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Texte intégralSchram, Daniel C. « Plasma processing and chemistry ». Pure and Applied Chemistry 74, no 3 (1 janvier 2002) : 369–80. http://dx.doi.org/10.1351/pac200274030369.
Texte intégralNakayama, Yoshikazu, Kazuo Wakimura, Seiki Takahashi, Hideki Kita et Takao Kawamura. « Plasma deposition of aSi:H:F films from SiH2F2 and SiF4SiH4 ». Journal of Non-Crystalline Solids 77-78 (décembre 1985) : 797–800. http://dx.doi.org/10.1016/0022-3093(85)90780-x.
Texte intégralPark, Hwanyeol, et Ho Jun Kim. « Theoretical Analysis of Si2H6 Adsorption on Hydrogenated Silicon Surfaces for Fast Deposition Using Intermediate Pressure SiH4 Capacitively Coupled Plasma ». Coatings 11, no 9 (29 août 2021) : 1041. http://dx.doi.org/10.3390/coatings11091041.
Texte intégralKim, Ho Jun. « Importance of Dielectric Elements for Attaining Process Uniformity in Capacitively Coupled Plasma Deposition Reactors ». Coatings 12, no 4 (28 mars 2022) : 457. http://dx.doi.org/10.3390/coatings12040457.
Texte intégralMilne, S. B., Y. Q. Fu, J. K. Luo, A. J. Flewitt, S. Pisana, A. Fasoli et W. I. Milne. « Stress and Crystallization of Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition Nanocrystalline Silicon Films ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 8, no 5 (1 mai 2008) : 2693–98. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2008.629.
Texte intégralYuuki, Akimasa, Takaaki Kawahara, Yasuji Matsui et Kunihide Tachibana. « A Study of Film Precursors in SiH4 Plasma-Enhanced CVD. » KAGAKU KOGAKU RONBUNSHU 17, no 4 (1991) : 758–67. http://dx.doi.org/10.1252/kakoronbunshu.17.758.
Texte intégralJo, Sanghyun, Suik Kang, Kyungjun Lee et Ho Jun Kim. « Helium Metastable Distributions and Their Effect on the Uniformity of Hydrogenated Amorphous Silicon Depositions in He/SiH4 Capacitively Coupled Plasmas ». Coatings 12, no 9 (15 septembre 2022) : 1342. http://dx.doi.org/10.3390/coatings12091342.
Texte intégralKim, Dong-Joo, et Kyo-Seon Kim. « Effect of pulse modulation on particle growth during SiH4 plasma process ». Korean Journal of Chemical Engineering 25, no 4 (juillet 2008) : 939–46. http://dx.doi.org/10.1007/s11814-008-0153-8.
Texte intégralThang, Doan Ha, Hiroshi Muta et Yoshinobu Kawai. « Investigation of plasma parameters in 915 MHz ECR plasma with SiH4/H2 mixtures ». Thin Solid Films 516, no 13 (mai 2008) : 4452–55. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.10.099.
Texte intégralNishimiya, Tatsuyuki, Tsukasa Yamane, Sachiko Nakao, Yoshiaki Takeuchi, Yasuhiro Yamauchi, Hiromu Takatsuka, Hiroshi Muta, Kiichiro Uchino et Yoshinobu Kawai. « Characteristics of SiH4/H2 VHF plasma produced by short gap discharge ». Surface and Coatings Technology 205 (juillet 2011) : S411—S414. http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2011.02.043.
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Texte intégralNaskar, S., S. D. Wolter, C. A. Bower, B. R. Stoner et J. T. Glass. « Effect of film chemistry on refractive index of plasma-enhanced chemical vapor deposited silicon oxynitride films : A correlative study ». Journal of Materials Research 23, no 5 (mai 2008) : 1433–42. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2008.0176.
Texte intégralKim, Kyung-Soo, et D.-Hyun Jung. « The permeability characteristics of non-porous membrane by C7H5F3/SiH4, plasma polymeric membrane ». Korean Journal of Chemical Engineering 17, no 2 (mars 2000) : 149–55. http://dx.doi.org/10.1007/bf02707136.
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Texte intégralLEE, Su Jin, et Byungwhan KIM. « Deposition of silicon nitride film at room temperature using a SiH4–NH3–N2 plasma ». Journal of the Ceramic Society of Japan 118, no 1384 (2010) : 1188–91. http://dx.doi.org/10.2109/jcersj2.118.1188.
