Littérature scientifique sur le sujet « Photodiode avalanche »
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Articles de revues sur le sujet "Photodiode avalanche"
Maleev N.A., Kuzmenkov A.G., Kulagina M.M., Vasyl’ev A. P., Blokhin S. A., Troshkov S.I., Nashchekin A.V. et al. « Mushroom mesa structure for InAlAs-InGaAs avalanche photodiodes ». Technical Physics Letters 48, no 14 (2022) : 28. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.14.52106.18939.
Texte intégralGiggenbach, Dirk. « Free-Space Optical Data Receivers with Avalanche Detectors for Satellite Downlinks Regarding Background Light ». Sensors 22, no 18 (7 septembre 2022) : 6773. http://dx.doi.org/10.3390/s22186773.
Texte intégralАруев, П. Н., В. П. Белик, В. В. Забродский, Е. М. Круглов, А. В. Николаев, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, В. В. Филимонов et Е. В. Шерстнев. « Квантовый выход кремниевого лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 120-170 nm ». Журнал технической физики 90, no 8 (2020) : 1386. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2020.08.49552.44-20.
Texte intégralAruev P. N., Belik V. P., Blokhin A. A., Zabrodskii V. V., Nikolaev A. V., Sakharov V. I., Serenkov I. T., Filimonov V. V. et Sherstnev E. V. « In memoriam of E.M. Kruglov and V.V. Filimonov Quantum yield of an avalanche silicon photodiode in the 114-170 and 210-1100 nm wavelength ranges ». Technical Physics Letters 48, no 3 (2022) : 3. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.03.52871.19026.
Texte intégralDeeb, Hazem, Kristina Khomyakova, Andrey Kokhanenko, Rahaf Douhan et Kirill Lozovoy. « Dependence of Ge/Si Avalanche Photodiode Performance on the Thickness and Doping Concentration of the Multiplication and Absorption Layers ». Inorganics 11, no 7 (15 juillet 2023) : 303. http://dx.doi.org/10.3390/inorganics11070303.
Texte intégralSingh, Anand, et Ravinder Pal. « Infrared Avalanche Photodiode Detectors ». Defence Science Journal 67, no 2 (14 mars 2017) : 159. http://dx.doi.org/10.14429/dsj.67.11183.
Texte intégralPauchard, A., P. A. Besse, M. Bartek, R. F. Wolffenbuttel et R. S. Popovic. « Ultraviolet-selective avalanche photodiode ». Sensors and Actuators A : Physical 82, no 1-3 (mai 2000) : 128–34. http://dx.doi.org/10.1016/s0924-4247(99)00326-x.
Texte intégralHobbs, Matthew James, et Jon R. Willmott. « InGaAs avalanche photodiode thermometry ». Measurement Science and Technology 31, no 1 (25 octobre 2019) : 014005. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6501/ab41c6.
Texte intégralLevi, Barbara Goss. « High‐Gain Avalanche Photodiode ». Physics Today 50, no 4 (avril 1997) : 21–22. http://dx.doi.org/10.1063/1.881723.
Texte intégralCao, Ye, Tarick Blain, Jonathan D. Taylor-Mew, Longyan Li, Jo Shien Ng et Chee Hing Tan. « Extremely low excess noise avalanche photodiode with GaAsSb absorption region and AlGaAsSb avalanche region ». Applied Physics Letters 122, no 5 (30 janvier 2023) : 051103. http://dx.doi.org/10.1063/5.0139495.
Texte intégralThèses sur le sujet "Photodiode avalanche"
Ong, Daniel Swee Guan. « The type-II/InA1As avalanche photodiode and optimisation of avalanche photodiodes in receiver systems ». Thesis, University of Sheffield, 2011. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.554392.
Texte intégralVirot, Léopold. « Développement de photodiodes à avalanche en Ge sur Si pour la détection faible signal et grande vitesse ». Thesis, Paris 11, 2014. http://www.theses.fr/2014PA112414/document.
