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Maleev N.A., Kuzmenkov A.G., Kulagina M.M., Vasyl’ev A. P., Blokhin S. A., Troshkov S.I., Nashchekin A.V. et al. « Mushroom mesa structure for InAlAs-InGaAs avalanche photodiodes ». Technical Physics Letters 48, no 14 (2022) : 28. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.14.52106.18939.
Texte intégralGiggenbach, Dirk. « Free-Space Optical Data Receivers with Avalanche Detectors for Satellite Downlinks Regarding Background Light ». Sensors 22, no 18 (7 septembre 2022) : 6773. http://dx.doi.org/10.3390/s22186773.
Texte intégralАруев, П. Н., В. П. Белик, В. В. Забродский, Е. М. Круглов, А. В. Николаев, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, В. В. Филимонов et Е. В. Шерстнев. « Квантовый выход кремниевого лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 120-170 nm ». Журнал технической физики 90, no 8 (2020) : 1386. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2020.08.49552.44-20.
Texte intégralAruev P. N., Belik V. P., Blokhin A. A., Zabrodskii V. V., Nikolaev A. V., Sakharov V. I., Serenkov I. T., Filimonov V. V. et Sherstnev E. V. « In memoriam of E.M. Kruglov and V.V. Filimonov Quantum yield of an avalanche silicon photodiode in the 114-170 and 210-1100 nm wavelength ranges ». Technical Physics Letters 48, no 3 (2022) : 3. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.03.52871.19026.
Texte intégralDeeb, Hazem, Kristina Khomyakova, Andrey Kokhanenko, Rahaf Douhan et Kirill Lozovoy. « Dependence of Ge/Si Avalanche Photodiode Performance on the Thickness and Doping Concentration of the Multiplication and Absorption Layers ». Inorganics 11, no 7 (15 juillet 2023) : 303. http://dx.doi.org/10.3390/inorganics11070303.
Texte intégralSingh, Anand, et Ravinder Pal. « Infrared Avalanche Photodiode Detectors ». Defence Science Journal 67, no 2 (14 mars 2017) : 159. http://dx.doi.org/10.14429/dsj.67.11183.
Texte intégralPauchard, A., P. A. Besse, M. Bartek, R. F. Wolffenbuttel et R. S. Popovic. « Ultraviolet-selective avalanche photodiode ». Sensors and Actuators A : Physical 82, no 1-3 (mai 2000) : 128–34. http://dx.doi.org/10.1016/s0924-4247(99)00326-x.
Texte intégralHobbs, Matthew James, et Jon R. Willmott. « InGaAs avalanche photodiode thermometry ». Measurement Science and Technology 31, no 1 (25 octobre 2019) : 014005. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6501/ab41c6.
Texte intégralLevi, Barbara Goss. « High‐Gain Avalanche Photodiode ». Physics Today 50, no 4 (avril 1997) : 21–22. http://dx.doi.org/10.1063/1.881723.
Texte intégralCao, Ye, Tarick Blain, Jonathan D. Taylor-Mew, Longyan Li, Jo Shien Ng et Chee Hing Tan. « Extremely low excess noise avalanche photodiode with GaAsSb absorption region and AlGaAsSb avalanche region ». Applied Physics Letters 122, no 5 (30 janvier 2023) : 051103. http://dx.doi.org/10.1063/5.0139495.
Texte intégralSousa, Ana, Rafael Pinto, Bruno Couto, Beltran Nadal, Hugo Onderwater, Paulo Gordo, Manuel Abreu, Rui Melicio et Patrick Michel. « Breadboard of Microchip and Avalanche Photodiode in Linear and Geiger Mode for LiDAR Applications ». Journal of Physics : Conference Series 2526, no 1 (1 juin 2023) : 012118. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2526/1/012118.
Texte intégralRen, Min, Scott Maddox, Yaojia Chen, Madison Woodson, Joe C. Campbell et Seth Bank. « AlInAsSb/GaSb staircase avalanche photodiode ». Applied Physics Letters 108, no 8 (22 février 2016) : 081101. http://dx.doi.org/10.1063/1.4942370.
