Littérature scientifique sur le sujet « Scandium aluminum nitride (ScAlN) »
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Articles de revues sur le sujet "Scandium aluminum nitride (ScAlN)"
N. I .M. Nor, N. Khalid, H. Aris, M. S. Mispan et N. Aiman Syahmi. « Analysis of Different Piezoelectric Materials on the Film Bulk Acoustic Wave Resonator ». International Journal of Nanoelectronics and Materials (IJNeaM) 16, DECEMBER (26 décembre 2023) : 121–30. http://dx.doi.org/10.58915/ijneam.v16idecember.398.
Texte intégralHähnlein, Bernd, Tim Hofmann, Katja Tonisch, Jörg Pezoldt, Jaroslav Kovac et Stefan Krischok. « Structural Analysis of Sputtered Sc(x)Al(1-x)N Layers for Sensor Applications ». Key Engineering Materials 865 (septembre 2020) : 13–18. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.865.13.
Texte intégralZhang, Qiaozhen, Mingzhu Chen, Huiling Liu, Xiangyong Zhao, Xiaomei Qin, Feifei Wang, Yanxue Tang, Keat Hoe Yeoh, Khian-Hooi Chew et Xiaojuan Sun. « Deposition, Characterization, and Modeling of Scandium-Doped Aluminum Nitride Thin Film for Piezoelectric Devices ». Materials 14, no 21 (27 octobre 2021) : 6437. http://dx.doi.org/10.3390/ma14216437.
Texte intégralWei, Min, Yan Liu, Yuanhang Qu, Xiyu Gu, Yilin Wang, Wenjuan Liu, Yao Cai, Shishang Guo et Chengliang Sun. « Development of Temperature Sensor Based on AlN/ScAlN SAW Resonators ». Electronics 12, no 18 (12 septembre 2023) : 3863. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12183863.
Texte intégralLi, Minghua, Huamao Lin, Kan Hu et Yao Zhu. « Oxide overlayer formation on sputtered ScAlN film exposed to air ». Applied Physics Letters 121, no 11 (12 septembre 2022) : 111602. http://dx.doi.org/10.1063/5.0106717.
Texte intégralZhang, Yuchao, Bin Miao, Guanghua Wang, Hongyu Zhou, Shiqin Zhang, Yimin Hu, Junfeng Wu, Xuechao Yu et Jiadong Li. « ScAlN Film-Based Piezoelectric Micromechanical Ultrasonic Transducers with Dual-Ring Structure for Distance Sensing ». Micromachines 14, no 3 (23 février 2023) : 516. http://dx.doi.org/10.3390/mi14030516.
Texte intégralTominaga, Takumi, Shinji Takayanagi et Takahiko Yanagitani. « Negative-ion bombardment increases during low-pressure sputtering deposition and their effects on the crystallinities and piezoelectric properties of scandium aluminum nitride films ». Journal of Physics D : Applied Physics 55, no 10 (9 décembre 2021) : 105306. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ac3d5c.
Texte intégralLiu, Xiaonan, Qiaozhen Zhang, Mingzhu Chen, Yaqi Liu, Jianqiu Zhu, Jiye Yang, Feifei Wang, Yanxue Tang et Xiangyong Zhao. « Multiphysics Modeling and Analysis of Sc-Doped AlN Thin Film Based Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducer by Finite Element Method ». Micromachines 14, no 10 (18 octobre 2023) : 1942. http://dx.doi.org/10.3390/mi14101942.
Texte intégralJi, Meilin, Haolin Yang, Yongxin Zhou, Xueying Xiu, Haochen Lv et Songsong Zhang. « Bimorph Dual-Electrode ScAlN PMUT with Two Terminal Connections ». Micromachines 13, no 12 (19 décembre 2022) : 2260. http://dx.doi.org/10.3390/mi13122260.
Texte intégralStoeckel, Chris, Katja Meinel, Marcel Melzer, Agnė Žukauskaitė, Sven Zimmermann, Roman Forke, Karla Hiller et Harald Kuhn. « Static High Voltage Actuation of Piezoelectric AlN and AlScN Based Scanning Micromirrors ». Micromachines 13, no 4 (15 avril 2022) : 625. http://dx.doi.org/10.3390/mi13040625.
