Littérature scientifique sur le sujet « Photoconductivity - Nanostructures »
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Articles de revues sur le sujet "Photoconductivity - Nanostructures"
Ruda, H., et A. Shik. « Ballistic photoconductivity in nanostructures ». Applied Physics Letters 78, no 18 (30 avril 2001) : 2778–80. http://dx.doi.org/10.1063/1.1368372.
Texte intégralChen, Cheng-Ying, Ming-Wei Chen, Jr-Jian Ke, Chin-An Lin, José R. D. Retamal et Jr-Hau He. « Surface effects on optical and electrical properties of ZnO nanostructures ». Pure and Applied Chemistry 82, no 11 (6 août 2010) : 2055–73. http://dx.doi.org/10.1351/pac-con-09-12-05.
Texte intégralMishra, Sheo K., U. K. Tripathi, Saurabh Dixit, K. C. Dubey et R. K. Shukla. « ZnO Nano-microstructures and their Photo Conducting Properties Synthesized by Sol-Gel Method ». SAMRIDDHI : A Journal of Physical Sciences, Engineering and Technology 10, no 02 (25 décembre 2018) : 95–98. http://dx.doi.org/10.18090/samriddhi.v10i02.3.
Texte intégralSusha, N., K. Nandakumar et Swapna S. Nair. « Enhanced photoconductivity in CdS/betanin composite nanostructures ». RSC Advances 8, no 21 (2018) : 11330–37. http://dx.doi.org/10.1039/c7ra13116j.
Texte intégralBayan, Sayan, Sheo K. Mishra, Purushottam Chakraborty, Dambarudhar Mohanta, Ravi Shankar et Rajneesh K. Srivastava. « Enhanced vacuum-photoconductivity of chemically synthesized ZnO nanostructures ». Philosophical Magazine 94, no 9 (27 janvier 2014) : 914–24. http://dx.doi.org/10.1080/14786435.2013.869367.
Texte intégralGubin M.Yu., Dzedolik I. V., Prokhorova T. V., Pereskokov V. S. et Leksin A. Yu. « Switching effects in plasmon circuits based on thin metal films and nanostructures with increased photoconductivity ». Optics and Spectroscopy 132, no 3 (2022) : 406. http://dx.doi.org/10.21883/eos.2022.03.53564.2700-21.
Texte intégralHuang, Y. H., R. S. Chen, J. R. Zhang et Y. S. Huang. « Electronic transport in NbSe2two-dimensional nanostructures : semiconducting characteristics and photoconductivity ». Nanoscale 7, no 45 (2015) : 18964–70. http://dx.doi.org/10.1039/c5nr05430c.
Texte intégralYin, Z. G., X. W. Zhang, Z. Fu, X. L. Yang, J. L. Wu, G. S. Wu, L. Gong et Paul K. Chu. « Persistent photoconductivity in ZnO nanostructures induced by surface oxygen vacancy ». physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters 6, no 3 (19 janvier 2012) : 117–19. http://dx.doi.org/10.1002/pssr.201105551.
Texte intégralChitara, Basant, Amit K. Shringi, Biswadev Roy, Marvin H. Wu et Fei Yan. « Facile synthesis and morphology-induced photoconductivity modulation of Bi2O2S nanostructures ». Materials Letters 346 (septembre 2023) : 134545. http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2023.134545.
Texte intégralSprincean, Veaceslav, Liviu Leontie, Iuliana Caraman, Oleg Lupan, Rainer Adeling, Silviu Gurlui, Aurelian Carlescu, Corneliu Doroftei et Mihail Caraman. « Preparation, Chemical Composition, and Optical Properties of (β–Ga2O3 Composite Thin Films)/(GaSxSe1−x Lamellar Solid Solutions) Nanostructures ». Nanomaterials 13, no 14 (11 juillet 2023) : 2052. http://dx.doi.org/10.3390/nano13142052.
Texte intégralThèses sur le sujet "Photoconductivity - Nanostructures"
Green, Travis Christopher. « Photo-induced charge carrier dynamics and self-organization in semiconductor and metallic nanocrystals : in between the bulk and individual molecules ». Diss., Georgia Institute of Technology, 1999. http://hdl.handle.net/1853/30480.
