Articles de revues sur le sujet « PCM memory »
Créez une référence correcte selon les styles APA, MLA, Chicago, Harvard et plusieurs autres
Consultez les 50 meilleurs articles de revues pour votre recherche sur le sujet « PCM memory ».
À côté de chaque source dans la liste de références il y a un bouton « Ajouter à la bibliographie ». Cliquez sur ce bouton, et nous générerons automatiquement la référence bibliographique pour la source choisie selon votre style de citation préféré : APA, MLA, Harvard, Vancouver, Chicago, etc.
Vous pouvez aussi télécharger le texte intégral de la publication scolaire au format pdf et consulter son résumé en ligne lorsque ces informations sont inclues dans les métadonnées.
Parcourez les articles de revues sur diverses disciplines et organisez correctement votre bibliographie.
Arjomand, Mohammad, Amin Jadidi, Mahmut T. Kandemir, Anand Sivasubramaniam et Chita R. Das. « HL-PCM : MLC PCM Main Memory with Accelerated Read ». IEEE Transactions on Parallel and Distributed Systems 28, no 11 (1 novembre 2017) : 3188–200. http://dx.doi.org/10.1109/tpds.2017.2705125.
Texte intégralPriya, Bhukya Krishna, et N. Ramasubramanian. « Improving the Lifetime of Phase Change Memory by Shadow Dynamic Random Access Memory ». International Journal of Service Science, Management, Engineering, and Technology 12, no 2 (mars 2021) : 154–68. http://dx.doi.org/10.4018/ijssmet.2021030109.
Texte intégralMacyna, Wojciech, et Michal Kukowski. « Adaptive Merging on Phase Change Memory ». Fundamenta Informaticae 188, no 2 (15 mars 2023) : 103–26. http://dx.doi.org/10.3233/fi-222144.
Texte intégralJabarov, Elkhan, Byung-Won On, Gyu Choi et Myong-Soon Park. « R-Tree for phase change memory ». Computer Science and Information Systems 14, no 2 (2017) : 347–67. http://dx.doi.org/10.2298/csis160620008j.
Texte intégralHong, Jeong Beom, Young Sik Lee, Yong Wook Kim et Tae Hee Han. « Error-Vulnerable Pattern-Aware Binary-to-Ternary Data Mapping for Improving Storage Density of 3LC Phase Change Memory ». Electronics 9, no 4 (9 avril 2020) : 626. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9040626.
Texte intégralDing, Feilong, Baokang Peng, Xi Li, Lining Zhang, Runsheng Wang, Zhitang Song et Ru Huang. « A review of compact modeling for phase change memory ». Journal of Semiconductors 43, no 2 (1 février 2022) : 023101. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/2/023101.
Texte intégralTang, Pu, Jing Xiao et Ming Tao. « Thermal Crosstalk Analysis of Phase Change Memory Considering Thermoelectric Effect and Thermal Boundary Resistance ». Journal of Physics : Conference Series 2624, no 1 (1 octobre 2023) : 012020. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2624/1/012020.
Texte intégralStern, Keren, Yair Keller, Christopher M. Neumann, Eric Pop et Eilam Yalon. « Temperature-dependent thermal resistance of phase change memory ». Applied Physics Letters 120, no 11 (14 mars 2022) : 113501. http://dx.doi.org/10.1063/5.0081016.
Texte intégralSun, Hao, Lan Chen, Xiaoran Hao, Chenji Liu et Mao Ni. « An Energy-Efficient and Fast Scheme for Hybrid Storage Class Memory in an AIoT Terminal System ». Electronics 9, no 6 (17 juin 2020) : 1013. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9061013.
Texte intégralShin, Dongsuk, Hakbeom Jang, Kiseok Oh et Jae W. Lee. « An Energy-Efficient DRAM Cache Architecture for Mobile Platforms With PCM-Based Main Memory ». ACM Transactions on Embedded Computing Systems 21, no 1 (31 janvier 2022) : 1–22. http://dx.doi.org/10.1145/3451995.
Texte intégralHo, Chien-Chung, Yu-Ming Chang, Yuan-Hao Chang, Hsiu-Chang Chen et Tei-Wei Kuo. « Write-aware memory management for hybrid SLC-MLC PCM memory systems ». ACM SIGAPP Applied Computing Review 17, no 2 (3 août 2017) : 16–26. http://dx.doi.org/10.1145/3131080.3131082.