Texte intégralThèses sur le sujet "Scandium aluminum nitride (ScAlN)"
Moreira, Milena De Albuquerque. « Synthesis of Thin Piezoelectric AlN Films in View of Sensors and Telecom Applications ». Doctoral thesis, 2014. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-229588.
Texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Scandium aluminum nitride (ScAlN)"
Casamento, Joseph, John Hayden, Susan Trolier-McKinstry, Jon-Paul Maria, Thai-Son Nguyen, Kazuki Nomoto, Huili (Grace) Xing et Debdeep Jena. « Toward new ferroelectric nitride materials and devices : Aluminum boron nitride and aluminum scandium nitride ferroelectric high electron mobility transistors (FerroHEMTs) ». Dans Semiconductors and Semimetals. Elsevier, 2023. http://dx.doi.org/10.1016/bs.semsem.2023.09.016.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Scandium aluminum nitride (ScAlN)"
Mishin, Sergey, et Yury Oshmyansky. « Optimizing high concentration Scandium Aluminum Nitride films ». Dans 2023 IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS). IEEE, 2023. http://dx.doi.org/10.1109/ius51837.2023.10308061.
Texte intégralLi, Nanxi, Wing Wai Chung, Jia Sheng Goh, Yat Fung Tsang, Landobasa Y. M. Tobing, Chong Pei Ho, Binni Varghese et al. « Scandium-doped aluminum nitride photonic integration platform ». Dans Integrated Optics : Devices, Materials, and Technologies XXVIII, sous la direction de Sonia M. García-Blanco et Pavel Cheben. SPIE, 2024. http://dx.doi.org/10.1117/12.3004598.
Texte intégralLozzi, Andrea, Marco Liffredo, Ernest Tin-Ta Yen, Jeronimo Segovia-Fernandez et Luis Guillermo Villanueva. « Phase Noise Measurements of Aluminum Scandium Nitride Oscillators ». Dans 2019 20th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems & Eurosensors XXXIII (TRANSDUCERS & EUROSENSORS XXXIII). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/transducers.2019.8808738.
Texte intégralShao, Shuai, Zhifang Luo et Tao Wu. « Sub-6dB Aluminum Scandium Nitride Acoustic Delay Lines ». Dans 2022 IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS). IEEE, 2022. http://dx.doi.org/10.1109/ius54386.2022.9958371.
Texte intégralZhang, Xiangchao, Shaonan Zheng, Qize Zhong, Lianxi Jia, Zhengji Xu, Yuan Dong, Ting Hu et Yuandong Gu. « Aluminum scandium nitride waveguide in the near-infrared ». Dans 13th International Photonics and OptoElectronics Meetings (POEM 2021), sous la direction de Xinliang Zhang, Perry Shum et Jianji Dong. SPIE, 2022. http://dx.doi.org/10.1117/12.2626712.
Texte intégralLiu, Jiangnan, Anshuman Singh, Ping Wang, Ding Wang, Walter Shin, Mackillo Kira, Moe Soltani et Zetian Mi. « Quantum-relevant optical nonlinearity in aluminum nitride ». Dans CLEO : Science and Innovations. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 2023. http://dx.doi.org/10.1364/cleo_si.2023.stu3n.4.
Texte intégralKusano, Yuri, Guo-Lun Luo, David Horsley, I. taru Ishii et Akihiko Teshigahara. « 36% Scandium-Doped Aluminum Nitride Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducers ». Dans 2018 IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/ultsym.2018.8579694.
Texte intégralMishin, Sergey, et Yury Oshmyansky. « Stress Control for Highly Doped Aluminum Scandium Nitride Films ». Dans 2018 IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/ultsym.2018.8579889.
Texte intégralWang, Q., Y. Lu, S. Fung, X. Jiang, S. Mishin, Y. Oshmyansky et D. A. Horsley. « SCANDIUM DOPED ALUMINUM NITRIDE BASED PIEZOELECTRIC MICROMACHINED ULTRASOUND TRANSDUCERS ». Dans 2016 Solid-State, Actuators, and Microsystems Workshop. San Diego : Transducer Research Foundation, 2016. http://dx.doi.org/10.31438/trf.hh2016.116.
Texte intégralWang, Jialin, Mingyo Park et Azadeh Ansari. « Thermal Characterization of Ferroelectric Aluminum Scandium Nitride Acoustic Resonators ». Dans 2021 IEEE 34th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS). IEEE, 2021. http://dx.doi.org/10.1109/mems51782.2021.9375203.
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