Articles de revues sur le sujet « Semiconductors - Advance Device Applications »
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Kizilyalli, Isik C., Olga Blum Spahn et Eric P. Carlson. « (Invited) Recent Progress in Wide-Bandgap Semiconductor Devices for a More Electric Future ». ECS Transactions 109, no 8 (30 septembre 2022) : 3–12. http://dx.doi.org/10.1149/10908.0003ecst.
Texte intégralKizilyalli, Isik C., Olga Blum Spahn et Eric P. Carlson. « (Invited) Recent Progress in Wide-Bandgap Semiconductor Devices for a More Electric Future ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 37 (9 octobre 2022) : 1344. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02371344mtgabs.
Texte intégralHasan, Md Nazmul, Edward Swinnich et Jung-Hun Seo. « Recent Progress in Gallium Oxide and Diamond Based High Power and High-Frequency Electronics ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 28, no 01n02 (mars 2019) : 1940004. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156419400044.
Texte intégralYater, J. E. « Secondary electron emission and vacuum electronics ». Journal of Applied Physics 133, no 5 (7 février 2023) : 050901. http://dx.doi.org/10.1063/5.0130972.
Texte intégralKouvetakis, J., Jose Menendez et John Tolle. « Advanced Si-based Semiconductors for Energy and Photonic Applications ». Solid State Phenomena 156-158 (octobre 2009) : 77–84. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.156-158.77.
Texte intégralHe, Yashuo, Haotian Wan, Xiaoning Jiang et Chang Peng. « Piezoelectric Micromachined Ultrasound Transducer Technology : Recent Advances and Applications ». Biosensors 13, no 1 (29 décembre 2022) : 55. http://dx.doi.org/10.3390/bios13010055.
Texte intégralAl-bayati, Ali Mahmoud Salman. « Behavior, Switching Losses, and Efficiency Enhancement Potentials of 1200 V SiC Power Devices for Hard-Switched Power Converters ». CPSS Transactions on Power Electronics and Applications 7, no 2 (30 juin 2022) : 113–29. http://dx.doi.org/10.24295/cpsstpea.2022.00011.
Texte intégralJiang, He, Jibiao Jin, Zijie Wang, Wuji Wang, Runfeng Chen, Ye Tao, Qin Xue, Chao Zheng, Guohua Xie et Wei Huang. « Constructing Donor-Resonance-Donor Molecules for Acceptor-Free Bipolar Organic Semiconductors ». Research 2021 (9 février 2021) : 1–10. http://dx.doi.org/10.34133/2021/9525802.
Texte intégralOshima, Yuichi, et Elaheh Ahmadi. « Progress and challenges in the development of ultra-wide bandgap semiconductor α-Ga2O3 toward realizing power device applications ». Applied Physics Letters 121, no 26 (26 décembre 2022) : 260501. http://dx.doi.org/10.1063/5.0126698.
Texte intégralCarlson, Eric P., Daniel W. Cunningham, Yan Zhi Xu et Isik C. Kizilyalli. « Power Electronic Devices and Systems Based on Bulk GaN Substrates ». Materials Science Forum 924 (juin 2018) : 799–804. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.799.
Texte intégralKim, Hanul, Inayat Uddin, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Dongmok Whang et Gil-Ho Kim. « Conversion of Charge Carrier Polarity in MoTe2 Field Effect Transistor via Laser Doping ». Nanomaterials 13, no 10 (22 mai 2023) : 1700. http://dx.doi.org/10.3390/nano13101700.
Texte intégralPeterson, Brennan, Michael Kwan, Fred Duewer, Andrew Reid et Rhiannon Brooks. « Optimizing X-Ray Inspection for Advanced Packaging Applications ». International Symposium on Microelectronics 2020, no 1 (1 septembre 2020) : 000165–68. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4505-2020.1.000165.
