Littérature scientifique sur le sujet « Semiconductors - Advance Device Applications »
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Articles de revues sur le sujet "Semiconductors - Advance Device Applications"
Kizilyalli, Isik C., Olga Blum Spahn et Eric P. Carlson. « (Invited) Recent Progress in Wide-Bandgap Semiconductor Devices for a More Electric Future ». ECS Transactions 109, no 8 (30 septembre 2022) : 3–12. http://dx.doi.org/10.1149/10908.0003ecst.
Texte intégralKizilyalli, Isik C., Olga Blum Spahn et Eric P. Carlson. « (Invited) Recent Progress in Wide-Bandgap Semiconductor Devices for a More Electric Future ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 37 (9 octobre 2022) : 1344. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02371344mtgabs.
Texte intégralHasan, Md Nazmul, Edward Swinnich et Jung-Hun Seo. « Recent Progress in Gallium Oxide and Diamond Based High Power and High-Frequency Electronics ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 28, no 01n02 (mars 2019) : 1940004. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156419400044.
Texte intégralYater, J. E. « Secondary electron emission and vacuum electronics ». Journal of Applied Physics 133, no 5 (7 février 2023) : 050901. http://dx.doi.org/10.1063/5.0130972.
Texte intégralKouvetakis, J., Jose Menendez et John Tolle. « Advanced Si-based Semiconductors for Energy and Photonic Applications ». Solid State Phenomena 156-158 (octobre 2009) : 77–84. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.156-158.77.
Texte intégralHe, Yashuo, Haotian Wan, Xiaoning Jiang et Chang Peng. « Piezoelectric Micromachined Ultrasound Transducer Technology : Recent Advances and Applications ». Biosensors 13, no 1 (29 décembre 2022) : 55. http://dx.doi.org/10.3390/bios13010055.
Texte intégralAl-bayati, Ali Mahmoud Salman. « Behavior, Switching Losses, and Efficiency Enhancement Potentials of 1200 V SiC Power Devices for Hard-Switched Power Converters ». CPSS Transactions on Power Electronics and Applications 7, no 2 (30 juin 2022) : 113–29. http://dx.doi.org/10.24295/cpsstpea.2022.00011.
Texte intégralJiang, He, Jibiao Jin, Zijie Wang, Wuji Wang, Runfeng Chen, Ye Tao, Qin Xue, Chao Zheng, Guohua Xie et Wei Huang. « Constructing Donor-Resonance-Donor Molecules for Acceptor-Free Bipolar Organic Semiconductors ». Research 2021 (9 février 2021) : 1–10. http://dx.doi.org/10.34133/2021/9525802.
Texte intégralOshima, Yuichi, et Elaheh Ahmadi. « Progress and challenges in the development of ultra-wide bandgap semiconductor α-Ga2O3 toward realizing power device applications ». Applied Physics Letters 121, no 26 (26 décembre 2022) : 260501. http://dx.doi.org/10.1063/5.0126698.
Texte intégralCarlson, Eric P., Daniel W. Cunningham, Yan Zhi Xu et Isik C. Kizilyalli. « Power Electronic Devices and Systems Based on Bulk GaN Substrates ». Materials Science Forum 924 (juin 2018) : 799–804. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.799.
Texte intégralThèses sur le sujet "Semiconductors - Advance Device Applications"
Chang, Ruey-dar. « Physics and modeling of dopant diffusion for advanced device applications / ». Digital version accessible at:, 1998. http://wwwlib.umi.com/cr/utexas/main.
Texte intégralStella, Marco. « Study of Organic Semiconductors for Device Applications ». Doctoral thesis, Universitat de Barcelona, 2010. http://hdl.handle.net/10803/21620.
