Littérature scientifique sur le sujet « Power semiconductor diodes »
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Articles de revues sur le sujet "Power semiconductor diodes"
Parker-Allotey, Nii Adotei, Dean P. Hamilton, Olayiwola Alatise, Michael R. Jennings, Philip A. Mawby, Rob Nash et Rob Magill. « Improved Energy Efficiency Using an IGBT/SiC-Schottky Diode Pair ». Materials Science Forum 717-720 (mai 2012) : 1147–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1147.
Texte intégralBumai, Yurii, Aleh Vaskou et Valerii Kononenko. « Measurement and Analysis of Thermal Parameters and Efficiency of Laser Heterostructures and Light-Emitting Diodes ». Metrology and Measurement Systems 17, no 1 (1 janvier 2010) : 39–45. http://dx.doi.org/10.2478/v10178-010-0004-x.
Texte intégralLiu, Hai Rui, et Jun Sheng Yu. « Characterization of Metal-Semiconductor Schottky Diodes and Application on THz Detection ». Advanced Materials Research 683 (avril 2013) : 729–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.683.729.
Texte intégralLi, Zai Jin, Yi Qu, Te Li, Peng Lu, Bao Xue Bo, Guo Jun Liu et Xiao Hui Ma. « The Characteristics of Facet Coatings on Diode Lasers ». Advanced Materials Research 1089 (janvier 2015) : 202–5. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1089.202.
Texte intégralAl-Rawashdeh, Ayman Yasseen, Mikhail Pavlovich Dunayev, Khalaf Y. Alzyoud et Sarfaroz U. Dovudov. « Calculation of power losses in a frequency inverter ». International Journal of Power Electronics and Drive Systems (IJPEDS) 15, no 3 (1 septembre 2024) : 1331. http://dx.doi.org/10.11591/ijpeds.v15.i3.pp1331-1338.
Texte intégralShurenkov, V. V. « On the Physical Mechanism of the Interaction of the Microwave Radiation with the Semiconductor Diodes ». Advanced Materials Research 1016 (août 2014) : 521–25. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1016.521.
Texte intégralSu, Xinran. « The Retrospect and Prospect of GaN-Based Schottky Diode ». Journal of Physics : Conference Series 2381, no 1 (1 décembre 2022) : 012119. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2381/1/012119.
Texte intégralZemliak, Alexander, et Eugene Machusky. « Analysis of Electrical and Thermal Models for Pulsed IMPATT Diode Simulation ». WSEAS TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS 20 (12 juillet 2021) : 156–65. http://dx.doi.org/10.37394/23201.2021.20.19.
Texte intégralOstapchuk, Mikhail, Dmitry Shishov, Daniil Shevtsov et Sergey Zanegin. « Research of Static and Dynamic Properties of Power Semiconductor Diodes at Low and Cryogenic Temperatures ». Inventions 7, no 4 (18 octobre 2022) : 96. http://dx.doi.org/10.3390/inventions7040096.
Texte intégralKolesnikov, Maksim, M. Kharchenko, V. Dorohov et Konstantin Zolnikov. « Application of semiconductor electronics products in extreme conditions ». Modeling of systems and processes 16, no 1 (29 mars 2023) : 46–56. http://dx.doi.org/10.12737/2219-0767-2023-16-1-46-56.
Texte intégralThèses sur le sujet "Power semiconductor diodes"
Ma, Cliff Liewei. « Modeling of bipolar power semiconductor devices / ». Thesis, Connect to this title online ; UW restricted, 1994. http://hdl.handle.net/1773/6046.
Texte intégralLock, Daren. « Investigations into the high power limitations of semiconductor laser diodes ». Thesis, University of Surrey, 2005. http://epubs.surrey.ac.uk/711/.
Texte intégralYou, Budong. « Investigation of MOS-Gated Thyristors and Power Diodes ». Diss., Virginia Tech, 2000. http://hdl.handle.net/10919/26094.
Texte intégralPh. D.
Amuzuvi, Christian Kwaku. « Characterisation, emulation and by-emitter degradation analysis of high power semiconductor laser diodes ». Thesis, University of Nottingham, 2010. http://eprints.nottingham.ac.uk/13102/.
Texte intégralEfthymiou, Loizos. « GaN-on-silicon HEMTs and Schottky diodes for high voltage applications ». Thesis, University of Cambridge, 2017. https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/274912.
Texte intégralGuo, Xuhan. « Generation of ultrashort optical pulses with high peak power by monolithic laser diodes ». Thesis, University of Cambridge, 2014. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.648571.
