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Parker-Allotey, Nii Adotei, Dean P. Hamilton, Olayiwola Alatise, Michael R. Jennings, Philip A. Mawby, Rob Nash et Rob Magill. « Improved Energy Efficiency Using an IGBT/SiC-Schottky Diode Pair ». Materials Science Forum 717-720 (mai 2012) : 1147–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1147.
Texte intégralBumai, Yurii, Aleh Vaskou et Valerii Kononenko. « Measurement and Analysis of Thermal Parameters and Efficiency of Laser Heterostructures and Light-Emitting Diodes ». Metrology and Measurement Systems 17, no 1 (1 janvier 2010) : 39–45. http://dx.doi.org/10.2478/v10178-010-0004-x.
Texte intégralLiu, Hai Rui, et Jun Sheng Yu. « Characterization of Metal-Semiconductor Schottky Diodes and Application on THz Detection ». Advanced Materials Research 683 (avril 2013) : 729–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.683.729.
Texte intégralLi, Zai Jin, Yi Qu, Te Li, Peng Lu, Bao Xue Bo, Guo Jun Liu et Xiao Hui Ma. « The Characteristics of Facet Coatings on Diode Lasers ». Advanced Materials Research 1089 (janvier 2015) : 202–5. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1089.202.
Texte intégralAl-Rawashdeh, Ayman Yasseen, Mikhail Pavlovich Dunayev, Khalaf Y. Alzyoud et Sarfaroz U. Dovudov. « Calculation of power losses in a frequency inverter ». International Journal of Power Electronics and Drive Systems (IJPEDS) 15, no 3 (1 septembre 2024) : 1331. http://dx.doi.org/10.11591/ijpeds.v15.i3.pp1331-1338.
Texte intégralShurenkov, V. V. « On the Physical Mechanism of the Interaction of the Microwave Radiation with the Semiconductor Diodes ». Advanced Materials Research 1016 (août 2014) : 521–25. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1016.521.
Texte intégralSu, Xinran. « The Retrospect and Prospect of GaN-Based Schottky Diode ». Journal of Physics : Conference Series 2381, no 1 (1 décembre 2022) : 012119. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2381/1/012119.
Texte intégralZemliak, Alexander, et Eugene Machusky. « Analysis of Electrical and Thermal Models for Pulsed IMPATT Diode Simulation ». WSEAS TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS 20 (12 juillet 2021) : 156–65. http://dx.doi.org/10.37394/23201.2021.20.19.
Texte intégralOstapchuk, Mikhail, Dmitry Shishov, Daniil Shevtsov et Sergey Zanegin. « Research of Static and Dynamic Properties of Power Semiconductor Diodes at Low and Cryogenic Temperatures ». Inventions 7, no 4 (18 octobre 2022) : 96. http://dx.doi.org/10.3390/inventions7040096.
Texte intégralKolesnikov, Maksim, M. Kharchenko, V. Dorohov et Konstantin Zolnikov. « Application of semiconductor electronics products in extreme conditions ». Modeling of systems and processes 16, no 1 (29 mars 2023) : 46–56. http://dx.doi.org/10.12737/2219-0767-2023-16-1-46-56.
Texte intégralGrekhov, Igor' V., et Gennadii A. Mesyats. « Nanosecond semiconductor diodes for pulsed power switching ». Physics-Uspekhi 48, no 7 (31 juillet 2005) : 703–12. http://dx.doi.org/10.1070/pu2005v048n07abeh002471.
Texte intégralGrehov, Igor' V., et Gennadii A. Mesyats. « Nanosecond semiconductor diodes for pulsed power switching ». Uspekhi Fizicheskih Nauk 175, no 7 (2005) : 735. http://dx.doi.org/10.3367/ufnr.0175.200507c.0735.
Texte intégralAlatise, Olayiwola, Arkadeep Deb, Erfan Bashar, Jose Ortiz Gonzalez, Saeed Jahdi et Walid Issa. « A Review of Power Electronic Devices for Heavy Goods Vehicles Electrification : Performance and Reliability ». Energies 16, no 11 (28 mai 2023) : 4380. http://dx.doi.org/10.3390/en16114380.