Texte intégralWoodson, Madison E., Min Ren, Scott J. Maddox, Yaojia Chen, Seth R. Bank et Joe C. Campbell. « Low-noise AlInAsSb avalanche photodiode ». Applied Physics Letters 108, no 8 (22 février 2016) : 081102. http://dx.doi.org/10.1063/1.4942372.
Texte intégralBatra, S., A. Lahiri et P. Chakrabarti. « InP/Ga0.47In0.53As superlattice avalanche photodiode ». Electronics Letters 24, no 15 (1988) : 964. http://dx.doi.org/10.1049/el:19880657.
Texte intégralHuang, Mengyuan, Su Li, Pengfei Cai, Guanghui Hou, Tzung-I. Su, Wang Chen, Ching-yin Hong et Dong Pan. « Germanium on Silicon Avalanche Photodiode ». IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 24, no 2 (mars 2018) : 1–11. http://dx.doi.org/10.1109/jstqe.2017.2749958.
Texte intégralLi, Bin, Xiaohong Yang, Weihong Yin, Qianqian Lü, Rong Cui et Qin Han. « A high-speed avalanche photodiode ». Journal of Semiconductors 35, no 7 (juillet 2014) : 074009. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/35/7/074009.
Texte intégralKagawa, T., Y. Kawamura et H. Iwamura. « InGaAsP/InAlAs superlattice avalanche photodiode ». IEEE Journal of Quantum Electronics 28, no 6 (juin 1992) : 1419–23. http://dx.doi.org/10.1109/3.135291.
Texte intégralBeck, J., C. Wan, M. Kinch, J. Robinson, P. Mitra, R. Scritchfield, F. Ma et J. Campbell. « The HgCdTe electron avalanche photodiode ». Journal of Electronic Materials 35, no 6 (juin 2006) : 1166–73. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-006-0237-3.
Texte intégralNada, Masahiro, Fumito Nakajima, Toshihide Yoshimatsu, Yasuhiko Nakanishi, Atsushi Kanda, Takahiko Shindo, Shoko Tatsumi, Hideaki Matsuzaki et Kimikazu Sano. « Inverted p-down Design for High-Speed Photodetectors ». Photonics 8, no 2 (4 février 2021) : 39. http://dx.doi.org/10.3390/photonics8020039.
Texte intégralGulakov, I. R., A. O. Zenevich, O. V. Kochergina et T. A. Matkovskaia. « Study of the characteristics of germanium avalanche photodiodes in the photon counting mode ». Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus, Physical-Technical Series 67, no 2 (2 juillet 2022) : 222–29. http://dx.doi.org/10.29235/1561-8358-2022-67-2-222-229.
Texte intégralBuchner, Andre, Stefan Hadrath, Roman Burkard, Florian M. Kolb, Jennifer Ruskowski, Manuel Ligges et Anton Grabmaier. « Analytical Evaluation of Signal-to-Noise Ratios for Avalanche- and Single-Photon Avalanche Diodes ». Sensors 21, no 8 (20 avril 2021) : 2887. http://dx.doi.org/10.3390/s21082887.
Texte intégralde Sousa, Ana, Rafael Pinto, Bruno Couto, Beltran Nadal, Hugo Onderwater, Paulo Gordo, Manuel Abreu, Rui Melicio et Patrick Michel. « Breadboard of Microchip Laser and Avalanche Photodiode in Geiger and Linear Mode for LiDAR Applications ». Applied Sciences 13, no 9 (3 mai 2023) : 5631. http://dx.doi.org/10.3390/app13095631.
Texte intégralSadigov, A. Z., F. I. Ahmadov, Z. Y. Sadygov, G. S. Ahmadov, D. Berikov, M. Holik, A. Mammadli et al. « Improvement of parameters of micro-pixel avalanche photodiodes ». Journal of Instrumentation 17, no 07 (1 juillet 2022) : P07021. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/17/07/p07021.