Texte intégralLos semiconductores orgánicos están siendo investigados como alternativos a materiales más tradicionales, como el silicio, para la fabricación de varios tipos de dispositivos electrónicos. Las ventajas que presentan tales materiales son flexibilidad, ligereza, rapidez y bajo coste de los métodos de producción de los dispositivos orgánicos. En esta tesis se analizan algunos semiconductores orgánicos de molécula pequeña para su aplicación en dispositivos como los transistores en capa delgada y las células fotovoltaicas. Tales materiales, depositados en capa delgada por evaporación térmica en vacío, son ftalocianina de cobre (CuPc) y pentaceno, de tipo p, fullereno (C60), PTCDA y PTCDI-C13, de tipo n. Se analizan las propiedades ópticas de ellos por medio de la medida de Trasmitancia Óptica y de la Espectroscopia de Deflección Fototérmica (PDS). Además se analiza la microestructura de las capas delgadas por difracción de rayos X (XRD) con el objetivo de observar si las capas tienen estructura amorfa o policristalina. Los datos son utilizados para calcular el gap óptico (Eg) y la energía de Urbach (Eu). Se analiza la estabilidad de los materiales con el pasar del tiempo y la exposición a irradiación directa, por un lado, y a la atmosfera, por otro lado. El fullereno es el único material que se deposita con estructura amorfa. Además se ha observado que CuPc y PTCDA son estables frente a la degradación por exposición a agentes oxidantes. Las células fotovoltaicas orgánicas incluyen siempre una heterounión entre dos semiconductores, así que se repite el mismo estudio sobre mezclas de dos materiales, uno de tipo p y otro de tipo n, probando todas las combinaciones posibles con los materiales analizados. Se observa que en una mezcla que incluya un material que presenta inestabilidad también hay degradación. Los tratamientos térmicos efectuados sobre las muestras han permiten obtener una parcial cristalización de algunos materiales pero no de otros y no llevan a recuperar las propiedades ópticas originarias, perdidas con la degradación. Finalmente, se fabrican dos tipos de dispositivos: TFTs de PTCDI-C13 y diodos de CuPc. En el primer caso se obtienen resultados interesantes, detectando que los dispositivos funcionan como típicos transistores en capa delgada de tipo n. En el segundo caso se observa el típico comportamiento de los diodos. Sin embargo, la respuesta con luz de tales dispositivos, de estructura análoga a fotocélulas de tipo Schottky, es muy escasa.
Salem, Ali F. « Advanced numerical simulation modeling for semiconductor devices and it application to metal-semiconductor-metal photodetectors ». Diss., Georgia Institute of Technology, 1995. http://hdl.handle.net/1853/13834.
Texte intégralForgie, John. « The study of organic semiconductors towards device applications ». Thesis, University of Strathclyde, 2010. http://oleg.lib.strath.ac.uk:80/R/?func=dbin-jump-full&object_id=22624.
Texte intégralCheng, Cheng. « Semiconductor colloidal quantum dots for photovoltaic applications ». Thesis, University of Oxford, 2014. http://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:07baccd0-2098-4306-8a9a-49160ec6a15a.
Texte intégralKwok, Kwong Chau. « Transport and device applications of organic photovoltaic materials ». HKBU Institutional Repository, 2010. http://repository.hkbu.edu.hk/etd_ra/1164.
Texte intégralTant, Julien. « Discotic liquid crystals as organic semiconductors for photovoltaic device applications ». Doctoral thesis, Universite Libre de Bruxelles, 2004. http://hdl.handle.net/2013/ULB-DIPOT:oai:dipot.ulb.ac.be:2013/211134.
Texte intégralUne alternative pourrait provenir des matériaux semi-conducteurs organiques. En effet, l’utilisation de méthodes de mise en œuvre à partir de solutions pourrait permettre la fabrication de dispositifs flexibles et bon marché. Des résultats encourageants ont été obtenus avec des polymères conjugués et de petites molécules organiques. Les cristaux liquides discotiques CLDs forment une catégorie particulièrement intéressante de matériaux. Ils ont en effet la capacité de s’organiser spontanément en colonnes de molécules, formant des semi-conducteurs à une dimension. Leurs propriétés intéressantes en tant que semi-conducteurs, combinées à une mise en œuvre facile, en font de bons candidats pour de futures applications.
Dans ce travail, deux familles complémentaires de matériaux discotiques ont été développées, formant une paire de semi-conducteurs de type n et p. Leurs structures chimiques ont été étudiées en vue d'obtenir des matériaux possédant un ensemble de propriétés choisies afin d’optimiser les paramètres clefs du processus de photo-génération de charges. Ces propriétés sont les suivantes: forte absorption de la lumière dans le visible, fort caractère semi-conducteur de type n ou p, pas de phase cristalline à température ambiante, présence d'une phase cristal liquide colonne, phase isotrope en dessous de 200°C. De plus, les matériaux doivent être accessibles en un nombre minimum d’étapes d’une synthèse efficace, et ce avec un haut niveau de pureté. Ils doivent également être fortement solubles dans les solvants organiques usuels.
Cette étude comporte, pour chacune des deux familles de matériaux, le design de leur structure chimique, leur synthèse et la caractérisation de leurs propriétés physiques (thermotropes, optoélectroniques, électrochimiques). Comme possible semi-conducteur de type p, cinq dérivés tétrasubstitués de la phthalocyanine non-métallée ont été synthétisés, donnant un matériau possédant l’ensemble des propriétés recherchées. Comme possible semi-conducteur de type n, six dérivés hexasubstitués de l’hexaazatrinaphthylène ont été étudiés. L’un d’eux possède les propriétés requises.
Finalement, les propriétés optoélectroniques et photovoltaïques de mélanges des deux matériaux les plus prometteurs, ensemble ou avec d’autres matériaux, ont été étudiées. Des cellules solaires de rendement maximum de 1 % ont été obtenues pour deux dispositifs de compositions différentes.
