Littérature scientifique sur le sujet « Semiconductor opening switch »
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Articles de revues sur le sujet "Semiconductor opening switch"
Tu, Jing, Jinsheng Luo et Rong Yang. « Mechanism of Semiconductor Opening Switch ». Japanese Journal of Applied Physics 46, no 3A (8 mars 2007) : 897–902. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.46.897.
Texte intégralChauchard, E. A., C. C. Kung, Chi H. Lee et M. J. Rhee. « Repetitive semiconductor opening switch and application to short pulse generation ». Laser and Particle Beams 7, no 3 (août 1989) : 615–26. http://dx.doi.org/10.1017/s0263034600007588.
Texte intégralHashimshony, D., C. Cohen, A. Zigler et K. Papadopoulos. « Switch opening time reduction in high power photoconducting semiconductor switches ». Optics Communications 124, no 5-6 (mars 1996) : 443–47. http://dx.doi.org/10.1016/0030-4018(95)00685-0.
Texte intégralJiang, Weihua. « Pulsed High-Voltage Generator using Semiconductor Opening Switch ». IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials 130, no 6 (2010) : 538–42. http://dx.doi.org/10.1541/ieejfms.130.538.
Texte intégralSchoenbach, K. H., V. K. Lakdawala, R. Germer et S. T. Ko. « An optically controlled closing and opening semiconductor switch ». Journal of Applied Physics 63, no 7 (avril 1988) : 2460–63. http://dx.doi.org/10.1063/1.341022.
Texte intégralLyubutin, S., M. Pedos, A. V. Ponomarev, S. Rukin, B. Slovikovsky, S. Tsyranov et P. Vasiliev. « High efficiency nanosecond generator based on semiconductor opening switch ». IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation 18, no 4 (août 2011) : 1221–27. http://dx.doi.org/10.1109/tdei.2011.5976119.
Texte intégralIvanov, Pavel A., et Igor V. Grekhov. « Subnanosecond Semiconductor Opening Switch Based on 4H-SiC Junction Diode ». Materials Science Forum 740-742 (janvier 2013) : 865–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.865.
Texte intégralLyubutin, S. K., S. N. Rukin, B. G. Slovikovsky et S. N. Tsyranov. « Operation of a semiconductor opening switch at ultrahigh current densities ». Semiconductors 46, no 4 (avril 2012) : 519–27. http://dx.doi.org/10.1134/s106378261204015x.
Texte intégralGusev, A. I., S. K. Lyubutin, A. V. Ponomarev, S. N. Rukin et B. G. Slovikovsky. « Semiconductor opening switch generator with a primary thyristor switch triggered in impact-ionization wave mode ». Review of Scientific Instruments 89, no 11 (novembre 2018) : 114702. http://dx.doi.org/10.1063/1.5052530.
Texte intégralNAMIHIRA, Takao, Takashi SAKUGAWA, Sunao KATSUKI et Hidenori AKIYAMA. « Pulsed Power Generator with Inductive-Energy Storage Using Semiconductor Opening Switch ». Journal of Plasma and Fusion Research 81, no 5 (2005) : 355–58. http://dx.doi.org/10.1585/jspf.81.355.
Texte intégralThèses sur le sujet "Semiconductor opening switch"
Degnon, Mawuena. « Étude des commutateurs semi-conducteurs à ouverture destinés à des applications de puissance pulsée avec des tensions de sortie allant jusqu'à 500 kV ». Electronic Thesis or Diss., Pau, 2024. https://theses.hal.science/tel-04685830.
Texte intégralIn pulsed power systems, inductive energy storage has an advantage over capacitive storage because of its higher energy density. Exploiting this advantage requires the use of an opening switch to generate the voltage pulse. Moreover, the growing need for reliable pulsed power generators, particularly for industrial applications, strongly supports the adoption of solid-state solutions. The Semiconductor Opening Switch (SOS) diode developed in the 1990s at the Institute of Electrophysics in Russia is an ideal candidate for solid-state opening switching because of its ability to reliably generate high-power pulses at high repetition rates while offering long lifetime and maintenance-free operation. However, the lack of SOS diode manufacturers prevents their widespread use. This thesis is therefore devoted to the study of off-the-shelf (OTS) diodes capable of rapidly switching high currents and generating nanosecond voltages of up to 500 kV. The research includes the investigation of various diode types including rectifier, avalanche, fast recovery, and transient voltage suppression (TVS) diodes as opening switches in comparison with state-of-the-art SOS diodes. Low, medium, and high-energy (25 mJ, 10 J, and 40 J respectively) test benches are developed for the experiments. Their circuits use a single magnetic element – a saturable pulse transformer – resulting in high energy efficiency. Several nanocrystalline cores are examined for optimum transformer performance at an energy of 10 J. Among the diodes investigated at 25 mJ and 10 J energy, the TVS and rectifying diodes stand out particularly promising with nanosecond switching time and generated voltages in the kilovolt range. Finally, a 40 J pulsed power generator prototype (GO-SSOS) based on an OTS opening switch consisting of rectifier diodes is developed. The GO-SSOS achieves a peak power of more than 300 MW with an energy efficiency ranging from 35% to 70% depending on the load value. Across a 1 kΩ load, the voltage pulse generated reaches 500 kV amplitude with a rise time of 36 ns and a pulse width of 80 ns. The system shows high reproducibility at a repetition rate of 60 Hz and is used to demonstrate a corona discharge application. The work proves the reliability of the OTS diodes in SOS mode, revealing no degradation after thousands of pulses. It also offers the prospect of using this technology in industrial applications such as electron-beam sterilization
Actes de conférences sur le sujet "Semiconductor opening switch"
Chauchard, E. A., M. J. Rhee et Chi H. Lee. « Repetitive opening switches using optically activated semiconductors ». Dans OSA Annual Meeting. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1985. http://dx.doi.org/10.1364/oam.1985.fu7.
