Littérature scientifique sur le sujet « RF Plasma CVD »
Créez une référence correcte selon les styles APA, MLA, Chicago, Harvard et plusieurs autres
Sommaire
Consultez les listes thématiques d’articles de revues, de livres, de thèses, de rapports de conférences et d’autres sources académiques sur le sujet « RF Plasma CVD ».
À côté de chaque source dans la liste de références il y a un bouton « Ajouter à la bibliographie ». Cliquez sur ce bouton, et nous générerons automatiquement la référence bibliographique pour la source choisie selon votre style de citation préféré : APA, MLA, Harvard, Vancouver, Chicago, etc.
Vous pouvez aussi télécharger le texte intégral de la publication scolaire au format pdf et consulter son résumé en ligne lorsque ces informations sont inclues dans les métadonnées.
Articles de revues sur le sujet "RF Plasma CVD"
Hay, Stephen O., Ward C. Roman et Meredith B. Colket. « CVD diamond deposition processes investigation : CARS diagnostics/modeling ». Journal of Materials Research 5, no 11 (novembre 1990) : 2387–97. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1990.2387.
Texte intégralYAMAMOTO, Masaoki, Masayuki FUKUI et Takayuki SHIBATA. « Properties of carbonous films synthesized by RF plasma CVD. » Journal of the Japan Society for Precision Engineering 55, no 12 (1989) : 2222–27. http://dx.doi.org/10.2493/jjspe.55.2222.
Texte intégralMannan, Md Abdul, Masamitsu Nagano, Norie Hirao et Yuji Baba. « Hexagonal BCN Films Prepared by RF Plasma-enhanced CVD ». Chemistry Letters 37, no 1 (5 janvier 2008) : 96–97. http://dx.doi.org/10.1246/cl.2008.96.
Texte intégralTSAKADZE, E., K. OSTRIKOV, Z. TSAKADZE, N. JIANG, R. AHMAD et S. XU. « CONTROL AND DIAGNOSTICS OF INDUCTIVELY COUPLED PLASMAS FOR CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION ON NANOCOMPOSITE CARBON NITRIDE-BASED FILMS ». International Journal of Modern Physics B 16, no 06n07 (20 mars 2002) : 1143–47. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979202011019.
Texte intégralInao, Takuro, Masahiko Kumadaki, Kohki Satoh, Masaki Yoshino et Hidenori Itoh. « Deposition of Boron Nitride Films using RF Plasma CVD Method ». IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials 134, no 6 (2014) : 397–401. http://dx.doi.org/10.1541/ieejfms.134.397.
Texte intégralKashem, Abul, Masaki Matsushita et Shinzo Morita. « RF Plasma CVD of C-S Compound under Hydrogen Dilution ». Journal of Photopolymer Science and Technology 13, no 1 (2000) : 47–49. http://dx.doi.org/10.2494/photopolymer.13.47.
Texte intégralJie, Jiang, et Liu Chenzan. « Diamond-like carbon thin films prepared by rf-plasma CVD ». Vacuum 42, no 16 (1991) : 1058. http://dx.doi.org/10.1016/0042-207x(91)91327-k.
Texte intégralMITSUI, Akira, et Akio KATO. « Preparation of SiC Powders by CVD Method Using RF-Plasma ». Journal of the Ceramic Association, Japan 94, no 1089 (1986) : 517–20. http://dx.doi.org/10.2109/jcersj1950.94.1089_517.
Texte intégralMitomo, Tohru, Tomohiro Ohta, Hiroaki Sasaki, Kenichi Ohtsuka et Yasuhiro Habu. « Deposition of amorphous-carbon films by RF plasma CVD method. » KAGAKU KOGAKU RONBUNSHU 17, no 2 (1991) : 305–12. http://dx.doi.org/10.1252/kakoronbunshu.17.305.
Texte intégralMitsui, Akira, et Akio Kato. « Preparation of SiC powders by CVD method using RF-plasma ». International Journal of High Technology Ceramics 3, no 1 (janvier 1987) : 85. http://dx.doi.org/10.1016/0267-3762(87)90071-3.
Texte intégralThèses sur le sujet "RF Plasma CVD"
Bránecký, Martin. « Tenké vrstvy připravené v RF doutnavém výboji a jejich fyzikálně-chemické vlastnosti ». Master's thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2015. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-221284.
Texte intégralOrlandi, Francesco. « Applicazione e Confronto di Modelli Computazionali Turbolenti per l'Analisi dei Fenomeni Fluidodinamici in Camera di Reazione di una Sorgente di Plasma Termico di Tipo ICP-RF per la Produzione di Nanoparticelle ». Master's thesis, Alma Mater Studiorum - Università di Bologna, 2019.
Trouver le texte intégralChang-WeiChen et 陳昶瑋. « Microwave Plasma CVD Nanodiamond and Its Application to RF MEMS Capacitive Switches ». Thesis, 2010. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/02237981579789795565.