Texte intégralPham, Dinh Khang, Tien Hung Dinh, Kim Chien Dinh, Van Hiep Cao, Xuan Hai Nguyen et Ngoc Anh Nguyen. « Designing and setting up the scintillationdetector using CsI(Tl) crystals and avalanche photodiode for gamma-ray measurement ». Ministry of Science and Technology, Vietnam 63, no 3 (30 mars 2021) : 46–49. http://dx.doi.org/10.31276/vjst.63(3).46-49.
Texte intégralYin Liju, 尹丽菊, 陈钱 Chen Qian et 张灿林 Zhang Canlin. « Spectral Response Characterization of Avalanche photodiode ». Laser & ; Optoelectronics Progress 47, no 11 (2010) : 111101. http://dx.doi.org/10.3788/lop47.111101.
Texte intégralLi, Kejia, Han-Din Liu, Qiugui Zhou, Dion McIntosh et Joe C. Campbell. « SiC avalanche photodiode array with microlenses ». Optics Express 18, no 11 (18 mai 2010) : 11713. http://dx.doi.org/10.1364/oe.18.011713.
Texte intégralMcIntyre, R. J. « Comment : InP/Ga0.47In0.53As superlattice avalanche photodiode ». Electronics Letters 24, no 22 (1988) : 1399. http://dx.doi.org/10.1049/el:19880957.
Texte intégralBatra, S., A. Lahiri et P. Chakrabarti. « Reply : InP/Ga0.47In0.53As superlattice avalanche photodiode ». Electronics Letters 24, no 22 (1988) : 1399. http://dx.doi.org/10.1049/el:19880958.
Texte intégralBrennan, K. « Theory of the channeling avalanche photodiode ». IEEE Transactions on Electron Devices 32, no 11 (novembre 1985) : 2467–78. http://dx.doi.org/10.1109/t-ed.1985.22296.
Texte intégralCadorette, J., S. Rodrigue et R. Lecomte. « Tuning of avalanche photodiode PET camera ». IEEE Transactions on Nuclear Science 40, no 4 (août 1993) : 1062–66. http://dx.doi.org/10.1109/23.256713.
Texte intégralGramsch, E., M. Szawlowski, S. Zhang et M. Madden. « Fast, high density avalanche photodiode array ». IEEE Transactions on Nuclear Science 41, no 4 (1994) : 762–66. http://dx.doi.org/10.1109/23.322803.
Texte intégralBlazej, Josef, Ivan Prochazka, Karel Hamal, Bruno Sopko et Dominik Chren. « Gallium-based avalanche photodiode optical crosstalk ». Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A : Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 567, no 1 (novembre 2006) : 239–41. http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2006.05.100.
Texte intégralOlyaee, Saeed, Mohammad Soroosh et Mahdieh Izadpanah. « Transfer matrix modeling of avalanche photodiode ». Frontiers of Optoelectronics 5, no 3 (31 juillet 2012) : 317–21. http://dx.doi.org/10.1007/s12200-012-0266-x.
Texte intégralSingh, Anand, A. K. Shukla et Ravinder Pal. « HgCdTe e-avalanche photodiode detector arrays ». AIP Advances 5, no 8 (août 2015) : 087172. http://dx.doi.org/10.1063/1.4929773.
Texte intégralRamirez, David A., Jiayi Shao, Majeed M. Hayat et Sanjay Krishna. « Midwave infrared quantum dot avalanche photodiode ». Applied Physics Letters 97, no 22 (29 novembre 2010) : 221106. http://dx.doi.org/10.1063/1.3520519.
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Texte intégralSuzuki, Shingo, Naoto Namekata, Kenji Tsujino et Shuichiro Inoue. « Highly enhanced avalanche probability using sinusoidally-gated silicon avalanche photodiode ». Applied Physics Letters 104, no 4 (27 janvier 2014) : 041105. http://dx.doi.org/10.1063/1.4861645.
