Littérature scientifique sur le sujet « Semiconductor Properties of ZnO »
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Articles de revues sur le sujet "Semiconductor Properties of ZnO"
Fortunato, Elvira, Alexandra Gonçalves, António Marques, Ana Pimentel, Pedro Barquinha, Hugo Águas, Luís Pereira et al. « Multifunctional Thin Film Zinc Oxide Semiconductors : Application to Electronic Devices ». Materials Science Forum 514-516 (mai 2006) : 3–7. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.514-516.3.
Texte intégralDi Trolio, Antonio, Alberto M. Testa et Aldo Amore Bonapasta. « Ferromagnetic Behavior and Magneto-Optical Properties of Semiconducting Co-Doped ZnO ». Nanomaterials 12, no 9 (1 mai 2022) : 1525. http://dx.doi.org/10.3390/nano12091525.
Texte intégralAmananti, Wilda, Riky Ardiyanto, Heri Sutanto, Iis Nurhasanah et Inur Tivani. « Analysis of the optical properties of ZnO thin films deposited on a glass substrate by the So-gel method ». Journal of Natural Sciences and Mathematics Research 8, no 1 (27 juin 2022) : 52–58. http://dx.doi.org/10.21580/jnsmr.2022.8.1.9623.
Texte intégralBakranova, Dina, Bekbolat Seitov et Nurlan Bakranov. « Preparation and Photocatalytic/Photoelectrochemical Investigation of 2D ZnO/CdS Nanocomposites ». ChemEngineering 6, no 6 (9 novembre 2022) : 87. http://dx.doi.org/10.3390/chemengineering6060087.
Texte intégralBrillson, Leonard, Jonathan Cox, Hantian Gao, Geoffrey Foster, William Ruane, Alexander Jarjour, Martin Allen, David Look, Holger von Wenckstern et Marius Grundmann. « Native Point Defect Measurement and Manipulation in ZnO Nanostructures ». Materials 12, no 14 (12 juillet 2019) : 2242. http://dx.doi.org/10.3390/ma12142242.
Texte intégralKobayashi, Masakazu, Masanobu Izaki, Pei Loon Khoo, Tsutomu Shinagawa, Akihisa Takeuchi et Kentaro Uesugi. « High-Resolution Mapping of Local Photoluminescence Properties in CuO/Cu2O Semiconductor Bi-Layers by Using Synchrotron Radiation ». Materials 14, no 19 (25 septembre 2021) : 5570. http://dx.doi.org/10.3390/ma14195570.
Texte intégralShu, Xinpeng. « Research on Photoelectric Properties of ZnO-based Semiconductor Material ». Journal of Physics : Conference Series 2541, no 1 (1 juillet 2023) : 012060. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2541/1/012060.
Texte intégralSong, Yixiao, Jingwen Qin, Lei Li, Naveed Mushtaq, M. A. K. Yousaf Shah et Jun Xie. « Introducing Fuel Cell Application Using Sodium Vacancies in Hexagonal Wurtzite Structured ZnO Nanorods for Developing Proton–Ion Conductivity ». Crystals 12, no 11 (9 novembre 2022) : 1594. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12111594.
Texte intégralFoo, K. L., U. Hashim, Chun Hong Voon et M. Kashif. « Structural and Electrical Properties of Hydrothermal Growth ZnO Nanorods ». Advanced Materials Research 1109 (juin 2015) : 104–7. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1109.104.
Texte intégralMoon, Yeon-Keon, Dae-Yong Moon, Sang-Ho Lee, Chang-Oh Jeong et Jong-Wan Park. « High Performance Thin Film Transistor with ZnO Channel Layer Deposited by DC Magnetron Sputtering ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 8, no 9 (1 septembre 2008) : 4557–60. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2008.ic24.
Texte intégralThèses sur le sujet "Semiconductor Properties of ZnO"
Lee, William (Chun-To). « Harvesting Philosopher's Wool : A Study in the Growth, Structure and Optoelectrical Behaviour of Epitaxial ZnO ». Thesis, University of Canterbury. Electrical and Computer Engineering, 2008. http://hdl.handle.net/10092/2507.
Texte intégralYang, Li Li. « Synthesis and Characterization of ZnO Nanostructures ». Doctoral thesis, Linköpings universitet, Institutionen för teknik och naturvetenskap, 2010. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-60815.
