Littérature scientifique sur le sujet « Optoelectronic transistors »
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Articles de revues sur le sujet "Optoelectronic transistors"
Soldano, Caterina. « Engineering Dielectric Materials for High-Performance Organic Light Emitting Transistors (OLETs) ». Materials 14, no 13 (5 juillet 2021) : 3756. http://dx.doi.org/10.3390/ma14133756.
Texte intégralSoref, Richard. « Applications of Silicon-Based Optoelectronics ». MRS Bulletin 23, no 4 (avril 1998) : 20–24. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400030220.
Texte intégralPan, James N. « Chromatic and Panchromatic Nonlinear Optoelectronic CMOSFETs for CMOS Image Sensors, Laser Multiplexing, Computing, and Communication ». MRS Advances 5, no 37-38 (2020) : 1965–74. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2020.273.
Texte intégralHuseynova, Gunel, et Vladislav Kostianovskii. « Doped organic field-effect transistors ». Material Science & ; Engineering International Journal 2, no 6 (5 décembre 2018) : 212–15. http://dx.doi.org/10.15406/mseij.2018.02.00059.
Texte intégralZhang, Junyao, Yang Lu, Shilei Dai, Ruizhi Wang, Dandan Hao, Shiqi Zhang, Lize Xiong et Jia Huang. « Retina-Inspired Organic Heterojunction-Based Optoelectronic Synapses for Artificial Visual Systems ». Research 2021 (22 février 2021) : 1–10. http://dx.doi.org/10.34133/2021/7131895.
Texte intégralGao, Haikuo, Jinyu Liu, Zhengsheng Qin, Tianyu Wang, Can Gao, Huanli Dong et Wenping Hu. « High-performance amorphous organic semiconductor-based vertical field-effect transistors and light-emitting transistors ». Nanoscale 12, no 35 (2020) : 18371–78. http://dx.doi.org/10.1039/d0nr03569f.
Texte intégralVyas, Sumit. « A Short Review on Properties and Applications of Zinc Oxide Based Thin Films and Devices : ZnO as a promising material for applications in electronics, optoelectronics, biomedical and sensors ». Johnson Matthey Technology Review 64, no 2 (1 avril 2020) : 202–18. http://dx.doi.org/10.1595/205651320x15694993568524.
Texte intégralWu, Jieyun, Qing Li, Wen Wang et Kaixin Chen. « Optoelectronic Properties and Structural Modification of Conjugated Polymers Based on Benzodithiophene Groups ». Mini-Reviews in Organic Chemistry 16, no 3 (25 janvier 2019) : 253–60. http://dx.doi.org/10.2174/1570193x15666180406144851.
Texte intégralUrey, Z., D. Wake, D. J. Newson et I. D. Henning. « Comparison of InGaAs transistors as optoelectronic mixers ». Electronics Letters 29, no 20 (1993) : 1796. http://dx.doi.org/10.1049/el:19931195.
Texte intégralHong, Tu, Bhim Chamlagain, Wenzhi Lin, Hsun-Jen Chuang, Minghu Pan, Zhixian Zhou et Ya-Qiong Xu. « Polarized photocurrent response in black phosphorus field-effect transistors ». Nanoscale 6, no 15 (2014) : 8978–83. http://dx.doi.org/10.1039/c4nr02164a.
Texte intégralThèses sur le sujet "Optoelectronic transistors"
Bird, Matthew J. « Optoelectronic processes in polyfluorene ambipolar transistors ». Thesis, University of Cambridge, 2011. https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/256013.
Texte intégralLiu, Chin Pang. « Optoelectronic mixing in heterojunction bipolar transistors ». Thesis, University College London (University of London), 2000. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.312033.
Texte intégralHuang, Yong. « InAlGaAs/InP light emitting transistors and transistor lasers operating near 1.55 μm ». Diss., Georgia Institute of Technology, 2010. http://hdl.handle.net/1853/37298.
Texte intégralLoga, Rodney Izzat. « HBT/DHBTs for monolithic optoelectronic interfaces ». Thesis, King's College London (University of London), 2002. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.268719.
Texte intégralTan, Eugene. « Design, fabrication and characterization of N-channel InGaAsP-InP based inversion channel technology devices (ICT) for optoelectronic integrated circuits (OEIC), double heterojunction optoelectronic switches (DOES), heterojunction field-effect transistors (HFET), bipolar inversion channel field-effect transistors (BICFET) and bipolar inversion channel phototransistors (BICPT) ». Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 1998. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk1/tape11/PQDD_0006/NQ42767.pdf.
Texte intégralHo, Kai Wai. « Evaluation and characterization of efficient organic optoelectronic materials and devices ». HKBU Institutional Repository, 2020. https://repository.hkbu.edu.hk/etd_oa/816.
