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N. I .M. Nor, N. Khalid, H. Aris, M. S. Mispan et N. Aiman Syahmi. « Analysis of Different Piezoelectric Materials on the Film Bulk Acoustic Wave Resonator ». International Journal of Nanoelectronics and Materials (IJNeaM) 16, DECEMBER (26 décembre 2023) : 121–30. http://dx.doi.org/10.58915/ijneam.v16idecember.398.
Texte intégralHähnlein, Bernd, Tim Hofmann, Katja Tonisch, Jörg Pezoldt, Jaroslav Kovac et Stefan Krischok. « Structural Analysis of Sputtered Sc(x)Al(1-x)N Layers for Sensor Applications ». Key Engineering Materials 865 (septembre 2020) : 13–18. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.865.13.
Texte intégralZhang, Qiaozhen, Mingzhu Chen, Huiling Liu, Xiangyong Zhao, Xiaomei Qin, Feifei Wang, Yanxue Tang, Keat Hoe Yeoh, Khian-Hooi Chew et Xiaojuan Sun. « Deposition, Characterization, and Modeling of Scandium-Doped Aluminum Nitride Thin Film for Piezoelectric Devices ». Materials 14, no 21 (27 octobre 2021) : 6437. http://dx.doi.org/10.3390/ma14216437.
Texte intégralWei, Min, Yan Liu, Yuanhang Qu, Xiyu Gu, Yilin Wang, Wenjuan Liu, Yao Cai, Shishang Guo et Chengliang Sun. « Development of Temperature Sensor Based on AlN/ScAlN SAW Resonators ». Electronics 12, no 18 (12 septembre 2023) : 3863. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12183863.
Texte intégralLi, Minghua, Huamao Lin, Kan Hu et Yao Zhu. « Oxide overlayer formation on sputtered ScAlN film exposed to air ». Applied Physics Letters 121, no 11 (12 septembre 2022) : 111602. http://dx.doi.org/10.1063/5.0106717.
Texte intégralZhang, Yuchao, Bin Miao, Guanghua Wang, Hongyu Zhou, Shiqin Zhang, Yimin Hu, Junfeng Wu, Xuechao Yu et Jiadong Li. « ScAlN Film-Based Piezoelectric Micromechanical Ultrasonic Transducers with Dual-Ring Structure for Distance Sensing ». Micromachines 14, no 3 (23 février 2023) : 516. http://dx.doi.org/10.3390/mi14030516.
Texte intégralTominaga, Takumi, Shinji Takayanagi et Takahiko Yanagitani. « Negative-ion bombardment increases during low-pressure sputtering deposition and their effects on the crystallinities and piezoelectric properties of scandium aluminum nitride films ». Journal of Physics D : Applied Physics 55, no 10 (9 décembre 2021) : 105306. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ac3d5c.
Texte intégralLiu, Xiaonan, Qiaozhen Zhang, Mingzhu Chen, Yaqi Liu, Jianqiu Zhu, Jiye Yang, Feifei Wang, Yanxue Tang et Xiangyong Zhao. « Multiphysics Modeling and Analysis of Sc-Doped AlN Thin Film Based Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducer by Finite Element Method ». Micromachines 14, no 10 (18 octobre 2023) : 1942. http://dx.doi.org/10.3390/mi14101942.
Texte intégralJi, Meilin, Haolin Yang, Yongxin Zhou, Xueying Xiu, Haochen Lv et Songsong Zhang. « Bimorph Dual-Electrode ScAlN PMUT with Two Terminal Connections ». Micromachines 13, no 12 (19 décembre 2022) : 2260. http://dx.doi.org/10.3390/mi13122260.
Texte intégralStoeckel, Chris, Katja Meinel, Marcel Melzer, Agnė Žukauskaitė, Sven Zimmermann, Roman Forke, Karla Hiller et Harald Kuhn. « Static High Voltage Actuation of Piezoelectric AlN and AlScN Based Scanning Micromirrors ». Micromachines 13, no 4 (15 avril 2022) : 625. http://dx.doi.org/10.3390/mi13040625.
