Articles de revues sur le sujet « OPTOELECTRONIC DEVICE APPLICATIONS »
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Sang, Xianhe, Yongfu Wang, Qinglin Wang, Liangrui Zou, Shunhao Ge, Yu Yao, Xueting Wang, Jianchao Fan et Dandan Sang. « A Review on Optoelectronical Properties of Non-Metal Oxide/Diamond-Based p-n Heterojunction ». Molecules 28, no 3 (30 janvier 2023) : 1334. http://dx.doi.org/10.3390/molecules28031334.
Texte intégralGao, Q., H. J. Joyce, S. Paiman, J. H. Kang, H. H. Tan, Y. Kim, L. M. Smith et al. « Nanowires for optoelectronic device applications ». physica status solidi (c) 6, no 12 (décembre 2009) : 2678–82. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200982528.
Texte intégralHeutz, Sandrine, Paul Sullivan, Brett M. Sanderson, Stephan M. Schultes et Tim S. Jones. « Molecular Thin Films for Optoelectronic Applications ». Solid State Phenomena 121-123 (mars 2007) : 373–76. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.121-123.373.
Texte intégralLi, Ziwei, Boyi Xu, Delang Liang et Anlian Pan. « Polarization-Dependent Optical Properties and Optoelectronic Devices of 2D Materials ». Research 2020 (29 août 2020) : 1–35. http://dx.doi.org/10.34133/2020/5464258.
Texte intégralJeon, Jaeho, Yajie Yang, Haeju Choi, Jin-Hong Park, Byoung Hun Lee et Sungjoo Lee. « MXenes for future nanophotonic device applications ». Nanophotonics 9, no 7 (13 mai 2020) : 1831–53. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2020-0060.
Texte intégralXu, Wangqiong, Ying Lu, Weibin Lei, Fengrui Sui, Ruru Ma, Ruijuan Qi et Rong Huang. « FIB-Assisted Fabrication of Single Tellurium Nanotube Based High Performance Photodetector ». Micromachines 13, no 1 (22 décembre 2021) : 11. http://dx.doi.org/10.3390/mi13010011.
Texte intégralJamal-Eddine, Zane, Yuewei Zhang et Siddharth Rajan. « Recent Progress in III-Nitride Tunnel Junction-Based Optoelectronics ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 28, no 01n02 (mars 2019) : 1940012. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156419400123.
Texte intégralVazhdaev, Konstantin, Marat Urakseev, Azamat Allaberdin et Kostantin Subkhankulov. « OPTOELECTRONIC DEVICES BASED ON DIFFRACTION GRATINGS FROM STANDING ELASTIC WAVES ». Electrical and data processing facilities and systems 18, no 3-4 (2022) : 151–58. http://dx.doi.org/10.17122/1999-5458-2022-18-3-4-151-158.
Texte intégralHeydari Gharahcheshmeh, Meysam, et Karen K. Gleason. « Recent Progress in Conjugated Conducting and Semiconducting Polymers for Energy Devices ». Energies 15, no 10 (17 mai 2022) : 3661. http://dx.doi.org/10.3390/en15103661.
Texte intégralXu, Heng Rui, et Ping Liu. « Patterning Method for Nanowire Transparent Conductive Films ». Materials Science Forum 1036 (29 juin 2021) : 66–76. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.1036.66.
Texte intégralShi, Zhe, He Zhang, Karim Khan, Rui Cao, Ye Zhang, Chunyang Ma, Ayesha Khan Tareen, Yuanfei Jiang, Mingxing Jin et Han Zhang. « Two-dimensional materials toward Terahertz optoelectronic device applications ». Journal of Photochemistry and Photobiology C : Photochemistry Reviews 51 (juin 2022) : 100473. http://dx.doi.org/10.1016/j.jphotochemrev.2021.100473.
Texte intégralBabić, Dubravko I., John E. Bowers, Evelyn L. Hu, Long Yang et Kent Carey. « Wafer Fusion for Surface-Normal Optoelectronic Device Applications ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 08, no 02 (juin 1997) : 357–76. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156497000135.
Texte intégralJoyce, Hannah J., Qiang Gao, H. Hoe Tan, C. Jagadish, Yong Kim, Jin Zou, Leigh M. Smith et al. « III–V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications ». Progress in Quantum Electronics 35, no 2-3 (mars 2011) : 23–75. http://dx.doi.org/10.1016/j.pquantelec.2011.03.002.
Texte intégralDeschler, M., M. Cüppers, A. Brauers, M. Heyen et P. Balk. « Halogen VPE of AlGaAs for optoelectronic device applications ». Journal of Crystal Growth 82, no 4 (avril 1987) : 628–38. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0248(87)80007-6.