Texte intégralHo, Ka Wai. « Evaluation and characterization of efficient organic optoelectronic materials and devices ». HKBU Institutional Repository, 2020. https://repository.hkbu.edu.hk/etd_oa/873.
Texte intégralFiebig, Matthias. « Spatially resolved electronic and optoelectronic measurements of pentacene thin film transistors ». Diss., lmu, 2010. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:19-122033.
Texte intégralUnal, Selim. « Field-effect transistors and optoelectronic devices based on emerging atomically thin materials ». Thesis, University of Exeter, 2017. http://hdl.handle.net/10871/27140.
Texte intégralYang, Tiebin. « Interfacial Engineering of Thin Single-Crystal Lead Halide Perovskites for High-Performance Optoelectronic Devices ». Thesis, The University of Sydney, 2022. https://hdl.handle.net/2123/28205.
Texte intégralLivres sur le sujet "Optoelectronic transistors"
Workshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (1997 London, England). 1997 Workshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, EDMO. [New York] : IEEE, 1997.
Trouver le texte intégralWorkshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (1993 London, UK). High performance electron devices for microwave and optoelectronic applications, EDMO '93, King's College London, 18th October, 1993 : Announcement & programme for workshop. [London] : IEEE, 1993.
Trouver le texte intégralWorkshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (1996 University of Leeds). 1996 High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications Workshop, EDMO. [New York] : IEEE, 1996.
Trouver le texte intégralWorkshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (1995 London, England). 1995 Workshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications : EDMO. Piscataway, NJ : IEEE Service Center, 1995.
Trouver le texte intégralSimons, Rainee. Optoelectric gain control of a microwave single stage GaAs MESFET amplifier. [Washington, D.C.] : National Aeronautics and Space Administration, 1988.
Trouver le texte intégralWorkshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (1996 London, England). 1996 High performance electron devices for microwave and optoelectronic applications workshop : EDMO 96 : [Weetwood Hall, the University of Leeds, 25-26 November 1996]. Piscataway, N.J : IEEE Service Center, 1996.
Trouver le texte intégralSiGe heterojunction bipolar transistors. Chichester : Wiley, 2004.
Trouver le texte intégralTaiwan de jing tan hao : Tai Ri Han TFT shi ji zhi zheng. Taiabei Shi : Shi bao wen hua chu ban qi ye gu fen you xian gong si, 2004.
Trouver le texte intégralAdvanced, Workshop on Frontiers in Electronics (1997 Santa Cruz de Tenerife Spain). 1997 Advanced Workshop on Frontiers in Electronics : WOFE '97 proceedings : Puerto de la Cruz, Tenerife, Spain, 6-11 January 1997. New York : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1997.
Trouver le texte intégralIm, Seongil. Photo-Excited Charge Collection Spectroscopy : Probing the traps in field-effect transistors. Dordrecht : Springer Netherlands, 2013.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Optoelectronic transistors"
Cooper, Donald E., et Steven C. Moss. « Picosecond Optoelectronic Diagnostics of Field Effect Transistors ». Dans Picosecond Electronics and Optoelectronics, 62–65. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1985. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-70780-3_11.
Texte intégralKusmartsev, F. V., W. M. Wu, M. P. Pierpoint et K. C. Yung. « Application of Graphene Within Optoelectronic Devices and Transistors ». Dans Progress in Optical Science and Photonics, 191–221. Singapore : Springer Singapore, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-287-242-5_9.
Texte intégralLambrechts, Wynand, et Saurabh Sinha. « Frequency Response of Optoelectronic Receivers : The Motivation for Faster Transistors ». Dans Signals and Communication Technology, 167–200. Cham : Springer International Publishing, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-47403-8_6.
Texte intégralPrelipceanu, Marius, et Adrian Graur. « Study of New Organic Field Transistors for RFID, Optoelectronic and Mobile Applications ». Dans Lecture Notes in Electrical Engineering, 135–42. Cham : Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-05440-7_11.
Texte intégralSahri, Nabil, Tadao Nagatsuma, Taiichi Otsuji, Naofumi Shimizu et Makoto Yaita. « Characterization of > ; 300 GHz Transistors Using a Novel Optoelectronic Network Analyzer ». Dans Springer Series in Chemical Physics, 194–96. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-72289-9_58.
Texte intégralAlbrecht, H. « Pin Photodiodes and Field-Effect Transistors for Monolithically Integrated InP/InGaAs Optoelectronic Circuits ». Dans Micro System Technologies 90, 767–72. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1990. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-45678-7_110.
