Littérature scientifique sur le sujet « Semiconductor module »
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Articles de revues sur le sujet "Semiconductor module"
Resutík, Patrik, et Slavomír Kaščák. « Compact 3 × 1 Matrix Converter Module Based on the SiC Devices with Easy Expandability ». Applied Sciences 11, no 20 (9 octobre 2021) : 9366. http://dx.doi.org/10.3390/app11209366.
Texte intégralSeki, Kyoshiro, Yoshitaka Tsunekawa, Hiroshi Osada, Jun-Ichi Shida et Koichi Murakami. « Multisensor module using magnetic semiconductor ferrite ». Electronics and Communications in Japan (Part II : Electronics) 73, no 4 (1990) : 46–53. http://dx.doi.org/10.1002/ecjb.4420730406.
Texte intégralYau, Chin Horng, Wen Ren Jong et H. H. Wang. « Design and Analysis of SCARA Substrate Transfer Robot for Semiconductor and FPD Processing Cluster Tools ». Materials Science Forum 505-507 (janvier 2006) : 331–36. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.505-507.331.
Texte intégralWang, Yangang, Yibo Wu, Xiaoping Dai, Steve Jones et Guoyou Liu. « Investigation of Automotive Power Semiconductor Module Operates at Elevated Cooling Temperature ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2015, HiTEN (1 janvier 2015) : 000154–60. http://dx.doi.org/10.4071/hiten-session5-paper5_1.
Texte intégralMorgan, Adam, Ankan De, Haotao Ke, Xin Zhao, Kasunaidu Vechalapu, Douglas C. Hopkins et Subhashish Bhattacharya. « A Robust, Composite Packaging Approach for a High Voltage 6.5kV IGBT and Series Diode ». International Symposium on Microelectronics 2015, no 1 (1 octobre 2015) : 000359–64. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2015-wp17.
Texte intégralAnzai, Takeshi, Yoshinori Murakami, Shinji Sato, Hidekazu Tanisawa, Kohei Hiyama, Hiroki Takahashi, Fumiki Kato et Hiroshi Sato. « Warpage Evaluation of High-Temperature Sandwich-Structured Power Module for SiC Power Semiconductor Devices ». Journal of Microelectronics and Electronic Packaging 12, no 3 (1 juillet 2015) : 153–60. http://dx.doi.org/10.4071/imaps.464.
Texte intégralXu Dan, 徐丹, 黄雪松 Huang Xuesong, 姜梦华 Jiang Menghua, 惠勇凌 Hui Yongling, 雷訇 Lei Hong et 李强 Li Qiang. « 500 W fiber-coupled semiconductor laser module ». Infrared and Laser Engineering 45, no 6 (2016) : 0606003. http://dx.doi.org/10.3788/irla201645.0606003.
Texte intégralAbdesselam, A., P. J. Adkin, P. P. Allport, J. Alonso, L. Andricek, F. Anghinolfi, A. A. Antonov et al. « The ATLAS semiconductor tracker end-cap module ». Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A : Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 575, no 3 (juin 2007) : 353–89. http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2007.02.019.
Texte intégralEl-Awady, K., C. D. Schaper et T. Kailath. « Programmable Thermal Processing Module for Semiconductor Substrates ». IEEE Transactions on Control Systems Technology 12, no 4 (juillet 2004) : 493–509. http://dx.doi.org/10.1109/tcst.2004.824775.
Texte intégralParker-Allotey, Nii Adotei, Dean P. Hamilton, Olayiwola Alatise, Michael R. Jennings, Philip A. Mawby, Rob Nash et Rob Magill. « Improved Energy Efficiency Using an IGBT/SiC-Schottky Diode Pair ». Materials Science Forum 717-720 (mai 2012) : 1147–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1147.
Texte intégralThèses sur le sujet "Semiconductor module"
Halindintwali, Sylvain. « A study of hydrogenated nanocrystalline silicon thin films deposited by hot-wire chemical vapour deposition (HWCVD) ». Thesis, University of the Western Cape, 2005. http://etd.uwc.ac.za/index.php?module=etd&.
Texte intégralwire chemical vapour deposition (HWCVD) technique and have been characterised for their performance. It is noticed that 
hydrogenated nanocrystalline silicon is similar in some aspects (mainly optical) to its counterpart amorphous silicon actually used as the intrinsic layer in the photovoltaic industry. Substantial differences between the two materials have been found however in their respective structural and electronic properties.