Texte intégralEndimensionella nanostrukturer av ZnO har stora potentiella tillämpningar för optoelektroniska komponenter och sensorer. Huvudresultaten för denna avhandling är inte bara att vi framgångsrikt har realiserat med en kontrollerbar metod ZnO nanotrådar (ZNRs), ZnO nanotuber (ZNTs) och ZnMgO/ZnO heterostrukturer, utan vi har också undersökt deras struktur och optiska egenskaper i detalj. För ZNRs har diametern blivit välkontrollerad från 150 nm ner till 40 nm. Den storlekskontrollerande mekanismen är i huvudsak relaterad till tätheten av ZnO partiklarna som är fördeponerade på substratet. De optiska mätningarna ger upplysning om att ytrekombinationsprocessen spelar en betydande roll för tillväxten av ZNR. En värmebehandling i efterhand vid 500 grader Celsius eller användande av en förseglad glasbägare under tillväxtprocessen kan starkt hålla nere kanalerna för ytrekombinationen.För ZNT, dokumenterar vi inte bara samexistensen av rumsliga indirekta och direkta övergångar på grund av bandböjning, men vi konstaterar också att vi har mindre icke-strålande bidrag till den optiska emissionsprocessen i ZNT. För ZnMgO/ZnO heterostrukturer konstaterar vi med hjälp av analys av Mg diffusionen i den växta och den i efterhand uppvärmda Zn(0.94)Mg(0.06)O filmen, att en tillväxt vid 700 grader Celsius är den mest lämpliga för att växa ZnMgO/ZnO heterostrukturer eller kvantbrunnar. Denna avhandling ger en teoretisk och experimentell grund för bättre förståelse av grundläggande fysik och för tillämpningar av lågdimensionella strukturer.
SSF, VR
Li, Yun. « First Principle Calculations of the Structure and Electronic Properties of Pentacene Based Organic and ZnO Based Inorganic Semiconducting Materials ». Thesis, University of North Texas, 2012. https://digital.library.unt.edu/ark:/67531/metadc115112/.
Texte intégralSchwarz, Casey Minna. « Radiation Effects on Wide Band Gap Semiconductor Transport Properties ». Doctoral diss., University of Central Florida, 2012. http://digital.library.ucf.edu/cdm/ref/collection/ETD/id/5488.
Texte intégralID: 031001520; System requirements: World Wide Web browser and PDF reader.; Mode of access: World Wide Web.; Advisers: Elena Flitsiyan, Leonid Chernyak.; Title from PDF title page (viewed August 19, 2013).; Thesis (Ph.D.)--University of Central Florida, 2012.; Includes bibliographical references (p. 104-109).
Ph.D.
Doctorate
Physics
Sciences
Physics
Mahmood, Farkhund Shakeel. « Electrical and optical properties of RF sputtered ZnO thin films ». Thesis, Keele University, 1996. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.297202.
Texte intégralKoch, Sandro. « Electrical and optical properties of hydrogen-related complexes and their interplay in ZnO ». Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2015. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-187905.
