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Amirabdollahian, Mahsa, et Bithin Datta. « Reliability Evaluation of Groundwater Contamination Source Characterization under Uncertain Flow Field ». International Journal of Environmental Science and Development 6, no 7 (2015) : 512–18. http://dx.doi.org/10.7763/ijesd.2015.v6.647.
Texte intégralTsuchiya, Toshiyuki. « Reliability Characterization of MEMS Materials ». IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines 125, no 7 (2005) : 289–93. http://dx.doi.org/10.1541/ieejsmas.125.289.
Texte intégralSong, William, Saibal Mukhopadhyay et Sudhakar Yalamanchili. « Architectural Reliability : Lifetime Reliability Characterization and Management ofMany-Core Processors ». IEEE Computer Architecture Letters 14, no 2 (1 juillet 2015) : 103–6. http://dx.doi.org/10.1109/lca.2014.2340873.
Texte intégralYang, Q. J., H. L. J. Pang, Z. P. Wang, G. H. Lim, F. F. Yap et R. M. Lin. « Vibration reliability characterization of PBGA assemblies ». Microelectronics Reliability 40, no 7 (juillet 2000) : 1097–107. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(00)00036-6.
Texte intégralEkwueme, Chukwuma G., et Gary C. Hart. « Structural reliability characterization of precast concrete ». Structural Design of Tall Buildings 3, no 1 (mars 1994) : 13–35. http://dx.doi.org/10.1002/tal.4320030103.
Texte intégralLee, J. C., Chen Ih-Chin et Hu Chenming. « Modeling and characterization of gate oxide reliability ». IEEE Transactions on Electron Devices 35, no 12 (1988) : 2268–78. http://dx.doi.org/10.1109/16.8802.
Texte intégralCheng, Bowen, Dirk De Bruyker, Chris Chua, Kunal Sahasrabuddhe, Ivan Shubin, John E. Cunningham, Ying Luo, Karl F. Bohringer, Ashok V. Krishnamoorthy et Eugene M. Chow. « Microspring Characterization and Flip-Chip Assembly Reliability ». IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology 3, no 2 (février 2013) : 187–96. http://dx.doi.org/10.1109/tcpmt.2012.2213250.
Texte intégralClaeys, C., E. Simoen, J. M. Rafi, Marcelo A. Pavanello et Joao A. Martino. « Physical Characterization and Reliability Aspects of MuGFETs ». ECS Transactions 9, no 1 (19 décembre 2019) : 281–94. http://dx.doi.org/10.1149/1.2766899.
Texte intégralSheikh, A. « A reliability model for fatigue life characterization ». International Journal of Fatigue 17, no 2 (février 1995) : 121–28. http://dx.doi.org/10.1016/0142-1123(95)95891-j.
Texte intégralShaddock, David, et Liang Yin. « Reliability of High Temperature Laminates ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2015, HiTEN (1 janvier 2015) : 000100–000110. http://dx.doi.org/10.4071/hiten-session3b-paper3b_1.
Texte intégralNAYAK, AMIYA, et NICOLA SANTORO. « ON RELIABILITY ANALYSIS OF CHORDAL RINGS ». Journal of Circuits, Systems and Computers 05, no 02 (juin 1995) : 199–213. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126695000151.
Texte intégralW., TAZBIT, et MIALHE P. « RELIABILITY OF MICROELECTRONIC DEVICES FROM EMITTERBASE JUNCTION CHARACTERIZATION ». International Conference on Applied Mechanics and Mechanical Engineering 13, no 13 (1 mai 2008) : 29–37. http://dx.doi.org/10.21608/amme.2008.39820.
Texte intégralTu, Zhijuan, Zhiping Zhou et Xingjun Wang. « Reliability characterization of silicon-based germanium waveguide photodetectors ». Optical Engineering 53, no 5 (5 mai 2014) : 057103. http://dx.doi.org/10.1117/1.oe.53.5.057103.
