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Texte intégralCho, Eun-Chel, Martin A. Green, Gavin Conibeer, Dengyuan Song, Young-Hyun Cho, Giuseppe Scardera, Shujuan Huang et al. « Silicon Quantum Dots in a Dielectric Matrix for All-Silicon Tandem Solar Cells ». Advances in OptoElectronics 2007 (28 août 2007) : 1–11. http://dx.doi.org/10.1155/2007/69578.
Texte intégralAbdelal, Aysegul, et Peter Mascher. « (Invited) Comparison of Compositional, Optical and Mechanical Properties of Sicn Thin Films Prepared By Ecr-PECVD with Different Hydrocarbon Precursors ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 18 (9 octobre 2022) : 874. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-0218874mtgabs.
Texte intégralFang, Kun, Rui Zhang, Tami Isaacs-Smith, R. Wayne Johnson, Emad Andarawis et Alexey Vert. « Thin Film Multichip Packaging for High Temperature Digital Electronics ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2011, HITEN (1 janvier 2011) : 000039–45. http://dx.doi.org/10.4071/hiten-paper1-rwjohnson.
Texte intégralGalvão, Nierlly, Marciel Guerino, Tiago Campos, Korneli Grigorov, Mariana Fraga, Bruno Rodrigues, Rodrigo Pessoa, Julien Camus, Mohammed Djouadi et Homero Maciel. « The Influence of AlN Intermediate Layer on the Structural and Chemical Properties of SiC Thin Films Produced by High-Power Impulse Magnetron Sputtering ». Micromachines 10, no 3 (22 mars 2019) : 202. http://dx.doi.org/10.3390/mi10030202.
Texte intégralKnowles, Kevin M., et Servet Turan. « Boron nitride–silicon carbide interphase boundaries in silicon nitride–silicon carbide particulate composites ». Journal of the European Ceramic Society 22, no 9-10 (septembre 2002) : 1587–600. http://dx.doi.org/10.1016/s0955-2219(01)00481-2.
Texte intégralBiasini, V., S. Guicciardi et A. Bellosi. « Silicon nitride-silicon carbide composite materials ». International Journal of Refractory Metals and Hard Materials 11, no 4 (janvier 1992) : 213–21. http://dx.doi.org/10.1016/0263-4368(92)90048-7.
Texte intégralKodama, Hironori, Hiroshi Sakamoto et Tadahiko Miyoshi. « Silicon Carbide Monofilament-Reinforced Silicon Nitride or Silicon Carbide Matrix Composites ». Journal of the American Ceramic Society 72, no 4 (avril 1989) : 551–58. http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1989.tb06174.x.
Texte intégralPruiti, Natale G., Charalambos Klitis, Christopher Gough, Stuart May et Marc Sorel. « Thermo-optic coefficient of PECVD silicon-rich silicon nitride ». Optics Letters 45, no 22 (12 novembre 2020) : 6242. http://dx.doi.org/10.1364/ol.403357.
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Texte intégralLiu, Bangwu, Sihua Zhong, Jinhu Liu, Yang Xia et Chaobo Li. « Silicon Nitride Film by Inline PECVD for Black Silicon Solar Cells ». International Journal of Photoenergy 2012 (2012) : 1–5. http://dx.doi.org/10.1155/2012/971093.
Texte intégralHuran, J., B. Zaťko, I. Hotový, J. Pezoldt, A. P. Kobzev et N. I. Balalykin. « PECVD silicon carbide deposited at different temperature ». Czechoslovak Journal of Physics 56, S2 (octobre 2006) : B1207—B1211. http://dx.doi.org/10.1007/s10582-006-0351-8.
Texte intégralJusto, João F., et Cesar R. S. da Silva. « Modelling Amorphous Materials : Silicon Nitride and Silicon Carbide ». Defect and Diffusion Forum 206-207 (juillet 2002) : 19–30. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.206-207.19.
Texte intégralTakakura, Eiju, et Susumu Horibe. « Indentation Fatigue of Silicon Carbide and Silicon Nitride ». Journal of the Japan Institute of Metals 54, no 5 (1990) : 611–16. http://dx.doi.org/10.2320/jinstmet1952.54.5_611.
Texte intégralTakakura, Eiju, et Susumu Horibe. « Indentation Fatigue of Silicon Carbide and Silicon Nitride ». Materials Transactions, JIM 32, no 5 (1991) : 495–500. http://dx.doi.org/10.2320/matertrans1989.32.495.
Texte intégralMunro, R. G., et S. J. Dapkunas. « Corrosion characteristics of silicon carbide and silicon nitride ». Journal of Research of the National Institute of Standards and Technology 98, no 5 (septembre 1993) : 607. http://dx.doi.org/10.6028/jres.098.040.
Texte intégralLiang, Xin, Changlian Chen, Shicong Zhou, Man Xu, Jiayou Ji, Zhiliang Huang, Gangqiang Ding et Hongliang Zhang. « Silicon Carbide Films Prepared by Silicon Nitride Evaporation ». IOP Conference Series : Materials Science and Engineering 678 (27 novembre 2019) : 012162. http://dx.doi.org/10.1088/1757-899x/678/1/012162.