Texte intégralDer kommerzielle Durchbruch von ZnO-basierten Bauelementen ist hauptsächlich durch die beständige n-Typ Leitung des Materials eingeschränkt. Wasserstoff, der sowohl elektrisch aktive als auch inaktive Komplexe in ZnO formt, gilt als ein Hauptverursacher dieses Verhaltens. Jedoch ist die bestehende Literatur zu derartigen Defekten unvollständig, teils auch widersprüchlich. Gegenstand der vorliegenden Arbeit sind umfassende Untersuchungen der beiden wasserstoffinduzierten Donatoren HBC und HO, des Wasserstoffmoleküls H2 und eines Wasserstoffdefekts mit lokalen Schwingungsmoden (LSMn) bei 3303 und 3320 cm-1 in ZnO hinsichtlich ihrer Eigenschaften und gegenseitigen Wechselwirkung. Die Charakterisierung der Komplexe erfolgt mit Hilfe von Raman-Spektroskopie, Infrarot-Absorptionsspektroskopie, Photoleitfähigkeits- (PC) und Photolumineszenzmessungen. Basierend auf der PC Technik wird eine neuartige, hochsensitive Spektroskopiemethode etabliert, welche auch in stark absorbierenden Spektralbereichen anwendbar ist. Diese Technik ermöglicht erstmals die Detektion der LSMn von HO bei 742 und 792 cm-1 im neutralen Ladungszustand. Das experimentelle Ergebnis verifiziert theoretische Vorhersagen zur mikroskopischen Struktur dieses flachen Donators. In Raman-Messungen wird der elektrische 1s→2s Übergang von HO bei 273 cm-1 identifiziert und eine Blauverschiebung dieser Größe mit zunehmender HO-Konzentration beobachtet. Der Donator HBC zeigt ebenfalls eine Blauverschiebung des elektrischen 1s→2s(2p) Übergangs, welche durch lokale Gitterverzerrungen nach Hochtemperaturbehandlungen bedingt ist. Eine Raman-Studie charakterisiert das H2-Molekül in Bezug auf seine Bildung, Stabilität, Gitterposition und die Wechselwirkung mit dem ZnO-Kristall. Insbesondere wird seine Rolle für die fortwährende Bildung der Donatoren HO und HBC und des damit verbundenen n-Typ Verhaltens herausgearbeitet. Die Analyse ergibt die eindeutige Identifizierung der in der Literatur mit „hidden hydrogen“ bezeichneten Spezies als H2. Darüber hinaus tragen die beobachteten Umwandlungsprozesse zwischen ortho-H2 und para-H2 sowie die Kopplung an das Phononenspektrum zu einem generellen Verständnis von Wasserstoffmolekülen in Halbleitern bei. Die experimentellen Ergebnisse der LSMn bei 3303 und 3320 cm-1 in Kombination mit Modellrechnungen ergeben einen zugrundeliegenden Defekt mit drei Wasserstoffatomen. Dieser Komplex Y–H3 weist zwei Konfigurationen auf, welche sich durch die Orientierung von nur einer chemischen Bindung unterscheiden. Die Beobachtungen sind mit einer Zinkvakanz besetzt mit drei Wasserstoffatomen bzw. einem Ammoniakmolekül als mikroskopische Struktur gleichermaßen erklärbar. Bisherige Modelle aus der Literatur können damit widerlegt werden. Messungen von Konzentrationsprofilen mit Raman-Spektroskopie offenbaren die lokale Verteilung der Wasserstoffdefekte sowie von Gitterstörungen. An der Oberfläche, im Beisein von Sauerstoffvakanzen, ist HO der dominante flache Donator. In dem sich anschließenden ungestörten Kristallverbund ist hingegen der Donator HBC vorherrschend. In Zentrum, welches von Zinkvakanzen geprägt ist, sind die Konzentrationen von H2 und Y–H3 maximal. In Verbindung mit Temperaturbehandlungen ist eine räumlich aufgelöste Untersuchung der Wechselwirkung möglich
Demiroglu, Ilker. « Effect of Dimensionality and Polymorphism on the properties of ZnO ». Doctoral thesis, Universitat de Barcelona, 2014. http://hdl.handle.net/10803/277286.
Texte intégralEl treball de recerca desenvolupat en aquesta tesi es centra en ZnO, un dels semiconductors de tipus II-VI amb un ampli ventall d’aplicacions. En les estructures (ZnO)n suportades, s’observa que la presència del suport afecta l’ordre d’estabilitats dels mateixos però de manera molt més dràstica afecta selectivament les estructures bidimensionals (2D) que, a partir d’una certa grandària, en fase gas són menys estables que les tridimensionals (3D). Els càlculs per a la làmina 2D-ZnO aïllada interaccionant amb l’hidrogen proporcionen una forta evidència per a la formació d’un estat d’enllaços multi-centres de baixa energia quan passa a través de l’anell de Zn3O3 de la làmina 2D-ZnO, permetent així de forma relativament fàcil el transport d’hidrogen a través de la làmina. Quan canviem a models amb illes mes grans, observem reconstruccions estructurals a l’interior i sota l’illa formada per una nova capa incompleta. L’interior de les illes triangulars adopta estructura WZ i esta rodejada per vores amb estructures BCT i cantonades amb estructura T1. S’ha observat que aquests models presenten en un millor acord estructural amb les dades experimentals per el cas de les lamines formades per 2.7 ML que no pas respecte als models que assumeixen una estructura purament grafítica o purament WZ. Hem generat un ampli rang de polimorfs de ZnO basats en lamines hexagonals inspirades en l’enumeració de les seves xarxes subjacents característiques i evaluant l’estabilitat del sòlid “bulk” i les nano-lamines d’aquestes estructures mitjançant calculs ab initio. Hem observat un ampli polimorfisme d’estructures de baixa energia en les nano-lamines amb un ordre d’estabilitat totalment diferent al del sòlid “bulk”. A partir d’aquestes bases generals hem pogut tenir un millor coneixement de les transicions estructurals observades durant el creixement epitaxial i les prediccions d’estabilitat de les nano-lamines en variar-ne el gruix i la pressió exercida. Hem conclòs els nostres resultats explicant que la nanoporositat està inextricablement connectada tant amb la Erel com amb el ΔEgap i hem predit que la nanoporositat pot induir un increment en el band gap de fins a ~1.5 eV relatius a la wurtzita ZnO. Comprovant també la generalitat d’aquest fenomen, pe’l CdS i pel CdSe suggerim que la nanoporositat pot ser emprada com un mètode genèric d’enginyeria de band gap per materials funcionals morfològicament i electrònicament.