Texte intégralRezgui, Béchir. « Etude des propriétés optiques, électriques et structurales de nanoparticules de silicium insérées dans une matrice diélectrique et étude de leur intégration pour des cellules photovoltaïques à haut rendement ». Lyon, INSA, 2010. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2010ISAL0090/these.pdf.
Texte intégralSilicon nanoparticles (Si-Np) embedded in dielectric matrix have received attention as promising materials for optoelectronic applications. More specifically, bandgap engineering of new materials based on Si-Np has been proposed for possible application in an "all-silicon" tandem solar cell within the field of "third generation" photovoltaics. Such an application would require nanoparticles to exhibit quantum confinement whereby the optical and electrical properties of a film could be tuned by controlling the size of these nanostructures. This thesis investigates the structural, optical and electrical properties of Si-Np grown in-situ or via solid phase crystallisation in different host matrices. A study of the relevant plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) parameters for the formation of Si-Np in amorphous silicon nitride was carried out and the optimization of each deposition parameters, for obtaining best material quality, is presented. Structural techniques, including Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR), Raman spectroscopy, transmission electron microscopy and X-ray reflectivity were employed to gather structural information about the Si-Np-SiNx structures. A case study on the effect of annealing temperature on the size and density of Si-Np is demonstrated. Size dependent photoluminescence and absorption is presented for SiO2/SiOx/SiO2 multilayer structures embedded with Si-Np. A similar multilayers based on silicon nitride material, grown by PECVD, are also investigated. Photogenerated current of these structures, extracted from the photocurrent measurements is investigated in the present work in order to expand the understanding of engineering electrical injection in laterally active paths. In addition, the effect of boron doping of gas-phase silicon nanoparticles on the light emission and structural properties is studied. These observations may be important for future photovoltaic applications
Golub, A. S., N. D. Lenenko, E. P. Krinichnaya, O. P. Ivanova, I. V. Klimenko et T. S. Zhuravleva. « Nanostructured Films of Semiconducting Molybdenum Disulfide Obtained Through Exfoliation-Restacking Method ». Thesis, Sumy State University, 2013. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35055.
Texte intégralYang, Hung-Wei, et 楊紘瑋. « The study of InSe nanostructure photoconductivity characterization ». Thesis, 2017. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/28x84z.
Texte intégral國立臺灣科技大學
應用科技研究所
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Photoconduction and electronic transport properties in the direct-bandgap layer semiconductor of hexagonal indium selenide(InSe)grown by chemical vapor transport (CVT)have been investigated. The InSe layer nanostructure devices were fabricated using focused-ion beam (FIB) deposition and platinum (Pt) as the contact metal. By using different excitation wavelength, the InSe nanosheets show a higher photoresponse to the ultraviolet light illumination.The photocurrent increases nonlinearly with an increase at light intensity.Notably, under the same wavelength excitation , the InSe nanosheet photodetectors show the optimal responsivity and detectivity compared to most of the layer semiconductor nanostructures. The normalized gain, which defines the inherent photocurrent collection efficiency , of the In Senanosheets is over two orders of magnitude higher than those of the otherlayer materials. The environment-dependent photoconductivity measurement indicates that the InSe nanomaterials follow the oxygen-sensitive photoconduction mechanism. The physical origins resulting in the superior photoconductivity and detector performance in the InSe nanosheets were also discussed.
Livres sur le sujet "Photoconductivity - Nanostructures"
Song, Jin-Joo. Ultrafast phenomena in semiconductors and nanostructure materials XIV : 24-27 January 2010, San Francisco, California, United States. Sous la direction de SPIE (Society). Bellingham, Wash : SPIE, 2010.
Trouver le texte intégralThon, Tsen Kong, et Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., dir. Ultrafast phenomena in semiconductors and nanostructure materials XI and Semiconductor photodetectors IV : 22-24 January, 2007, San Jose, California, USA. Bellingham, Wash : SPIE, 2007.