Texte intégralTamura, Hiroyuki. « Theoretical Analysis on Optoelectronic Properties of Organic Materials : Solar Cells and Light-Emitting Transistors ». Dans Progress in Nanophotonics 3, 57–82. Cham : Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-11602-0_2.
Texte intégralWang, Chengliang, Lang Jiang et Wenping Hu. « Organic/Polymeric Field-Effect Transistors ». Dans Organic Optoelectronics, 95–170. Weinheim, Germany : Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2013. http://dx.doi.org/10.1002/9783527653454.ch3.
Texte intégralMeng, Qing, Huanli Dong et Wenping Hu. « Organic/Polymeric Semiconductors for Field-Effect Transistors ». Dans Organic Optoelectronics, 43–94. Weinheim, Germany : Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2013. http://dx.doi.org/10.1002/9783527653454.ch2.
Texte intégralTang, Qinqxin, Yanhong Tong et Wenping Hu. « Organic Circuits and Organic Single-Molecule Transistors ». Dans Organic Optoelectronics, 171–276. Weinheim, Germany : Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2013. http://dx.doi.org/10.1002/9783527653454.ch4.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Optoelectronic transistors"
Cooper, Donald E. « Picosecond Optoelectronic Diagnostics of Field Effect Transistors ». Dans Picosecond Electronics and Optoelectronics. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1985. http://dx.doi.org/10.1364/peo.1985.thc3.
Texte intégralShur, Michael S., et Mohamed A. Khan. « Optoelectronic GaN-based field effect transistors ». Dans Photonics West '95, sous la direction de Manijeh Razeghi, Yoon-Soo Park et Gerald L. Witt. SPIE, 1995. http://dx.doi.org/10.1117/12.206879.
Texte intégralSchuermeyer, Fritz. « Optoelectronic pseudomorphic high-electron-mobility transistors ». Dans Photonics West '97, sous la direction de Yoon-Soo Park et Ramu V. Ramaswamy. SPIE, 1997. http://dx.doi.org/10.1117/12.264208.
Texte intégralGrot, Annette, Steven Lin et Demetri Psaltis. « Optoelectronic neurons using MSM detectors in GaAs ». Dans OSA Annual Meeting. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1991. http://dx.doi.org/10.1364/oam.1991.mk4.
Texte intégralBryan, Robert P., Jack L. Jewell, Greg R. Olbright et Winston S. Fu. « Smart pixel optoelectronic interconnects : integrated microlasers/transistors ». Dans OE/LASE'93 : Optics, Electro-Optics, & Laser Applications in Science& Engineering, sous la direction de Ray T. Chen. SPIE, 1993. http://dx.doi.org/10.1117/12.147100.
Texte intégralPavuna, Davor. « Applications of HTSC Films in Hybrid Optoelectronic Devices ». Dans Progress in High-Temperature Superconducting Transistors and Other Devices II. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.2321825.
Texte intégralSkogman, R. A. « Atomic layer epitaxy of YBaCuO for optoelectronic applications ». Dans Progress in High-Temperature Superconducting Transistors and Other Devices II. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.2321837.
Texte intégralLin, Steven, et Demetri Psaltis. « GaAs optoelectronic neurons ». Dans OSA Annual Meeting. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1991. http://dx.doi.org/10.1364/oam.1991.mk1.
Texte intégralKang, Youn-Seon, Bo Xiao, Ya I. Alivov, Qian Fan, Jinqiao Xie et Hadis Morko. « Ferroelectric PZT/AlGaN/GaN field effect transistors ». Dans Integrated Optoelectronic Devices 2006, sous la direction de Cole W. Litton, James G. Grote, Hadis Morkoc et Anupam Madhukar. SPIE, 2006. http://dx.doi.org/10.1117/12.657584.
Texte intégralHsieh, Chi-Ti, Pi-Ju Cheng, Chih-Hsien Lin et Shu-Wei Chang. « Carrier lifetime of heavily p-doped base in light-emitting transistors and transistor lasers ». Dans Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XXVII, sous la direction de Marek Osiński, Yasuhiko Arakawa et Bernd Witzigmann. SPIE, 2019. http://dx.doi.org/10.1117/12.2508189.
Texte intégralRapports d'organisations sur le sujet "Optoelectronic transistors"
Cooper, Donald E., et Steven C. Moss. Picosecond Optoelectronic Diagnostics of Field Effect Transistors,. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, juin 1986. http://dx.doi.org/10.21236/ada170503.
Texte intégralCooper, Donald E., et Steven C. Moss. Picosecond Optoelectronic Measurement of the High Frequency Scattering Parameters of a GaAs FET (Field Effect Transistor). Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, juin 1986. http://dx.doi.org/10.21236/ada170618.
Texte intégral