Hultqvist, Adam. « Cadmium Free Buffer Layers and the Influence of their Material Properties on the Performance of Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells ». Doctoral thesis, Uppsala universitet, Fasta tillståndets elektronik, 2010. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-133112.
Texte intégralFelaktigt tryckt som Digital Comprehensive Summaries of Uppsala Dissertations from the Faculty of Science and Technology 717
Tirpak, Olena. « INFLUENCE OF ELECTRON TRAPPING ON MINORITY CARRIER TRANSPORT PROPERTIES OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTORS ». Doctoral diss., University of Central Florida, 2007. http://digital.library.ucf.edu/cdm/ref/collection/ETD/id/3278.
Texte intégralPh.D.
Department of Physics
Sciences
Physics PhD
Mokhtari, Abbas. « On the growth, magnetic properties and Magneto-Optical Studies of ZnO based Dilute Magnetic Semiconductors and Magnetite ». Thesis, University of Sheffield, 2008. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.500218.
Texte intégralLivres sur le sujet "Semiconductor Properties of ZnO"
Jian, Li, Yan Yixun et National Renewable Energy Laboratory (U.S.), dir. Design of shallow p-type dopants in ZnO : Preprint. Golden, Colo : National Renewable Energy Laboratory, 2008.
Trouver le texte intégralJ, Li, Yan Y, United States. Department of Energy, National Renewable Energy Laboratory (U.S.), United States. Department of Energy. Office of Scientific and Technical Information et IEEE Photovoltaic Specialists Conference (33rd : 2008 : San Diego, Calif.), dir. Design of Shallow p-type Dopants in ZnO (Presentation). Washington, D.C : United States. Dept. of Energy, 2008.
Trouver le texte intégralG, Sachs Kenneth, dir. Semiconductor research trends. New York : Nova Science Publishers, 2007.
Trouver le texte intégralFukata, Naoki, et Riccardo Rurali, dir. Fundamental Properties of Semiconductor Nanowires. Singapore : Springer Singapore, 2021. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-15-9050-4.
Texte intégralMönch, Winfried. Electronic Properties of Semiconductor Interfaces. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2004. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-06945-5.
Texte intégralSadowski, Marcin L., Marek Potemski et Marian Grynberg, dir. Optical Properties of Semiconductor Nanostructures. Dordrecht : Springer Netherlands, 2000. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-4158-1.
Texte intégralOptical properties of semiconductor nanocrystals. Cambridge, UK : Cambridge Unviersity Press, 1998.
Trouver le texte intégralSadowski, Marcin L. Optical Properties of Semiconductor Nanostructures. Dordrecht : Springer Netherlands, 2000.
Trouver le texte intégralLay, Guy. Semiconductor Interfaces : Formation and Properties. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1987.
Trouver le texte intégralL, Sadowski Marcin, Potemski Marek et Grynberg Marian, dir. Optical properties of semiconductor nanostructures. Dordrecht : Kluwer Academic, 2000.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Semiconductor Properties of ZnO"
Voss, Tobias, et Jürgen Gutowski. « Surface Related Optical Properties of ZnO Nanowires ». Dans Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 1, 81–98. Hoboken, NJ, USA : John Wiley & Sons, Inc., 2014. http://dx.doi.org/10.1002/9781118984321.ch4.