Texte intégralKumar, Sushil, Jhuma Gope, Aravind Kumar, A. Parashar, C. M. S. Rauthan et P. N. Dixit. « High Pressure Growth of Nanocrystalline Silicon Films ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 8, no 8 (1 août 2008) : 4211–17. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2008.an20.
Texte intégralBoogaarts, M. G. H., P. J. Böcker, W. M. M. Kessels, D. C. Schram et M. C. M. van de Sanden. « Cavity ring down detection of SiH3 on the broadband à 2A1′ ← X̃ 2A1 transition in a remote Ar–H2–SiH4 plasma ». Chemical Physics Letters 326, no 5-6 (août 2000) : 400–406. http://dx.doi.org/10.1016/s0009-2614(00)00795-8.
Texte intégralSmith, Donald L., Andrew S. Alimonda, Chau‐Chen Chen, Steven E. Ready et Barbara Wacker. « Mechanism of SiN x H y Deposition from NH 3 ‐ SiH4 Plasma ». Journal of The Electrochemical Society 137, no 2 (1 février 1990) : 614–23. http://dx.doi.org/10.1149/1.2086517.
Texte intégralLoboda, M. J., et J. A. Seifferly. « Chemical influence of inert gas on the thin film stress in plasma-enhanced chemical vapor deposited a-SiN : H films ». Journal of Materials Research 11, no 2 (février 1996) : 391–98. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1996.0048.
Texte intégralYamauchi, Yasuhiro, Yoshiaki Takeuchi, Hiromu Takatsuka, Yuichi Kai, Hiroshi Muta et Yoshinobu Kawai. « Large area SiH4/H2 VHF plasma produced at high pressure using multi-rod electrode ». Surface and Coatings Technology 202, no 22-23 (août 2008) : 5668–71. http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2008.06.041.
Texte intégralAmbrosio, R. « Silicon–germanium films prepared from SiH4 and GeF4 by low frequency plasma deposition ». Journal of Non-Crystalline Solids 329, no 1-3 (1 novembre 2003) : 134–39. http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2003.08.027.
Texte intégralMorozov, O. V., et I. I. Amirov. « SiO2 film deposition in a low-pressure RF inductive discharge SiH4 + O2 plasma ». Russian Microelectronics 29, no 3 (mai 2000) : 153–58. http://dx.doi.org/10.1007/bf02773255.
Texte intégralItagaki, N., K. Sasaki et Y. Kawai. « Electron temperature measurement in SiH4/H2 ECR plasma produced by 915 MHz microwaves ». Thin Solid Films 506-507 (mai 2006) : 479–84. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2005.08.087.
Texte intégralKim, Byungwhan, et Sang Hee Kwon. « Temperature effect on charge density of silicon nitride films deposited in SiH4–NH3–N2 plasma ». Surface and Coatings Technology 202, no 22-23 (août 2008) : 5539–42. http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2008.06.030.
Texte intégralNagai, Takehiko, Arno H. M. Smets et Michio Kondo. « Time-resolved cavity ringdown spectroscopy on nanoparticle generation in a SiH4–H2 VHF plasma ». Journal of Non-Crystalline Solids 354, no 19-25 (mai 2008) : 2096–99. http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2007.09.009.
Texte intégralZhou, Nan-Sheng, Shizuo Fujita et Akio Sasaki. « Structural and electrical properties of plasma-deposited silicon nitride from SiH4-N2 gas mixture ». Journal of Electronic Materials 14, no 1 (janvier 1985) : 55–72. http://dx.doi.org/10.1007/bf02657920.
Texte intégralJia, Haijun, Jhantu K. Saha, Naoyuki Ohse et Hajime Shirai. « High-rate synthesis of microcrystalline silicon films using high-density SiH4/H2 microwave plasma ». Thin Solid Films 515, no 17 (juin 2007) : 6713–20. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.01.055.
Texte intégralKim, Jae-Hong, Chai-O. Chung, Dongsun Sheen, Yong-Sun Sohn, Hyun-Chul Sohn, Jin-Woong Kim et Sung-Wook Park. « Effect of fluorine incorporation on silicon dioxide prepared by high density plasma chemical vapor deposition with SiH4∕O2∕NF3 chemistry ». Journal of Applied Physics 96, no 3 (août 2004) : 1435–42. http://dx.doi.org/10.1063/1.1767979.
Texte intégralKim, Byungwhan, Minji Kwon et Yong Ho Seo. « Room temperature, ion energy-controlled deposition of silicon nitride films in a SiH4-N2 plasma ». Metals and Materials International 16, no 4 (août 2010) : 621–25. http://dx.doi.org/10.1007/s12540-010-0815-z.