Texte intégralHong, Feng, Jianquan Zhang, Shigui Qi et Zheng Li. « PCM-2R : Accelerating MLC PCM Writes via Data Reshaping and Remapping ». Mobile Information Systems 2022 (16 juillet 2022) : 1–19. http://dx.doi.org/10.1155/2022/9552517.
Texte intégralDing, Feilong, Deqi Dong, Yihan Chen, Xinnan Lin et Lining Zhang. « Robust Simulations of Nanoscale Phase Change Memory : Dynamics and Retention ». Nanomaterials 11, no 11 (3 novembre 2021) : 2945. http://dx.doi.org/10.3390/nano11112945.
Texte intégralAntolini, Alessio, Eleonora Franchi Scarselli, Antonio Gnudi, Marcella Carissimi, Marco Pasotti, Paolo Romele et Roberto Canegallo. « Characterization and Programming Algorithm of Phase Change Memory Cells for Analog In-Memory Computing ». Materials 14, no 7 (26 mars 2021) : 1624. http://dx.doi.org/10.3390/ma14071624.
Texte intégralArjomand, Mohammad, Mahmut T. Kandemir, Anand Sivasubramaniam et Chita R. Das. « Boosting access parallelism to PCM-based main memory ». ACM SIGARCH Computer Architecture News 44, no 3 (12 octobre 2016) : 695–706. http://dx.doi.org/10.1145/3007787.3001211.
Texte intégralLee, Jung-Hoon. « PCM Main Memory for Low Power Embedded System ». IEMEK Journal of Embedded Systems and Applications 10, no 6 (31 décembre 2015) : 391–97. http://dx.doi.org/10.14372/iemek.2015.10.6.391.
Texte intégralJung, Bo-Sung, et Jung-Hoon Lee. « High Performance PCM&DRAM Hybrid Memory System ». IEMEK Journal of Embedded Systems and Applications 11, no 2 (30 avril 2016) : 117–23. http://dx.doi.org/10.14372/iemek.2016.11.2.117.
Texte intégralHARNSOONGNOEN, SANCHAI, CHIRANUT SA-NGIAMSAK et APIRAT SIRITARATIWAT. « OPTIMIZATION OF PHASE CHANGE MEMORY WITH THIN METAL INSERTED LAYER ON MATERIAL PROPERTIES ». International Journal of Modern Physics B 23, no 17 (10 juillet 2009) : 3625–30. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979209063080.
Texte intégralPriya, Bhukya Krishna, et N. Ramasubramanian. « Enhancing the Lifetime of a Phase Change Memory with Bit-Flip Reversal ». Journal of Circuits, Systems and Computers 29, no 14 (11 mars 2020) : 2050219. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126620502199.
Texte intégralAkbarzadeh, Negar, Sina Darabi, Atiyeh Gheibi-Fetrat, Amir Mirzaei, Mohammad Sadrosadati et Hamid Sarbazi-Azad. « H3DM : A High-bandwidth High-capacity Hybrid 3D Memory Design for GPUs ». Proceedings of the ACM on Measurement and Analysis of Computing Systems 8, no 1 (16 février 2024) : 1–28. http://dx.doi.org/10.1145/3639038.
Texte intégralMohseni, Milad, Ahmed Alkhayyat, P. Balaji Srikaanth, Ali Jawad Alrubaie, Arnold C. Alguno, Rey Y. Capangpangan et Bhupesh Kumar Singh. « Analyzing Characteristics for Two-Step SET Operation Scheme for Improving Write Time in Nanoscale Phase-Change Memory (PCM) ». Journal of Nanomaterials 2022 (9 septembre 2022) : 1–20. http://dx.doi.org/10.1155/2022/6822884.
Texte intégralLewis, Matthew, et Lucien N. Brush. « Impact of solid–liquid interfacial thermodynamics on phase-change memory RESET scaling ». Nanotechnology 33, no 20 (21 février 2022) : 205204. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac512c.
Texte intégralLei, Xin-Qing, Jia-He Zhu, Da-Wei Wang et Wen-Sheng Zhao. « Design for Ultrahigh-Density Vertical Phase Change Memory : Proposal and Numerical Investigation ». Electronics 11, no 12 (8 juin 2022) : 1822. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11121822.
Texte intégralGonzalez-Alberquilla, Rodrigo, Fernando Castro, Luis Pinuel et Francisco Tirado. « CEPRAM : Compression for Endurance in PCM RAM ». Journal of Circuits, Systems and Computers 26, no 11 (3 avril 2017) : 1750167. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126617501675.
