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Arif, M. S., S. M. Ayob et Z. Salam. « Asymmetrical Nine-Level Inverter Topology with Reduce Power Semicondutor Devices ». TELKOMNIKA (Telecommunication Computing Electronics and Control) 16, no 1 (1 février 2018) : 38. http://dx.doi.org/10.12928/telkomnika.v16i1.8520.
Texte intégralZhang Dongyun, 张冬云, 谢印开 Xie Yinkai, 李丛洋 Li Congyang, 曹玄扬 Cao Xuanyang et 徐仰立 Xu Yangli. « Simulation and Optimization of High Power Semicondutor Laser Microchannel Heat Sink ». Chinese Journal of Lasers 44, no 2 (2017) : 0202008. http://dx.doi.org/10.3788/cjl201744.0202008.
Texte intégralChiu, Yu Sheng, Quang Ho Luc, Yueh Chin Lin, Jui Chien Huang, Chang Fu Dee, Burhanuddin Yeop Majlis et Edward Yi Chang. « Evaluation of AlGaN/GaN metal–oxide–semicondutor high-electron mobility transistors with plasma-enhanced atomic layer deposition HfO2/AlN date dielectric for RF power applications ». Japanese Journal of Applied Physics 56, no 9 (24 août 2017) : 094101. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.56.094101.
Texte intégralZhang, Yuqian. « The Application of Third Generation Semiconductor in Power Industry ». E3S Web of Conferences 198 (2020) : 04011. http://dx.doi.org/10.1051/e3sconf/202019804011.
Texte intégralTREW, R. J., et M. W. SHIN. « HIGH FREQUENCY, HIGH TEMPERATURE FIELD-EFFECT TRANSISTORS FABRICATED FROM WIDE BAND GAP SEMICONDUCTORS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 06, no 01 (mars 1995) : 211–36. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156495000067.
Texte intégralRibeiro, Vander Alkmin dos Santos, Valesca Donizete de Oliveira, Rero Marques Rubinger, Adhimar Flávio Oliveira et Claudiney Sales Pereira Mendonça. « Síntese, caracterização magnética e elétrica da ferrita de aluminato de cobre ». Research, Society and Development 10, no 8 (13 juillet 2021) : e31210817314. http://dx.doi.org/10.33448/rsd-v10i8.17314.
Texte intégralValentine, Nathan, Diganta Das, Bhanu Sood et Michael Pecht. « Failure Analyses of Modern Power Semiconductor Switching Devices ». International Symposium on Microelectronics 2015, no 1 (1 octobre 2015) : 000690–95. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2015-tha56.
Texte intégralHasan, Md Nazmul, Edward Swinnich et Jung-Hun Seo. « Recent Progress in Gallium Oxide and Diamond Based High Power and High-Frequency Electronics ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 28, no 01n02 (mars 2019) : 1940004. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156419400044.
Texte intégralŠtěpánek, Jan, Luboš Streit et Tomáš Komrska. « Comparison of Si and SiC based Power Converter Module of 150 kVA for Power System Applications ». TRANSACTIONS ON ELECTRICAL ENGINEERING 7, no 1 (30 mars 2020) : 10–13. http://dx.doi.org/10.14311/tee.2018.1.010.
Texte intégralChi, Zeyu, Jacob J. Asher, Michael R. Jennings, Ekaterine Chikoidze et Amador Pérez-Tomás. « Ga2O3 and Related Ultra-Wide Bandgap Power Semiconductor Oxides : New Energy Electronics Solutions for CO2 Emission Mitigation ». Materials 15, no 3 (2 février 2022) : 1164. http://dx.doi.org/10.3390/ma15031164.
Texte intégralKim, Kyunghun, Hocheon Yoo et Eun Kwang Lee. « New Opportunities for Organic Semiconducting Polymers in Biomedical Applications ». Polymers 14, no 14 (21 juillet 2022) : 2960. http://dx.doi.org/10.3390/polym14142960.
Texte intégralSilva, Paula Vanessa da, Maria Cleide Azevedo Braz, André Hayato Saguchi, Diego Portes Vieira Leite et Ângela Toshie Araki Yamamoto. « Uso do tanino como fotossensibilizador na terapia fotodinâmica contra Enterococcus faecalis ». Research, Society and Development 10, no 11 (4 septembre 2021) : e370101119440. http://dx.doi.org/10.33448/rsd-v10i11.19440.
Texte intégralSetera, Brett, et Aristos Christou. « Challenges of Overcoming Defects in Wide Bandgap Semiconductor Power Electronics ». Electronics 11, no 1 (22 décembre 2021) : 10. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11010010.