Texte intégralDoyle, R., B. O'Flynn, W. Lawton, J. Barrett et J. Buckley. « Glob-top reliability characterization : evaluation and analysis methods ». IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology : Part A 21, no 2 (juin 1998) : 292–300. http://dx.doi.org/10.1109/95.705478.
Texte intégralRoss, R. G., G. R. Mon, L. Wen, C. C. Gonzalez et R. S. Sugimura. « Measurement and characterization of thin film module reliability ». Solar Cells 24, no 3-4 (juillet 1988) : 271–78. http://dx.doi.org/10.1016/0379-6787(88)90078-6.
Texte intégralvan Beek, Andries, Peter Borm et Marieke Quant. « Axiomatic Characterizations of a Proportional Influence Measure for Sequential Projects with Imperfect Reliability ». Axioms 10, no 4 (30 septembre 2021) : 247. http://dx.doi.org/10.3390/axioms10040247.
Texte intégralLi, Qingshen, Yigang Lin, Shoudong Wang, Shanshan Wang et Xiangou Zhu. « Storage Reliability Assessment Method for Aerospace Electromagnetic Relay Based on Belief Reliability Theory ». Applied Sciences 12, no 17 (29 août 2022) : 8637. http://dx.doi.org/10.3390/app12178637.
Texte intégralDolnicar, Peter, Drago Milosevic, Zoran Jovovic, Vladimir Meglic, Marko Maras et Ana Velimirovic. « Reliability of morphological and molecular characterization of lightsprouts for differentiation of potato accessions ». Genetika 48, no 2 (2016) : 525–32. http://dx.doi.org/10.2298/gensr1602525d.
Texte intégralBadger, Lacey L., Nikholas G. Toledo, Derek W. Slottke, John Thomas, Miguel Alamillo, Elliott Gunnarsson, Mark L. Le Rutt et Ilan Tsameret. « Ultra-Fine Pitch Wedge bonding for Device Reliability Characterization ». International Symposium on Microelectronics 2018, no 1 (1 octobre 2018) : 000561–65. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4505-2018.1.000561.
Texte intégralCholda, Piotr, Janos Tapolcai, Tibor Cinkler, Krzysztof Wajda et Andrzej Jajszczyk. « Quality of resilience as a network reliability characterization tool ». IEEE Network 23, no 2 (mars 2009) : 11–19. http://dx.doi.org/10.1109/mnet.2009.4804331.
Texte intégralLin, Hua Tay, et Mattison K. Ferber. « Characterization of Mechanical Reliability of Silicon Nitride Microturbine Rotors ». Key Engineering Materials 287 (juin 2005) : 393–403. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.287.393.
Texte intégralCastellazzi, Alberto, et Mauro Ciappa. « Electrothermal Characterization for Reliability of Modern Low-Voltage PowerMOSFETs ». IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 7, no 4 (décembre 2007) : 571–80. http://dx.doi.org/10.1109/tdmr.2007.910439.
Texte intégralSy, Fatoumata, Quentin Rafhay, Julien Poette, Gregory Grosa, Gaelle Beylier, Philippe Grosse, David Roy et Jean-Emmanuel Broquin. « Reliability Characterization and Modeling of High Speed Ge Photodetectors ». IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 19, no 4 (décembre 2019) : 688–95. http://dx.doi.org/10.1109/tdmr.2019.2945996.
Texte intégralDuong, Q. H., L. Buchaillot, D. Collard, P. Schmitt, X. Lafontan, P. Pons, F. Flourens et F. Pressecq. « Thermal and electrostatic reliability characterization in RF MEMS switches ». Microelectronics Reliability 45, no 9-11 (septembre 2005) : 1790–93. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2005.07.095.
Texte intégralTazibt, W., P. Mialhe, J. P. Charles et M. A. Belkhir. « A junction characterization for microelectronic devices quality and reliability ». Microelectronics Reliability 48, no 3 (mars 2008) : 348–53. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2007.06.002.
