Articles de revues sur le sujet « Quantum Dots - SiOx Matrix »
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Han, Li Hao, Jing Wang et Ren Rong Liang. « Germanium-Silicon Quantum Dots Produced by Pulsed Laser Deposition for Photovoltaic Applications ». Advanced Materials Research 383-390 (novembre 2011) : 6270–76. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.383-390.6270.
Texte intégralZhang, X. H., Soo Jin Chua, A. M. Yong, S. Y. Chow, H. Y. Yang, S. P. Lau, S. F. Yu et X. W. Sun. « Fabrication and Optical Properties of ZnO Quantum Dots ». Advanced Materials Research 31 (novembre 2007) : 71–73. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.31.71.
Texte intégralYazicioglu, Deniz, Sebastian Gutsch et Margit Zacharias. « (Invited) Size Controlled Silicon Quantum Dots : Understanding Basic Properties and Electronic Applications ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 20 (7 juillet 2022) : 1077. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01201077mtgabs.
Texte intégralZhang, X. H., S. J. Chua, A. M. Yong, S. Y. Chow, H. Y. Yang, S. P. Lau et S. F. Yu. « Exciton radiative lifetime in ZnO quantum dots embedded in SiOx matrix ». Applied Physics Letters 88, no 22 (29 mai 2006) : 221903. http://dx.doi.org/10.1063/1.2207848.
Texte intégralHuang, Jie, Jian Liang Jiang et Abdelkader Sabeur. « Application of Finite Difference Method in Modeling Quantum Dot Superlattice Silicon Tandem Solar Cell ». Advanced Materials Research 898 (février 2014) : 249–52. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.898.249.
Texte intégralKuryliuk, Vasyl, Andriy Nadtochiy, Oleg Korotchenkov, Chin-Chi Wang et Pei-Wen Li. « A model for predicting the thermal conductivity of SiO2–Ge nanoparticle composites ». Physical Chemistry Chemical Physics 17, no 20 (2015) : 13429–41. http://dx.doi.org/10.1039/c5cp00129c.
Texte intégralYi, Dong Kee. « Synthesis and Applications of Crack-Free SiO2 Monolith Containing CdSe/ZnS Quantum Dots as Passive Lighting Sources ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 8, no 9 (1 septembre 2008) : 4538–42. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2008.ic46.
Texte intégralSamanta, Arup, et Debajyoti Das. « Effect of RF power on the formation and size evolution of nC-Si quantum dots in an amorphous SiOx matrix ». Journal of Materials Chemistry 21, no 20 (2011) : 7452. http://dx.doi.org/10.1039/c1jm10443h.
Texte intégralXu, C. S., Y. C. Liu, R. Mu, C. Muntele et D. Ila. « Structural and optical properties of GaAs quantum dots formed in SiO2 matrix ». Materials Letters 61, no 14-15 (juin 2007) : 2875–78. http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2007.01.073.
Texte intégralSlunjski, R., P. Dubček, N. Radić, S. Bernstorff et B. Pivac. « Structure and transport properties of Ge quantum dots in a SiO2 matrix ». Journal of Physics D : Applied Physics 48, no 23 (14 mai 2015) : 235301. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/48/23/235301.
Texte intégralPark, Youngbin, Shinho Kim, Jihyun Moon, Jung Chul Lee et Yangdo Kim. « Investigation of Bonding Characteristics Between Si Quantum Dots and a SiO2 Matrix ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 12, no 2 (1 février 2012) : 1444–47. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2012.4676.
Texte intégralPANCHAL, A. K., D. K. RAI, M. MATHEW et C. S. SOLANKI. « SILICON QUANTUM DOTS GROWTH IN SiNx DIELECTRIC : A REVIEW ». Nano 04, no 05 (octobre 2009) : 265–79. http://dx.doi.org/10.1142/s1793292009001770.
Texte intégralChakdar, Dipankar, Abubakkar Siddik, Nikita Ghosh, Gautam Gope et Prabir Kumar Haldar. « Enhancement of Luminescence Behaviour of Colloidal ZnO Quantum Dots Coated with SiO2 Irradiated by Ni+7 Ion ». Advanced Science, Engineering and Medicine 12, no 2 (1 février 2020) : 278–83. http://dx.doi.org/10.1166/asem.2020.2497.