We show that hydrogenated nanocrystalline silicon retains good absorption coefficients known for amorphous silicon in the visible region. The order improvement and a reduced content of the bonded hydrogen in the films are linked to their good stability. We argue that provided a moderate hydrogen dilution ratio in the monosilane gas and efficient process pressure in the deposition chamber, intrinsic hydrogenated nanocrystalline silicon with photosensitivity better than 102 and most importantly resistant to the Staebler Wronski effect (SWE) can be produced.
This work explores the optical, structural and electronic properties of this promising material whose study &ndash
samples have been exclusively produced in the HWCVD reactors based in the Solar Cells laboratory of the Physics department at the University of the Western Cape.
Mayne, Anna Louise. « A study of ATLAS semiconductor tracker module distortions and event cleaning with tracking ». Thesis, University of Sheffield, 2011. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.554383.
Texte intégralGrummel, Brian. « HIGH TEMPERATURE PACKAGING FOR WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR DEVICES ». Master's thesis, University of Central Florida, 2008. http://digital.library.ucf.edu/cdm/ref/collection/ETD/id/3200.
Texte intégralM.S.E.E.
School of Electrical Engineering and Computer Science
Engineering and Computer Science
Electrical Engineering MSEE
Filsecker, Felipe. « Characterization and evaluation of a 6.5-kV silicon carbide bipolar diode module ». Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2017. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-217848.
Texte intégralPoller, Tilo. « Thermal and thermal-mechanical simulation for the prediction of fatigue processes in packages for power semiconductor devices ». Doctoral thesis, Universitätsbibliothek Chemnitz, 2015. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-154320.
Texte intégralFür die Entwicklung von Umrichtern ist die Kenntnis über die Zuverlässigkeit der Leistungselektronik ein wichtiges Kernthema. Insbesondere für Offshore-Anwendungen ist das Wissen über die stattfindenden Ermüdungsprozesse und die Abschätzung der zu erwartenden Lebensdauer der Bauteile essentiell. Hierfür hat sich die Simulation als ein wichtiges Werkzeug für die Entwicklung und Lebensdauerbewertung von leistungselektronischen Anlagen etabliert. In der folgenden Arbeit wird das thermische und das thermisch-mechanische Verhalten der Leistungselektronik mittels Simulationen untersucht. Hierzu wird ein Vergleich zwischen verschiedenen thermischen Modellen für Leistungsbauelemente durchgeführt. Schwerpunkt ist die Beschreibung der thermischen Kopplung zwischen den Chips und deren Einfluss auf die Lebensdauerabschätzung. Ein weiterer Schwerpunkt ist das Leistungsmodul, welches sich als ein Standardgehäuse etabliert hat. Dazu wird erklärt, wie die Variation der Einschaltzeit im aktiven Lastwechseltest den Fehlermodus dieses Gehäusetyps beeinflusst. Weiterhin wird untersucht, wie SiC als Leistungshalbleiter und DAB als Substrat die Zuverlässigkeit beein- flusst. Der Press-Pack ist für Hochleistungsapplikationen von hohem Interesse, da dieses Gehäuse im elektrischen Fehlerfall ohne äußere Unterstützung kurzschliesst. Jedoch ist das Wissen über diese Gehäusetechnologie unter aktiven Lastwechselbedingungen sehr limitiert. Mit Hilfe von Simulationen wird dieses Verhalten untersucht und mögliche Schwachpunkte abgeleitet. Am Ende der Arbeit werden Möglichkeiten untersucht, wie Mithilfe von FEM Simulationen die Lebensdauer von Leistungsmodulen evaluiert werden kann
Poller, Tilo. « Thermal and thermal-mechanical simulation for the prediction of fatigue processes in packages for power semiconductor devices ». Doctoral thesis, Universitätsverlag der Technischen Universität Chemnitz, 2014. https://monarch.qucosa.de/id/qucosa%3A20135.