Texte intégralAgrafiotis, Christos C., Jerzy Lis, Jan A. Puszynski et Vladimir Hlavacek. « Combustion Synthesis of Silicon Nitride-Silicon Carbide Composites ». Journal of the American Ceramic Society 73, no 11 (novembre 1990) : 3514–17. http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1990.tb06488.x.
Texte intégralKargin, Yu F., S. N. Ivicheva, A. S. Lysenkov, N. A. Alad’ev, S. V. Kutsev et L. I. Shvorneva. « Preparation of silicon carbide whiskers from silicon nitride ». Inorganic Materials 45, no 7 (28 juin 2009) : 758–66. http://dx.doi.org/10.1134/s0020168509070103.
Texte intégralWang, E. Y., X. Pan, J. P. Mansfield, T. Kennedy et S. Hampshire. « TEM Studies of Silicon Nitride-Silicon Carbide Nanocomposites ». Microscopy and Microanalysis 3, S2 (août 1997) : 411–12. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600008941.
Texte intégralEdwards, D. P., Barry C. Muddle et R. H. J. Hannink. « Microstructural Characterisation of Silicon Nitride-Bonded Silicon Carbide ». Key Engineering Materials 89-91 (août 1993) : 417–22. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.89-91.417.
Texte intégralKennedy, T., Stuart Hampshire, Marc Poorteman et F. Cambier. « Fabrication of Silicon Nitride-Silicon Carbide Nanocomposite Ceramics ». Key Engineering Materials 99-100 (mars 1995) : 257–64. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.99-100.257.
Texte intégralReddy, N. Kishan. « Electrical behaviour of silicon nitride-silicon carbide composites ». Journal of Materials Science Letters 9, no 12 (décembre 1990) : 1393–94. http://dx.doi.org/10.1007/bf00721593.
Texte intégralScheeper, P. R., J. A. Voorthuyzen et P. Bergveld. « PECVD silicon nitride diaphragms for condenser microphones ». Sensors and Actuators B : Chemical 4, no 1-2 (mai 1991) : 79–84. http://dx.doi.org/10.1016/0925-4005(91)80180-r.
Texte intégralYong Zhong Hu, G. R. Yang, T. Paul Chow et Ronald J. Gutmann. « Chemical-mechanical polishing of PECVD silicon nitride ». Thin Solid Films 290-291 (décembre 1996) : 453–55. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(96)09032-3.
Texte intégralLiu, Ze Wen, Tian Ruo Zhang, Li Tian Liu et Zhi Jian Li. « Realization of Silicon Nitride Template for Nanoimprint : A First Result ». Solid State Phenomena 121-123 (mars 2007) : 669–72. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.121-123.669.
Texte intégralJones, Mark Ian, Ron Etzion, Jim Metson, You Zhou, Hideki Hyuga, Yuichi Yoshizawa et Kiyoshi Hirao. « Reaction Bonded Silicon Nitride - Silicon Carbide and SiAlON - Silicon Carbide Refractories for Aluminium Smelting ». Key Engineering Materials 403 (décembre 2008) : 235–38. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.403.235.
Texte intégralZaytsev, S. V., E. A. Doroganov, V. A. Doroganov, E. I. Evtushenko et O. К. Sysa. « Silicon and silicon carbide-based artificial ceramic binders for nitride bonded silicon carbide refractories ». NOVYE OGNEUPORY (NEW REFRACTORIES), no 9 (27 octobre 2019) : 25–30. http://dx.doi.org/10.17073/1683-4518-2019-9-25-30.
Texte intégralSun, Wenyue, Zhiliang Huang, Changlian Chen et Song Chen. « Preparation of Silicon Carbide Film by Composite Sintering of Silicon Nitride and Silicon Carbide ». Journal of Physics : Conference Series 2390, no 1 (1 décembre 2022) : 012001. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2390/1/012001.
Texte intégralKishore, R., S. N. Singh et B. K. Das. « PECVD grown silicon nitride AR coatings on polycrystalline silicon solar cells ». Solar Energy Materials and Solar Cells 26, no 1-2 (mars 1992) : 27–35. http://dx.doi.org/10.1016/0927-0248(92)90123-7.
Texte intégralSong, Yumin, Jun-Kyo Jeong, Seung-Dong Yang, Deok-Min Park, Yun-mi Kang et Ga-Won Lee. « Process effect analysis on nitride trap distribution in silicon-oxide-nitride-oxide-silicon flash memory based on charge retention model ». Materials Express 11, no 9 (1 septembre 2021) : 1615–18. http://dx.doi.org/10.1166/mex.2021.2067.
Texte intégralMeziani, Samir, Abderrahmane Moussi, Linda Mahiou et Ratiba Outemzabet. « Compositional analysis of silicon oxide/silicon nitride thin films ». Materials Science-Poland 34, no 2 (1 juin 2016) : 315–21. http://dx.doi.org/10.1515/msp-2016-0057.