Texte intégralTong, Wanzhe, Dong Fang, Chongxi Bao, Songlin Tan, Yichun Liu, Fengxian Li, Xin You et al. « Enhancing mechanical properties of copper matrix composite by adding SiO2 quantum dots reinforcement ». Vacuum 195 (janvier 2022) : 110682. http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2021.110682.
Texte intégralAliberti, P., S. K. Shrestha, R. Teuscher, B. Zhang, M. A. Green et G. J. Conibeer. « Study of silicon quantum dots in a SiO2 matrix for energy selective contacts applications ». Solar Energy Materials and Solar Cells 94, no 11 (novembre 2010) : 1936–41. http://dx.doi.org/10.1016/j.solmat.2010.06.024.
Texte intégralMaikhuri, Deepti, S. P. Purohit et K. C. Mathur. « Linear and nonlinear intraband optical properties of ZnO quantum dots embedded in SiO2 matrix ». AIP Advances 2, no 1 (mars 2012) : 012160. http://dx.doi.org/10.1063/1.3693405.
Texte intégralPanigrahi, Shrabani, Ashok Bera et Durga Basak. « Ordered dispersion of ZnO quantum dots in SiO2 matrix and its strong emission properties ». Journal of Colloid and Interface Science 353, no 1 (janvier 2011) : 30–38. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcis.2010.09.055.
Texte intégralSharma, Prashant K., Ranu K. Dutta, Manvendra Kumar, Prashant K. Singh et Avinash C. Pandey. « Luminescence studies and formation mechanism of symmetrically dispersed ZnO quantum dots embedded in SiO2 matrix ». Journal of Luminescence 129, no 6 (juin 2009) : 605–10. http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.01.004.
Texte intégralTsang, W. M., V. Stolojan, B. J. Sealy, S. P. Wong et S. R. P. Silva. « Electron field emission properties of Co quantum dots in SiO2 matrix synthesised by ion implantation ». Ultramicroscopy 107, no 9 (septembre 2007) : 819–24. http://dx.doi.org/10.1016/j.ultramic.2007.02.013.
Texte intégralKnaup, Jan M., Márton Vörös, Peter Déak, Adam Gali, Thomas Frauenheim et Efthimios Kaxiras. « Annealing simulations to determine the matrix interface structure of SiC quantum dots embedded in SiO2 ». physica status solidi (c) 7, no 2 (février 2010) : 407–10. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200982428.
Texte intégralChu, Tien Dung, et Hoang Nam Nguyen. « Synthesis and Characteristics of Multifunctional Magneto-luminescent Nanoparticles by an Ultrasonic Wave-assisted Stӧber Method ». Journal of Physical Science 32, no 3 (25 novembre 2021) : 75–87. http://dx.doi.org/10.21315/jps2021.32.3.6.
Texte intégralChen, Xiaobo, et Peizhi Yang. « Preparation of B-doped Si quantum dots embedded in SiNx films for Si quantum dot solar cells ». International Journal of Modern Physics B 32, no 02 (16 janvier 2018) : 1850003. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979218500030.
Texte intégralZatsepin, A. F., et D. Yu Biryukov. « Temperature dependence of photoluminescence of semiconductor quantum dots upon indirect excitation in a SiO2 dielectric matrix ». Physics of the Solid State 57, no 8 (août 2015) : 1601–6. http://dx.doi.org/10.1134/s1063783415080363.
Texte intégralVörös, Márton, Adam Gali, Efthimios Kaxiras, Thomas Frauenheim et Jan M. Knaup. « Identification of defects at the interface between 3C-SiC quantum dots and a SiO2 embedding matrix ». physica status solidi (b) 249, no 2 (23 décembre 2011) : 360–67. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201100527.
Texte intégralNicoara, Adrian Ionut, Mihai Eftimie, Mihail Elisa, Ileana Cristina Vasiliu, Cristina Bartha, Monica Enculescu, Mihaela Filipescu et al. « Nanostructured PbS-Doped Inorganic Film Synthesized by Sol-Gel Route ». Nanomaterials 12, no 17 (30 août 2022) : 3006. http://dx.doi.org/10.3390/nano12173006.
Texte intégralMangold, H. Moritz, Helmut Karl et Hubert J. Krenner. « Site-Selective Ion Beam Synthesis and Optical Properties of Individual CdSe Nanocrystal Quantum Dots in a SiO2 Matrix ». ACS Applied Materials & ; Interfaces 6, no 3 (27 janvier 2014) : 1339–44. http://dx.doi.org/10.1021/am404227x.