Texte intégralMedjdoub, Farid. « Editorial for the Special Issue on Wide Bandgap Based Devices : Design, Fabrication and Applications ». Micromachines 12, no 1 (15 janvier 2021) : 83. http://dx.doi.org/10.3390/mi12010083.
Texte intégralKhramtsov, Igor A., et Dmitry Yu Fedyanin. « Superinjection of Holes in Homojunction Diodes Based on Wide-Bandgap Semiconductors ». Materials 12, no 12 (19 juin 2019) : 1972. http://dx.doi.org/10.3390/ma12121972.
Texte intégralSyed Ahsan Ali Shah, Ahsanali. « Overview of Power Electronic Devices & ; its Application Specifically Wide Band Gap and GaN HEMTs ». International Journal of Sciences and Emerging Technologies 1, no 1 (5 août 2022) : 39–49. http://dx.doi.org/10.56536/ijset.v1i1.21.
Texte intégralHasegawa, Hideki, Hajime Fujikura et Hiroshi Okada. « Molecular-Beam Epitaxy and Device Applications of III-V Semiconductor Nanowires ». MRS Bulletin 24, no 8 (août 1999) : 25–30. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400052866.
Texte intégralPan, James, Shamima Afroz, Scott Suko, James D. Oliver et Thomas Knight. « High Workfunction, Compound Gate Metal Engineering for Low DIBL, High Gain, High Density Advanced RF Power Static Induction Transistor (SIT) and HV Schottky Diode in 4H Silicon Carbide ». Materials Science Forum 924 (juin 2018) : 641–44. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.641.
Texte intégralJiang, Sai, Qinyong Dai, Jianhang Guo et Yun Li. « In-situ/operando characterization techniques for organic semiconductors and devices ». Journal of Semiconductors 43, no 4 (1 avril 2022) : 041101. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/4/041101.
Texte intégralZhang, Yu-Xin, Chien-Hung Wu, Kow-Ming Chang, Yi-Ming Chen, Ni Xu et Kai-Chien Tsai. « Effects of P-Type SnOx Thin-Film Transistors with N2 and O2 Ambient Furnace Annealing ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 20, no 7 (1 juillet 2020) : 4069–72. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2020.17554.
Texte intégralMajety, Sridhar, Pranta Saha, Victoria A. Norman et Marina Radulaski. « Quantum information processing with integrated silicon carbide photonics ». Journal of Applied Physics 131, no 13 (7 avril 2022) : 130901. http://dx.doi.org/10.1063/5.0077045.
Texte intégralYuan, Chao, Riley Hanus et Samuel Graham. « A review of thermoreflectance techniques for characterizing wide bandgap semiconductors’ thermal properties and devices’ temperatures ». Journal of Applied Physics 132, no 22 (14 décembre 2022) : 220701. http://dx.doi.org/10.1063/5.0122200.
Texte intégralRen, Shiwei, et Abderrahim Yassar. « Recent Research Progress in Indophenine-Based-Functional Materials : Design, Synthesis, and Optoelectronic Applications ». Materials 16, no 6 (20 mars 2023) : 2474. http://dx.doi.org/10.3390/ma16062474.
Texte intégralZhao, Dong, Zhelin Lin, Wenqi Zhu, Henri J. Lezec, Ting Xu, Amit Agrawal, Cheng Zhang et Kun Huang. « Recent advances in ultraviolet nanophotonics : from plasmonics and metamaterials to metasurfaces ». Nanophotonics 10, no 9 (24 mai 2021) : 2283–308. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2021-0083.
Texte intégralSimon, John, Kevin Schulte, Kelsey Horowitz, Timothy Remo, David Young et Aaron Ptak. « III-V-Based Optoelectronics with Low-Cost Dynamic Hydride Vapor Phase Epitaxy ». Crystals 9, no 1 (20 décembre 2018) : 3. http://dx.doi.org/10.3390/cryst9010003.