Texte intégralMatmat, Mohamed, Fabio Coccetti, Antoine Marty, Robert Plana, Christophe Escriba, Jean-Yves Fourniols et Daniel Esteve. « Capacitive RF MEMS analytical predictive reliability and lifetime characterization ». Microelectronics Reliability 49, no 9-11 (septembre 2009) : 1304–8. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2009.06.049.
Texte intégralBernal, S., F. J. Botana, R. García, F. Ramírez et J. M. Rodríguez-Izquierdo. « Characterization of an experimental TPD-MS system. Reliability problems ». Thermochimica Acta 98 (février 1986) : 319–26. http://dx.doi.org/10.1016/0040-6031(86)87102-7.
Texte intégralDubey, Vaibhav, et Deepak Khushalani. « Reliability characterization of MEMS switch using MIM test structures ». Journal of Electrical Systems and Information Technology 1, no 3 (décembre 2014) : 187–97. http://dx.doi.org/10.1016/j.jesit.2014.12.002.
Texte intégralMartin, Andreas. « Review on the reliability characterization of plasma-induced damage ». Journal of Vacuum Science & ; Technology B : Microelectronics and Nanometer Structures 27, no 1 (2009) : 426. http://dx.doi.org/10.1116/1.3054356.
Texte intégralSuehle, J. S. « Ultrathin gate oxide reliability : physical models, statistics, and characterization ». IEEE Transactions on Electron Devices 49, no 6 (juin 2002) : 958–71. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2002.1003712.
Texte intégralLiu, Hongxia, et Yue Hao. « A new method of thin gate SiO2 reliability characterization ». Surface and Interface Analysis 34, no 1 (2002) : 437–40. http://dx.doi.org/10.1002/sia.1333.
Texte intégralLall, Pradeep, Michael Pecht et Edward B. Hakim. « Characterization of functional relationship between temperature and microelectronic reliability ». Microelectronics Reliability 35, no 3 (mars 1995) : 377–402. http://dx.doi.org/10.1016/0026-2714(95)93067-k.
Texte intégralDugan, M. Patrick. « Reliability characterization of a 3-mum cmos/sos process ». Quality and Reliability Engineering International 3, no 2 (avril 1987) : 99–105. http://dx.doi.org/10.1002/qre.4680030207.
Texte intégralSundresh, Tippure S. « Macroscopic characterization of software and its relationship to reliability ». Bell Labs Technical Journal 10, no 1 (5 mai 2005) : 169–74. http://dx.doi.org/10.1002/bltj.20086.
Texte intégralCalò, C., A. Lay-Ekuakille, P. Vergallo, C. Chiffi, A. Trotta, A. Fasanella et A. M. Fasanella. « Measurements and Characterization of Photovoltaic Modules for Tolerance Verification ». International Journal of Measurement Technologies and Instrumentation Engineering 1, no 2 (avril 2011) : 73–83. http://dx.doi.org/10.4018/ijmtie.2011040106.
Texte intégralRushdi, Ali Muhammad Ali, et Fares Ahmad Muhammad Ghaleb. « Reliability Characterization of Binary-Imaged Multi-State Coherent Threshold Systems ». International Journal of Mathematical, Engineering and Management Sciences 6, no 1 (29 octobre 2020) : 309–21. http://dx.doi.org/10.33889/ijmems.2021.6.1.020.
Texte intégralResch-Genger, Ute, et Paul C. DeRose. « Characterization of photoluminescence measuring systems (IUPAC Technical Report) ». Pure and Applied Chemistry 84, no 8 (4 juin 2012) : 1815–35. http://dx.doi.org/10.1351/pac-rep-10-07-07.