Texte intégralDi, D., I. Perez-Wurfl, G. Conibeer et M. A. Green. « Formation and photoluminescence of Si quantum dots in SiO2/Si3N4 hybrid matrix for all-Si tandem solar cells ». Solar Energy Materials and Solar Cells 94, no 12 (décembre 2010) : 2238–43. http://dx.doi.org/10.1016/j.solmat.2010.07.018.
Texte intégralPodkolodnaya, Yuliya A., Alina A. Kokorina, Tatiana S. Ponomaryova, Olga A. Goryacheva, Daniil D. Drozd, Mikhail S. Khitrov, Lingting Huang, Zhichao Yu, Dianping Tang et Irina Yu Goryacheva. « Luminescent Composite Carbon/SiO2 Structures : Synthesis and Applications ». Biosensors 12, no 6 (6 juin 2022) : 392. http://dx.doi.org/10.3390/bios12060392.
Texte intégralMikhaylov, A. N., D. I. Tetelbaum, V. A. Burdov, O. N. Gorshkov, A. I. Belov, D. A. Kambarov, V. A. Belyakov, V. K. Vasiliev, A. I. Kovalev et D. M. Gaponova. « Effect of Ion Doping with Donor and Acceptor Impurities on Intensity and Lifetime of Photoluminescence from SiO2 Films with Silicon Quantum Dots ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 8, no 2 (1 février 2008) : 780–88. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2008.a067.
Texte intégralDallali, Lobna, Sihem Jaziri, Jamal el Haskouri, Pedro Amorós et Juan Martínez-Pastor. « Energy of excitons and acceptor–exciton complexes to explain the origin of ultraviolet photoluminescence in ZnO quantum dots embedded in a SiO2 matrix ». Solid State Communications 151, no 11 (juin 2011) : 822–25. http://dx.doi.org/10.1016/j.ssc.2011.03.024.
Texte intégralLingalugari, Murali, Evan Heller, Barath Parthasarathy, John Chandy et Faquir Jain. « Quantum Dot Floating Gate Nonvolatile Random Access Memory Using Ge Quantum Dot Channel for Faster Erasing ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 27, no 01n02 (mars 2018) : 1840006. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156418400062.
Texte intégralMakaino, Akinori, Yuta Tanaka et Koichi Yamaguchi. « Molecular beam deposition of high-density InAs quantum dots on SiOx films ». Japanese Journal of Applied Physics 58, SD (16 mai 2019) : SDDF07. http://dx.doi.org/10.7567/1347-4065/ab0def.
Texte intégralBaran, M., L. Khomenkova, N. Korsunska, T. Stara, M. Sheinkman, Y. Goldstein, J. Jedrzejewski et E. Savir. « Investigation of aging process of Si–SiOx structures with silicon quantum dots ». Journal of Applied Physics 98, no 11 (décembre 2005) : 113515. http://dx.doi.org/10.1063/1.2134887.
Texte intégralDas, Debajyoti, et Arup Samanta. « Size effect on electronic transport in nC–Si/SiOx core/shell quantum dots ». Materials Research Bulletin 47, no 11 (novembre 2012) : 3625–29. http://dx.doi.org/10.1016/j.materresbull.2012.06.051.
Texte intégralKumar, Sandeep, et Laxmi Kishore Sagar. « CdSe quantum dots in a columnar matrix ». Chemical Communications 47, no 44 (2011) : 12182. http://dx.doi.org/10.1039/c1cc15633k.
Texte intégralSonawane, R. S., S. D. Naik, S. K. Apte, M. V. Kulkarni et B. B. Kale. « CdS/CdSSe quantum dots in glass matrix ». Bulletin of Materials Science 31, no 3 (juin 2008) : 495–99. http://dx.doi.org/10.1007/s12034-008-0077-2.
Texte intégralKondo, Jun, Murali Lingalugari, Pik-Yiu Chan, Evan Heller et Faquir Jain. « Modeling and Fabrication of Quantum Dot Channel Field Effect Transistors Incorporating Quantum Dot Gate ». MRS Proceedings 1551 (2013) : 149–54. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.899.