Texte intégralIliescu, Ciprian, Bangtao Chen, Daniel P. Poenar et Yong Yeow Lee. « PECVD amorphous silicon carbide membranes for cell culturing ». Sensors and Actuators B : Chemical 129, no 1 (janvier 2008) : 404–11. http://dx.doi.org/10.1016/j.snb.2007.08.043.
Texte intégralMitomo, Mamoru, et Günter Petzow. « Recent Progress in Silicon Nitride and Silicon Carbide Ceramics ». MRS Bulletin 20, no 2 (février 1995) : 19–22. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400049162.
Texte intégralWOO, Sang Kook, In Sub HAN, Gyeong-Geun RI, Sung-Chul PARK, Kurn CHO et Byung-Koog JANG. « Hot-Corrosion Behavior of Silicon Nitride-Bonded Silicon Carbide. » Journal of the Ceramic Society of Japan 109, no 1265 (2001) : 23–28. http://dx.doi.org/10.2109/jcersj.109.23.
Texte intégralSATO, Tadao, Toshiharu SUGIURA et Kazuyoshi SHIMAKAGE. « Microwave Joining of Ceramics, Silicon Nitride and Silicon Carbide ». Journal of the Ceramic Society of Japan 101, no 1172 (1993) : 422–27. http://dx.doi.org/10.2109/jcersj.101.422.
Texte intégralBaldacim, Sandro Aparecido, Claudinei dos Santos, Olivério Moreira Macedo Silva et Cosme Roberto Moreira Silva. « Silicon Carbide Whiskers Interference on Silicon Nitride Based Composite ». Materials Science Forum 591-593 (août 2008) : 543–47. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.591-593.543.
Texte intégralNarushima, T., T. Goto, T. Hirai et Y. Iguchi. « High-Temperature Oxidation of Silicon Carbide and Silicon Nitride ». Materials Transactions, JIM 38, no 10 (1997) : 821–35. http://dx.doi.org/10.2320/matertrans1989.38.821.
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Texte intégralKishan Reddy, N., et J. Mukerji. « Preparation and characterization of silicon nitride-silicon carbide composites ». Bulletin of Materials Science 13, no 3 (juin 1990) : 173–78. http://dx.doi.org/10.1007/bf02744943.
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Texte intégralWeinmann, M., A. Zern et F. Aldinger. « Stoichiometric Silicon Nitride/Silicon Carbide Composites from Polymeric Precursors ». Advanced Materials 13, no 22 (novembre 2001) : 1704–8. http://dx.doi.org/10.1002/1521-4095(200111)13:22<1704 ::aid-adma1704>3.0.co;2-8.
Texte intégralTuran, Servet, et Kevin M. Knowles. « Interphase boundaries between hexagonal boron nitride and beta silicon nitride in silicon nitride-silicon carbide particulate composites ». Journal of the European Ceramic Society 17, no 15-16 (janvier 1997) : 1849–54. http://dx.doi.org/10.1016/s0955-2219(97)00070-8.
Texte intégralVeltri, Richard D., et Francis S. Galasso. « Chemical-Vapor-Infiltrated Silicon Nitride, Boron Nitride, and Silicon Carbide Matrix Composites ». Journal of the American Ceramic Society 73, no 7 (juillet 1990) : 2137–40. http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1990.tb05288.x.
Texte intégralGatabi, Iman Rezanezhad, Derek W. Johnson, Jung Hwan Woo, Jonathan W. Anderson, Mary R. Coan, Edwin L. Piner et Harlan Rusty Harris. « PECVD Silicon Nitride Passivation of AlGaN/GaN Heterostructures ». IEEE Transactions on Electron Devices 60, no 3 (mars 2013) : 1082–87. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2013.2242075.
Texte intégralGhosh, S., P. K. Dutta et D. N. Bose. « Neural network modeling of PECVD silicon nitride films ». Materials Science in Semiconductor Processing 2, no 1 (avril 1999) : 1–11. http://dx.doi.org/10.1016/s1369-8001(98)00023-7.
Texte intégralKim, Byungwhan, Dong Won Kim et Seung Soo Han. « Refraction properties of PECVD of silicon nitride film ». Vacuum 72, no 4 (janvier 2004) : 385–92. http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2003.08.012.
Texte intégralReynes, Brigitte, et Jean Claude Bruyère. « High-density silicon nitride thin film in PECVD ». Sensors and Actuators A : Physical 32, no 1-3 (avril 1992) : 303–6. http://dx.doi.org/10.1016/0924-4247(92)80003-l.
Texte intégralKhaliq, M. A., Q. A. Shams, W. D. Brown et H. A. Naseem. « Physical properties of memory quality PECVD silicon nitride ». Journal of Electronic Materials 17, no 5 (septembre 1988) : 355–59. http://dx.doi.org/10.1007/bf02652118.
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