Texte intégralQiao, Yang, Jin Zhao, Haodong Sun, Zhitang Song, Yuan Xue, Jiao Li et Sannian Song. « Pt Modified Sb2Te3 Alloy Ensuring High−Performance Phase Change Memory ». Nanomaterials 12, no 12 (10 juin 2022) : 1996. http://dx.doi.org/10.3390/nano12121996.
Texte intégralZhang, Zhong Hua, San Nian Song, Zhi Tang Song, Le Li, Lan Lan Shen, Tian Qi Guo, Yan Cheng et al. « Performance Improvement of Phase Change Memory Cell by Using a Tantalum Pentoxide Buffer Layer ». Materials Science Forum 848 (mars 2016) : 425–29. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.848.425.
Texte intégralSong, Zhitang, Daolin Cai, Yan Cheng, Lei Wang, Shilong Lv, Tianjiao Xin et Gaoming Feng. « 12-state multi-level cell storage implemented in a 128 Mb phase change memory chip ». Nanoscale 13, no 23 (2021) : 10455–61. http://dx.doi.org/10.1039/d1nr00100k.
Texte intégralYin, You, et Sumio Hosaka. « Crystal Growth Suppression by N-Doping into Chalcogenide for Application to Next-Generation Phase Change Memory ». Key Engineering Materials 497 (décembre 2011) : 101–5. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.497.101.
Texte intégralKim, Jeong-Geun, Shin-Dug Kim et Su-Kyung Yoon. « Q-Selector-Based Prefetching Method for DRAM/NVM Hybrid Main Memory System ». Electronics 9, no 12 (16 décembre 2020) : 2158. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9122158.
Texte intégralYun, Ji-Tae, Su-Kyung Yoon, Jeong-Geun Kim, Bernd Burgstaller et Shin-Dug Kim. « Regression Prefetcher with Preprocessing for DRAM-PCM Hybrid Main Memory ». IEEE Computer Architecture Letters 17, no 2 (1 juillet 2018) : 163–66. http://dx.doi.org/10.1109/lca.2018.2841835.
Texte intégralPourshirazi, Bahareh, Majed Valad Beigi, Zhichun Zhu et Gokhan Memik. « Writeback-Aware LLC Management for PCM-Based Main Memory Systems ». ACM Transactions on Design Automation of Electronic Systems 24, no 2 (21 mars 2019) : 1–19. http://dx.doi.org/10.1145/3292009.
Texte intégralYoon, Su-Kyung, Jitae Yun, Jung-Geun Kim et Shin-Dug Kim. « Self-Adaptive Filtering Algorithm with PCM-Based Memory Storage System ». ACM Transactions on Embedded Computing Systems 17, no 3 (2 juin 2018) : 1–23. http://dx.doi.org/10.1145/3190856.
Texte intégralEl-Hassan, Nemat H., Nandha Thulasiraman Kumar et Haider Abbas F. Almurib. « Modelling of wire resistance effect in PCM-based nanocrossbar memory ». Journal of Engineering 2016, no 10 (1 octobre 2016) : 357–62. http://dx.doi.org/10.1049/joe.2016.0212.
Texte intégralMeng, Yingjie, Yimin Chen, Kexin Peng, Bin Chen, Chenjie Gu, Yixiao Gao, Guoxiang Wang et Xiang Shen. « GeTe ultrathin film based phase-change memory with extreme thermal stability, fast SET speed, and low RESET power energy ». AIP Advances 13, no 3 (1 mars 2023) : 035205. http://dx.doi.org/10.1063/5.0138286.
Texte intégralXu, Zhehao, Xiao Su, Sicong Hua, Jiwei Zhai, Sannian Song et Zhitang Song. « Non-volatile multi-level cell storage via sequential phase transition in Sb7Te3/GeSb6Te multilayer thin film ». Nanotechnology 33, no 7 (22 novembre 2021) : 075701. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac3613.
Texte intégralGafner, Yuri Ya, Svetlana L. Gafner et Daria A. Ryzhkova. « Estimating Ag-Cu Nanoalloy Applicability for PCM Data Recording ». Solid State Phenomena 310 (septembre 2020) : 47–52. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.310.47.
Texte intégralYin, You, Rosalena Irma Alip, Yu Long Zhang, Ryota Kobayashi et Sumio Hosaka. « Multi-Level Storage in Lateral Phase Change Memory : From 3 to 16 Resistance Levels ». Key Engineering Materials 534 (janvier 2013) : 131–35. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.534.131.