Texte intégralTo address the issue related to the limitations of metallic interconnects especially in terms of bitrate, Si photonics has become the technology of choice. One of the basic components of photonic circuits is the photodetector: It allows to convert an optical signal into an electrical signal. Photodetectors based on Ge on Si have shown their potential and offer the best alternative to III-V photodetectors, for integration into Si photonic circuits. In this context, the Ge on Si photodiodes have been studied. The optimization of pin photodiodes enabled the achievement of state of the art results. A new approach using a double lateral Si/Ge/Si heterojunction was proposed to increase the responsivity but also to provide a better integration solution, especially with Si modulators. To further increase the sensitivity of the receivers, the use of avalanche photodiodes, is however necessary. SACM (Separate Absorption Charge Multiplication) structure, combining Si low multiplication noise and Ge absorption at telecom wavelengths was first studied. Models have been developed to optimize the devices, and the photodiodes have been fabricated and characterized. The results obtained on the surface illuminated photodiodes (Gain-bandwidth product of 560GHz only -11V) are very encouraging for waveguide integration. On the other hand, Ge on Si pin photodiodes have been studied in avalanche. The small width of the intrinsic region contributed to the multiplication noise reduction thanks to "dead space" effect, and operation at 10Gbps for a gain of 20 and an optical power of -26dBm at only-7V, without using amplifier (TIA), have been demonstrated. These developments open the way to fast, low power consumption and high sensitivity receivers
Fyath, Raad Sami. « Advanced avalanche photodiode receivers in optical communications ». Thesis, Bangor University, 1990. https://research.bangor.ac.uk/portal/en/theses/advanced-avalanche-photodiode-receivers-in-optical-communications(7774537f-4772-4a52-b216-d04db73b3781).html.
Texte intégralAbautret, Johan. « Conception, fabrication et caractérisation de photodiodes à avalanche InSb ». Thesis, Montpellier 2, 2014. http://www.theses.fr/2014MON20232.
Texte intégralThis thesis realized at the IES, with the collaboration of SOFRADIR and the CEA-LETI, had for objective the potential evaluation of the InSb material for the realization of midwave infrared (MWIR) avalanche photodiodes (APD). Studying the design (TCAD modeling), the MESA technological fabrication (wet etching, dry etching, passivation) and analyzing the electrical characterizations of devices fabricated, this work has investigated all the scientific elements necessary for the development of this photodetector technology. The MBE (Molecular Beam Epitaxy) grow InSb photodiodes have shown monopixel dark current density from 10 to 30nA/cm² at -50mV and 77K. These performances are at the state of the art for InSb epi-diodes and highlight the excellent crystal quality of the epitaxial layers. The first InSb APDs were grown and characterized. With a pure electron injection, we have observed an exponential increase of the gain, signature of a single carrier multiplication exclusively initiated by the electrons. A gain value of 3 was measured at -4V. This asymmetrical aspect of the impact ionization process would indicate the possibility to obtain a gain without excess noise. This is fundamental for the intended imaging applications. At this stage, InSb APD performances are limited by a too high residual doping level, resulting in a strong band to band tunneling current. Nevertheless, this work provides all the milestones needed for the InSb APD development where the key point is undoubtedly the getting of low residual doping level in the multiplication layer
Strasburg, Jana Dee. « Characterization of avalanche photodiode arrays for temporally resolved photon counting / ». Thesis, Connect to this title online ; UW restricted, 2004. http://hdl.handle.net/1773/9710.
Texte intégralGouy, Jean-Philippe. « Etude comparative de la photodiode PIN, de la photodiode à avalanche et du photoconducteur sur matériaux III-V ». Lille 1, 1989. http://www.theses.fr/1989LIL10058.
Texte intégralHaralson, Joe Nathan II. « Design, analysis, and macroscopic modeling of high speed photodetectors emphasizing the joint opening effect avalanche photodiode and the lateral P-I-N photodiode ». Diss., Georgia Institute of Technology, 1999. http://hdl.handle.net/1853/14940.