Texte intégralZaghloul, Usama, George J. Papaioannou, Bharat Bhushan, Fabio Coccetti, Patrick Pons et Robert Plana. « New insights into reliability of electrostatic capacitive RF MEMS switches ». International Journal of Microwave and Wireless Technologies 3, no 5 (1 septembre 2011) : 571–86. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078711000766.
Texte intégralShaddock, David, Liang Yin, Zhenzhen Shen, Zhangming Zhou et R. Wayne Johnson. « DIP Test Socket Characterization for 300°C ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2013, HITEN (1 janvier 2013) : 000213–19. http://dx.doi.org/10.4071/hiten-wa12.
Texte intégralPark, Heejin. « Reliability Evaluation Through Moisture Sorption Characterization of Electronic Packaging Materials ». Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A 37, no 9 (1 septembre 2013) : 1151–58. http://dx.doi.org/10.3795/ksme-a.2013.37.9.1151.
Texte intégralBruinsma, Wendy E., Thierry G. Guitton, Jon JP Warner et David Ring. « Interobserver Reliability of Classification and Characterization of Proximal Humeral Fractures ». Journal of Bone and Joint Surgery-American Volume 95, no 17 (septembre 2013) : 1600–1604. http://dx.doi.org/10.2106/jbjs.l.00586.
Texte intégralAMAGAI, Masazumi. « Chip Scale Package Solder Joint Reliability Modeling and Material Characterization. » Journal of Japan Institute of Electronics Packaging 3, no 1 (2000) : 45–56. http://dx.doi.org/10.5104/jiep.3.45.
Texte intégralMathew, Varughese, et Tu Anh Tran. « Characterization of Over Pad Metallization (OPM) for High Temperature Reliability ». International Symposium on Microelectronics 2012, no 1 (1 janvier 2012) : 001097–104. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2012-thp32.
Texte intégralDas, H., S. Sunkari, M. Domeij, A. Konstantinov, F. Allerstam et T. Neyer. « (Invited) Enabling SiC Yield and Reliability through Epitaxy and Characterization ». ECS Transactions 69, no 11 (2 octobre 2015) : 29–32. http://dx.doi.org/10.1149/06911.0029ecst.
Texte intégralYoung, C. D., K. Akarvardar, K. Matthews, M. O. Baykan, J. Pater, I. Ok, T. Ngai et al. « (Invited) Electrical Characterization and Reliability Assessment of Double-Gate FinFETs ». ECS Transactions 50, no 4 (15 mars 2013) : 201–6. http://dx.doi.org/10.1149/05004.0201ecst.
Texte intégralCheng, Y. L., W. Y. Chang, B. J. Wei, F. H. Lu et Y. L. Wang. « Electrical and Reliability Characterization of Ti/TiN Thin Film Resistor ». ECS Transactions 45, no 6 (27 avril 2012) : 81–90. http://dx.doi.org/10.1149/1.3700941.
Texte intégralTardibuono, Mark J. « Characterization of PCB plated‐through‐hole reliability using statistical analysis ». Circuit World 31, no 1 (mars 2005) : 8–15. http://dx.doi.org/10.1108/03056120510553176.
Texte intégralManzini, Stefano, et Mattia Rossetti. « Electrical Characterization and Reliability of Split-Gate High-Voltage Transistors ». IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 18, no 2 (juin 2018) : 279–83. http://dx.doi.org/10.1109/tdmr.2018.2828985.
Texte intégralKerber, Andreas, Tanya Nigam, Peter Paliwoda et Fernando Guarin. « Reliability Characterization of Ring Oscillator Circuits for Advanced CMOS Technologies ». IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 20, no 2 (juin 2020) : 230–41. http://dx.doi.org/10.1109/tdmr.2020.2981010.
Texte intégralHong, Sung-Jei, Jong-Woong Kim et Seung-Boo Jung. « Characterization of Reliability of Printed Indium Tin Oxide Thin Films ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 13, no 11 (1 novembre 2013) : 7770–73. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2013.7813.
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