Texte intégralKrey, Maximilian, Bernd Hähnlein, Katja Tonisch, Stefan Krischok et Hannes Töpfer. « Automated Parameter Extraction Of ScAlN MEMS Devices Using An Extended Euler–Bernoulli Beam Theory ». Sensors 20, no 4 (13 février 2020) : 1001. http://dx.doi.org/10.3390/s20041001.
Texte intégralZhang, Zhenghu, Linwei Zhang, Zhipeng Wu, Yunfei Gao et Liang Lou. « A High-Sensitivity MEMS Accelerometer Using a Sc0.8Al0.2N-Based Four Beam Structure ». Micromachines 14, no 5 (18 mai 2023) : 1069. http://dx.doi.org/10.3390/mi14051069.
Texte intégralJang, Youna, et Dal Ahn. « Analyzing Three Types of Design Methods for 5G N41 Band Acoustic Wave Filters ». International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering 2024 (13 janvier 2024) : 1–12. http://dx.doi.org/10.1155/2024/4638443.
Texte intégralShao, Shuai, Zhifang Luo, Kangfu Liu et Tao Wu. « Lorentz-force gyrator based on AlScN piezoelectric thin film ». Applied Physics Letters 121, no 21 (21 novembre 2022) : 213505. http://dx.doi.org/10.1063/5.0122325.
Texte intégralZhou, Yongxin, Yuandong Gu et Songsong Zhang. « Nondestructive Wafer Level MEMS Piezoelectric Device Thickness Detection ». Micromachines 13, no 11 (5 novembre 2022) : 1916. http://dx.doi.org/10.3390/mi13111916.
Texte intégralMi, Zetian. « (Invited) Ferroelectric Nitride Semiconductors : Epitaxy, Properties, and Emerging Device Applications ». ECS Meeting Abstracts MA2023-02, no 32 (22 décembre 2023) : 1579. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02321579mtgabs.
Texte intégralNian, Laixia, Yuanhang Qu, Xiyu Gu, Tiancheng Luo, Ying Xie, Min Wei, Yao Cai, Yan Liu et Chengliang Sun. « Preparation, Characterization, and Application of AlN/ScAlN Composite Thin Films ». Micromachines 14, no 3 (27 février 2023) : 557. http://dx.doi.org/10.3390/mi14030557.
Texte intégralZhukov, Vladlen V., Denis A. Shcherbakov, Pavel B. Sorokin et Boris P. Sorokin. « DEPENDENCE OF PHYSICAL PROPERTIES OF PIEZOELECTRIC ALUMINUM-SCANDIUM NITRIDE ON SCANDIUM CONCENTRATION ». IZVESTIYA VYSSHIKH UCHEBNYKH ZAVEDENII KHIMIYA KHIMICHESKAYA TEKHNOLOGIYA 64, no 6 (16 mai 2021) : 95–103. http://dx.doi.org/10.6060/ivkkt.20216406.6384.
Texte intégralPark, Mingyo, Zhijian Hao, Rytis Dargis, Andrew Clark et Azadeh Ansari. « Epitaxial Aluminum Scandium Nitride Super High Frequency Acoustic Resonators ». Journal of Microelectromechanical Systems 29, no 4 (août 2020) : 490–98. http://dx.doi.org/10.1109/jmems.2020.3001233.
Texte intégralLeone, Stefano, Jana Ligl, Christian Manz, Lutz Kirste, Theodor Fuchs, Hanspeter Menner, Mario Prescher et al. « Metal‐Organic Chemical Vapor Deposition of Aluminum Scandium Nitride ». physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 14, no 1 (7 novembre 2019) : 1900535. http://dx.doi.org/10.1002/pssr.201900535.
Texte intégralŽukauskaitė, Agnė. « Editorial for Special Issue “Piezoelectric Aluminium Scandium Nitride (AlScN) Thin Films : Material Development and Applications in Microdevices” ». Micromachines 14, no 5 (18 mai 2023) : 1067. http://dx.doi.org/10.3390/mi14051067.