Texte intégralFür die Entwicklung von Umrichtern ist die Kenntnis über die Zuverlässigkeit der Leistungselektronik ein wichtiges Kernthema. Insbesondere für Offshore-Anwendungen ist das Wissen über die stattfindenden Ermüdungsprozesse und die Abschätzung der zu erwartenden Lebensdauer der Bauteile essentiell. Hierfür hat sich die Simulation als ein wichtiges Werkzeug für die Entwicklung und Lebensdauerbewertung von leistungselektronischen Anlagen etabliert. In der folgenden Arbeit wird das thermische und das thermisch-mechanische Verhalten der Leistungselektronik mittels Simulationen untersucht. Hierzu wird ein Vergleich zwischen verschiedenen thermischen Modellen für Leistungsbauelemente durchgeführt. Schwerpunkt ist die Beschreibung der thermischen Kopplung zwischen den Chips und deren Einfluss auf die Lebensdauerabschätzung. Ein weiterer Schwerpunkt ist das Leistungsmodul, welches sich als ein Standardgehäuse etabliert hat. Dazu wird erklärt, wie die Variation der Einschaltzeit im aktiven Lastwechseltest den Fehlermodus dieses Gehäusetyps beeinflusst. Weiterhin wird untersucht, wie SiC als Leistungshalbleiter und DAB als Substrat die Zuverlässigkeit beein- flusst. Der Press-Pack ist für Hochleistungsapplikationen von hohem Interesse, da dieses Gehäuse im elektrischen Fehlerfall ohne äußere Unterstützung kurzschliesst. Jedoch ist das Wissen über diese Gehäusetechnologie unter aktiven Lastwechselbedingungen sehr limitiert. Mit Hilfe von Simulationen wird dieses Verhalten untersucht und mögliche Schwachpunkte abgeleitet. Am Ende der Arbeit werden Möglichkeiten untersucht, wie Mithilfe von FEM Simulationen die Lebensdauer von Leistungsmodulen evaluiert werden kann.
Janík, Daniel. « Provozní parametry LED světelných zdrojů ». Master's thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2017. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-316394.
Texte intégralGrummel, Brian. « Design and Characterization of High Temperature Packaging for Wide-Bandgap Semiconductor Devices ». Doctoral diss., University of Central Florida, 2012. http://digital.library.ucf.edu/cdm/ref/collection/ETD/id/5231.
Texte intégralPh.D.
Doctorate
Electrical Engineering and Computer Science
Engineering and Computer Science
Electrical Engineering
Dchar, Ilyas. « Conception d’un module d’électronique de puissance «Fail-to-short» pour application haute tension ». Thesis, Lyon, 2017. http://www.theses.fr/2017LYSEI042/document.
Texte intégralThe reliability and endurance of high power converters are paramount for future HVDC networks. Generally, module’s failure behavior can be classified as open-circuit failure and short-circuit failure. A module which fails to an open circuit is considered as fatal for applications requiring series connection. Especially, in some HVDC application, modules must be designed such that when a failure occurs, the failed module still able to carry the load current by the formation of a stable short circuit. Such operation is referred to as short circuit failure mode operation. Currently, all commercially available power modules which offer a short circuit failure mode use silicon semiconductors. The benefits of SiC semiconductors prompts today the manufacturers and researchers to carry out investigations to develop power modules with Fail-to-short-circuit capability based on SiC dies. This represents a real challenge to replace silicon power module for high voltage applications in the future. The work presented in this thesis aims to design a SiC power module with failure to short-circuit failure mode capability. The first challenge of the research work is to define the energy leading to the failure of the SiC dies in order to define the activation range of the Fail-to-short mechanism. Then, we demonstrate the need of replacing the conventional interconnections (wire bonds) by massive contacts. Finally, an implementation is presented through a "half bridge" module with two MOSFETs
Guiheneuf, Vincent. « Approche multi-physique du vieillissement des matériaux pour application photovoltaïque ». Thesis, Paris Est, 2017. http://www.theses.fr/2017PESC1091/document.
Texte intégralThis thesis investigates the aging of photovoltaic (PV) modules based on crystalline silicon technology via a multi-material approach. The first objective is to determine the degradation mechanisms involved during the operation of the PV modules and thus to be able to propose technological solutions improving their durability. For this purpose, accelerated aging tests were carried out on the glass, the crystalline silicon PV cell and the PV mini-module composed of glass, a polymeric encapsulant and the silicon cell.Their functional properties are systematically evaluated and the follow-up of these indicators allows to define aging laws. In parallel, physicochemical characterizations are carried out to determine the degradation mechanisms of the different components of the module. The study of damp heat on glass throws into evidence a surface degradation with a hydration process of the silica network and a leaching phenomenon of the sodium which involves an increase of the glass transmittance. The PV cell exhibits a deterioration of the electrical performance and reflectance after UV radiation exposure due to a photo-oxidation process of the SiNx antireflection layer. It has also been established that high UV power can also promote a regeneration phenomenon of electrical performances. The aging of the mini-module under UV shows the phenomenon of photo-induced degradation (LID) generating a slight decrease in the electrical performance from the first exposure whereas the impact of damp heat on the electrical performance is null after 2000 hours
Livres sur le sujet "Semiconductor module"
International, Semiconductor Data, dir. Power modules. Rolling Hills Estates, CA : SDI, 1990.
