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Onaya, Takashi, et Koji Kita. « (Invited) Role of Oxidant Gas for Atomic Layer Deposition of HfxZr1−XO2 Thin Films on Ferroelectricity of Metal-Ferroelectric-Metal Capacitors ». ECS Transactions 113, no 2 (17 mai 2024) : 51–59. http://dx.doi.org/10.1149/11302.0051ecst.
Texte intégralHaeberle, Jörg, Karsten Henkel, Hassan Gargouri, Franziska Naumann, Bernd Gruska, Michael Arens, Massimo Tallarida et Dieter Schmeißer. « Ellipsometry and XPS comparative studies of thermal and plasma enhanced atomic layer deposited Al2O3-films ». Beilstein Journal of Nanotechnology 4 (8 novembre 2013) : 732–42. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.4.83.
Texte intégralVan Daele, Michiel, Christophe Detavernier et Jolien Dendooven. « Surface species during ALD of platinum observed with in situ reflection IR spectroscopy ». Physical Chemistry Chemical Physics 20, no 39 (2018) : 25343–56. http://dx.doi.org/10.1039/c8cp03585g.
Texte intégralMione, M. A., V. Vandalon, W. M. M. Kessels et F. Roozeboom. « Temperature study of atmospheric-pressure plasma-enhanced spatial ALD of Al2O3 using infrared and optical emission spectroscopy ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A 40, no 6 (décembre 2022) : 062407. http://dx.doi.org/10.1116/6.0002158.
Texte intégralDo Nascimento, Cleonilde Maria, Alex José de Melo Silva, Jéssica Paula Lucena, Juliana Ellen de Melo Gama, Cícero Jádson Da Costa, Elane Beatriz de Jesus Oliveira, Danielle Maria Nascimento Moura, Helotonio Carvalho et Sheilla Andrade De Oliveira. « Epidemiological profile of the main prevalent liver diseases in Brazil Northeast and possible impacts associated with the COVID-19 pandemic ». Cuadernos de Educación y Desarrollo 15, no 12 (21 décembre 2023) : 16916–41. http://dx.doi.org/10.55905/cuadv15n12-096.
Texte intégralRoy, Amit K., Jolien Dendooven, Davy Deduytsche, Kilian Devloo-Casier, Kim Ragaert, Ludwig Cardon et Christophe Detavernier. « Plasma-enhanced atomic layer deposition : a gas-phase route to hydrophilic, glueable polytetrafluoroethylene ». Chemical Communications 51, no 17 (2015) : 3556–58. http://dx.doi.org/10.1039/c4cc09474c.
Texte intégralGebhard, M., F. Mitschker, M. Wiesing, I. Giner, B. Torun, T. de los Arcos, P. Awakowicz, G. Grundmeier et A. Devi. « An efficient PE-ALD process for TiO2 thin films employing a new Ti-precursor ». Journal of Materials Chemistry C 4, no 5 (2016) : 1057–65. http://dx.doi.org/10.1039/c5tc03385c.
Texte intégralKarbalaei Akbari, Mohammad, Nasrin Siraj Lopa et Serge Zhuiykov. « Atomic Layer Deposition of Ultra-Thin Crystalline Electron Channels for Heterointerface Polarization at Two-Dimensional Metal-Semiconductor Heterojunctions ». Coatings 13, no 6 (3 juin 2023) : 1041. http://dx.doi.org/10.3390/coatings13061041.
Texte intégralDobbelaere, Thomas, Felix Mattelaer, Amit Kumar Roy, Philippe Vereecken et Christophe Detavernier. « Plasma-enhanced atomic layer deposition of titanium phosphate as an electrode for lithium-ion batteries ». Journal of Materials Chemistry A 5, no 1 (2017) : 330–38. http://dx.doi.org/10.1039/c6ta04179e.
Texte intégralPark, Yongju, Woonyoung Lee, Yongkook Choi, Hyunkyu Lee et Jinseong Park. « Characteristics of Tin Oxide Thin Films Deposited by PE-ALD ». Korean Journal of Materials Research 14, no 12 (1 décembre 2004) : 840–45. http://dx.doi.org/10.3740/mrsk.2004.14.12.840.