Texte intégralLin, Chih-Hsuan, et Kuei-Ann Wen. « Power Pad Based on Structure Stacking for Ultralow-Power Three-Axis Capacitive Sensing Applications ». Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 16, no 4 (1 avril 2021) : 630–41. http://dx.doi.org/10.1166/jno.2021.2982.
Texte intégralJensen, Tim, et David L. Saums. « Metallic TIM Testing and Selection for Harsh Environment Applications for GaN RF Semiconductors ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2016, HiTEC (1 janvier 2016) : 000079–86. http://dx.doi.org/10.4071/2016-hitec-79.
Texte intégralLu, Yuzheng, Youquan Mi, Junjiao Li, Fenghua Qi, Senlin Yan et Wenjing Dong. « Recent Progress in Semiconductor-Ionic Conductor Nanomaterial as a Membrane for Low-Temperature Solid Oxide Fuel Cells ». Nanomaterials 11, no 9 (3 septembre 2021) : 2290. http://dx.doi.org/10.3390/nano11092290.
Texte intégralOstapchuk, Mikhail, Dmitry Shishov, Daniil Shevtsov et Sergey Zanegin. « Research of Static and Dynamic Properties of Power Semiconductor Diodes at Low and Cryogenic Temperatures ». Inventions 7, no 4 (18 octobre 2022) : 96. http://dx.doi.org/10.3390/inventions7040096.
Texte intégralNakayama, Yasuo, Ryohei Tsuruta et Tomoyuki Koganezawa. « ‘Molecular Beam Epitaxy’ on Organic Semiconductor Single Crystals : Characterization of Well-Defined Molecular Interfaces by Synchrotron Radiation X-ray Diffraction Techniques ». Materials 15, no 20 (13 octobre 2022) : 7119. http://dx.doi.org/10.3390/ma15207119.
Texte intégralLi, Zhigang, Xiangke Cui, Xiaowei Wang, Zongpeng Wang, Minghu Fang, Shangshen Feng, Yanping Liu et al. « Plasmon-induced super-semiconductor at room temperature in nanostructured bimetallic arrays ». Applied Physics Reviews 9, no 2 (juin 2022) : 021412. http://dx.doi.org/10.1063/5.0087808.
Texte intégralSchneider, Germar, Thi Quynh Nguyen, Matthias Taubert, Julien Bounouar, Catherine Le-Guet, Andreas Leibold, Helene Richter et Markus Pfeffer. « Contamination Control for Wafer Container Used within 300 mm Manufacturing for Power Microelectronics ». Solid State Phenomena 255 (septembre 2016) : 381–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.255.381.
Texte intégralFunaki, Tsuyoshi, Kazuya Kodama, Hitoshi Umezawa et Shinichi Shikata. « Characterization of Fast Switching Capability for Diamond Schottky Barrier Diode ». Materials Science Forum 679-680 (mars 2011) : 820–23. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.820.
Texte intégralLee, Gi-Young, Min-Shin Cho et Rae-Young Kim. « Lumped Parameter Modeling Based Power Loop Analysis Technique of Power Circuit Board with Wide Conduction Area for WBG Semiconductors ». Electronics 10, no 14 (18 juillet 2021) : 1722. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10141722.
Texte intégralZHANG Shuhong, 张树宏, 云恩学 YUN Peter, 杨涛 YANG Tao, 郝强 HAO Qiang et 王鑫 WANG Xin. « 用于原子钟的半导体激光器功率稳定研究 ». ACTA PHOTONICA SINICA 50, no 9 (2021) : 0914002. http://dx.doi.org/10.3788/gzxb20215009.0914002.
Texte intégralPeng Zhang, Peng Zhang, Teli Dai Teli Dai, Yu Wu Yu Wu, Yanhai Ni Yanhai Ni, Yong Zhou Yong Zhou, Li Qin Li Qin, Yiping Liang Yiping Liang et Siqiang Fan Siqiang Fan. « Substrate-removed semiconductor disk laser with 0.6 W output power ». Chinese Optics Letters 10, s1 (2012) : S11401–311403. http://dx.doi.org/10.3788/col201210.s11401.
Texte intégralRachmady, Willy, James Blackwell, Gilbert Dewey, Mantu Hudait, Marko Radosavljevic, Robert Turkot Jr. et Robert Chau. « Surface Preparation and Passivation of III-V Substrates for Future Ultra-High Speed, Low Power Logic Applications ». Solid State Phenomena 145-146 (janvier 2009) : 165–67. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.145-146.165.