Ces rendements, bien qu’inférieurs à ceux obtenus précédemment par d’autres groupes (jusqu’à 34 % à ce jour), sont néanmoins révélateurs des potentialités des matériaux organiques, et plus particulièrement des cristaux liquides discotiques, pour de futures applications dans le domaine des dispositifs électroniques.
Doctorat en sciences, Spécialisation chimie
info:eu-repo/semantics/nonPublished
Urban, H. « Three-dimensional device structures for photovoltaic applications ». Thesis, University of Oxford, 2013. http://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:e308d352-b342-4c44-a5f6-53121e2cc267.
Texte intégralSit, Jon Wai Yu. « Growth and characterization of organic/inorganic thin films for photonic device applications ». HKBU Institutional Repository, 2015. https://repository.hkbu.edu.hk/etd_oa/179.
Texte intégralEiting, Christopher James. « Growth of III-V nitride materials by MOCVD for device applications / ». Digital version accessible at:, 1999. http://wwwlib.umi.com/cr/utexas/main.
Texte intégralLivres sur le sujet "Semiconductors - Advance Device Applications"
Sharma, Ashok K. Advanced semiconductor memories : Architectures, designs, and applications. Piscataway, NJ : IEEE Press, 2003.
Trouver le texte intégralMitra, Dutta, et Stroscio Michael A. 1949-, dir. Advanced semiconductor heterostructures : Novel devices, potential device applications and basic properties. Singapore : World Scientific, 2003.
Trouver le texte intégral1943-, Barnham Keith, et Vvedensky Dimitri D, dir. Low-dimensional semiconductor structures : Fundamentals and device applications. Cambridge, U.K : Cambridge University Press, 2001.
Trouver le texte intégralSelf-organized organic semiconductors : From materials to device applications. Hoboken, N.J : Wiley, 2011.
Trouver le texte intégralTopical Meeting on Advanced Semiconductor Lasers and Their Applications (1999 Santa Barbara, California). Advanced semiconductor lasers and their applications : From the Topical Meeting on Advanced Semiconductor Lasers and Their Applications, July 21-23, 1999, Santa Barbara, California. Washington, DC : Optical Society of America, 2000.
Trouver le texte intégralNobuyoshi, Koshida, et SpringerLink (Online service), dir. Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures. Boston, MA : Springer US, 2009.
Trouver le texte intégralLiquid-phase epitaxial growth of III-V compound semiconductor materials and their device applications. Bristol : A. Hilger, 1990.
Trouver le texte intégralSemiconductor device-based sensors for gas, chemical, and biomedical applications. Boca Raton, Fla : CRC, 2011.
Trouver le texte intégral1948-, Chen David, dir. Semiconductor optoelectronic device manufacturing and applications : 7-9 November 2001, Nanjing, China. Bellingham, Wash., USA : SPIE, 2001.
Trouver le texte intégralB, Gil, et Aulombard R. L, dir. Semiconductor heteroepitaxy : Growth, characterization, and device applications : Montpellier, France, 4-7 July 1995. Singapore : World Scientific, 1995.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Semiconductors - Advance Device Applications"
Timans, P. J., G. Xing, J. Cibere, S. Hamm et S. McCoy. « Millisecond Annealing for Semiconductor Device Applications ». Dans Subsecond Annealing of Advanced Materials, 229–70. Cham : Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-03131-6_13.
Texte intégralGupta, K. M., et Nishu Gupta. « Semiconductor Materials : Their Properties, Applications, and Recent Advances ». Dans Advanced Semiconducting Materials and Devices, 3–40. Cham : Springer International Publishing, 2015. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-19758-6_1.
Texte intégralDugaev, Vitalii K., et Vladimir I. Litvinov. « Magnetic Semiconductors ». Dans Modern Semiconductor Physics and Device Applications, 207–26. Boca Raton : CRC Press, 2021. http://dx.doi.org/10.1201/9780429285929-11.
Texte intégralKalachev, Leonid V. « Some Applications of Asymptotic Methods in Semiconductor Device Modeling ». Dans Semiconductors, 209–21. New York, NY : Springer New York, 1994. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4613-8410-6_11.
Texte intégralGhibaudo, G. « Mobility Characterization in Advanced FD-SOI CMOS Devices ». Dans Semiconductor-On-Insulator Materials for Nanoelectronics Applications, 307–22. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2011. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-15868-1_17.
Texte intégralDugaev, Vitalii K., et Vladimir I. Litvinov. « Quantum Confinement in Semiconductors ». Dans Modern Semiconductor Physics and Device Applications, 27–41. Boca Raton : CRC Press, 2021. http://dx.doi.org/10.1201/9780429285929-2.