Texte intégralLee, W., K. Hong, Y. Park, N. H. Kim, Y. Choi et J. Park. « Surface and sensing properties of PE-ALD SnO2 thin film ». Electronics Letters 41, no 8 (2005) : 475. http://dx.doi.org/10.1049/el:20058174.
Texte intégralGudovskikh, Alexander S., Alexander V. Uvarov, Ivan A. Morozov, Artem I. Baranov, Dmitry A. Kudryashov, Kirill S. Zelentsov, Alexandre Jaffré et al. « Interface Properties of GaP/Si Heterojunction Fabricated by PE‐ALD ». physica status solidi (a) 216, no 10 (18 décembre 2018) : 1800617. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201800617.
Texte intégralXiao, Zhigang, Kim Kisslinger et Rebhadevi Monikandan. « Atomic Layer Deposition of Nanolayered Carbon Films ». C 7, no 4 (27 septembre 2021) : 67. http://dx.doi.org/10.3390/c7040067.
Texte intégralFang, Guo-Yong, Li-Na Xu, Yan-Qiang Cao, Lai-Guo Wang, Di Wu et Ai-Dong Li. « Self-catalysis by aminosilanes and strong surface oxidation by O2 plasma in plasma-enhanced atomic layer deposition of high-quality SiO2 ». Chemical Communications 51, no 7 (2015) : 1341–44. http://dx.doi.org/10.1039/c4cc08004a.
Texte intégralKim, Myoungsub, Youngjun Kim, Minkyu Lee, Seok Man Hong, Hyung Keun Kim, Sijung Yoo, Taehoon Kim, Seung-min Chung, Taeyoon Lee et Hyungjun Kim. « PE-ALD of Ge1−xSx amorphous chalcogenide alloys for OTS applications ». Journal of Materials Chemistry C 9, no 18 (2021) : 6006–13. http://dx.doi.org/10.1039/d1tc00650a.
Texte intégralBaranov, A. I., A. S. Gudovskikh, A. Darga, S. Le Gall et J.-P. Kleider. « Capacitance characterization of GaP/n-Si structures grown by PE-ALD ». Journal of Physics : Conference Series 917 (novembre 2017) : 052027. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/917/5/052027.
Texte intégralBaranov, Artem I., Alexander S. Gudovskikh, Dmitriy A. Kudryashov, Ivan A. Morozov, Alexey M. Mozharov, Ekaterina V. Nikitina, Kirill S. Zelentsov, Arouna Darga, Sylvain Le Gall et Jean-Paul Kleider. « Influence of PE-ALD of GaP on the Silicon Wafers Quality ». physica status solidi (a) 214, no 12 (9 octobre 2017) : 1700685. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201700685.
Texte intégralSchilirò, Emanuela, Salvatore di Franco, Patrick Fiorenza, Corrado Bongiorno, Hassan Gargouri, Mario Saggio, Raffaella Lo Nigro et Fabrizio Roccaforte. « Atomic Layer Deposition of Al2O3 Thin Films for Metal Insulator Semiconductor Applications on 4H-SiC ». Materials Science Forum 858 (mai 2016) : 685–88. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.685.
Texte intégralWei, Wenlu, Baojun Yan, Yuekun Heng, Shulin Liu, Binting Zhang, Huaxing Peng, Yuman Wang et Kaile Wen. « Secondary electron emission characteristics of alumina coating on metallic substrate prepared by atomic layer deposition ». Journal of Instrumentation 18, no 02 (1 février 2023) : P02002. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/18/02/p02002.
Texte intégralLee, Si Young, Julia D. Lenef, Kalyn M. Fuelling, Kevin Enrique Rivera Cruz, Aditya Prajapati, Daniel O. Delgado Cornejo, Tae H. Cho et al. « Atomic Layer Deposition of Cu Catalysts on Gas Diffusion Electrodes for Electrochemical CO2 Reduction ». ECS Meeting Abstracts MA2024-01, no 37 (9 août 2024) : 2198. http://dx.doi.org/10.1149/ma2024-01372198mtgabs.
