». Highlights in Science, Engineering and Technology 27 (27 décembre 2022) : 436–42. http://dx.doi.org/10.54097/hset.v27i.3798.
Texte intégralSmertenko, P. S. « Vadim Evgenievich Lashkarev and optoelectronics ». Optoelektronìka ta napìvprovìdnikova tehnìka 58 (21 décembre 2023) : 5–15. http://dx.doi.org/10.15407/iopt.2023.58.005.
Texte intégralHellenthal, Berthold. « Future Challenges and Roadmaps of Semiconductor, Packaging and Integration ». International Symposium on Microelectronics 2015, S1 (1 octobre 2015) : S1—S37. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2015-slide-2.
Texte intégralKoch, M., K. Maier, J. Major, A. Seeger, W. Sigle, W. Staiger, W. Templ et al. « μ− SR in semiconductorsSR in semiconductors ». Hyperfine Interactions 65, no 1-4 (février 1991) : 1039–45. http://dx.doi.org/10.1007/bf02397760.
Texte intégralMatthews, D., et A. Stanley. « The Potential Dependence of the Rate Constant for Charge Transfer at the Semiconductor-Redox Electrolyte Interface ». Australian Journal of Chemistry 49, no 7 (1996) : 731. http://dx.doi.org/10.1071/ch9960731.
Texte intégralWu, Jianhao. « Performance comparison and analysis of silicon-based and carbon-based integrated circuits under VLSI ». Applied and Computational Engineering 39, no 1 (21 février 2024) : 244–50. http://dx.doi.org/10.54254/2755-2721/39/20230605.
Texte intégralJANDIERI, K., Z. KACHLISHVILI, E. KHIZANISHVILI et N. METREVELI. « SPATIO-TEMPORAL NONLINEAR DYNAMICS IN A SYSTEM OF ILLUMINATED AND DARK SEMICONDUCTORS ». International Journal of Modern Physics B 23, no 26 (20 octobre 2009) : 5093–108. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979209054120.
Texte intégralTajima, Hiroyuki, Takeshi Oda et Tomofumi Kadoya. « Nonthermal Equilibrium Process of Charge Carrier Extraction in Metal/Insulator/Organic Semiconductor/Metal (MIOM) Junction ». Magnetochemistry 9, no 7 (11 juillet 2023) : 180. http://dx.doi.org/10.3390/magnetochemistry9070180.
Texte intégralTREW, R. J., et M. W. SHIN. « HIGH FREQUENCY, HIGH TEMPERATURE FIELD-EFFECT TRANSISTORS FABRICATED FROM WIDE BAND GAP SEMICONDUCTORS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 06, no 01 (mars 1995) : 211–36. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156495000067.
Texte intégralTulyagankhodjaev, Jakhangirkhodja A., Petra Shih, Jessica Yu, Jake C. Russell, Daniel G. Chica, Michelle E. Reynoso, Haowen Su et al. « Room-temperature wavelike exciton transport in a van der Waals superatomic semiconductor ». Science 382, no 6669 (27 octobre 2023) : 438–42. http://dx.doi.org/10.1126/science.adf2698.
Texte intégralSelvamani, T., et Sambandam Anandan. « Current Perspective of Semiconductor and its Composites with Unusual Surfaces for the Use of Photocatalysis : Review ». Materials Science Forum 734 (décembre 2012) : 138–85. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.734.138.
Texte intégralDezaki, Hikari, Meng Long Jing, Sundararajan Balasekaran, Tadao Tanabe et Yutaka Oyama. « Room Temperature Terahertz Emission via Intracenter Transition in Semiconductors ». Key Engineering Materials 500 (janvier 2012) : 66–69. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.500.66.
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