Texte intégralTuladhar, Looja R. « Resonant power MOSFET drivers for LED lighting / ». Connect to resource online, 2009. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=ysu1264709029.
Texte intégralWang, Cai Johnson R. Wayne. « High temperature high power SiC devices packaging processes and materials development ». Auburn, Ala., 2006. http://repo.lib.auburn.edu/2006%20Spring/doctoral/WANG_CAI_24.pdf.
Texte intégralLang, Lei. « Investigation of optical filtering techniques for improving the beam quality of high-power semiconductor laser diodes ». Thesis, University of Nottingham, 2011. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.546489.
Texte intégralBull, Stephen. « Photo- and electroluminescence microscopy and spectroscopy investigations of high power and high brightness semiconductor laser diodes ». Thesis, University of Nottingham, 2004. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.417522.
Texte intégralLivres sur le sujet "Power semiconductor diodes"
Center, Goddard Space Flight, dir. Modulation characteristics of a high-power semiconductor master oscillator power amplifier (MOPA). Greenbelt, Md : National Aeronautics and Space Administration, Goddard Space Flight Center, 1992.
Trouver le texte intégralCenter, Goddard Space Flight, dir. Modulation characteristics of a high-power semiconductor master oscillator power amplifier (MOPA). Greenbelt, Md : National Aeronautics and Space Administration, Goddard Space Flight Center, 1992.
Trouver le texte intégralS, Zediker Mark, et Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., dir. High-power diode laser technology and applications III : 24-25 January, 2005, San Jose, California, USA. Bellingham, Wash : SPIE, 2005.
Trouver le texte intégralZediker, Mark S. High-power diode laser technology and applications VI : 21-23 January 2008, San Jose, California, USA. Bellingham, Wash : SPIE, 2008.
Trouver le texte intégralJ, Linden Kurt, Akkapeddi Prasad R, Society of Photo-optical Instrumentation Engineers. et United States. Advanced Research Projects Agency., dir. Laser diodes and applications II. Bellingham, WA : SPIE, 1996.
Trouver le texte intégralJ, Linden Kurt, Akkapeddi Prasad R et Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., dir. Laser diodes and applications : 8-10 February 1995, San Jose, California. Bellingham, Wash., USA : SPIE, 1995.
Trouver le texte intégralZediker, Mark S. High-power diode laser technology and applications VI : 21-23 January 2008, San Jose, California, USA. Bellingham, Wash : SPIE, 2008.
Trouver le texte intégralZediker, Mark S. High-power diode laser technology and applications VIII : 25-26 January 2010, San Francisco, California, United States. Sous la direction de SPIE (Society). Bellingham, Wash : SPIE, 2010.
Trouver le texte intégralZediker, Mark S. High-power diode laser technology and applications VII : 26-27 January 2009, San Jose, California, United States. Sous la direction de SPIE (Society). Bellingham, Wash : SPIE, 2009.
Trouver le texte intégralZediker, Mark S. High-power diode laser technology and applications VII : 26-27 January 2009, San Jose, California, United States. Sous la direction de SPIE (Society). Bellingham, Wash : SPIE, 2009.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Power semiconductor diodes"
Lutz, Josef, Heinrich Schlangenotto, Uwe Scheuermann et Rik De Doncker. « pin Diodes ». Dans Semiconductor Power Devices, 201–70. Cham : Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-70917-8_5.
Texte intégralLutz, Josef, Heinrich Schlangenotto, Uwe Scheuermann et Rik De Doncker. « Schottky Diodes ». Dans Semiconductor Power Devices, 271–93. Cham : Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-70917-8_6.
Texte intégralLutz, Josef, Heinrich Schlangenotto, Uwe Scheuermann et Rik De Doncker. « pin-Diodes ». Dans Semiconductor Power Devices, 159–224. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-11125-9_5.
Texte intégralLutz, Josef, Heinrich Schlangenotto, Uwe Scheuermann et Rik De Doncker. « Schottky Diodes ». Dans Semiconductor Power Devices, 225–40. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-11125-9_6.
Texte intégralHoft, Richard G. « Diodes and Power Transistors ». Dans Semiconductor Power Electronics, 26–56. Dordrecht : Springer Netherlands, 1986. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-7015-4_2.
Texte intégralSreejith, S., B. Sivasankari, S. Babu Devasenapati, A. Karthika et Anitha Mathew. « Recent Developments in Schottky Diodes and Their Applications ». Dans Emerging Low-Power Semiconductor Devices, 127–51. Boca Raton : CRC Press, 2022. http://dx.doi.org/10.1201/9781003240778-7.