Texte intégralSaha, Jhantu K., Haijun Jia, Naoyuki Ohse et Hajime Shirai. « High rate growth highly crystallized microcrystalline silicon films using SiH4/H2 high-density microwave plasma ». Thin Solid Films 515, no 9 (mars 2007) : 4098–104. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2006.02.062.
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Texte intégralMoiseev, T., D. Chrastina et G. Isella. « Plasma Composition by Mass Spectrometry in a Ar-SiH4-H2 LEPECVD Process During nc-Si Deposition ». Plasma Chemistry and Plasma Processing 31, no 1 (5 janvier 2011) : 157–74. http://dx.doi.org/10.1007/s11090-010-9277-9.
Texte intégralSedov, V. S., A. K. Martyanov, A. A. Khomich, S. S. Savin, V. V. Voronov, R. A. Khmelnitskiy, A. P. Bolshakov et V. G. Ralchenko. « Co-deposition of diamond and β-SiC by microwave plasma CVD in H2-CH4-SiH4 gas mixtures ». Diamond and Related Materials 98 (octobre 2019) : 107520. http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2019.107520.
Texte intégralJonas, Stanisława, Jadwiga Konefał-Góral, Anna Małek, Stanisława Kluska et Zbigniew Grzesik. « Surface Modification of the Ti6Al4V Alloy with Silicon Carbonitride Layer Deposited by PACVD Method ». High Temperature Materials and Processes 33, no 5 (29 septembre 2014) : 391–98. http://dx.doi.org/10.1515/htmp-2013-0059.
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Texte intégralJeong, Chaehwan, Seongjae Boo, Minsung Jeon et Koichi Kamisako. « Characterization of Intrinsic a-Si:H Films Prepared by Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition for Solar Cell Applications ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 7, no 11 (1 novembre 2007) : 4169–73. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2007.064.
Texte intégralKim, Ho Jun, et Jung Hwan Yoon. « Computational Fluid Dynamics Analysis of Particle Deposition Induced by a Showerhead Electrode in a Capacitively Coupled Plasma Reactor ». Coatings 11, no 8 (23 août 2021) : 1004. http://dx.doi.org/10.3390/coatings11081004.
Texte intégralGatilova, L., S. Bouchoule, S. Guilet et G. Patriarche. « High-aspect-ratio inductively coupled plasma etching of InP using SiH4/Cl2 : Avoiding the effect of electrode coverplate material ». Journal of Vacuum Science & ; Technology B, Nanotechnology and Microelectronics : Materials, Processing, Measurement, and Phenomena 29, no 2 (mars 2011) : 020601. http://dx.doi.org/10.1116/1.3546024.
Texte intégralLee, Sung-Eun, et Young-Chun Park. « Low-temperature deposition of SiNx, SiOxNy, and SiOx films from plasma discharge of SiH4 for polycarbonate glazing applications ». Thin Solid Films 636 (août 2017) : 34–39. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2017.04.022.
Texte intégralKim, Byungwhan, Sanghee Kwon, Hyung-Su Woo, Jeong Kim et Sang Chul Jung. « Radio Frequency Source Power-Induced Ion Energy Impact on SiN Films Deposited Using a Room Temperature SiH4–N2 Plasma ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 11, no 2 (1 février 2011) : 1314–18. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2011.3405.
Texte intégralMorgan, W. L. « A critical evaluation of low-energy electron impact cross sections for plasma processing modeling. II : Cl4, SiH4, and CH4 ». Plasma Chemistry and Plasma Processing 12, no 4 (décembre 1992) : 477–93. http://dx.doi.org/10.1007/bf01447255.
Texte intégralKim, D. J., J. Y. Hwang, T. J. Kim, N. E. Lee et Y. D. Kim. « Effect of N2O/SiH4 flow ratio on properties of SiOx thin films deposited by low-temperature remote plasma-enhanced chemical deposition ». Surface and Coatings Technology 201, no 9-11 (février 2007) : 5354–57. http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2006.07.035.
Texte intégralKosku, Nihan, et Seiichi Miyazaki. « Insights into the high-rate growth of highly crystallized silicon films from inductively coupled plasma of H2-diluted SiH4 ». Thin Solid Films 511-512 (juillet 2006) : 265–70. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2005.12.105.
Texte intégralDas, Debajyoti, Debnath Raha et Koyel Bhattacharya. « Evolution of nc-Si Network and the Control of Its Growth by He/H2 Plasma Assistance in SiH4 at PECVD ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 9, no 9 (1 septembre 2009) : 5614–21. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2009.1151.
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