Texte intégralPlesca, Adrian, et Lucian Mihet-Popa. « Thermal Analysis of Power Rectifiers in Steady-State Conditions ». Energies 13, no 8 (15 avril 2020) : 1942. http://dx.doi.org/10.3390/en13081942.
Texte intégralZemliak, Alexander. « Models for IMPATT Diode Analysis and Optimization ». WSEAS TRANSACTIONS ON COMMUNICATIONS 21 (30 juin 2022) : 215–24. http://dx.doi.org/10.37394/23204.2022.21.26.
Texte intégralKarushkin, M. F. « Frequency multipliers on semiconductor diode structures ». Технология и конструирование в электронной аппаратуре, no 3 (2018) : 22–37. http://dx.doi.org/10.15222/tkea2018.3.22.
Texte intégralMecke, R. « Multilevel inverter with active clamping diodes for energy efficiency improvement ». Renewable Energy and Power Quality Journal 20 (septembre 2022) : 138–42. http://dx.doi.org/10.24084/repqj20.245.
Texte intégralIvanov A.S., Pavelyev D.G., Obolensky S.V. et Obolenskaya E.S. « Radiation hardness of subterahertz radiation source based on heterodyne on Gunn diode generator and superlattice multiplier ». Technical Physics 92, no 13 (2022) : 2071. http://dx.doi.org/10.21883/tp.2022.13.52223.133-21.
Texte intégralKitabatake, M., J. Sameshima, Osamu Ishiyama, K. Tamura, H. Ohshima, N. Sigiyama, Y. Yamashita, T. Tanaka, J. Senzaki et H. Matsuhata. « The Integrated Evaluation Platform for SiC Wafers and Epitaxial Films ». Materials Science Forum 740-742 (janvier 2013) : 451–54. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.451.
Texte intégralSharma, Sonia, Rahul Rishi, Chander Prakash, Kuldeep K. Saxena, Dharam Buddhi et N. Ummal Salmaan. « Characterization and Performance Evaluation of PIN Diodes and Scope of Flexible Polymer Composites for Wearable Electronics ». International Journal of Polymer Science 2022 (13 septembre 2022) : 1–10. http://dx.doi.org/10.1155/2022/8331886.
Texte intégralHarada, T., S. Ito et A. Tsukazaki. « Electric dipole effect in PdCoO2/β-Ga2O3 Schottky diodes for high-temperature operation ». Science Advances 5, no 10 (octobre 2019) : eaax5733. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.aax5733.
Texte intégralИванов, А. С., Д. Г. Павельев, С. В. Оболенский et Е. С. Оболенская. « Радиационная стойкость источника субтерагерцового излучения из гетеродина на генераторе на диоде Ганна и умножителя на полупроводниковой сверхрешетке ». Журнал технической физики 91, no 10 (2021) : 1501. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2021.10.51362.133-21.
Texte intégralZakutayev, Andriy. « (Invited) Ga2O3 Semiconductor Devices for High-Temperature Operation ». ECS Meeting Abstracts MA2024-01, no 32 (9 août 2024) : 1558. http://dx.doi.org/10.1149/ma2024-01321558mtgabs.
Texte intégralShenai, Krishna, et Abhiroop Chattopadhyay. « Optimization of High-Voltage Wide Bandgap Semiconductor Power Diodes ». IEEE Transactions on Electron Devices 62, no 2 (février 2015) : 359–65. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2014.2371775.
Texte intégralKim, Junghun, et Kwangsoo Kim. « 4H-SiC Double-Trench MOSFET with Side Wall Heterojunction Diode for Enhanced Reverse Recovery Performance ». Energies 13, no 18 (4 septembre 2020) : 4602. http://dx.doi.org/10.3390/en13184602.