Trouver le texte intégralCorporation, Mitsubishi Electric. Mitsubishi semiconductors : Memories module : data book. Tokyo : Mitsubishi Electric Corporation, 1992.
Trouver le texte intégralCorporation, Mitsubishi Electric. Mitsubishi semiconductors 1994 : Memories module (data book). Tokyo : Mitsubishi Electric Corporation, 1994.
Trouver le texte intégralInternational, Semikron, dir. Application manual power modules. Ilmenau : ISLE, 2000.
Trouver le texte intégralP, Colino Ronald, dir. Power electronic modules : Design and manufacture. Boca Raton : CRC Press, 2005.
Trouver le texte intégralBaranowski, Jerzy Hubert. Sekcyjne modele ładunkowe diod i tranzystorów bipolarnych. Warszawa : Wydawnictwa Politechniki Warszawskiej, 1985.
Trouver le texte intégralSnowden, Christopher M. Semiconductor device modelling. London, U.K : P. Peregrinus on behalf of the Institution of Electrical Engineers, 1988.
Trouver le texte intégralChristopher, Snowden, dir. Semiconductor device modelling. London : Springer-Verlag, 1989.
Trouver le texte intégralMarvin, Coughran William, dir. Semiconductors. New York : Springer-Verlag, 1994.
Trouver le texte intégralThe stationary semiconductor device equations. Wien : Springer-Verlag, 1986.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Semiconductor module"
Großmann, E., U. Hilbk et K. Peters. « Thermal Tunable Minimized Semiconductor Laser-Module ». Dans Micro System Technologies 90, 465–70. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1990. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-45678-7_66.
Texte intégralYagi, Atsushi. « Semiconductor Models ». Dans Springer Monographs in Mathematics, 345–56. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-04631-5_8.
Texte intégralStrauch, Dieter. « MgO : Bulk and Shear Moduli ». Dans Semiconductors, 45–55. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2017. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-53620-9_11.
Texte intégralFu, Ying. « Semiconductor Materials ». Dans Physical Models of Semiconductor Quantum Devices, 1–66. Dordrecht : Springer Netherlands, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-007-7174-1_1.
Texte intégralChen, Li, et Michael Dreher. « Quantum Semiconductor Models ». Dans Partial Differential Equations and Spectral Theory, 1–72. Basel : Springer Basel, 2011. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-0348-0024-2_1.
Texte intégralMarkowich, Peter A., Christian A. Ringhofer et Christian Schmeiser. « Kinetic Transport Models for Semiconductors ». Dans Semiconductor Equations, 3–82. Vienna : Springer Vienna, 1990. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-6961-2_2.
Texte intégralSever, Michael. « Symmetric Forms of Energy — Momentum Transport Models ». Dans Semiconductors, 365–76. New York, NY : Springer New York, 1994. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4613-8410-6_21.
Texte intégralMarkowich, Peter A., Christian A. Ringhofer et Christian Schmeiser. « From Kinetic to Fluid Dynamical Models ». Dans Semiconductor Equations, 83–103. Vienna : Springer Vienna, 1990. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-6961-2_3.
Texte intégralSu, P., et B. A. Unger. « Temperature Cycling Tests o Laser Modules ». Dans Semiconductor Device Reliability, 363–78. Dordrecht : Springer Netherlands, 1990. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-009-2482-6_21.
Texte intégralSchenk, Andreas. « Metal-Semiconductor Contact ». Dans Advanced Physical Models for Silicon Device Simulation, 252–80. Vienna : Springer Vienna, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-6494-5_4.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Semiconductor module"
O'Neill, James A. « Infrared diagnostics for semiconductor process monitoring ». Dans Process Module Metrology, Control and Clustering, sous la direction de Cecil J. Davis, Irving P. Herman et Terry R. Turner. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.56649.
Texte intégralGottscho, Richard A., Matthew Vernon, Jeffrey A. Gregus, E. Yoon, K. P. Giapis, Todd R. Hayes, William S. Hobson et al. « Light scattering methods for semiconductor process monitoring and control ». Dans Process Module Metrology, Control and Clustering, sous la direction de Cecil J. Davis, Irving P. Herman et Terry R. Turner. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.56644.
Texte intégralPoulin, M., S. Ayotte, C. Latrasse, Y. Painchaud, J. F. Cliche, A. Babin, M. Aubé et al. « Compact narrow linewidth semiconductor laser module ». Dans SPIE Defense, Security, and Sensing, sous la direction de Mark Dubinskii et Stephen G. Post. SPIE, 2009. http://dx.doi.org/10.1117/12.818802.