Texte intégralHung, Yu-Hsin. « Improved Ensemble-Learning Algorithm for Predictive Maintenance in the Manufacturing Process ». Applied Sciences 11, no 15 (25 juillet 2021) : 6832. http://dx.doi.org/10.3390/app11156832.
Texte intégralHuff, Michael. « Recent Advances in Reactive Ion Etching and Applications of High-Aspect-Ratio Microfabrication ». Micromachines 12, no 8 (20 août 2021) : 991. http://dx.doi.org/10.3390/mi12080991.
Texte intégralStabach, Jennifer, Zach Cole, Chad B. O'Neal, Brice McPherson, Robert Shaw et Brandon Passmore. « A High Performance Power Package for Wide Bandgap Semiconductors Using Novel Wire Bondless Power Interconnections ». International Symposium on Microelectronics 2015, no 1 (1 octobre 2015) : 000353–58. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2015-wp16.
Texte intégralDeitz, Julia, Timothy Ruggles, Stephen Lee, Andrew A. Allerman, C. Barry Carter et Joseph Michael. « (Invited) Electron Channeling Contrast Imaging for Rapid Characterization of Compound Semiconductors ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 34 (9 octobre 2022) : 1254. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02341254mtgabs.
Texte intégralFu, Houqiang. « (Invited) III-Oxide/III-Nitride Heterostructures for Power Electronics and Optoelectronics Applications ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 34 (9 octobre 2022) : 1243. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02341243mtgabs.
Texte intégralWu, Yuanpeng, Ping Wang, Woncheol Lee, Anthony Aiello, Parag Deotare, Theodore Norris, Pallab Bhattacharya, Mackillo Kira, Emmanouil Kioupakis et Zetian Mi. « Perspectives and recent advances of two-dimensional III-nitrides : Material synthesis and emerging device applications ». Applied Physics Letters 122, no 16 (17 avril 2023) : 160501. http://dx.doi.org/10.1063/5.0145931.
Texte intégralConvertino, Clarissa, Cezar Zota, Heinz Schmid, Daniele Caimi, Marilyne Sousa, Kirsten Moselund et Lukas Czornomaz. « InGaAs FinFETs Directly Integrated on Silicon by Selective Growth in Oxide Cavities ». Materials 12, no 1 (27 décembre 2018) : 87. http://dx.doi.org/10.3390/ma12010087.
Texte intégralBerberich, Stefan, A. Goñi, Wolfgang Schäper et Manfred Kolm. « Monocrystalline and Polycrystalline SiC in EADS Astrium Space Applications ». Materials Science Forum 615-617 (mars 2009) : 919–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.919.
Texte intégralPosthill, J. B., D. P. Malta, R. Pickett, M. L. Timmons, T. P. Humphreys et R. J. Markunas. « Recent advances in heteroepitaxial Ge/Si(100) and Ge/Si(l 11) ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 52 (1994) : 838–39. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100171924.
Texte intégralKareem, Awaz Adil, Mohammed Kadhim Jaqsi et Issa Mahdi Aziz. « Formulating nanocomposite materials based on polymers to get high performance and extra properties ». Technium Sustainability 3 (8 mai 2023) : 41–53. http://dx.doi.org/10.47577/sustainability.v3i.8880.
Texte intégralGrzybowski, R. R., et B. Gingrich. « High Temperature Silicon Integrated Circuits and Passive Components for Commercial and Military Applications ». Journal of Engineering for Gas Turbines and Power 121, no 4 (1 octobre 1999) : 622–28. http://dx.doi.org/10.1115/1.2818517.
Texte intégralJiang, Chen. « All-Inkjet Printed Organic Thin-Film Transistors with and without Photo-Sensitivity to Visible Lights ». Crystals 10, no 9 (20 août 2020) : 727. http://dx.doi.org/10.3390/cryst10090727.
Texte intégralKar, Shaoni, Nur Fadilah Jamaludin, Natalia Yantara, Subodh G. Mhaisalkar et Wei Lin Leong. « Recent advancements and perspectives on light management and high performance in perovskite light-emitting diodes ». Nanophotonics 10, no 8 (1 juin 2020) : 2103–43. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2021-0033.