Texte intégralPerrotta, Alberto, Julian Pilz, Stefan Pachmajer, Antonella Milella et Anna Maria Coclite. « On the transformation of “zincone”-like into porous ZnO thin films from sub-saturated plasma enhanced atomic layer deposition ». Beilstein Journal of Nanotechnology 10 (21 mars 2019) : 746–59. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.10.74.
Texte intégralPerrotta, Alberto, Julian Pilz, Roland Resel, Oliver Werzer et Anna Maria Coclite. « Initial Growth and Crystallization Onset of Plasma Enhanced-Atomic Layer Deposited ZnO ». Crystals 10, no 4 (10 avril 2020) : 291. http://dx.doi.org/10.3390/cryst10040291.
Texte intégralDallaev, Rashid. « Investigation of hydrogen impurities in PE-ALD AlN thin films by IBA methods ». Vacuum 193 (novembre 2021) : 110533. http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2021.110533.
Texte intégralGudovskikh, A. S., A. V. Uvarov, I. A. Morozov, A. I. Baranov, D. A. Kudryashov, E. V. Nikitina, A. A. Bukatin et al. « Si doped GaP layers grown on Si wafers by low temperature PE-ALD ». Journal of Renewable and Sustainable Energy 10, no 2 (mars 2018) : 021001. http://dx.doi.org/10.1063/1.5000256.
Texte intégralPrapaipong, Chanitda, Dheerawan Boonyawan, Chanchai Umongno, Supab Choopun et Pipat Ruankham. « A Microwave Driven PE-ALD for Ultrathin Al2O3/ZnO Synthesis over Perovskite Layer ». Materials Today : Proceedings 17 (2019) : 1521–30. http://dx.doi.org/10.1016/j.matpr.2019.06.177.
Texte intégralSimon, Nicolai, Maria Asplund, Thomas Stieglitz et Volker Bucher. « Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of Iridium Oxide for Application in Miniaturized Neural Implants ». Current Directions in Biomedical Engineering 7, no 2 (1 octobre 2021) : 539–42. http://dx.doi.org/10.1515/cdbme-2021-2137.
Texte intégralD'Acunto, Giulio, Sanzeeda Baig Shuchi, Xueli Zheng, Yi Cui et Stacey F. Bent. « ALD with Enhanced Nucleation on Polymeric Separator for Improved Li-S Batteries ». ECS Meeting Abstracts MA2024-01, no 1 (9 août 2024) : 110. http://dx.doi.org/10.1149/ma2024-011110mtgabs.
Texte intégralJin, Jidong, Jiawei Zhang, Andrew Shaw, Valeriya N. Kudina, Ivona Z. Mitrovic, Jacqueline S. Wrench, Paul R. Chalker, Claudio Balocco, Aimin Song et Steve Hall. « A high speed PE-ALD ZnO Schottky diode rectifier with low interface-state density ». Journal of Physics D : Applied Physics 51, no 6 (19 janvier 2018) : 065102. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/aaa4a2.
Texte intégralKim, Myoungsub, Youngjun Kim, Inkyu Sohn et Hyungjun Kim. « Growth and Electrical Characteristics of PE-ALD Germanium Sulfide for 3D Cross-Point Memory ». ECS Meeting Abstracts MA2020-02, no 23 (23 novembre 2020) : 1686. http://dx.doi.org/10.1149/ma2020-02231686mtgabs.
Texte intégralXiao, Zhigang, Kim Kisslinger, Sam Chance et Samuel Banks. « Comparison of Hafnium Dioxide and Zirconium Dioxide Grown by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition for the Application of Electronic Materials ». Crystals 10, no 2 (23 février 2020) : 136. http://dx.doi.org/10.3390/cryst10020136.