Texte intégralMallika, A. N., A. Ramachandra Reddy, K. SowriBabu et K. Venugopal Reddy. « Optimizing the Optical Properties of ZnO Nanoparticles with Al Doping ». Dans Physics of Semiconductor Devices, 763–66. Cham : Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_196.
Texte intégralZhang, X. H., Soo Jin Chua, A. M. Yong, S. Y. Chow, H. Y. Yang, S. P. Lau, S. F. Yu et X. W. Sun. « Fabrication and Optical Properties of ZnO Quantum Dots ». Dans Semiconductor Photonics : Nano-Structured Materials and Devices, 71–73. Stafa : Trans Tech Publications Ltd., 2007. http://dx.doi.org/10.4028/0-87849-471-5.71.
Texte intégralLe, Hong Quang, et Soo Jin Chua. « Electrical Properties and UV Response of Single ZnO Nanorod ». Dans Semiconductor Photonics : Nano-Structured Materials and Devices, 192–95. Stafa : Trans Tech Publications Ltd., 2007. http://dx.doi.org/10.4028/0-87849-471-5.192.
Texte intégralSong, J. H. « Optical Properties of GaN and ZnO ». Dans Oxide and Nitride Semiconductors, 311–54. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-88847-5_7.
Texte intégralOh, D. C. « Electrical Properties of GaN and ZnO ». Dans Oxide and Nitride Semiconductors, 355–414. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-88847-5_8.
Texte intégralHuy, P. T., T. T. An, N. D. Chien et Do Jin Kim. « Temperature-Controlled Catalytic Growth and Photoluminescence Properties of ZnO Nanostructures ». Dans Semiconductor Photonics : Nano-Structured Materials and Devices, 68–70. Stafa : Trans Tech Publications Ltd., 2007. http://dx.doi.org/10.4028/0-87849-471-5.68.
Texte intégralHanada, T. « Basic Properties of ZnO, GaN, and Related Materials ». Dans Oxide and Nitride Semiconductors, 1–19. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-88847-5_1.
Texte intégralPandey, Padmini, Mohammad Ramzan Parra, Rajnish Kurchania et Fozia Z. Haque. « Synthesis and Optical Properties of Pure and Eu+3 Ion Doped ZnO Nanoparticles Prepared Via Sol-Gel Method ». Dans Physics of Semiconductor Devices, 599–600. Cham : Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_151.
Texte intégralSingh, Chandra Bhal, Surajit Sarkar et Vandana Singh. « Effect of Substrate Temperature Variation and Tartarization on micro-Structural and Optical Properties of Pulsed DC Sputtered Hydrogenated ZnO : Al Films ». Dans Physics of Semiconductor Devices, 771–73. Cham : Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_198.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Semiconductor Properties of ZnO"
Kovac, J., J. Skriniarova, P. Kudela, I. Novotny, J. Bruncko, D. Donoval, J. Jakabovic et al. « Investigation of GaN/ZnO heterostructures properties ». Dans 2006 International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/asdam.2006.331199.
Texte intégralTudose, I. V., P. Pascariu, C. Pachiu, F. Comanescu, M. Danila, R. Gavrila, E. Koudoumas et M. Suchea. « Comparative Study of Sm and La Doped ZnO Properties ». Dans 2018 International Semiconductor Conference (CAS). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/smicnd.2018.8539807.
Texte intégralIacomi, Felicia, C. Baban, R. Apetrei et D. Luca. « Structural and Electro-Optical Properties of ZnO Thin Films ». Dans 2007 International Semiconductor Conference, CAS 2007. IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/smicnd.2007.4519686.
Texte intégralLi, Linghui, Yungryel Ryu, Henry W. White et Ping Yu. « Optical properties of metal-semiconductor-metal ZnO UV photodetectors ». Dans OPTO, sous la direction de Ferechteh H. Teherani, David C. Look, Cole W. Litton et David J. Rogers. SPIE, 2010. http://dx.doi.org/10.1117/12.843019.
Texte intégralMasud, Md Abdulla Al, et Zoubeida Ounaies. « Dielectric Properties of Dielectrophoretically Aligned ZnO-PDMS Composites ». Dans ASME 2016 Conference on Smart Materials, Adaptive Structures and Intelligent Systems. American Society of Mechanical Engineers, 2016. http://dx.doi.org/10.1115/smasis2016-9128.
