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Tu, Jing, Jinsheng Luo et Rong Yang. « Mechanism of Semiconductor Opening Switch ». Japanese Journal of Applied Physics 46, no 3A (8 mars 2007) : 897–902. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.46.897.
Texte intégralChauchard, E. A., C. C. Kung, Chi H. Lee et M. J. Rhee. « Repetitive semiconductor opening switch and application to short pulse generation ». Laser and Particle Beams 7, no 3 (août 1989) : 615–26. http://dx.doi.org/10.1017/s0263034600007588.
Texte intégralHashimshony, D., C. Cohen, A. Zigler et K. Papadopoulos. « Switch opening time reduction in high power photoconducting semiconductor switches ». Optics Communications 124, no 5-6 (mars 1996) : 443–47. http://dx.doi.org/10.1016/0030-4018(95)00685-0.
Texte intégralJiang, Weihua. « Pulsed High-Voltage Generator using Semiconductor Opening Switch ». IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials 130, no 6 (2010) : 538–42. http://dx.doi.org/10.1541/ieejfms.130.538.
Texte intégralSchoenbach, K. H., V. K. Lakdawala, R. Germer et S. T. Ko. « An optically controlled closing and opening semiconductor switch ». Journal of Applied Physics 63, no 7 (avril 1988) : 2460–63. http://dx.doi.org/10.1063/1.341022.
Texte intégralLyubutin, S., M. Pedos, A. V. Ponomarev, S. Rukin, B. Slovikovsky, S. Tsyranov et P. Vasiliev. « High efficiency nanosecond generator based on semiconductor opening switch ». IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation 18, no 4 (août 2011) : 1221–27. http://dx.doi.org/10.1109/tdei.2011.5976119.
Texte intégralIvanov, Pavel A., et Igor V. Grekhov. « Subnanosecond Semiconductor Opening Switch Based on 4H-SiC Junction Diode ». Materials Science Forum 740-742 (janvier 2013) : 865–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.865.
Texte intégralLyubutin, S. K., S. N. Rukin, B. G. Slovikovsky et S. N. Tsyranov. « Operation of a semiconductor opening switch at ultrahigh current densities ». Semiconductors 46, no 4 (avril 2012) : 519–27. http://dx.doi.org/10.1134/s106378261204015x.
Texte intégralGusev, A. I., S. K. Lyubutin, A. V. Ponomarev, S. N. Rukin et B. G. Slovikovsky. « Semiconductor opening switch generator with a primary thyristor switch triggered in impact-ionization wave mode ». Review of Scientific Instruments 89, no 11 (novembre 2018) : 114702. http://dx.doi.org/10.1063/1.5052530.
Texte intégralNAMIHIRA, Takao, Takashi SAKUGAWA, Sunao KATSUKI et Hidenori AKIYAMA. « Pulsed Power Generator with Inductive-Energy Storage Using Semiconductor Opening Switch ». Journal of Plasma and Fusion Research 81, no 5 (2005) : 355–58. http://dx.doi.org/10.1585/jspf.81.355.
Texte intégralLi Zhongjie, Li Yongdong, Wang Hongguang, Lin Shu et Liu Chunliang. « Numerical simulation of semiconductor opening switch with circuit-fluid coupled model ». High Power Laser and Particle Beams 22, no 6 (2010) : 1411–04. http://dx.doi.org/10.3788/hplpb20102206.1411.
Texte intégralDing, Zhenjie, Qingsong Hao, Long Hu, Jiancang Su et Guozhi Liu. « All-solid-state repetitive semiconductor opening switch-based short pulse generator ». Review of Scientific Instruments 80, no 9 (septembre 2009) : 093303. http://dx.doi.org/10.1063/1.3233937.
Texte intégralZagulov, F. Ya, V. V. Kladukhin, D. L. Kuznetsov, S. K. Lyubutin, Yu N. Novoselov, S. N. Rukin, B. G. Slovikovskii et E. A. Kharlov. « A high-current nanosecond electron accelerator with a semiconductor opening switch ». Instruments and Experimental Techniques 43, no 5 (septembre 2000) : 647–51. http://dx.doi.org/10.1007/bf02759076.