Texte intégralNguyen, Huu Tan, Andrzej Kusiak, Jean Luc Battaglia, Cecile Gaborieau, Yanick Anguy, Roberto Fallica, Claudia Wiemer, Alessio Lamperti et Massimo Longo. « Thermal Properties of In-Sb-Te Thin Films for Phase Change Memory Application ». Advances in Science and Technology 95 (octobre 2014) : 113–19. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.95.113.
Texte intégralLiu, Guang Yu, Liang Cai Wu, Zhi Tang Song, Feng Rao, San Nian Song et Yan Cheng. « Stability of Sb2Te Crystalline Films for Phase Change Memory ». Materials Science Forum 898 (juin 2017) : 1829–33. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.898.1829.
Texte intégralYin, You, et Sumio Hosaka. « Proposed Phase-Change Memory with a Step-Like Channel for High-Performance Multi-State Storage ». Key Engineering Materials 459 (décembre 2010) : 145–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.459.145.
Texte intégralLin, Shu-Yen, et Shao-Cheng Wang. « Thermal-constrained memory management for three-dimensional DRAM-PCM memory with deep neural network applications ». Microprocessors and Microsystems 89 (mars 2022) : 104444. http://dx.doi.org/10.1016/j.micpro.2022.104444.
Texte intégralGrimonia, E., M. R. C. Andhika, M. F. N. Aulady, R. V. C. Rubi et N. L. Hamidah. « Thermal Management System Using Phase Change Material for Lithium-ion Battery ». Journal of Physics : Conference Series 2117, no 1 (1 novembre 2021) : 012005. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2117/1/012005.
Texte intégralFAN, Yu-Lei, et Xiao-Feng MENG. « Transaction Recovery Model of Databases Based on PCM and Flash Memory ». Chinese Journal of Computers 36, no 8 (18 mars 2014) : 1582–91. http://dx.doi.org/10.3724/sp.j.1016.2013.01582.
Texte intégralRuan, Shenchen, Haixia Wang et Dongsheng Wang. « MAC : A Novel Systematically Multilevel Cache Replacement Policy for PCM Memory ». Computer Applications : An International Journal 3, no 2 (30 mai 2016) : 11–22. http://dx.doi.org/10.5121/caij.2016.3202.
Texte intégralFu, Yinjin, Yutong Lu, Zhiguang Chen wu, Yang Wu et Nong Xiao. « Design and Simulation of Content-Aware Hybrid DRAM-PCM Memory System ». IEEE Transactions on Parallel and Distributed Systems 33, no 7 (1 juillet 2022) : 1666–77. http://dx.doi.org/10.1109/tpds.2021.3123539.
Texte intégralJunsangsri, Pilin, et Fabrizio Lombardi. « A New Comprehensive Model of a Phase Change Memory (PCM) Cell ». IEEE Transactions on Nanotechnology 13, no 6 (novembre 2014) : 1213–25. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2014.2353992.
Texte intégralCiocchini, Nicola, Marco Cassinerio, Davide Fugazza et Daniele Ielmini. « Modeling of Threshold-Voltage Drift in Phase-Change Memory (PCM) Devices ». IEEE Transactions on Electron Devices 59, no 11 (novembre 2012) : 3084–90. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2012.2214784.
Texte intégralBaek, Seungcheol, Hyung Gyu Lee, Chrysostomos Nicopoulos et Jongman Kim. « Designing Hybrid DRAM/PCM Main Memory Systems Utilizing Dual-Phase Compression ». ACM Transactions on Design Automation of Electronic Systems 20, no 1 (18 novembre 2014) : 1–31. http://dx.doi.org/10.1145/2658989.
Texte intégralMohseni, Milad, et Ahmad Habibized Novin. « A survey on techniques for improving Phase Change Memory (PCM) lifetime ». Journal of Systems Architecture 144 (novembre 2023) : 103008. http://dx.doi.org/10.1016/j.sysarc.2023.103008.
Texte intégralYang, Zhe, Dayou Zhang, Jingwei Cai, Chuantao Gong, Qiang He, Ming Xu, Hao Tong et Xiangshui Miao. « Joule heating induced non-melting phase transition and multi-level conductance in MoTe2 based phase change memory ». Applied Physics Letters 121, no 20 (14 novembre 2022) : 203508. http://dx.doi.org/10.1063/5.0127160.
Texte intégral