Texte intégralSchoenbach, K. I., V. K. Lakdawala, S. T. Ko, M. S. Mazzola et R. K. F. Germer. « Laser Controlled Semiconductor Closing And Opening Switch ». Dans 1988 Los Angeles Symposium--O-E/LASE '88, sous la direction de Raymond F. Askew. SPIE, 1988. http://dx.doi.org/10.1117/12.943642.
Texte intégralSugai, Taichi, Akira Tokuchi et Weihua Jiang. « Experimental characteristics of semiconductor opening switch diode ». Dans 2014 IEEE International Power Modulator and High Voltage Conference (IPMHVC). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/ipmhvc.2014.7287218.
Texte intégralRoodenburg, B. « Current source semiconductor opening switch with parallel IGCTs ». Dans Pulsed Power Seminar. IEE, 2003. http://dx.doi.org/10.1049/ic:20030074.
Texte intégralCitrin, D. S., et T. B. Norris. « All-Optical Switching at 100-Gb/s Rates via Coherent Control of Excitons in a Semiconductor Microcavity ». Dans Photonics in Switching. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1997. http://dx.doi.org/10.1364/ps.1997.pthc5.
Texte intégralPanchenko, Alexei N., Victor F. Tarasenko et Alexei E. Tel'minov. « Gas discharge lasers pumped by generators with semiconductor opening switch ». Dans International Conference on Lasers, Applications, and Technologies '07, sous la direction de Vladislav Panchenko, Vladimir Golubev, Andrey Ionin et Alexander Chumakov. SPIE, 2007. http://dx.doi.org/10.1117/12.753211.
Texte intégralPanchenko, Alexei N. « Efficient discharge lasers pumped by double-discharge circuits with semiconductor opening switch ». Dans 18th International Symposium on Gas Flow & Chemical Lasers & High Power Lasers, sous la direction de Tanja Dreischuh, Petar A. Atanasov et Nikola V. Sabotinov. SPIE, 2010. http://dx.doi.org/10.1117/12.878396.
Texte intégralStoudt, D. C., J. S. Kenney et K. H. Schoenbach. « INDUCTIVE ENERGY STORAGE USING A FAST-OPENING BULK OPTICALLY CONTROLLED SEMICONDUCTOR SWITCH (BOSS) ». Dans Ninth IEEE International Pulsed Power Conference. IEEE, 1993. http://dx.doi.org/10.1109/ppc.1993.512892.
Texte intégralKotov, Yu A., G. B. Mesyats, S. N. Rukin, A. L. Filatov et S. K. Lyubutin. « A NOVEL NANOSECOND SEMICONDUCTOR OPENING SWITCH FOR MEGAVOLT REPETITIVE PULSED POWER TECHNOLOGY : EXP ». Dans Ninth IEEE International Pulsed Power Conference. IEEE, 1993. http://dx.doi.org/10.1109/ppc.1993.512960.
Texte intégralBychkov, Yu, Evgenii H. Baksht, Alexei N. Panchenko, Victor F. Tarasenko, S. A. Yampolskaya et Arkadi G. Yastremsky. « Formation of pumping discharge of XeCl laser by means of semiconductor opening switch ». Dans International Conference on Atomic and Molecular Pulsed Lasers IV, sous la direction de Victor F. Tarasenko, Georgy V. Mayer et Gueorgii G. Petrash. SPIE, 2002. http://dx.doi.org/10.1117/12.460108.
Texte intégralRapports d'organisations sur le sujet "Semiconductor opening switch"
Lee, Chi H., et Moon-Jhong Rhee. Repetitive Opening Switches Using Optically Activated Semiconductors. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, octobre 1987. http://dx.doi.org/10.21236/ada190196.
Texte intégral