Texte intégralKhan, Madihah, Alyxandra Thiessen, I. Teng Cheong, Sarah Milliken et Jonathan G. C. Veinot. « Investigation of Silicon Nanoparticle-Polystyrene Hybrids ». Alberta Academic Review 2, no 2 (15 septembre 2019) : 49–50. http://dx.doi.org/10.29173/aar60.
Texte intégralDing, Kaining, Urs Aeberhard, Oleksandr Astakhov, Uwe Breuer, Maryam Beigmohamadi, Stephan Suckow, Birger Berghoff et al. « Defect passivation by hydrogen reincorporation for silicon quantum dots in SiC/SiOx hetero-superlattice ». Journal of Non-Crystalline Solids 358, no 17 (septembre 2012) : 2145–49. http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2011.12.092.
Texte intégralLuna-López, José Alberto, G. Garcia-Salgado, J. Carrillo-López, Dianeli E. Vázquez-Valerdi, A. Ponce-Pedraza, T. Díaz-Becerril, F. J. Flores Gracia et A. Morales-Sánchez. « Si Nanocrystals Deposited by HFCVD ». Solid State Phenomena 194 (novembre 2012) : 204–8. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.194.204.
Texte intégralSalata, O. V., P. J. Dobson, P. J. Hull et J. L. Hutchison. « Uniform GaAs quantum dots in a polymer matrix ». Applied Physics Letters 65, no 2 (11 juillet 1994) : 189–91. http://dx.doi.org/10.1063/1.112667.
Texte intégralAl-Nashy, B., et Amin H. Al-Khursan. « Completely inhomogeneous density-matrix theory for quantum-dots ». Optical and Quantum Electronics 41, no 14-15 (décembre 2009) : 989–95. http://dx.doi.org/10.1007/s11082-010-9411-1.
Texte intégralRee, D. D., V. G. Mansurov et K. S. Zhuravlev. « Photoluminescence of GaN quantum dots in AlN matrix ». Microelectronic Engineering 81, no 2-4 (août 2005) : 251–54. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2005.03.015.
Texte intégralJain, F., R. H. Gudlavalleti, R. Mays, B. Saman, J. Chandy et E. Heller. « Modeling of Quantum Dot Channel (QDC) Si FETs at Sub-Kelvin for Multi-State Logic ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 29, no 01n04 (mars 2020) : 2040017. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156420400170.
Texte intégralVERMA, ABHISHEK, P. K. PANDEY, J. KUMAR, S. NAGPAL, P. K. BHATNAGAR et P. C. MATHUR. « GROWTH DYNAMICS OF II–VI COMPOUND SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS EMBEDDED IN BOROSILICATE GLASS MATRIX ». International Journal of Nanoscience 07, no 02n03 (avril 2008) : 151–60. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x08005250.
Texte intégralMa, Jun, Yujie Yuan et Ping Sun. « Approaching 23% silicon heterojunction solar cells with dual-functional SiOx/MoS2 quantum dots interface layers ». Solar Energy Materials and Solar Cells 227 (août 2021) : 111110. http://dx.doi.org/10.1016/j.solmat.2021.111110.
Texte intégralDan’ko, V. A., S. O. Zlobin, I. Z. Indutnyi, I. P. Lisovskyy, V. G. Litovchenko, K. V. Michailovska, P. E. Shepeliavyi et E. V. Begun. « PROPERTIES OF SI QUANTUM DOTS/SIOX POROUS FILM STRUC- TURES SYNTHESIZED USING THE HYDROFLUORIC TECHNOLOGY ». Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering, no 4 (16 mars 2015) : 52. http://dx.doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-52-57.
Texte intégralRUFO, SALVADOR, MITRA DUTTA et MICHAEL A. STROSCIO. « THE INFLUENCE OF ENVIRONMENTAL EFFECTS ON THE ACOUSTIC PHONON SPECTRA IN QUANTUM-DOT HETEROSTRUCTURES ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, no 04 (décembre 2002) : 1147–58. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156402001964.
Texte intégralMASUMOTO, YASUAKI. « PERSISTENT SPECTRAL HOLE-BURNING IN SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS ». Surface Review and Letters 03, no 01 (février 1996) : 143–50. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x96000292.
Texte intégralZhang, Jian, et Jia Wei Sheng. « Copper Quantum Dots Formation in a Borosilicate Glass ». Journal of Nano Research 32 (mai 2015) : 66–70. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/jnanor.32.66.
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