Texte intégralGružinskis, V., E. Starikov, P. Shiktorov, L. Reggiani, M. Saraniti et L. Varani. « Generation and Amplification of Microwave Power in Submicron n + nn + Diodes ». Dans Simulation of Semiconductor Devices and Processes, 333–36. Vienna : Springer Vienna, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-6657-4_82.
Texte intégralChin, Aland K., et Rick K. Bertaska. « Catastrophic Optical Damage in High-Power, Broad-Area Laser Diodes ». Dans Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices, 123–45. New York, NY : Springer New York, 2012. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-4337-7_5.
Texte intégralPati, S. P., et P. R. Tripathy. « Monitoring Parameters for Optimization of Power & ; Efficiency and Minimization of Noise in High Frequency IMPATT Diodes ». Dans Physics of Semiconductor Devices, 163–67. Cham : Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_41.
Texte intégralRamshaw, R. S. « The Diode ». Dans Power Electronics Semiconductor Switches, 90–122. Boston, MA : Springer US, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4757-6219-8_3.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Power semiconductor diodes"
Rezek, E. A., N. Adachi, D. Tran et L. Yow. « High Power 1.3 Micron Laser Diodes ». Dans Semiconductor Lasers. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1987. http://dx.doi.org/10.1364/sla.1987.tud6.
Texte intégralDelfyett, Jr., Peter J. « High-power ultrafast semiconductor laser diodes ». Dans OE/LASE'93 : Optics, Electro-Optics, & Laser Applications in Science& Engineering, sous la direction de Timothy R. Gosnell, Antoinette J. Taylor, Keith A. Nelson et Michael C. Downer. SPIE, 1993. http://dx.doi.org/10.1117/12.147075.
Texte intégralTomita, Nobuo, et Mitsuhiro Tateda. « High Power Semiconductor Laser Diodes for OTDRs ». Dans Optical Fiber Sensors. Washington, D.C. : OSA, 1996. http://dx.doi.org/10.1364/ofs.1996.ex12.
Texte intégralSasaki, Y., Y. Furushima, T. Hosoda, T. Murakami et H. Hasumi. « High Power Semiconductor Laser Diodes for OTDRs ». Dans Optical Fiber Sensors. Washington, D.C. : OSA, 1996. http://dx.doi.org/10.1364/ofs.1996.we44.
Texte intégralNiemax, K., C. Schnürer-Patschan, A. Zybin, H. Groll et Y. Kuritsyn. « Wavelength Modulation Atomic Absorption Spectrometry With Semiconductor Diode Lasers ». Dans Laser Applications to Chemical Analysis. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1994. http://dx.doi.org/10.1364/laca.1994.wb.4.
Texte intégralWelch, D. F. « Advances in high power semiconductor diode lasers and their applications ». Dans The European Conference on Lasers and Electro-Optics. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1994. http://dx.doi.org/10.1364/cleo_europe.1994.ctup1.
Texte intégralBisping, D., D. Pucicki, S. Hofling, S. Habermann, D. Ewert, M. Fischer, J. Koeth et al. « 1240nm GaInNAs high power laser diodes ». Dans 2008 IEEE 21st International Semiconductor Laser Conference (ISLC). IEEE, 2008. http://dx.doi.org/10.1109/islc.2008.4636004.
Texte intégralAmaratunga, Gehan A. J. « Diamond Schottky diodes for power conversion ». Dans 2007 International Workshop on Physics of Semiconductor Devices. IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/iwpsd.2007.4472632.
Texte intégralMauerhoff, Felix, Oktay Senel, Hans Wenzel, Andre Maassdorf, Jos Boschker, Johannes Glaab, Katrin Paschke et Günther Tränkle. « High power AlGaInP laser diodes at 626 nm ». Dans Novel In-Plane Semiconductor Lasers XXIII, sous la direction de Alexey A. Belyanin et Peter M. Smowton. SPIE, 2024. http://dx.doi.org/10.1117/12.3002216.
Texte intégralKanskar, M., L. Bao, Z. Chen, D. Dawson, M. DeVito, M. Grimshaw, X. Guan et al. « Flared Oscillator Waveguide Diodes (FLOW-Diodes) Produce Record-High Single-Wavelength Fiber-Coupled Power ». Dans 2018 IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/islc.2018.8516253.
Texte intégral