Texte intégralvan Os, C. F. A., et Brian N. Chapman. « In-situ monitoring of semiconductor wafer temperature using infrared interferometry ». Dans Process Module Metrology, Control and Clustering, sous la direction de Cecil J. Davis, Irving P. Herman et Terry R. Turner. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.56657.
Texte intégralViloria, Gregory, et Richard N. Savage. « Application of optical emission diagnostics and control related to semiconductor processing ». Dans Process Module Metrology, Control and Clustering, sous la direction de Cecil J. Davis, Irving P. Herman et Terry R. Turner. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.56652.
Texte intégralFan, Yingmin, Dandan Zhou, Hongtao Chong, Bin Zhao, Peng Wang, Ke Yuan, Chung-en Zah et Xingsheng Liu. « VCSEL line-beam module for LiDAR applications ». Dans Semiconductor Lasers and Applications XI, sous la direction de Yikai Su, Werner H. Hofmann et Wei Li. SPIE, 2021. http://dx.doi.org/10.1117/12.2601496.
Texte intégralEzzahri, Y., R. Singh, K. Fukutani, Z. Bian, A. Shakouri, G. Zeng, J. E. Bowers, J. M. Zide et A. C. Gossard. « Transient Thermal Characterization of ErAs/In0.53Ga0.47As Thermoelectric Module ». Dans ASME 2007 InterPACK Conference collocated with the ASME/JSME 2007 Thermal Engineering Heat Transfer Summer Conference. ASMEDC, 2007. http://dx.doi.org/10.1115/ipack2007-33880.
Texte intégralAng, Simon S., et Hao Zhang. « High temperature power electronic module packaging ». Dans 2015 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/cstic.2015.7153443.
Texte intégralSpiessberger, S., M. Schiemangk, A. Sahm, A. Wicht, H. Wenzel, G. Erbert et G. Trankle. « Narrow-linewidth high-power semiconductor-based laser module ». Dans 12th European Quantum Electronics Conference CLEO EUROPE/EQEC. IEEE, 2011. http://dx.doi.org/10.1109/cleoe.2011.5942619.
Texte intégralStockmeier, Manz et Steger. « Novel high power semiconductor module for trench IGBTs ». Dans IC's. IEEE, 2004. http://dx.doi.org/10.1109/wct.2004.240148.
Texte intégralRapports d'organisations sur le sujet "Semiconductor module"
Sfyrla, Anna. Search for WW and WZ production in lepton, neutrino plus jets final states at CDF Run II and Silicon module production and detector control system for the ATLAS SemiConductor Tracker. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), mars 2008. http://dx.doi.org/10.2172/935479.
Texte intégralGardner, Carl L. The Quantum Hydrodynamic Model for Semiconductor Devices. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, février 1995. http://dx.doi.org/10.21236/ada291809.
Texte intégralGardner, Carl L. The Quantum Hydrodynamic Model for Semiconductor Devices. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, février 1995. http://dx.doi.org/10.21236/ada301555.
Texte intégralWright, Alan F., Normand A. Modine, Stephen R. Lee et Stephen M. Foiles. Compact Models for Defect Diffusivity in Semiconductor Alloys. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), septembre 2017. http://dx.doi.org/10.2172/1395644.
Texte intégralWang, H., H. Q. Hou et B. E. Hammons. Anomalous normal mode oscillations in semiconductor microcavities. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), avril 1997. http://dx.doi.org/10.2172/468579.
Texte intégralPinczuk, Aron, et Shalom J. Wind. Artificially Structured Semiconductors to Model Novel Quantum Phenomena. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), janvier 2018. http://dx.doi.org/10.2172/1416872.
Texte intégralGardner, Carl L. The Quantum Hydrodynamic Model for Semiconductor Devices : Theory and Computations. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, août 1998. http://dx.doi.org/10.21236/ada358049.
Texte intégralBelenky, Gregory, et Sergey Suchalkin. Electrically Tunable Mid-Infrared Single-Mode High-Speed Semiconductor Laser. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, novembre 2010. http://dx.doi.org/10.21236/ada544757.
Texte intégralWu, Z. C., Daniel A. Jelski, Thomas F. George, L. Nanai et I. Hevesi. Model of Laser-Induced Deposition on Semiconductors from Liquid Electrolytes. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, avril 1989. http://dx.doi.org/10.21236/ada207097.
Texte intégralRuden, P. P., et Darryl L. Smith. Device Model for Light-Emitting Field-Effect Transistors with Organic Semiconductor Channel. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), avril 2007. http://dx.doi.org/10.2172/1304691.
Texte intégral