Texte intégralYalcin, Emine B., Ming Tong, Camilla Homans et Suzanne M. de la Monte. « Myriocin Treatment Reverses Alcohol-Induced Alterations in Polyunsaturated Fatty Acid-Containing Phospholipid Expression in the Liver ». Nutrition and Metabolic Insights 15 (janvier 2022) : 117863882210820. http://dx.doi.org/10.1177/11786388221082012.
Texte intégralMitschker, F., S. Steves, M. Gebhard, M. Rudolph, L. Schücke, D. Kirchheim, M. Jaritz et al. « Influence of PE-CVD and PE-ALD on defect formation in permeation barrier films on PET and correlation to atomic oxygen fluence ». Journal of Physics D : Applied Physics 50, no 23 (18 mai 2017) : 235201. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/aa6e28.
Texte intégralHur, Jae Seok, Min Jae Kim, Seong Hun Yoon et Jae Kyeong Jeong. « P‐154 : Late‐News Poster : High‐Performance Indium‐Gallium Oxide Thin‐Film‐Transistors via Plasma‐Enhanced Atomic‐Layer‐Deposition ». SID Symposium Digest of Technical Papers 54, no 1 (juin 2023) : 1826–28. http://dx.doi.org/10.1002/sdtp.16962.
Texte intégralHoppe, Christian, Felix Mitschker, Lukas Mai, Maciej Oskar Liedke, Teresa Arcos, Peter Awakowicz, Anjana Devi et al. « Influence of surface activation on the microporosity of PE‐CVD and PE‐ALD SiO x thin films on PDMS ». Plasma Processes and Polymers 19, no 4 (22 janvier 2022) : 2100174. http://dx.doi.org/10.1002/ppap.202100174.
Texte intégralLiu, Ji, et Michael Nolan. « Modeling the Atomic Layer Deposition of Metal Thin Films : Studying the Surface Reaction Mechanism By Density Functional Theory Simulations ». ECS Meeting Abstracts MA2023-02, no 29 (22 décembre 2023) : 1499. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02291499mtgabs.
Texte intégralDjara, Vladimir, Lukas Czornomaz, Veeresh Deshpande, Nicolas Daix, Emanuele Uccelli, Daniele Caimi, Marilyne Sousa et Jean Fompeyrine. « Tri-gate InGaAs-OI junctionless FETs with PE-ALD Al2O3 gate dielectric and H2/Ar anneal ». Solid-State Electronics 115 (janvier 2016) : 103–8. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2015.08.018.
Texte intégralBarreca, Davide, Giorgio Carraro, Michael E. A. Warwick, Kimmo Kaunisto, Alberto Gasparotto, Valentina Gombac, Cinzia Sada et al. « Fe2O3–TiO2nanosystems by a hybrid PE-CVD/ALD approach : controllable synthesis, growth mechanism, and photocatalytic properties ». CrystEngComm 17, no 32 (2015) : 6219–26. http://dx.doi.org/10.1039/c5ce00883b.
Texte intégralGudovskikh, A. S., A. I. Baranov, A. V. Uvarov, D. A. Kudryashov et J.-P. Kleider. « Space charge capacitance study of GaP/Si multilayer structures grown by plasma deposition ». Journal of Physics D : Applied Physics 55, no 13 (30 décembre 2021) : 135103. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ac41fa.
Texte intégralJeong, Heon Jun, Hyun Soo Park, Keun Hee Kim, Wanhyuk Chang, Yoon Seong Kim, Yun Sung Choi et Joon Hyung Shim. « Performance Improvement of Proton Ceramic Fuel Cells through Surface Treatment of Cobalt Oxide Nanoparticles on Perovskite Oxide ». ECS Transactions 111, no 6 (19 mai 2023) : 2155–60. http://dx.doi.org/10.1149/11106.2155ecst.
Texte intégralBaranov, A. I., A. V. Uvarov, D. A. Kudryashov, I. A. Morozov et A. S. Gudovskikh. « Influence of plasma on electrophysical properties of the GaP/n-Si isotype heterojunction grown by PE-ALD ». Journal of Physics : Conference Series 1482 (mars 2020) : 012017. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1482/1/012017.