Texte intégralZhu, Jianbin, Munan Lin, Haibo Li, Wenqing Zhang, Yuntao Liu et Xin Qi. « Development of a nanosecond high voltage pulser based on Semiconductor Opening Switch ». Journal of Instrumentation 18, no 10 (1 octobre 2023) : P10002. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/18/10/p10002.
Texte intégralGusev, A. I., M. S. Pedos, S. N. Rukin, S. P. Timoshenkov et S. N. Tsyranov. « A 6 GW nanosecond solid-state generator based on semiconductor opening switch ». Review of Scientific Instruments 86, no 11 (novembre 2015) : 114706. http://dx.doi.org/10.1063/1.4936295.
Texte intégralSugai, Taichi, Weihua Jiang et Akira Tokuchi. « Influence of forward pumping current on current interruption by semiconductor opening switch ». IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation 22, no 4 (août 2015) : 1971–75. http://dx.doi.org/10.1109/tdei.2015.004989.
Texte intégralYokoo, T., K. Saiki, K. Hotta et W. Jiang. « Repetitive Pulsed High-Voltage Generator Using Semiconductor Opening Switch for Atmospheric Discharge ». IEEE Transactions on Plasma Science 36, no 5 (octobre 2008) : 2638–43. http://dx.doi.org/10.1109/tps.2008.2004368.
Texte intégralPanchenko, Alexei N., et Victor F. Tarasenko. « Efficient gas lasers pumped by double-discharge circuits with semiconductor opening switch ». Progress in Quantum Electronics 36, no 1 (janvier 2012) : 143–93. http://dx.doi.org/10.1016/j.pquantelec.2012.03.005.
Texte intégralPatrakov, V. E., M. S. Pedos et S. N. Rukin. « Picosecond semiconductor generator for capacitive sensors calibration ». Journal of Physics : Conference Series 2064, no 1 (1 novembre 2021) : 012128. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2064/1/012128.
Texte intégralWang Gang, 王刚, 苏建仓 Su Jiancang, 丁臻捷 Ding Zhenjie, 范菊平 Fan Juping, 袁雪林 Yuan Xuelin, 潘亚峰 Pan Yafeng, 浩庆松 Hao Qingsong, 方旭 Fang Xu et 胡龙 Hu Long. « Repetitive frequency pulsed generator based on semiconductor opening switch and linear transformer driver ». High Power Laser and Particle Beams 26, no 4 (2014) : 45011. http://dx.doi.org/10.3788/hplpb20142604.45011.
Texte intégralWang Gusen, 王古森, 王洪广 Wang Hongguang, 戚玉佳 Qi Yujia et 李永东 Li Yongdong. « Influences of key parameters on width of output pulses by semiconductor opening switch ». High Power Laser and Particle Beams 26, no 6 (2014) : 63021. http://dx.doi.org/10.3788/hplpb20142606.63021.
Texte intégralWang, Gang, Jiancang Su, Zhenjie Ding, Xuelin Yuan et Yafeng Pan. « A semiconductor opening switch based generator with pulse repetitive frequency of 4 MHz ». Review of Scientific Instruments 84, no 12 (décembre 2013) : 125102. http://dx.doi.org/10.1063/1.4833683.
Texte intégralTeramoto, Yusuke, Daisuke Deguchi, Igor V. Lisitsyn, Takao Namihira, Sunao Katsuki et Hidenori Akiyama. « All-solid-state triggerless repetitive pulsed power generator utilizing a semiconductor opening switch ». Review of Scientific Instruments 72, no 12 (décembre 2001) : 4464–68. http://dx.doi.org/10.1063/1.1416115.
Texte intégralYuan, Qi, Zichen Deng, Weidong Ding, Yanan Wang et Jiawei Wu. « New advances in solid-state pulse generator based on magnetic switches ». Review of Scientific Instruments 93, no 5 (1 mai 2022) : 051501. http://dx.doi.org/10.1063/5.0079583.
Texte intégralKostyrya, Igor D., Victor M. Orlovskii, Victor F. Tarasenko, Weihua Jiang et Tatsumi Goto. « A pulsed repetitive CO2laser pumped by a longitudinal-discharge-initiated semiconductor opening switch diode ». Plasma Devices and Operations 14, no 3 (septembre 2006) : 177–84. http://dx.doi.org/10.1080/10519990600708734.
