Littérature scientifique sur le sujet « Plasma Chemistry - SiH4 »
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Articles de revues sur le sujet "Plasma Chemistry - SiH4"
Orlicki, Dariusz, Vladimir Hlavacek et Hendrik J. Viljoen. « Modeling of a–Si:H deposition in a dc glow discharge reactor ». Journal of Materials Research 7, no 8 (août 1992) : 2160–81. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1992.2160.
Texte intégralSchram, Daniel C. « Plasma processing and chemistry ». Pure and Applied Chemistry 74, no 3 (1 janvier 2002) : 369–80. http://dx.doi.org/10.1351/pac200274030369.
Texte intégralNakayama, Yoshikazu, Kazuo Wakimura, Seiki Takahashi, Hideki Kita et Takao Kawamura. « Plasma deposition of aSi:H:F films from SiH2F2 and SiF4SiH4 ». Journal of Non-Crystalline Solids 77-78 (décembre 1985) : 797–800. http://dx.doi.org/10.1016/0022-3093(85)90780-x.
Texte intégralPark, Hwanyeol, et Ho Jun Kim. « Theoretical Analysis of Si2H6 Adsorption on Hydrogenated Silicon Surfaces for Fast Deposition Using Intermediate Pressure SiH4 Capacitively Coupled Plasma ». Coatings 11, no 9 (29 août 2021) : 1041. http://dx.doi.org/10.3390/coatings11091041.
Texte intégralKim, Ho Jun. « Importance of Dielectric Elements for Attaining Process Uniformity in Capacitively Coupled Plasma Deposition Reactors ». Coatings 12, no 4 (28 mars 2022) : 457. http://dx.doi.org/10.3390/coatings12040457.
Texte intégralMilne, S. B., Y. Q. Fu, J. K. Luo, A. J. Flewitt, S. Pisana, A. Fasoli et W. I. Milne. « Stress and Crystallization of Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition Nanocrystalline Silicon Films ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 8, no 5 (1 mai 2008) : 2693–98. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2008.629.
Texte intégralYuuki, Akimasa, Takaaki Kawahara, Yasuji Matsui et Kunihide Tachibana. « A Study of Film Precursors in SiH4 Plasma-Enhanced CVD. » KAGAKU KOGAKU RONBUNSHU 17, no 4 (1991) : 758–67. http://dx.doi.org/10.1252/kakoronbunshu.17.758.
Texte intégralJo, Sanghyun, Suik Kang, Kyungjun Lee et Ho Jun Kim. « Helium Metastable Distributions and Their Effect on the Uniformity of Hydrogenated Amorphous Silicon Depositions in He/SiH4 Capacitively Coupled Plasmas ». Coatings 12, no 9 (15 septembre 2022) : 1342. http://dx.doi.org/10.3390/coatings12091342.
Texte intégralKim, Dong-Joo, et Kyo-Seon Kim. « Effect of pulse modulation on particle growth during SiH4 plasma process ». Korean Journal of Chemical Engineering 25, no 4 (juillet 2008) : 939–46. http://dx.doi.org/10.1007/s11814-008-0153-8.
Texte intégralThang, Doan Ha, Hiroshi Muta et Yoshinobu Kawai. « Investigation of plasma parameters in 915 MHz ECR plasma with SiH4/H2 mixtures ». Thin Solid Films 516, no 13 (mai 2008) : 4452–55. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.10.099.
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