Texte intégralKozlov, A. G., et T. N. Torgash. « Influence of scandium concentration on parameters of piezoelectric transducer based on aluminum scandium nitride ». Journal of Physics : Conference Series 1546 (mai 2020) : 012118. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1546/1/012118.
Texte intégralAKIYAMA, Morito, Tatsuo TABARU, Keiko NISHIKUBO, Akihiko TESHIGAHARA et Kazuhiko KANO. « Preparation of scandium aluminum nitride thin films by using scandium aluminum alloy sputtering target and design of experiments ». Journal of the Ceramic Society of Japan 118, no 1384 (2010) : 1166–69. http://dx.doi.org/10.2109/jcersj2.118.1166.
Texte intégralKim, Young-Wook, Sung-Hee Lee, Toshiyuki Nishimura et Mamoru Mitomo. « Heat-resistant silicon carbide with aluminum nitride and scandium oxide ». Acta Materialia 53, no 17 (octobre 2005) : 4701–8. http://dx.doi.org/10.1016/j.actamat.2005.07.002.
Texte intégralRassay, Sushant, Dicheng Mo et Roozbeh Tabrizian. « Dual-Mode Scandium-Aluminum Nitride Lamb-Wave Resonators Using Reconfigurable Periodic Poling ». Micromachines 13, no 7 (26 juin 2022) : 1003. http://dx.doi.org/10.3390/mi13071003.
Texte intégralShifat, A. S. M. Zadid, Isaac Stricklin, Ravi Kiran Chityala, Arjun Aryal, Giovanni Esteves, Aleem Siddiqui et Tito Busani. « Vertical Etching of Scandium Aluminum Nitride Thin Films Using TMAH Solution ». Nanomaterials 13, no 2 (9 janvier 2023) : 274. http://dx.doi.org/10.3390/nano13020274.
Texte intégralWang, Dixiong, Jeffrey Zheng, Pariasadat Musavigharavi, Wanlin Zhu, Alexandre C. Foucher, Susan E. Trolier-McKinstry, Eric A. Stach et Roy H. Olsson. « Ferroelectric Switching in Sub-20 nm Aluminum Scandium Nitride Thin Films ». IEEE Electron Device Letters 41, no 12 (décembre 2020) : 1774–77. http://dx.doi.org/10.1109/led.2020.3034576.
Texte intégralAkiyama, Morito, Keiichi Umeda, Atsushi Honda et Toshimi Nagase. « Influence of scandium concentration on power generation figure of merit of scandium aluminum nitride thin films ». Applied Physics Letters 102, no 2 (14 janvier 2013) : 021915. http://dx.doi.org/10.1063/1.4788728.
Texte intégralAkiyama, Morito, Kazuhiko Kano et Akihiko Teshigahara. « Influence of growth temperature and scandium concentration on piezoelectric response of scandium aluminum nitride alloy thin films ». Applied Physics Letters 95, no 16 (19 octobre 2009) : 162107. http://dx.doi.org/10.1063/1.3251072.
Texte intégralSong, Yiwen, Carlos Perez, Giovanni Esteves, James Spencer Lundh, Christopher B. Saltonstall, Thomas E. Beechem, Jung In Yang et al. « Thermal Conductivity of Aluminum Scandium Nitride for 5G Mobile Applications and Beyond ». ACS Applied Materials & ; Interfaces 13, no 16 (14 avril 2021) : 19031–41. http://dx.doi.org/10.1021/acsami.1c02912.
Texte intégralMusavigharavi, Pariasadat, Andrew C. Meng, Dixiong Wang, Jeffery Zheng, Alexandre C. Foucher, Roy H. Olsson et Eric A. Stach. « Nanoscale Structural and Chemical Properties of Ferroelectric Aluminum Scandium Nitride Thin Films ». Journal of Physical Chemistry C 125, no 26 (24 juin 2021) : 14394–400. http://dx.doi.org/10.1021/acs.jpcc.1c01523.