Texte intégralZhang, Chao, Zhicheng Shi, Xuefeng Liu, Huanhong Chen et Ai Zhang. « Design of a High Speed Electro-optic Q-switch Circuit for Aerospace Applications ». Journal of Physics : Conference Series 2617, no 1 (1 octobre 2023) : 012011. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2617/1/012011.
Texte intégralKim, Hyosung. « Gate Drive Controller for Low Voltage DC Hybrid Circuit Breaker ». Energies 14, no 6 (22 mars 2021) : 1753. http://dx.doi.org/10.3390/en14061753.
Texte intégralBychkov, Yu I., Aleksei N. Panchenko, Viktor F. Tarasenko, A. E. Tel'minov, S. A. Yampol'skaya et A. G. Yastremskii. « Efficient XeCl laser with a semiconductor opening switch in a pump oscillator : Theory and experiment ». Quantum Electronics 37, no 4 (30 avril 2007) : 319–24. http://dx.doi.org/10.1070/qe2007v037n04abeh013253.
Texte intégralLyubutin, S. K., S. N. Rukin, B. G. Slovikovkii et S. N. Tsyranov. « A semiconductor opening switch-based quasi-rectangualr pulse generator operating into a low-impedance load ». Instruments and Experimental Techniques 43, no 1 (janvier 2000) : 66–72. http://dx.doi.org/10.1007/bf02759001.
Texte intégralVasiliev, P. V., S. K. Lyubutin, A. V. Ponomarev, S. N. Rukin, B. G. Slovikovsky, S. N. Tsyranov et S. O. Cholakh. « Operation of a semiconductor opening switch at the pumping time of a microsecond and low current density ». Semiconductors 43, no 7 (juillet 2009) : 953–56. http://dx.doi.org/10.1134/s1063782609070252.
Texte intégralKung, C. C., E. A. Chauchard, C. H. Lee et M. J. Rhee. « Kilovolt square pulse generation by a dual of the Blumlein line with a photoconductive semiconductor opening switch ». IEEE Photonics Technology Letters 4, no 6 (juin 1992) : 621–23. http://dx.doi.org/10.1109/68.141988.
Texte intégralKakuta, Takatoshi, Ippei Yagi et Koichi Takaki. « Improvement of deoxidization efficiency of nitric monoxide by shortening pulse width of semiconductor opening switch pulse power generator ». Japanese Journal of Applied Physics 54, no 1S (30 octobre 2014) : 01AG02. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.01ag02.
Texte intégralKung, C. C., E. A. Chauchard, Chi H. Lee, M. J. Rhee et L. Yan. « Observation of power gain in an inductive energy pulsed power system with an optically controlled semiconductor opening switch ». Applied Physics Letters 57, no 22 (26 novembre 1990) : 2330–32. http://dx.doi.org/10.1063/1.103884.
Texte intégralSugai, Taichi, Wei Liu, Akira Tokuchi, Weihua Jiang et Yasushi Minamitani. « Influence of a Circuit Parameter for Plasma Water Treatment by an Inductive Energy Storage Circuit Using Semiconductor Opening Switch ». IEEE Transactions on Plasma Science 41, no 4 (avril 2013) : 967–74. http://dx.doi.org/10.1109/tps.2013.2251359.
Texte intégralZhuang, Longyu, Kai Zhu, Junfeng Rao et Jie Zhuang. « Solid-state Marx generator based on saturable pulse transformer and fast recovery diodes ». Journal of Instrumentation 18, no 10 (1 octobre 2023) : P10036. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/18/10/p10036.
Texte intégralKomarskiy, Alexander Alexandrovich, Sergey Romanovich Korzhenevskiy, Andrey Viktorovich Ponomarev et Nikita Alexandrovich Komarov. « Pulsed X-ray source with the pulse duration of 50 ns and the peak power of 70 MW for capturing moving objects ». Journal of X-Ray Science and Technology 29, no 4 (27 juillet 2021) : 567–76. http://dx.doi.org/10.3233/xst-210873.
Texte intégralHu, L., Z. Ding, Q. Hao, Y. Pan et X. Fang. « Design of a 43 kV, 20 kHz solid-state pulse generator driven by a low-current-density-pumped semiconductor opening switch ». Measurement Science and Technology 24, no 7 (23 mai 2013) : 077002. http://dx.doi.org/10.1088/0957-0233/24/7/077002.