Texte intégralPearton, Stephen J., James W. Corbett et Michael Stavola. « Prevalence of Hydrogen Incorporation and Device Applications ». Dans Hydrogen in Crystalline Semiconductors, 282–318. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1992. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-84778-3_11.
Texte intégralDugaev, Vitalii K., et Vladimir I. Litvinov. « Impurities and Disorder in Semiconductors ». Dans Modern Semiconductor Physics and Device Applications, 43–67. Boca Raton : CRC Press, 2021. http://dx.doi.org/10.1201/9780429285929-3.
Texte intégralDugaev, Vitalii K., et Vladimir I. Litvinov. « Statistics of Electrons in Semiconductors ». Dans Modern Semiconductor Physics and Device Applications, 69–80. Boca Raton : CRC Press, 2021. http://dx.doi.org/10.1201/9780429285929-4.
Texte intégralDugaev, Vitalii K., et Vladimir I. Litvinov. « Spin-Resolved Transport in Semiconductors ». Dans Modern Semiconductor Physics and Device Applications, 175–89. Boca Raton : CRC Press, 2021. http://dx.doi.org/10.1201/9780429285929-9.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Semiconductors - Advance Device Applications"
Ross, Jennifer, Nathan Newman et Mike Rubin. « GaN for short-wavelength light emitting devices : growth kinetics and techniques ». Dans Compact Blue-Green Lasers. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1993. http://dx.doi.org/10.1364/cbgl.1993.cthc.3.
Texte intégralGrzybowski, Richard R., et Ben Gingrich. « High Temperature Silicon Integrated Circuits and Passive Components for Commercial and Military Applications ». Dans ASME 1998 International Gas Turbine and Aeroengine Congress and Exhibition. American Society of Mechanical Engineers, 1998. http://dx.doi.org/10.1115/98-gt-362.
Texte intégralDu, A. Y., J. Zhu, Y. K. Zhou, B. H. Liu, Eddie Er, Z. Q. Mo, S. P. Zhao et Jeffrey Lam. « Advanced TEM applications in semiconductor devices ». Dans 2014 IEEE 21st International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/ipfa.2014.6898193.
Texte intégralDePoy, D. M., R. J. Dziendziel, G. W. Charache, P. F. Baldasaro et B. C. Campbell. « Interference Filters for Thermophotovoltaic Applications ». Dans Optical Interference Coatings. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1997. http://dx.doi.org/10.1364/oic.1998.thc.5.
Texte intégralMeyer-Friedrichsen, Timo, Andreas Elschner, Frank Keohan, Wilfried Lövenich et Sergei A. Ponomarenko. « Conductors and semiconductors for advanced organic electronics ». Dans SPIE Photonic Devices + Applications, sous la direction de Zhenan Bao et Iain McCulloch. SPIE, 2009. http://dx.doi.org/10.1117/12.826270.
Texte intégralMeyer-Friedrichsen, Timo, Wilfried Lövenich et Ron Lubianez. « Conductors and semiconductors for advanced organic electronics ». Dans SPIE Photonic Devices + Applications, sous la direction de Zhenan Bao et Iain McCulloch. SPIE, 2011. http://dx.doi.org/10.1117/12.898648.
Texte intégralJiang, Ziping, I. H. White, F. Laughton, R. V. Penty, M. W. McCall et H. K. Tsang. « High power diffraction-limited ultrashort pulse generation from double tapered semiconductor laser diodes ». Dans Semiconductor Lasers : Advanced Devices and Applications. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1995. http://dx.doi.org/10.1364/slada.1995.tue.5.
Texte intégralWaltman, S., K. Petrov, U. Simon, L. Hollberg, F. Tittel et R. Curl. « Tunable Infrared Source by Difference Frequency Mixing Diode lasers and Diode pumped YAG, and Application to Methane Detection ». Dans Semiconductor Lasers : Advanced Devices and Applications. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1995. http://dx.doi.org/10.1364/slada.1995.mb.4.
Texte intégralOrtolland, S. « 4H-SiC SIT device for RF heating applications ». Dans IEE Colloquium Advances in Semiconductor Devices. IEE, 1999. http://dx.doi.org/10.1049/ic:19990150.
Texte intégralOlego, Diego. « Status and Prospects of Blue and Green Semiconductor Lasers ». Dans Symposium on Optical Memory. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1996. http://dx.doi.org/10.1364/isom.1996.ofb.2.
Texte intégralRapports d'organisations sur le sujet "Semiconductors - Advance Device Applications"
OPTICAL SOCIETY OF AMERICA WASHINGTON DC. Summaries of the Papers Presented at the Topical Meeting Semiconductor Lasers, Advanced Devices and Applications Held in Keystone, Colorado on 21-23 August 1995. Technical Digest Series. Volume 20. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, août 1995. http://dx.doi.org/10.21236/ada306078.
Texte intégral