Texte intégralYoo, Dongwon. « Growth and Characterization of III-Nitrides Materials System for Photonic and Electronic Devices by Metalorganic Chemical Vapor Deposition ». Diss., Georgia Institute of Technology, 2007. http://hdl.handle.net/1853/16220.
Texte intégralMages, Phillip. « III-V to Si wafer fusion for the fused Si/InGaAs avalanche photodiode / ». Diss., Connect to a 24 p. preview or request complete full text in PDF format. Access restricted to UC campuses, 2003. http://wwwlib.umi.com/cr/ucsd/fullcit?p3090440.
Texte intégralEgner, Joanna C., Michael Groza, Arnold Burger, Keivan G. Stassun, Vladimir Buliga, Liviu Matei, Julia G. Bodnarik, Ashley C. Stowe et Thomas H. Prettyman. « Integration of a (6)LilnSe(2) thermal neutron detector into a CubeSat instrument ». SPIE-SOC PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS, 2016. http://hdl.handle.net/10150/624360.
Texte intégralLivres sur le sujet "Photodiode avalanche"
S, Luck William, DeYoung Russell J et Langley Research Center, dir. Temperature control of avalanche photodiode using thermoelectric cooler. Hampton, Va : National Aeronautics and Space Administration, Langley Research Center, 1999.
Trouver le texte intégralM, Davidson Frederic, et United States. National Aeronautics and Space Administration., dir. Avalanche photodiode photon counting receivers for space-borne lidars. [Baltimore, Md.] : Johns Hopkins University, Electrical & Computer Engineering, 1991.
Trouver le texte intégralRasmussen, A. L. Improved low-level silicon-avalanche-photodiode transfer standards at 1.064 micrometers. [Washington, D.C.] : U.S. Dept. of Commerce, National Institute of Standards and Technology, 1989.
Trouver le texte intégralRasmussen, A. L. Improved low-level silicon-avalanche-photodiode transfer standards at 1.064 micrometers. [Washington, D.C.] : U.S. Dept. of Commerce, National Institute of Standards and Technology, 1989.
Trouver le texte intégralRasmussen, A. L. Improved low-level silicon-avalanche-photodiode transfer standards at 1.064 micrometers. [Washington, D.C.] : U.S. Dept. of Commerce, National Institute of Standards and Technology, 1989.
Trouver le texte intégralRasmussen, A. L. Improved low-level silicon-avalanche-photodiode transfer standards at 1.064 micrometers. [Washington, D.C.] : U.S. Dept. of Commerce, National Institute of Standards and Technology, 1989.
Trouver le texte intégralRasmussen, A. L. Improved low-level silicon-avalanche-photodiode transfer standards at 1.064 micrometers. [Washington, D.C.] : U.S. Dept. of Commerce, National Institute of Standards and Technology, 1989.
Trouver le texte intégralDavies, Andrew Richard. Avalanche photodiodes in stellar spectroscopy. Birmingham : University of Birmingham, 1995.
Trouver le texte intégralMeier, Hektor. Design, characterization and simulation of avalanche photodiodes. Konstanz : Hartung-Gorre Verlag, 2011.
Trouver le texte intégralDolgos, Denis. Full-band Monte Carlo simulation of single photon avalanche diodes. Konstanz : Hartung-Gorre Verlag, 2012.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Photodiode avalanche"
Weik, Martin H. « avalanche photodiode ». Dans Computer Science and Communications Dictionary, 92. Boston, MA : Springer US, 2000. http://dx.doi.org/10.1007/1-4020-0613-6_1190.
Texte intégralWeik, Martin H. « avalanche photodiode coupler ». Dans Computer Science and Communications Dictionary, 92. Boston, MA : Springer US, 2000. http://dx.doi.org/10.1007/1-4020-0613-6_1191.
Texte intégralAihara, Hiroaki. « Hybrid Avalanche Photodiode Array Imaging ». Dans Springer Series in Optical Sciences, 49–62. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2011. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-18443-7_3.