Texte intégralGusev, A. I., M. S. Pedos, A. V. Ponomarev, S. N. Rukin, S. P. Timoshenkov et S. N. Tsyranov. « A 30 GW subnanosecond solid-state pulsed power system based on generator with semiconductor opening switch and gyromagnetic nonlinear transmission lines ». Review of Scientific Instruments 89, no 9 (septembre 2018) : 094703. http://dx.doi.org/10.1063/1.5048111.
Texte intégralKomarskiy, A., S. Korzhenevskiy, A. Chepusov et O. Krasniy. « The pulsed X-ray radiation source based on a semiconductor opening switch with the focal point diameter of 0.5 mm and its application ». Review of Scientific Instruments 90, no 9 (septembre 2019) : 095106. http://dx.doi.org/10.1063/1.5087222.
Texte intégralLin Shu, 林舒, 李永东 Li Yongdong, 王洪广 Wang Hongguang et 刘纯亮 Liu Chunliang. « Scaled model for simulating opening process of semiconductor opening switches ». High Power Laser and Particle Beams 25, no 9 (2013) : 2341–45. http://dx.doi.org/10.3788/hplpb20132509.2341.
Texte intégralChauchard, E. A., M. J. Rhee et Chi H. Lee. « Optically activated semiconductors as repetitive opening switches ». Applied Physics Letters 47, no 12 (15 décembre 1985) : 1293–95. http://dx.doi.org/10.1063/1.96309.
Texte intégralLee, C. H. « Optical control of semiconductor closing and opening switches ». IEEE Transactions on Electron Devices 37, no 12 (décembre 1990) : 2426–38. http://dx.doi.org/10.1109/16.64515.
Texte intégralGrekhov, I. V., et G. A. Mesyats. « Physical basis for high-power semiconductor nanosecond opening switches ». IEEE Transactions on Plasma Science 28, no 5 (2000) : 1540–44. http://dx.doi.org/10.1109/27.901229.
Texte intégralRukin, S. N. « Pulsed power technology based on semiconductor opening switches : A review ». Review of Scientific Instruments 91, no 1 (1 janvier 2020) : 011501. http://dx.doi.org/10.1063/1.5128297.
Texte intégralAbbasi, A. H., K. Niayesh et J. Shakeri. « Performance Enhancement of High Power High Repetition Rate Semiconductor Opening Switches ». Acta Physica Polonica A 115, no 6 (juin 2009) : 983–85. http://dx.doi.org/10.12693/aphyspola.115.983.
Texte intégralGrekhov, Igor V., Pavel A. Ivanov, Dmitry V. Khristyuk, Andrey O. Konstantinov, Sergey V. Korotkov et Tat’yana P. Samsonova. « Sub-nanosecond semiconductor opening switches based on 4H–SiC p+pon+-diodes ». Solid-State Electronics 47, no 10 (octobre 2003) : 1769–74. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1101(03)00157-6.
Texte intégralDarznek, S. A., G. A. Mesyats et S. N. Rukin. « Dynamics of electron-hole plasma in semiconductor opening switches for ultradense currents ». Technical Physics 42, no 10 (octobre 1997) : 1170–75. http://dx.doi.org/10.1134/1.1258796.
Texte intégralGlazov, A. L., V. A. Kozlov et K. L. Muratikov. « Laser thermowave diagnostics of heat transfer through bonded interfaces in multielement semiconductor opening switches ». Technical Physics Letters 37, no 12 (décembre 2011) : 1149–53. http://dx.doi.org/10.1134/s1063785011120212.
Texte intégralDarznek, S. A., S. N. Rukin et S. N. Tsiranov. « Effect of structure doping profile on the current switching-off process in power semiconductor opening switches ». Technical Physics 45, no 4 (avril 2000) : 436–42. http://dx.doi.org/10.1134/1.1259650.
Texte intégralEngelko, A., et H. Bluhm. « Optimal design of semiconductor opening switches for use in the inductive stage of high power pulse generators ». Journal of Applied Physics 95, no 10 (15 mai 2004) : 5828–36. http://dx.doi.org/10.1063/1.1707207.
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