Texte intégralD., Nirmal. « HIGH PERFORMANCE FLEXIBLE NANOPARTICLES BASED ORGANIC ELECTRONICS ». December 2019 2019, no 02 (24 décembre 2019) : 99–106. http://dx.doi.org/10.36548/jei.2019.2.005.
Texte intégralVOGLER, THOMAS, et DIERK SCHRÖDER. « PHYSICAL MODELING OF POWER SEMICONDUCTORS FOR THE CAE-DESIGN OF POWER ELECTRONIC CIRCUITS ». Journal of Circuits, Systems and Computers 05, no 03 (septembre 1995) : 411–28. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126695000254.
Texte intégralZhou, Dao, Yingzhou Peng, Francesco Iannuzzo, Michael Hartmann et Frede Blaabjerg. « Thermal Mapping of Power Semiconductors in H-Bridge Circuit ». Applied Sciences 10, no 12 (24 juin 2020) : 4340. http://dx.doi.org/10.3390/app10124340.
Texte intégralGyan, Michael, Joseph Parbby et Francis E. Botchey. « Enhanced Third Generation Semiconductor Material-Based Solar Cell Efficiency by Piezo-Phototronic Effect ». 1, no 1 (17 mars 2022) : 70–76. http://dx.doi.org/10.26565/2312-4334-2022-1-10.
Texte intégralMorgan, Adam, Ankan De, Haotao Ke, Xin Zhao, Kasunaidu Vechalapu, Douglas C. Hopkins et Subhashish Bhattacharya. « A Robust, Composite Packaging Approach for a High Voltage 6.5kV IGBT and Series Diode ». International Symposium on Microelectronics 2015, no 1 (1 octobre 2015) : 000359–64. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2015-wp17.
Texte intégralЧэн, Чаншань, et Антон Александрович Голянин. « Designing a Cooler With Natural Cold for A 100 kW Semiconductor Power Converter ». Bulletin of Science and Practice, no 8 (15 août 2022) : 317–24. http://dx.doi.org/10.33619/2414-2948/81/34.
Texte intégralYang, Allen Jian, Kun Han, Ke Huang, Chen Ye, Wen Wen, Ruixue Zhu, Rui Zhu et al. « Van der Waals integration of high-κ perovskite oxides and two-dimensional semiconductors ». Nature Electronics 5, no 4 (avril 2022) : 233–40. http://dx.doi.org/10.1038/s41928-022-00753-7.
Texte intégralMarchat, Clément, James P. Connolly, Jean-Paul Kleider, José Alvarez, Lejo J. Koduvelikulathu et Jean Baptiste Puel. « KPFM surface photovoltage measurement and numerical simulation ». EPJ Photovoltaics 10 (2019) : 3. http://dx.doi.org/10.1051/epjpv/2019002.
Texte intégralBoettcher, Lars, Lars Boettcher, S. Karaszkiewicz, D. Manessis et A. Ostmann. « Embedded Power Modules – A new approach using Power Core and High Power PCB ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2015, DPC (1 janvier 2015) : 000906–37. http://dx.doi.org/10.4071/2015dpc-tp42.
Texte intégralHan Jinliang, 韩金樑, 张俊 Zhang Jun, 单肖楠 Shan Xiaonan, 秦莉 Qin Li et 王立军 Wang Lijun. « 基于半导体激光合束技术的高功率加热光源 ». Acta Optica Sinica 41, no 22 (2021) : 2214001. http://dx.doi.org/10.3788/aos202141.2214001.
Texte intégralKim, In Yea, Gi hwan Lim, Chae Yoon Kim, Min-Jeong Lee, Jaehun Kim, Dong Hyun Kim et Jae-Hong Lim. « Fabrication and Characterization of Conductive FeCo@Au Nanowire Alloys for Semiconductor Connector ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 17 (9 octobre 2022) : 856. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-0217856mtgabs.
Texte intégralSamedov, Victor V. « Induced Charge Fluctuations in Semiconductor Detectors with a Cylindrical Geometry ». EPJ Web of Conferences 170 (2018) : 01014. http://dx.doi.org/10.1051/epjconf/201817001014.
Texte intégralChen, Cheng, Meixiao Wang, Jinxiong Wu, Huixia Fu, Haifeng Yang, Zhen Tian, Teng Tu et al. « Electronic structures and unusually robust bandgap in an ultrahigh-mobility layered oxide semiconductor, Bi2O2Se ». Science Advances 4, no 9 (septembre 2018) : eaat8355. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.aat8355.