Texte intégralHu, Yuze, Mingyu Tong, Siyang Hu, Weibao He, Xiang’ai Cheng et Tian Jiang. « Multidimensional engineered metasurface for ultrafast terahertz switching at frequency-agile channels ». Nanophotonics 11, no 7 (22 février 2022) : 1367–78. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2021-0774.
Texte intégralPandey, R. K., H. Stern, W. J. Geerts, P. Padmini, P. Kale, Jian Dou et R. Schad. « Room Temperature Magnetic-Semicondcutors in Modified Iron Titanates : Their Properties and Potential Microelectronic Devices ». Advances in Science and Technology 54 (septembre 2008) : 216–22. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.54.216.
Texte intégralZhang, Jiawei, Josh Wilson et Aimin Song. « (Invited, Digital Presentation) Oxide TFTs Based on Semiconductors and Semimetals ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 35 (9 octobre 2022) : 1263. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02351263mtgabs.
Texte intégralLate, Dattatray J., et Claudia Wiemer. « Advances in low dimensional and 2D materials ». AIP Advances 12, no 11 (1 novembre 2022) : 110401. http://dx.doi.org/10.1063/5.0129120.
Texte intégralChang, Yuhua, Jingxuan Wei et Chengkuo Lee. « Metamaterials – from fundamentals and MEMS tuning mechanisms to applications ». Nanophotonics 9, no 10 (14 mai 2020) : 3049–70. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2020-0045.
Texte intégralHo, Johnny C. « (Invited) From Bulk to Nanostructured Perovskites ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 36 (9 octobre 2022) : 1307. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02361307mtgabs.
Texte intégralChen, Kunfeng, et Dongfeng Xue. « Cu-based materials as high-performance electrodes toward electrochemical energy storage ». Functional Materials Letters 07, no 01 (février 2014) : 1430001. http://dx.doi.org/10.1142/s1793604714300011.
Texte intégralMorritt, G. H., H. Michaels et M. Freitag. « Coordination polymers for emerging molecular devices ». Chemical Physics Reviews 3, no 1 (mars 2022) : 011306. http://dx.doi.org/10.1063/5.0075283.
Texte intégralZhao, Peiyao, Ziming Cai, Longwen Wu, Chaoqiong Zhu, Longtu Li et Xiaohui Wang. « Perspectives and challenges for lead-free energy-storage multilayer ceramic capacitors ». Journal of Advanced Ceramics 10, no 6 (12 novembre 2021) : 1153–93. http://dx.doi.org/10.1007/s40145-021-0516-8.
Texte intégralLarson, Lawrence A., Justin M. Williams et Michael I. Current. « Ion Implantation for Semiconductor Doping and Materials Modification ». Reviews of Accelerator Science and Technology 04, no 01 (janvier 2011) : 11–40. http://dx.doi.org/10.1142/s1793626811000616.
Texte intégralEl-Feky, Nagham Gamal, Dina Mohamed Ellaithy et Mostafa Hassan Fedawy. « Ultra-wideband CMOS power amplifier for wireless body area network applications : a review ». International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE) 13, no 3 (1 juin 2023) : 2618. http://dx.doi.org/10.11591/ijece.v13i3.pp2618-2631.
Texte intégralCui, Can, Junqing Ma, Kai Chen, Xinjie Wang, Tao Sun, Qingpu Wang, Xijian Zhang et Yifei Zhang. « Active and Programmable Metasurfaces with Semiconductor Materials and Devices ». Crystals 13, no 2 (6 février 2023) : 279. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13020279.
Texte intégralCao, Qing. « (Invited) Two-Dimensional Amorphous Carbon Prepared from Solution Precursor As Novel Dielectrics for Nanoelectronics ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 9 (7 juillet 2022) : 755. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-019755mtgabs.
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