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Littérature scientifique sur le sujet « PCoC - Puissance Chip on Chip »

Auteur : Grafiati

Publié le 11 janvier 2025

Mis à jour le 31 juillet 2025

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Articles de revues sur le sujet "PCoC - Puissance Chip on Chip"

1

Tahsin, Shekha K., Linan Jiang, Neha Sane, et al. "Abstract A073: Human prostate-on-chip models to define stromal and epithelial interactions in normal and cancerous prostate." Cancer Research 83, no. 11_Supplement (2023): A073. http://dx.doi.org/10.1158/1538-7445.prca2023-a073.

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Résumé :

Abstract Background: The secretion of morphogenic factors from the stroma, whose production is dependent on stromal androgen receptor (AR) action, is crucial for maintaining glandular structure and homeostatic function of the prostate gland. However, the precise nature of the factors involved, their regulation, and how they impact homeostasis in the human prostate is not clear. We hypothesize that loss of stromal AR function as seen in prostate cancer progression and during androgen-deprivation therapy likely contribute to tumor progression through disruption of this homeostasis. It is importa

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2

Jiang, Linan, Hunain Khawaja, Shekha Tahsin, Tanjia A. Clarkson, Cindy K. Miranti, and Yitshak Zohar. "Microfluidic-based human prostate-cancer-on-chip." Frontiers in Bioengineering and Biotechnology 12 (January 23, 2024). http://dx.doi.org/10.3389/fbioe.2024.1302223.

Texte intégral

Résumé :

Lack of adequate models significantly hinders advances in prostate cancer treatment, where resistance to androgen-deprivation therapies and bone metastasis remain as major challenges. Current in vitro models fail to faithfully mimic the complex prostate physiology. In vivo animal models can shed light on the oncogenes involved in prostate cancer development and progression; however, the animal prostate gland is fundamentally different from that of human, and the underlying genetic mechanisms are different. To address this problem, we developed the first in vitro microfluidic human Prostate-Can

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Thèses sur le sujet "PCoC - Puissance Chip on Chip"

1

Derkacz, Pawel. "Convertisseur GaN optimisé vis-à-vis de la CEM." Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2024. http://www.theses.fr/2024GRALT067.

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Résumé :

Cette thèse étudie les possibilités de réduction des interférences électromagnétiques pour les convertisseurs d'électroniques de puissance utilisant des transistors GaN dans trois domaines principaux: la stratégie de contrôle, la conception des circuits imprimés ainsi que l'agencement des composants de puissance et les éléments magnétiques à haute fréquence. Sur la base d'un convertisseur Buck, l’impact de la contribution de la commutation dure et douce sur le bruit conduit généré (mode commun (CM) et mode différentiel (DM)) a été étudiée. L'effet positif de la commutation douce sur la réducti

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2

Meyer, Sandra de. "Etude d'une nouvelle filière de composants HEMTs sur technologie nitrure de gallium : Conception d'une architecture flip-chip d'amplificateur distribué de puissance à très large bande." Limoges, 2005. http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/c6724388-69b6-4017-a9a5-6408d2282ef8/blobholder:0/2005LIMO0030.pdf.

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Résumé :

Ces travaux se rapportent à l'étude de transistors HEMTs GaN pour l'amplification de puissance hyperfréquence. L'analyse des caractéristiques des matériaux grand gap, et plus précisément du GaN, est réalisée afin de mettre en évidence leur intérêt pour des applications d'amplification de puissance large bande. Des résultats de caractérisation et modélisation électrique de composants sont présentés. Par la suite, la méthode de modélisation hybride de composant est exposée et mise en œuvre sur différentes topologies et montages de HEMTs GaN. La finalité de ces travaux concerne la conception d'am

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3

Dubois, Florentine. "Une méthodologie de conception de modèles analytiques de surface et de puissance de réseaux sur puce hautement paramétriques basée sur une méthode d’apprentissage automatique." Thesis, Grenoble, 2013. http://www.theses.fr/2013GRENM026/document.

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Résumé :

Les réseaux sur puces (SoCs - Networks-on-chip) sont apparus durant la dernière décennie en tant que solution flexible et efficace pour interconnecter le nombre toujours croissant d'éléments inclus dans les systèmes sur puces (SoCs - Systems-on-chip). Les réseaux sur puces sont en mesure de répondre aux besoins grandissants en bande-passante et en scalabilité tout en respectant des contraintes fortes de performances. Cependant, ils sont habituellement caractérisés par un grand nombre de paramètres architecturaux et d'implémentation qui forment un vaste espace de conception. Dans ces conditions

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4

Martin, Audrey. "Etude d'une nouvelle filière de composants sur technologie nitrure de gallium. Conception et réalisation d'amplificateurs distribués de puissance large bande à cellules cascodes en montage flip-chip et technologie MMIC." Phd thesis, Université de Limoges, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00271472.