Texte intégralAristin, P., A. Torabi, A. K. Garrison, H. M. Harris et C. J. Summers. « New doped multiple‐quantum‐well avalanche photodiode : The doped barrier Al0.35Ga0.65As/GaAs multiple‐quantum‐well avalanche photodiode ». Applied Physics Letters 60, no 1 (6 janvier 1992) : 85–87. http://dx.doi.org/10.1063/1.107383.
Texte intégralBlazej, J., et I. Prochazka. « Avalanche dynamics in silicon avalanche single- and few-photon sensitive photodiode ». Journal of Physics : Conference Series 193 (1 novembre 2009) : 012041. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/193/1/012041.
Texte intégralАруев, П. Н., В. П. Белик, А. А. Блохин, В. В. Забродский, А. В. Николаев, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, В. В. Филимонов et Е. В. Шерстнев. « Памяти Е.М. Круглова и Филимонова В.В. Квантовый выход кремниевого лавинного фотодиода в диапазонах длин волн 114-170 и 210-1100 nm ». Письма в журнал технической физики 48, no 5 (2022) : 3. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2022.05.52146.19026.
Texte intégralKang, Jong-Ik, Hyuk-Kee Sung, Hyungtak Kim, Eugene Chong et Ho-Young Cha. « Diode quenching for Geiger mode avalanche photodiode ». IEICE Electronics Express 15, no 9 (2018) : 20180062. http://dx.doi.org/10.1587/elex.15.20180062.
Texte intégralBielecki, Z. « Photoreceiver with avalanche C-30645 E photodiode ». IEE Proceedings - Optoelectronics 147, no 4 (1 août 2000) : 234–36. http://dx.doi.org/10.1049/ip-opt:20000592.
Texte intégralCsutak, S. M., J. Mogab, J. C. Campbell, S. Wang et J. D. Schaub. « Integrated silicon optical receiver with avalanche photodiode ». IEE Proceedings - Optoelectronics 150, no 3 (1 juin 2003) : 235–37. http://dx.doi.org/10.1049/ip-opt:20030391.
Texte intégralLevine, B. F., R. N. Sacks, J. Ko, M. Jazwiecki, J. A. Valdmanis, D. Gunther et J. H. Meier. « A New Planar InGaAs–InAlAs Avalanche Photodiode ». IEEE Photonics Technology Letters 18, no 18 (septembre 2006) : 1898–900. http://dx.doi.org/10.1109/lpt.2006.881684.
Texte intégralSadygov, Z., A. Ol’shevskii, N. Anfimov, T. Bokova, A. Dovlatov, V. Zhezher, Z. Krumshtein et al. « Microchannel avalanche photodiode with broad linearity range ». Technical Physics Letters 36, no 6 (juin 2010) : 528–30. http://dx.doi.org/10.1134/s106378501006012x.
Texte intégralLiu, Han-Din, Xiaoguang Zheng, Qiugui Zhou, Xiaogang Bai, Dion C. Mcintosh et Joe C. Campbell. « Double Mesa Sidewall Silicon Carbide Avalanche Photodiode ». IEEE Journal of Quantum Electronics 45, no 12 (décembre 2009) : 1524–28. http://dx.doi.org/10.1109/jqe.2009.2022046.
Texte intégralAbautret, J., J. P. Perez, A. Evirgen, J. Rothman, A. Cordat et P. Christol. « Characterization of midwave infrared InSb avalanche photodiode ». Journal of Applied Physics 117, no 24 (28 juin 2015) : 244502. http://dx.doi.org/10.1063/1.4922977.
Texte intégralSingh, Anand, A. K. Shukla et Ravinder Pal. « Performance of Graded Bandgap HgCdTe Avalanche Photodiode ». IEEE Transactions on Electron Devices 64, no 3 (mars 2017) : 1146–52. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2017.2650412.
Texte intégralKirn, Th, D. Schmitz, J. Schwenke, Th Flügel, D. Renker et H. P. Wirtz. « Wavelength dependence of avalanche photodiode (APD) parameters ». Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A : Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 387, no 1-2 (mars 1997) : 202–4. http://dx.doi.org/10.1016/s0168-9002(96)00990-4.
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