Texte intégralXie, Chao, Yi Wang, Zhi-Xiang Zhang, Di Wang et Lin-Bao Luo. « Graphene/Semiconductor Hybrid Heterostructures for Optoelectronic Device Applications ». Nano Today 19 (avril 2018) : 41–83. http://dx.doi.org/10.1016/j.nantod.2018.02.009.
Texte intégralAndré, Pascal, Peter Reece, Jens W. Tomm, Jean-Charles Ribierre et Iwan Moreels. « Semiconductor Nanostructures towards Electronic and Optoelectronic Device Applications ». physica status solidi (c) 11, no 2 (février 2014) : 193–94. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201470040.
Texte intégralChakraborty, R., U. Das, D. Mohanta et A. Choudhury. « Fabrication of ZnO nanorods for optoelectronic device applications ». Indian Journal of Physics 83, no 4 (avril 2009) : 553–58. http://dx.doi.org/10.1007/s12648-009-0019-x.
Texte intégralDUTTA, M., M. A. STROSCIO et K. W. KIM. « RECENT DEVELOPMENTS ON ELECTRON-PHONON INTERACTIONS IN STRUCTURES FOR ELECTRONIC AND OPTOELECTRONIC DEVICES ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 09, no 01 (mars 1998) : 281–312. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156498000130.
Texte intégralZhu, Yongdan, Meng Zhao, Yuan Zhang, Teng Zhang et Hai Zhou. « Resistive switching and photovoltaic response characteristics for the BaTiO3/Nb:SrTiO3 heterostructure ». Applied Physics Letters 120, no 10 (7 mars 2022) : 103504. http://dx.doi.org/10.1063/5.0083465.
Texte intégralYarn, Kao Feng, Ming Ju Yang et Wen Chung Chang. « GaAs/InGaAs Optoelectronic Switch for Triple-Logic Applications ». Advanced Materials Research 459 (janvier 2012) : 40–43. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.459.40.
Texte intégralDoswell, Faniya C., Harold O. Lee, Jonathan J. Montes et Sam-Shajing Sun. « The Effects of Annealing on Doped P3HT Thin Films for Potential Electronic Applications ». MRS Advances 4, no 31-32 (2019) : 1787–92. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2019.281.
Texte intégralZhong, Chunxiao, Yong Yan, Qian Peng, Zheng Zhang, Tao Wang, Xin Chen, Jiacheng Wang, Ying Wei, Tonglin Yang et Linghai Xie. « Structure–Property Relationship of Macrocycles in Organic Photoelectric Devices : A Comprehensive Review ». Nanomaterials 13, no 11 (27 mai 2023) : 1750. http://dx.doi.org/10.3390/nano13111750.
Texte intégralMontes, Jonathan J., Harold O. Lee, Faniya C. Doswell et Sam-Shajing Sun. « Relationship Between Thermoelectric Properties and Morphology of Doped P3HT Thin Films for Potential Thermoelectric Applications ». MRS Advances 4, no 30 (2019) : 1727–32. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2019.324.
Texte intégralHaghizadeh, Anahita, et Haeyeon Yang. « Quantum wires by direct laser fabrication ». MRS Advances 1, no 28 (2016) : 2065–69. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2016.392.
Texte intégralYue, Chenxi, Shuye Jiang, Hao Zhu, Lin Chen, Qingqing Sun et David Zhang. « Device Applications of Synthetic Topological Insulator Nanostructures ». Electronics 7, no 10 (1 octobre 2018) : 225. http://dx.doi.org/10.3390/electronics7100225.
Texte intégralRuiz-Carretero, Amparo, Nelson Ricardo Ávila Rovelo, Swann Militzer et Philippe J. Mésini. « Hydrogen-bonded diketopyrrolopyrrole derivatives for energy-related applications ». Journal of Materials Chemistry A 7, no 41 (2019) : 23451–75. http://dx.doi.org/10.1039/c9ta05236d.
Texte intégralMehtab-Ur-Rehman et Wang Qun. « The organic-inorganic solar cells device structure with different transport layers and compounds : The Guidelines for researchers ». World Journal of Advanced Research and Reviews 17, no 1 (30 janvier 2023) : 846–55. http://dx.doi.org/10.30574/wjarr.2023.17.1.0101.
Texte intégralFathololoumi, Saeed, Hieu P. T. Nguyen et Zetian Mi. « In(Ga)N Nanowire Heterostructures and Optoelectronic Device Applications ». Nanoscience &Nanotechnology-Asia 1, no 2 (1 décembre 2011) : 123–39. http://dx.doi.org/10.2174/2210681211101020123.