Texte intégral國立成功大學
微電子工程研究所碩博士班
98
In this research, we deposit nanodiamond films by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition. Nanodiamond used as dielectric layer of RF MEMS capacitive switches. The major problem need to be solved is charging effect, and it also limit the life time of switches. After operation many times, switches would induce pull-in voltage shift and stiction problem. We use nanodiamond films as dielectric material to prevent the charging effect of switches. We controlled graphite phase concentration of nanodiamond films by using different growth conditions to lower dc resistivity. It can allow charges to escape from dielectric layers quickly and increase the reliability of switches. In order to find the best growth condition of nanodiamond films for switches, we analyzed nanodiamond films by some equipment, including Raman spectrum, Scanning Electron Microscope and Atomic Force Microscope..We fabricated MIM capacitors by Si3N4 and nanodiamond to perform DC measurement and transient current measurements. We designed four structures of RF MEMS capacitive switches and analyzed their pull-in voltage and capacitance ratio by C-V measurement. Additionally, we discussed about actuation properties and charging effect of switches with Si3N4 and nanodiamond as dielectric, respectively.
Actes de conférences sur le sujet "RF Plasma CVD"
Vikharev, A. « Investigation of the Millimeter-Wave Plasma Assisted CVD Reactor ». Dans HIGH ENERGY DENSITY AND HIGH POWER RF : 7th Workshop on High Energy Density and High Power RF. AIP, 2006. http://dx.doi.org/10.1063/1.2158797.
Texte intégralJiang, Jie, et Chen Z. Liu. « Diamond-like carbon thin films prepared by rf-plasma CVD ». Dans Shanghai - DL tentative, sous la direction de Shixun Zhou et Yongling Wang. SPIE, 1991. http://dx.doi.org/10.1117/12.47311.
Texte intégralTakechi, Kazushige, Hiroyuki Uchida, Hiroshi Hayama Akira Kodama et Yoshimi Watabe. « A-Si:H TFTs Fabricated with Gated rf-discharge Plasma-CVD Technology ». Dans 1993 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 1993. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.1993.lc-8.
Texte intégralATAEV, B. M., A. M. BAGAMADOVA, I. K. KAMILOV, V. V. MAMEDOV, A. K. OMAEV et S. SH MAKHMUDOV. « LOW-TEMPERATURE CVD GROWTH OF ZnO FILMS STIMULATED BY RF-DISCHARGE PLASMA ». Dans Proceedings of the International Workshop. WORLD SCIENTIFIC, 2004. http://dx.doi.org/10.1142/9789812702876_0032.
Texte intégralHa, Peter C. T., D. R. McKenzie, M. M. M. Bilek, E. D. Doyle et P. K. Chu. « Intrinsic Stress of DLC Film Prepared by RF Plasma CVD and Filteredcathodic ARC PVD ». Dans IEEE Conference Record - Abstracts. 2005 IEEE International Conference on Plasma Science. IEEE, 2005. http://dx.doi.org/10.1109/plasma.2005.359498.
Texte intégralIkeda, Kishimoto, Hirose et Numasawa. « "TOP-PECVD" : a new conformal plasma enhanced CVD technology using TEOS, ozone and pulse-modulated RF plasma ». Dans Proceedings of IEEE International Electron Devices Meeting. IEEE, 1992. http://dx.doi.org/10.1109/iedm.1992.307362.
Texte intégralHiramatsu, M., K. Yamada, E. Mizuno, M. Nawata, M. Ikeda, M. Hori et T. Goto. « Diamond film formation using RF plasma CVD assisted by water vapor enhanced hydrogen radical source ». Dans International Conference on Plasma Science (papers in summary form only received). IEEE, 1995. http://dx.doi.org/10.1109/plasma.1995.531623.
Texte intégralRivero III, Jose. « CNT Metamaterial Fabrication 3D Printing Mask Process ». Dans MME Undergraduate Research Symposium. Florida International University, 2022. http://dx.doi.org/10.25148/mmeurs.010567.
Texte intégralRavera, G. L., S. Ceccuzzi, A. Cardinali, R. Cesario, F. Mirizzi, G. Schettini et A. A. Tuccillo. « Thin CVD-diamond RF Pill-Box vacuum windows for LHCD systems ». Dans RADIOFREQUENCY POWER IN PLASMAS : Proceedings of the 20th Topical Conference. American Institute of Physics, 2014. http://dx.doi.org/10.1063/1.4864592.
Texte intégralMostaghimi, Javad, Sanaz Arabzadeh Esfarjani, Seth Dworkin, Benoit Simard, Keun Su Kim, Gervais Soucy et Ali Shahverdi. « CFD Simulation of Single-walled Carbon Nanotube Growth in an RF Induction Thermal Plasma Process ». Dans 42nd AIAA Plasmadynamics and Lasers Conference. Reston, Virigina : American Institute of Aeronautics and Astronautics, 2011. http://dx.doi.org/10.2514/6.2011-3600.
Texte intégral