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Résumé :

Ces travaux de recherche se rapportent à l'étude de transistors HEMTs en Nitrure de Gallium pour l'amplification de puissance micro-onde. Une étude des caractéristique des matériaux grand gap et plus particulièrement du GaN est réaliséé afin de mettre en exergue l'adéquation de leurs propriétés pour les applications de puissance hyperfréquence telle que l'amplification large bande. Dans ce contexte, des résultats de caractérisations et modélisations électriques de composants passifs et actifs sont présentés. Les composants passifs dédiés aux conceptions de circuits MMIC sont décrits et différe

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5

Philippon-Martin, Audrey. "Étude d’une nouvelle filière de composants sur technologie nitrure de gallium : conception et réalisation d’amplificateurs distribués de puissance large bande à cellules cascodes en montage flip-chip et technologie MMIC." Limoges, 2007. https://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/862a35bd-117b-4bc6-b2a0-044747ee2ff7/blobholder:0/2007LIMO4025.pdf.

Texte intégral

Résumé :

Ces travaux de recherche se rapportent à l’étude de transistors HEMTs en Nitrure de Gallium pour l’amplification de puissance micro-onde. Une étude des caractéristiques des matériaux grand gap et plus particulièrement du GaN est réalisée afin de mettre en exergue l’adéquation de leurs propriétés pour des applications de puissance hyperfréquence telle que l’amplification large bande. Dans ce contexte, des résultats de caractérisations et modélisations électriques de composants passifs et actifs sont présentés. Les composants passifs dédiés aux conceptions de circuits MMIC sont décrits et différ

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6

Durand, Camille. "Etude thermomécanique expérimentale et numérique d'un module d'électronique de puissance soumis à des cycles actifs de puissance." Thesis, Valenciennes, 2015. http://www.theses.fr/2015VALE0007/document.

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Résumé :

De nos jours, la durée de vie des modules d’électronique de puissance est désormais limitée par les technologies standards de conditionnement, telles que le câblage par fils et le brasage. Ainsi une optimisation des technologies actuellement employées n’est pas suffisante pour satisfaire les futures exigences de fiabilité. Pour dépasser ces limites, un nouveau module de puissance remplaçant les fils de connexion par des clips en cuivre a été développé. Ce design innovant vise à améliorer la fiabilité du module puisqu’il empêche la dégradation des fils de connexion, constituant bien souvent la

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7

Souvignet, Thomas. "Contribution to the design of switched-capacitor voltage regulators in 28nm FDSOI CMOS." Thesis, Lyon, INSA, 2015. http://www.theses.fr/2015ISAL0043/document.

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Résumé :

Les appareils multimédias portables nécessitent toujours plus d'innovation pour satisfaire les besoins des utilisateurs. Les fabricants de système-sur-puces font donc face à une forte demande en capacité de calcul jusqu'à lors réservée aux ordinateurs de bureau. Ce transfert de performance se répercute inévitablement sur la consommation de ces appareils alors que dans le même temps la capacité des batteries n'est pas en mesure de répondre à cet accroissement. De nombreux compléments matériels et logiciels sont mis en places afin d'économiser l'énergie au maximum sans toutefois dégrader les per

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8

Thollin, Benoît. "Outils et méthodologies de caractérisation électrothermique pour l'analyse des technologies d'interconnexion de l'électronique de puissance." Thesis, Grenoble, 2013. http://www.theses.fr/2013GRENT005/document.

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Résumé :

L'électronique de puissance et particulièrement les systèmes de conversions deviennent un enjeu majeur de la transition énergétique et de l'avenir des transports. Les contraintes technico-économiques liées aux nouvelles applications impliquent une augmentation des densités de puissance au sein des modules tout en limitant leur coût et en conservant une robustesse satisfaisante. Aujourd'hui, des solutions semblent émerger grâce à des structures innovantes associées aux composants grands gap et à l'intégration tridimensionnelle. Ces solutions apportent cependant un certain nombre de contraintes

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9

Riva, Raphaël. "Solution d'interconnexions pour la haute température." Thesis, Lyon, INSA, 2014. http://www.theses.fr/2014ISAL0064/document.

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Résumé :

Le silicium a atteint sa limite d’utilisation dans de nombreux domaines tels que l’aéronautique. Un verrou concerne la conception de composants de puissance pouvant fonctionner en haute température et/ou en haute tension. Le recours à des matériaux à large bande interdite tels que le carbure de Silicium (SiC) apporte en partie une solution pour répondre à ces besoins. Le packaging doit être adapté à ces nouveaux types de composants et nouveaux environnements de fonctionnement. Or, il s’avère que l’intégration planaire (2D), composé de fils de câblage et de report de composants par brasure, ne

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El, Khadiry Abdelilah. "Architectures de cellules de commutation monolithiques intégrables sur semi-conducteurs bi-puce et mono-puce pour convertisseurs de puissance compacts." Phd thesis, Toulouse 3, 2014. http://thesesups.ups-tlse.fr/2298/.

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Résumé :

Dans le domaine de l'intégration hybride de puissance, l'opération de câblage des dispositifs semi-conducteurs de puissance est la cause de fortes interactions électriques parasites entre les inductances de connexion, les capacités parasites par rapport au plan de masse, les dispositifs de puissance eux même et leur électronique de commande rapprochée. Ces interactions constituent une source de pollution et d'auto-perturbation EMI d'une part et un facteur de limitation des performances et de la fiabilité d'autre part. La voie de l'intégration monolithique de puissance au sein d'un même cristal

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