Texte intégralNadeem Ishaque, A., Donald E. Castleberry et Henri M. Rougeot. « Photon-Counting Monolithic Avalanche Photodiode Arrays for the Super Collider ». Dans Supercollider 5, 375–80. Boston, MA : Springer US, 1994. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-2439-7_90.
Texte intégralVinogradov, Sergey, Elena Popova, Wolfgang Schmailzl et Eugen Engelmann. « Tip Avalanche Photodiode – A New Wide Spectral Range Silicon Photomultiplier ». Dans Radiation Detection Systems, 257–88. 2e éd. Boca Raton : CRC Press, 2021. http://dx.doi.org/10.1201/9781003147633-9.
Texte intégralVinogradov, Sergey, Elena Popova, Wolfgang Schmailzl et Eugen Engelmann. « Tip Avalanche Photodiode – A New Wide Spectral Range Silicon Photomultiplier ». Dans Radiation Detection Systems, 257–88. 2e éd. Boca Raton : CRC Press, 2021. http://dx.doi.org/10.1201/9781003219446-9.
Texte intégralPerotin, M., H. Luquet, L. Gouskov, P. Abiale-Abi, H. Archidi, M. Lahbabi, B. Mbow et A. Perez. « Ga0.96Al0.04Sb Implanted Avalanche Photodiode ; Perspective for a 2.55 μm SAM APD Photodetector ». Dans ESSDERC ’89, 393–96. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-52314-4_80.
Texte intégralWoodard, Nathan G., Eric G. Hufstedler et Gregory P. Lafyatis. « Photon Counting Using a Large Area Avalanche Photodiode Cooled to 100 K ». Dans Applications of Photonic Technology, 489–94. Boston, MA : Springer US, 1995. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4757-9247-8_93.
Texte intégralOtto, C., H. Gelevert, G. F. J. M. Vrensen et J. Greve. « Raman imaging of cataract in whole Human eye lenses using an avalanche photodiode ». Dans Spectroscopy of Biological Molecules : New Directions, 513–14. Dordrecht : Springer Netherlands, 1999. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-4479-7_230.
Texte intégralRoth, Jeffrey M., Chris Xu, Wayne H. Knox et Keren Bergman. « Ultra-sensitive autocorrelation of 1.5 μm light with a photon-counting silicon avalanche photodiode ». Dans Coherence and Quantum Optics VIII, 399–400. Boston, MA : Springer US, 2003. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-8907-9_88.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Photodiode avalanche"
Douhan, R. M. H., A. P. Kokhanenko et K. A. Lozovoy. « Dark current behaviour analysis for avalanche photodiodes ». Dans 8th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects. Crossref, 2022. http://dx.doi.org/10.56761/efre2022.n4-p-052901.
Texte intégralWoodring, Mitchell, Richard Farell, David Souza, Michael R. Squillante, Gerald Entine et David K. Wehe. « Multiplexed avalanche photodiode arrays ». Dans International Symposium on Optical Science and Technology, sous la direction de F. P. Doty, H. Bradford Barber, Hans Roehrig et Edward J. Morton. SPIE, 2000. http://dx.doi.org/10.1117/12.410575.
Texte intégralHaralson II, Joe N., et Kevin F. Brennan. « Edge breakdown suppression in planar avalanche photodiodes : the joint opening effect avalanche photodiode ». Dans Symposium on Integrated Optics, sous la direction de Gail J. Brown et Manijeh Razeghi. SPIE, 2001. http://dx.doi.org/10.1117/12.429436.
Texte intégralHunt, J. H., et R. B. Holmes. « Spatial Light Modulation at Photon-Counting Light Levels ». Dans Spatial Light Modulators and Applications. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1995. http://dx.doi.org/10.1364/slma.1995.ltha4.
Texte intégralKagawa, Toshiaki, Yuichi Kawamura et Hidetoshi Iwamura. « Wide-bandwidth avalanche-photodiode receivers ». Dans Optical Fiber Communication Conference. Washington, D.C. : OSA, 1993. http://dx.doi.org/10.1364/ofc.1993.thg2.