Texte intégralSticklus, Jan, Peter Adam Hoeher et Martin Hieronymi. « Experimental Characterization of Single-Color Power LEDs Used as Photodetectors ». Sensors 20, no 18 (11 septembre 2020) : 5200. http://dx.doi.org/10.3390/s20185200.
Texte intégralNakayama, Koji, Takeharu Kuroiwa et Hiroshi Yamaguchi. « 13 kV SiC-DMOSFETs and body diodes for HVDC MMC converters ». Japanese Journal of Applied Physics 61, no 1 (22 décembre 2021) : 014001. http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ac3725.
Texte intégralDuyen-Thi Nguyen, Khanh Nguyen, Duc-Minh Truong et Huy-Binh Do. « Electrical Properties of GaN/Ga2O3 P-N Junction Diodes : A TCAD Study ». Journal of Technical Education Science 19, SI03 (28 août 2024) : 7–12. http://dx.doi.org/10.54644/jte.2024.1481.
Texte intégralLau, Wai Shing. « Mechanism of Reverse Leakage Current in Schottky Diode Fabricated on Large Bandgap Semiconductors like Ga2O3 or Diamond Part II ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 31 (7 juillet 2022) : 1323. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01311323mtgabs.
Texte intégralDas, Mrinal K., David Grider, Scott Leslie, Ravi Raju, Michael Schutten et Allen Hefner. « 10 kV SiC Power MOSFETs and JBS Diodes : Enabling Revolutionary Module and Power Conversion Technologies ». Materials Science Forum 717-720 (mai 2012) : 1225–28. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1225.
Texte intégralMajdoul, Radouane, Abelwahed Touati, Abderrahmane Ouchatti, Abderrahim Taouni et Elhassane Abdelmounim. « A nine-switch nine-level converter new topology with optimal modulation control ». International Journal of Power Electronics and Drive Systems (IJPEDS) 12, no 2 (1 juin 2021) : 932. http://dx.doi.org/10.11591/ijpeds.v12.i2.pp932-942.
Texte intégralIvanov, Pavel A., et Igor V. Grekhov. « Subnanosecond Semiconductor Opening Switch Based on 4H-SiC Junction Diode ». Materials Science Forum 740-742 (janvier 2013) : 865–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.865.
Texte intégralLAUDATU, OVIDIU-DORIN, DRAGOS NICULAE, MIHAI IORDACHE, MARIA-LAVINIA BOBARU et MARILENA STĂNCULESCU. « EXPERIMENTAL ANALYSIS OF POWER SEMICONDUCTOR ELEMENTS USED IN FLYBACK CONVERTERS ». REVUE ROUMAINE DES SCIENCES TECHNIQUES — SÉRIE ÉLECTROTECHNIQUE ET ÉNERGÉTIQUE 69, no 1 (4 avril 2024) : 67–72. http://dx.doi.org/10.59277/rrst-ee.2024.1.12.
Texte intégralLeppänen, J., G. Ross, V. Vuorinen, J. Ingman, J. Jormanainen et M. Paulasto-Kröckel. « A humidity-induced novel failure mechanism in power semiconductor diodes ». Microelectronics Reliability 123 (août 2021) : 114207. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114207.
Texte intégralMATSUMOTO, Mitsuhiro, et Takashi YABE. « GaAs/AlGaAs High-Power Semiconductor Laser Diodes for Optical Disks. » Review of Laser Engineering 24, no 3 (1996) : 380–87. http://dx.doi.org/10.2184/lsj.24.380.
Texte intégralKobayashi, K., et I. Mito. « High light output-power single-longitudinal-mode semiconductor laser diodes ». IEEE Transactions on Electron Devices 32, no 12 (décembre 1985) : 2594–602. http://dx.doi.org/10.1109/t-ed.1985.22389.
Texte intégralHenderson, I. A., et J. McGhee. « A boundary determined Auger recombination model for semiconductor power diodes ». Mathematical Modelling 8 (1987) : 279–82. http://dx.doi.org/10.1016/0270-0255(87)90590-2.