Texte intégralMoreira, Milena, Johan Bjurström, Ilia Katardjev et Ventsislav Yantchev. « Aluminum scandium nitride thin-film bulk acoustic resonators for wide band applications ». Vacuum 86, no 1 (juillet 2011) : 23–26. http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2011.03.026.
Texte intégralWang, Jialin, Mingyo Park, Stefan Mertin, Tuomas Pensala, Farrokh Ayazi et Azadeh Ansari. « A Film Bulk Acoustic Resonator Based on Ferroelectric Aluminum Scandium Nitride Films ». Journal of Microelectromechanical Systems 29, no 5 (octobre 2020) : 741–47. http://dx.doi.org/10.1109/jmems.2020.3014584.
Texte intégralAlvarez, Gustavo A., Joseph Casamento, Len van Deurzen, Md Irfan Khan, Kamruzzaman Khan, Eugene Jeong, Elaheh Ahmadi, Huili Grace Xing, Debdeep Jena et Zhiting Tian. « Thermal conductivity enhancement of aluminum scandium nitride grown by molecular beam epitaxy ». Materials Research Letters 11, no 12 (14 novembre 2023) : 1048–54. http://dx.doi.org/10.1080/21663831.2023.2279667.
Texte intégralLiu, Xiwen, Dixiong Wang, Kwan-Ho Kim, Keshava Katti, Jeffrey Zheng, Pariasadat Musavigharavi, Jinshui Miao, Eric A. Stach, Roy H. Olsson et Deep Jariwala. « Post-CMOS Compatible Aluminum Scandium Nitride/2D Channel Ferroelectric Field-Effect-Transistor Memory ». Nano Letters 21, no 9 (21 avril 2021) : 3753–61. http://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.0c05051.
Texte intégralHuang, Chukun, Haotian Shi, Linfeng Yu, Kang Wang, Ming Cheng, Qiang Huang, Wenting Jiao et Junqiang Sun. « Acousto‐Optic Modulation in Silicon Waveguides Based on Piezoelectric Aluminum Scandium Nitride Film ». Advanced Optical Materials 10, no 6 (21 janvier 2022) : 2102334. http://dx.doi.org/10.1002/adom.202102334.
Texte intégralNg, D. K. T., T. Zhang, L. Y. Siow, L. Xu, C. P. Ho, H. Cai, L. Y. T. Lee, Q. Zhang et N. Singh. « A functional CMOS compatible MEMS pyroelectric detector using 12%-doped scandium aluminum nitride ». Applied Physics Letters 117, no 18 (2 novembre 2020) : 183506. http://dx.doi.org/10.1063/5.0024192.
Texte intégralWang, Qi, Yipeng Lu, Sergey Mishin, Yury Oshmyansky et David A. Horsley. « Design, Fabrication, and Characterization of Scandium Aluminum Nitride-Based Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducers ». Journal of Microelectromechanical Systems 26, no 5 (octobre 2017) : 1132–39. http://dx.doi.org/10.1109/jmems.2017.2712101.
Texte intégralWang, Jialin, Yue Zheng et Azadeh Ansari. « Ferroelectric Aluminum Scandium Nitride Thin Film Bulk Acoustic Resonators with Polarization‐Dependent Operating States ». physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 15, no 5 (23 avril 2021) : 2100034. http://dx.doi.org/10.1002/pssr.202100034.
Texte intégralJia, Licheng, Lei Shi, Zhaoyang Lu, Chengliang Sun et Guoqiang Wu. « A High-Performance 9.5% Scandium-Doped Aluminum Nitride Piezoelectric MEMS Hydrophone With Honeycomb Structure ». IEEE Electron Device Letters 42, no 12 (décembre 2021) : 1845–48. http://dx.doi.org/10.1109/led.2021.3120806.
Texte intégralDou, Wentong, Congquan Zhou, Ruidong Qin, Yumeng Yang, Huihui Guo, Zhiqiang Mu et Wenjie Yu. « Super-High-Frequency Bulk Acoustic Resonators Based on Aluminum Scandium Nitride for Wideband Applications ». Nanomaterials 13, no 20 (10 octobre 2023) : 2737. http://dx.doi.org/10.3390/nano13202737.