Trouver le texte intégralActes de conférences sur le sujet "Photoconductivity - Nanostructures"
Jensen, Soren A., Ronald Ulbricht, Akimitsu Narita, Xinliang Feng, Klaus Mullen, Dmitry Turchinovich, Tobias Hertel et Mischa Bonn. « Terahertz photoconductivity of graphene nanostructures ». Dans 2013 38th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2013). IEEE, 2013. http://dx.doi.org/10.1109/irmmw-thz.2013.6665852.
Texte intégralALESHKIN, V. Ya, A. V. BIRYUKOV, S. V. GAPONOV, Z. F. KRASIL'NIK et V. L. MIRONOV. « SCANNING TUNNELING MICROSCOPE INVESTIGATION OF LOCAL PHOTOCONDUCTIVITY IN SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES ». Dans Reviews and Short Notes to Nanomeeting '99. WORLD SCIENTIFIC, 1999. http://dx.doi.org/10.1142/9789812817990_0026.
Texte intégralFujiwara, A. « Temperature Dependence of Photoconductivity of Single-Wall Carbon Nanotubes ». Dans MOLECULAR NANOSTRUCTURES : XVII International Winterschool Euroconference on Electronic Properties of Novel Materials. AIP, 2003. http://dx.doi.org/10.1063/1.1628008.
Texte intégralTeichert, Christian. « Advanced AFM Techniques to Study Photoconductivity of Inorganic and Organic Semiconductor Nanostructures ». Dans nanoGe Fall Meeting 2018. València : Fundació Scito, 2018. http://dx.doi.org/10.29363/nanoge.fallmeeting.2018.155.
Texte intégralTeichert, Christian. « Advanced AFM Techniques to Study Photoconductivity of Inorganic and Organic Semiconductor Nanostructures ». Dans nanoGe Fall Meeting 2018. València : Fundació Scito, 2018. http://dx.doi.org/10.29363/nanoge.nfm.2018.155.
Texte intégralFujiwara, A. « Photoconductivity and Local Transport Properties of Single-Wall Carbon Nanotubes ». Dans STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF MOLECULAR NANOSTRUCTURES : XVI International Winterschool on Electronic Properties of Novel Materials. AIP, 2002. http://dx.doi.org/10.1063/1.1514115.
Texte intégralKan’no, K. « Photoconductivity Associated with Thermal Dissociation of Frenkel Excitons in Pristine C60 Crystals ». Dans ELECTRONIC PROPERTIES OF NOVEL NANOSTRUCTURES : XIX International Winterschool/Euroconference on Electronic Properties of Novel Materials. AIP, 2005. http://dx.doi.org/10.1063/1.2103818.
Texte intégralKobeleva, Svetlana, Ivan Schemerov, Artem Sharapov et Sergey Yurchuk. « CONSIDERATION OF SURFACE RECOMBINATION WHEN MEASURING THE RECOMBINATION LIFETIME FROM THE PHOTOCONDUCTIVITY DECAY IN LARGE-THICKNESS SAMPLES ». Dans International Forum “Microelectronics – 2020”. Joung Scientists Scholarship “Microelectronics – 2020”. XIII International conference «Silicon – 2020». XII young scientists scholarship for silicon nanostructures and devices physics, material science, process and analysis. LLC MAKS Press, 2020. http://dx.doi.org/10.29003/m1555.silicon-2020/55-58.
Texte intégralConte, L., U. Coscia, D. K. Basa, G. Ambrosone et V. Rigato. « Spectral photoconductivity of nanostructured silicon carbon films spectral photoconductivity of SiC thin films ». Dans 2014 Fotonica AEIT Italian Conference on Photonics Technologies (Fotonica AEIT). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/fotonica.2014.6843892.
Texte intégralGarcia-Macedo, Jorge, Alfredo Franco, Guadalupe Valverde et Jeffrey I. Zink. « Photoconductivity on nanostructured sol-gel thin films with silver nanoparticles ». Dans Optical Science and Technology, the SPIE 49th Annual Meeting, sous la direction de Zakya H. Kafafi et Paul A. Lane. SPIE, 2004. http://dx.doi.org/10.1117/12.559688.
Texte intégral