Texte intégralKobayashi, K., et I. Mito. « High light output-power single-longitudinal-mode semiconductor laser diodes ». Journal of Lightwave Technology 3, no 6 (1985) : 1202–10. http://dx.doi.org/10.1109/jlt.1985.1074335.
Texte intégralUzuka, Tetsuo, et Eisuke Masada. « High Speed Rail Awaits the next Breakthrough of Power Semiconductors ». Materials Science Forum 778-780 (février 2014) : 1071–76. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.1071.
Texte intégralRouger, Nicolas, et Aurélien Maréchal. « Design of Diamond Power Devices : Application to Schottky Barrier Diodes ». Energies 12, no 12 (21 juin 2019) : 2387. http://dx.doi.org/10.3390/en12122387.
Texte intégralDang, Chaoqun, Anliang Lu, Heyi Wang, Hongti Zhang et Yang Lu. « Diamond semiconductor and elastic strain engineering ». Journal of Semiconductors 43, no 2 (1 février 2022) : 021801. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/2/021801.
Texte intégralChughtai, M. T. « A Realization of Stabilizing the Output Light Power from a Laser Diode : A Practical Approach ». Engineering, Technology & ; Applied Science Research 11, no 4 (21 août 2021) : 7370–74. http://dx.doi.org/10.48084/etasr.4276.
Texte intégralBourget, C. Michael. « An Introduction to Light-emitting Diodes ». HortScience 43, no 7 (décembre 2008) : 1944–46. http://dx.doi.org/10.21273/hortsci.43.7.1944.
Texte intégralAhmad, Habib, Zachary Engel, Christopher M. Matthews, Sangho Lee et W. Alan Doolittle. « Realization of homojunction PN AlN diodes ». Journal of Applied Physics 131, no 17 (7 mai 2022) : 175701. http://dx.doi.org/10.1063/5.0086314.
Texte intégralGrgić, Ivan, Dinko Vukadinović, Mateo Bašić et Matija Bubalo. « Calculation of Semiconductor Power Losses of a Three-Phase Quasi-Z-Source Inverter ». Electronics 9, no 10 (6 octobre 2020) : 1642. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9101642.
Texte intégralHuang, Jack Jia-Sheng, C. K. Wang et Yu-Heng Jan. « Three Cases of Gradual Degradation Mode Analysis of Semiconductor Laser Diodes ». Modern Applied Science 15, no 6 (26 octobre 2021) : 27. http://dx.doi.org/10.5539/mas.v15n6p27.
Texte intégralChimento, Filippo, Muhammad Nawaz, Niccoló Mora et Salvatore Tomarchio. « A Simplified Model for SiC Power Diode Modules for Implementation in Spice Based Simulators ». Materials Science Forum 740-742 (janvier 2013) : 1089–92. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.1089.
Texte intégralKarushkin, M. F. « Synchronization of pulsed and continuous-wave IMPATT oscillators in the millimeter wavelength range. Part 2. Stabilizing microwave parameters of synchronized generators ». Технология и конструирование в электронной аппаратуре, no 3-4 (2021) : 17–29. http://dx.doi.org/10.15222/tkea2021.3-4.17.
Texte intégralHan, Lili, Zhaowei Wang, Nikita Yu Gordeev, Mikhail V. Maximov, Xiansheng Tang, Artem A. Beckman, Grigoriy O. Kornyshov et al. « Progress of Edge-Emitting Diode Lasers Based on Coupled-Waveguide Concept ». Micromachines 14, no 6 (20 juin 2023) : 1271. http://dx.doi.org/10.3390/mi14061271.
Texte intégralSužiedėlis, Algirdas, Steponas Ašmontas, Jonas Gradauskas, Aurimas Čerškus, Karolis Požela et Maksimas Anbinderis. « Competition between Direct Detection Mechanisms in Planar Bow-Tie Microwave Diodes on the Base of InAlAs/InGaAs/InAlAs Heterostructures ». Sensors 23, no 3 (28 janvier 2023) : 1441. http://dx.doi.org/10.3390/s23031441.
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