Texte intégralHagmann, Mark J., Dmitry A. Yarotski et Marwan S. Mousa. « Microwave Frequency Comb from a Semiconductor in a Scanning Tunneling Microscope ». Microscopy and Microanalysis 23, no 2 (20 décembre 2016) : 443–48. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927616012563.
Texte intégralFesenko, Artem, Oleksandr Matiushkin, Oleksandr Husev, Dmitri Vinnikov, Ryszard Strzelecki et Piotr Kołodziejek. « Design and Experimental Validation of a Single-Stage PV String Inverter with Optimal Number of Interleaved Buck-Boost Cells ». Energies 14, no 9 (25 avril 2021) : 2448. http://dx.doi.org/10.3390/en14092448.
Texte intégralStrandjord, Andrew, Thorsten Teutsch, Axel Scheffler, Bernd Otto, Anna Paat, Oscar Alinabon et Jing Li. « Wafer Level Packaging of Compound Semiconductors ». Journal of Microelectronics and Electronic Packaging 7, no 3 (1 juillet 2010) : 152–59. http://dx.doi.org/10.4071/imaps.263.
Texte intégralSiva Subramanian, S., R. Saravanakumar, Bibhu Prasad Ganthia, S. Kaliappan, Surafel Mustefa Beyan, Maitri Mallick, Monalisa Mohanty et G. Pavithra. « A Comprehensive Examination of Bandgap Semiconductor Switches ». Advances in Materials Science and Engineering 2021 (25 septembre 2021) : 1–8. http://dx.doi.org/10.1155/2021/3188506.
Texte intégralKizilyalli, Isik C., Olga Blum Spahn et Eric P. Carlson. « (Invited) Recent Progress in Wide-Bandgap Semiconductor Devices for a More Electric Future ». ECS Transactions 109, no 8 (30 septembre 2022) : 3–12. http://dx.doi.org/10.1149/10908.0003ecst.
Texte intégralGarkavenko, A. S., V. A. Mokritsky, O. V. Maslov et A. V. Sokolov. « Nature of Degradation in Semiconductor Lasers with Electronic Energy Pumping. Theoretical Background ». Science & ; Technique 19, no 4 (5 août 2020) : 311–19. http://dx.doi.org/10.21122/2227-1031-2020-19-4-311-319.
Texte intégralKizilyalli, Isik C., Olga Blum Spahn et Eric P. Carlson. « (Invited) Recent Progress in Wide-Bandgap Semiconductor Devices for a More Electric Future ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 37 (9 octobre 2022) : 1344. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02371344mtgabs.
Texte intégralHenning, Stephan W., Luke Jenkins, Sidni Hale, Christopher G. Wilson, John Tennant, Justin Moses, Mike Palmer et Robert N. Dean. « Manual Assembly of 400um Bumped-Die GaN Power Semiconductor Devices ». International Symposium on Microelectronics 2012, no 1 (1 janvier 2012) : 000514–23. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2012-poster_hale.
Texte intégralChromy, Stephan, Kai Rathjen, Sebastian Fahlbusch, Klaus F. Hoffmann et Stefan Dickmann. « Influence of an Electrically Non-Conducting Heat Sink for Power Semiconductors on Radiated Interferences ». Advances in Radio Science 16 (4 septembre 2018) : 117–22. http://dx.doi.org/10.5194/ars-16-117-2018.
Texte intégralBRATANOVSKII, Sergei, Yerdos AMANKULOV et Ilya MEDVEDEV. « MULTI-POINTED FIELD-EMISSION CATHODE AS A GENERATOR OF HIGHFREQUENCY OSCILLATIONS ». Periódico Tchê Química 17, no 36 (20 décembre 2020) : 542–53. http://dx.doi.org/10.52571/ptq.v17.n36.2020.557_periodico36_pgs_542_553.pdf.
Texte intégralRoccaforte, Fabrizio, Giuseppe Greco, Patrick Fiorenza et Ferdinando Iucolano. « An Overview of Normally-Off GaN-Based High Electron Mobility Transistors ». Materials 12, no 10 (15 mai 2019) : 1599. http://dx.doi.org/10.3390/ma12101599.
Texte intégralPlesca, Adrian. « Thermal Analysis of Power Semiconductor Device in Steady-State Conditions ». Energies 13, no 1 (24 décembre 2019) : 103. http://dx.doi.org/10.3390/en13010103.
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