Texte intégralRay, Ayan, Debashis Panda, Tamita Rakshit, Sanjay K. Mandal, Indranil Manna et Samit K. Ray. « Growth and optical properties of La0.7Sr0.3MnO3/ZnO heterojunctions ». Dans 2009 2nd International Workshop on Electron Devices and Semiconductor Technology (IEDST). IEEE, 2009. http://dx.doi.org/10.1109/edst.2009.5166115.
Texte intégralLupan, O., L. Chow, V. Ursaki, E. Monaico, I. Tiginyanu, S. Shishiyanu, T. Shishiyanu, S. Park et A. Schulte. « Effect of Sn Dopant on the Properties of ZnO Nanorod Arrays ». Dans 2007 International Semiconductor Conference (CAS 2007). IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/smicnd.2007.4519732.
Texte intégralHamid, Haslinda Abdul, Mat Johar Abdullah, Azlan Abdul Aziz et Siti Azlina Rosli. « Electrical Properties of p-Type Al - N Codoped ZnO Thin Films ». Dans 2006 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/smelec.2006.381113.
Texte intégralCao Rongrong, Fang Huayong, Wang Fang, Fu Bangran, Feng Yulin, Zhang Kailiang et Yang Baohe. « Piezoelectric properties of ZnO / BN multilayer structures at the nanometer scale ». Dans 2015 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/cstic.2015.7153400.
Texte intégralAzhar, N. E. A., S. S. Shariffudin, R. Abdul Rani, A. S. Zoolfakar, M. F. Malek, Salman Alrokayan, Haseeb A. Khan et M. Rusop. « Effect of ZnO Composition on the Electrical Properties of MEH-PPV : ZnO Nanocomposites Thin film via Spin Coating ». Dans 2018 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics (ICSE). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/smelec.2018.8481297.
Texte intégralRapports d'organisations sur le sujet "Semiconductor Properties of ZnO"
Ellis, A. B. Luminescent Properties of Semiconductor Electrodes. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, août 1985. http://dx.doi.org/10.21236/ada158841.
Texte intégralStevenson, D. A. CrystaL Growth and Mechanical Properties of Semiconductor Alloys. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, avril 1988. http://dx.doi.org/10.21236/ada198153.
Texte intégralSchetzina, J. F. Synthesis and Properties of Novel Multilayer Semiconductor Structures. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, octobre 1986. http://dx.doi.org/10.21236/ada175461.
Texte intégralStevenson, David A. Crystal Growth and Mechanical Properties of Semiconductor Alloys. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, novembre 1989. http://dx.doi.org/10.21236/ada216697.
Texte intégralLovchinov, Konstantin, Georgi Marinov, Miroslav Petrov, Nikolay Tyutyundzhiev, Gergana Alexieva et Tsvetanka Babeva. Influence of Deposition Temperature on the Structural and Optical Properties of Electrochemically Nanostructured ZnO Films. "Prof. Marin Drinov" Publishing House of Bulgarian Academy of Sciences, février 2020. http://dx.doi.org/10.7546/crabs.2020.02.06.
Texte intégralKnipp, Peter A. Optical and Transport Properties of Metallic and Semiconductor Nanostructures. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, septembre 1993. http://dx.doi.org/10.21236/ada270009.
Texte intégralHubert, C. A., J. A. Lubin, W. H. Yang et T. E. Huber. Synthesis and Optical Properties of Dense Semiconductor-Dielectric Nanocomposites. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, janvier 1993. http://dx.doi.org/10.21236/ada271304.
Texte intégralLambrecht, Walter R. Magneto-Optical Properties of Hybrid Magnetic Material Semiconductor Nanostructures. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, septembre 2007. http://dx.doi.org/10.21236/ada472402.
Texte intégralZide, Joshua. Growth and Properties of New Epitaxial Metal/Semiconductor Nanocomposites (Final Report). Office of Scientific and Technical Information (OSTI), décembre 2019. http://dx.doi.org/10.2172/1484174.
Texte intégralDongarra, Jack, et Stanimire Tomov. Predicting the Electronic Properties of 3D, Million-atom Semiconductor nanostructure Architectures. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), mars 2012. http://dx.doi.org/10.2172/1036499.
Texte intégral