Texte intégralCastillo-Saenz, Jhonathan, Nicola Nedev, Benjamín Valdez-Salas, Mario Curiel-Alvarez, María Isabel Mendivil-Palma, Norberto Hernandez-Como, Marcelo Martinez-Puente, David Mateos, Oscar Perez-Landeros et Eduardo Martinez-Guerra. « Properties of Al2O3 Thin Films Grown by PE-ALD at Low Temperature Using H2O and O2 Plasma Oxidants ». Coatings 11, no 10 (19 octobre 2021) : 1266. http://dx.doi.org/10.3390/coatings11101266.
Texte intégralChoi, Gwangpyo, L. Satyanarayana et Jinseong Park. « Effect of process parameters on surface morphology and characterization of PE-ALD SnO2 thin films for gas sensing ». Applied Surface Science 252, no 22 (septembre 2006) : 7878–83. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2005.09.069.
Texte intégralShen, Jie, Fred Roozeboom et Alfredo Mameli. « Atmospheric-pressure plasma-enhanced spatial atomic layer deposition of silicon nitride at low temperature ». Atomic Layer Deposition 1 (27 mars 2023) : 1–11. http://dx.doi.org/10.3897/aldj.1.101651.
Texte intégralSong, Hohyun, Sanghun Seo et Hongyoung Chang. « Study on SiN and SiCN film production using PE-ALD process with high-density multi-ICP source at low temperature ». Current Applied Physics 18, no 11 (novembre 2018) : 1436–40. http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2018.08.012.
Texte intégralStarostin, Sergey A., Wytze Keuning, Jean-Paul Schalken, Mariadriana Creatore, Wilhelmus M. M. Erwin Kessels, Jan B. Bouwstra, Mauritius C. M. Richard van de Sanden et Hindrik W. de Vries. « Synergy Between Plasma-Assisted ALD and Roll-to-Roll Atmospheric Pressure PE-CVD Processing of Moisture Barrier Films on Polymers ». Plasma Processes and Polymers 13, no 3 (31 août 2015) : 311–15. http://dx.doi.org/10.1002/ppap.201500096.
Texte intégralHansen, Katherine, Melissa Cardona, Amartya Dutta et Chen Yang. « Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of Plasmonic TiN Ultrathin Films Using TDMATi and NH3 ». Materials 13, no 5 (27 février 2020) : 1058. http://dx.doi.org/10.3390/ma13051058.
Texte intégralWu, Chien-Hung, Kow-Ming Chang, Sung-Hung Huang, I.-Chung Deng, Chin-Jyi Wu, Wei-Han Chiang et Chia-Chiang Chang. « Characteristics of IGZO TFT Prepared by Atmospheric Pressure Plasma Jet Using PE-ALD $\hbox{Al}_{2}\hbox{O}_{3}$ Gate Dielectric ». IEEE Electron Device Letters 33, no 4 (avril 2012) : 552–54. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2185774.
Texte intégralLee, Baek-Ju, Dong-Won Seo et Jae-Wook Choi. « A Study on the Gap-Fill Process Deposited by the Deposition/Etch/Deposition Method in the Space-Divided PE-ALD System ». Coatings 13, no 1 (27 décembre 2022) : 48. http://dx.doi.org/10.3390/coatings13010048.
Texte intégralKull, Mikk, Helle-Mai Piirsoo, Aivar Tarre, Hugo Mändar, Aile Tamm et Taivo Jõgiaas. « Hardness, Modulus, and Refractive Index of Plasma-Assisted Atomic-Layer-Deposited Hafnium Oxide Thin Films Doped with Aluminum Oxide ». Nanomaterials 13, no 10 (10 mai 2023) : 1607. http://dx.doi.org/10.3390/nano13101607.
Texte intégralPapalia, John, Nathan Marchack, Robert Bruce, Hiroyuki Miyazoe, Sebastian Engelmann et Eric A. Joseph. « Applications for Surface Engineering Using Atomic Layer Etching - Invited Paper ». Solid State Phenomena 255 (septembre 2016) : 41–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.255.41.
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