Texte intégralLiu, Xiwen, Jeffrey Zheng, Dixiong Wang, Pariasadat Musavigharavi, Eric A. Stach, Roy Olsson et Deep Jariwala. « Aluminum scandium nitride-based metal–ferroelectric–metal diode memory devices with high on/off ratios ». Applied Physics Letters 118, no 20 (17 mai 2021) : 202901. http://dx.doi.org/10.1063/5.0051940.
Texte intégralZheng, Jeffrey X., Dixiong Wang, Pariasadat Musavigharavi, Merrilyn Mercy Adzo Fiagbenu, Deep Jariwala, Eric A. Stach et Roy H. Olsson. « Electrical breakdown strength enhancement in aluminum scandium nitride through a compositionally modulated periodic multilayer structure ». Journal of Applied Physics 130, no 14 (14 octobre 2021) : 144101. http://dx.doi.org/10.1063/5.0064041.
Texte intégralTang, Zichen, Giovanni Esteves, Jeffrey Zheng et Roy H. Olsson. « Vertical and Lateral Etch Survey of Ferroelectric AlN/Al1−xScxN in Aqueous KOH Solutions ». Micromachines 13, no 7 (2 juillet 2022) : 1066. http://dx.doi.org/10.3390/mi13071066.
Texte intégralKo, Shin-Il, Sang-Jin Lee, Myong-Hoon Roh, Wonjoong Kim et Young-Wook Kim. « Effect of annealing on mechanical properties of silicon carbide sintered with aluminum nitride and scandium oxide ». Metals and Materials International 15, no 1 (février 2009) : 149–53. http://dx.doi.org/10.1007/s12540-009-0149-x.
Texte intégralAkiyama, Morito, Toshihiro Kamohara, Kazuhiko Kano, Akihiko Teshigahara, Yukihiro Takeuchi et Nobuaki Kawahara. « Enhancement of Piezoelectric Response in Scandium Aluminum Nitride Alloy Thin Films Prepared by Dual Reactive Cosputtering ». Advanced Materials 21, no 5 (2 décembre 2008) : 593–96. http://dx.doi.org/10.1002/adma.200802611.
Texte intégralBohnen, Tim, Gerbe W. G. van Dreumel, Paul R. Hageman, Rienk E. Algra, Willem J. P. van Enckevort, Elias Vlieg, Marcel A. Verheijen et James H. Edgar. « Growth of scandium aluminum nitride nanowires on ScN(111) films on 6H-SiC substrates by HVPE ». physica status solidi (a) 206, no 12 (14 août 2009) : 2809–15. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200925060.
Texte intégralWang, Yaxin, Yang Zou, Chao Gao, Xiyu Gu, Ye Ma, Yan Liu, Wenjuan Liu, Jeffrey Bo Woon Soon, Yao Cai et Chengliang Sun. « Effects of Electric Bias on Different Sc-Doped AlN-Based Film Bulk Acoustic Resonators ». Electronics 11, no 14 (11 juillet 2022) : 2167. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11142167.
Texte intégralGillinger, Manuel, Theresia Knobloch, Michael Schneider et Ulrich Schmid. « Harsh Environmental Surface Acoustic Wave Temperature Sensor Based on Pure and Scandium doped Aluminum Nitride on Sapphire ». Proceedings 1, no 4 (17 août 2017) : 341. http://dx.doi.org/10.3390/proceedings1040341.
Texte intégralBartoli, Florian, Jérémy Streque, Jaafar Ghanbaja, Philippe Pigeat, Pascal Boulet, Sami Hage-Ali, Natalya Naumenko, A. Redjaïmia, Thierry Aubert et Omar Elmazria. « Epitaxial Growth of Sc0.09Al0.91N and Sc0.18Al0.82N Thin Films on Sapphire Substrates by Magnetron Sputtering for Surface Acoustic Waves Applications ». Sensors 20, no 16 (17 août 2020) : 4630. http://dx.doi.org/10.3390/s20164630.
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