Texte intégralKoçak, Fatma, et Ilhan Tapan. « Fluctuations in Avalanche Photodiode Structure ». Dans SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE OF THE BALKAN PHYSICAL UNION. AIP, 2007. http://dx.doi.org/10.1063/1.2733106.
Texte intégralGramsch, Ernesto V., Shane X. Zhang, Michael C. Madden, Myron Lindberg et Marek Szawlowski. « High-density avalanche photodiode array ». Dans SPIE's 1993 International Symposium on Optics, Imaging, and Instrumentation, sous la direction de Kenneth J. Kaufmann. SPIE, 1993. http://dx.doi.org/10.1117/12.158566.
Texte intégralChia, C. K. « Low noise multiwavelength avalanche photodiode ». Dans 35th Australian Conference on Optical Fibre Technology (ACOFT 2010). IEEE, 2010. http://dx.doi.org/10.1109/acoft.2010.5929895.
Texte intégralBeck, Jeffrey D., Chang-Feng Wan, Michael A. Kinch, James E. Robinson, Pradip Mitra, Richard E. Scritchfield, Feng Ma et Joe C. Campbell. « The HgCdTe electron avalanche photodiode ». Dans Optical Science and Technology, the SPIE 49th Annual Meeting, sous la direction de Randolph E. Longshore et Sivalingam Sivananthan. SPIE, 2004. http://dx.doi.org/10.1117/12.565142.
Texte intégralCampbell, Joe C., Ravi Kuchibhotla, Anand Srinivasan, Chun Lei, Dennis G. Deppe, Yue Song He et Ben G. Streetman. « Resonance-enhanced, low-voltage InGaAs avalanche photodiode ». Dans Integrated Photonics Research. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1991. http://dx.doi.org/10.1364/ipr.1991.we5.
Texte intégralRapports d'organisations sur le sujet "Photodiode avalanche"
Holmes, Jr, et Archie L. InP Based Avalanche Photodiode Arrays for Mid Infrared Applications. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, avril 2007. http://dx.doi.org/10.21236/ada482291.
Texte intégralRasmussen, A. L., P. A. Simpson et A. A. Sanders. Improved low-level silicon-avalanche-photodiode transfer standards at 1.064 micrometers. Gaithersburg, MD : National Institute of Standards and Technology, 1989. http://dx.doi.org/10.6028/nist.ir.89-3917.
Texte intégralIkagawa, T. Performance of Large Area Avalanche Photodiode for a Low Energy X-Rays and gamma-rays Scintillation Detection. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), janvier 2004. http://dx.doi.org/10.2172/826645.
Texte intégralRazeghi, Manijeh. III-Nitride Visible- and Solar-Blind Avalanche Photodiodes. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, décembre 2007. http://dx.doi.org/10.21236/ada483336.
Texte intégralFenker, H., T. Regan, J. Thomas et M. Wright. Higher efficiency active quenching circuit for avalanche photodiodes. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), juin 1993. http://dx.doi.org/10.2172/67491.
Texte intégralFenker, H., et J. Thomas. Studies of avalanche photodiodes for scintillating fibre tracking readout. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), janvier 1993. http://dx.doi.org/10.2172/10131796.
Texte intégralFoster, G. W., A. Ronzhin et R. Rusack. Some tests of avalanche photodiodes produced by Advanced Photonix, Inc. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), août 1995. http://dx.doi.org/10.2172/88548.
Texte intégralFenker, H., K. Morgan et T. Regan. Progress in the use of avalanche photodiodes for readout for calorimeters. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), septembre 1991. http://dx.doi.org/10.2172/6264399.
Texte intégralItzler, Mark. Low-Noise Avalanche Photodiodes for Midwave Infrared (2 to 5 um) Applications. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, août 2005. http://dx.doi.org/10.21236/ada437268.
Texte intégralDabiran, Amir, Boris Borisov, Elaheh Ahmadi et Winston Schoenfeld. Large-area visible and UV metal-oxide avalanche photodiodes for Cherenkov detectors. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), janvier 2022. http://dx.doi.org/10.2172/1863493.
Texte intégral