Texte intégralFathololoumi, Saeed, Hieu P. T. Nguyen et Zetian Mi. « In(Ga)N Nanowire Heterostructures and Optoelectronic Device Applications ». Nanoscience & ; Nanotechnology-Asiae 1, no 2 (1 décembre 2011) : 123–39. http://dx.doi.org/10.2174/2210682011101020123.
Texte intégralKuchibhotla, Ravi, Joe C. Campbell, John C. Bean, Larry Peticolas et Robert Hull. « Ge0.2Si0.8/Si Bragg‐reflector mirrors for optoelectronic device applications ». Applied Physics Letters 62, no 18 (3 mai 1993) : 2215–17. http://dx.doi.org/10.1063/1.109420.
Texte intégralKoshida, Nobuyoshi. « Optoelectronic functions and device applications of quantum-sized nanosilicon ». Review of Laser Engineering 34, Supplement (2006) : 191–92. http://dx.doi.org/10.2184/lsj.34.191.
Texte intégralQin, Zhengsheng, Can Gao, Wallace W. H. Wong, Moritz K. Riede, Tianyu Wang, Huanli Dong, Yonggang Zhen et Wenping Hu. « Molecular doped organic semiconductor crystals for optoelectronic device applications ». Journal of Materials Chemistry C 8, no 43 (2020) : 14996–5008. http://dx.doi.org/10.1039/d0tc02746d.
Texte intégralGAO, Q., H. J. JOYCE, S. PAIMAN, J. H. KANG, H. H. TAN, Y. KIM, L. M. SMITH et al. « III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR NANOWIRES FOR OPTOELECTRONIC DEVICE APPLICATIONS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 20, no 01 (mars 2011) : 131–41. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156411006465.
Texte intégralSharma, Arvind. « Theoretical Investigation of BGaAs/GaAs for Optoelectronic Device Applications ». Journal of Electronic Materials 49, no 11 (14 août 2020) : 6263–69. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-020-08389-z.
Texte intégralSingh, Jai, Monishka Rita Narayan et David Ompong. « Diffusion of excitons in materials for optoelectronic device applications ». Journal of Physics : Conference Series 619 (17 juin 2015) : 012030. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/619/1/012030.
Texte intégralLee, Sang-Won, Min-Chang Jeong, Jae-Min Myoung, Gee-Sung Chae et In-Jae Chung. « Magnetic alignment of ZnO nanowires for optoelectronic device applications ». Applied Physics Letters 90, no 13 (26 mars 2007) : 133115. http://dx.doi.org/10.1063/1.2717575.
Texte intégralRaj, Rishabh, Veeramuthu Vignesh, Yong-Ho Ra, Rajkumar Nirmala, Cheul-Ro Lee et Rangaswamy Navamathavan. « Growth of hierarchical GaN nanowires for optoelectronic device applications ». Journal of Photonics for Energy 7, no 1 (11 janvier 2017) : 016001. http://dx.doi.org/10.1117/1.jpe.7.016001.
Texte intégralNishal, Vandna, Devender Singh, Raman Kumar Saini, Shri Bhagwan, Vijeta Tanwar, Sonika, Ritu Srivastava et Pratap Singh Kadyan. « Optoelectronic characterization of zinc complexes for display device applications ». Journal of Materials Science : Materials in Electronics 26, no 9 (9 juin 2015) : 6762–68. http://dx.doi.org/10.1007/s10854-015-3286-7.
Texte intégralVan Le, Quyet, Thang Phan Nguyen, Minjoon Park, Woonbae Sohn, Ho Won Jang et Soo Young Kim. « Bottom-Up Synthesis of MeSxNanodots for Optoelectronic Device Applications ». Advanced Optical Materials 4, no 11 (29 juillet 2016) : 1796–804. http://dx.doi.org/10.1002/adom.201600333.
Texte intégralShin, Gunchul. « Studies of Parylene/Silicone-Coated Soft Bio-Implantable Optoelectronic Device ». Coatings 10, no 4 (19 avril 2020) : 404. http://dx.doi.org/10.3390/coatings10040404.
Texte intégralChen, Meng, Ziyu Lv, Fangsheng Qian, Yan Wang, Xuechao Xing, Kui Zhou, Junjie Wang, Shenming Huang, Su-Ting Han et Ye Zhou. « Phototunable memories and reconfigurable logic applications based on natural melanin ». Journal of Materials Chemistry C 9, no 10 (2021) : 3569–77. http://dx.doi.org/10.1039/d1tc00052g.
Texte intégralKawanishi, Tetsuya. « Precise Optical Modulation and Its Application to Optoelectronic Device Measurement ». Photonics 8, no 5 (11 mai 2021) : 160. http://dx.doi.org/10.3390/photonics8050160.
Texte intégralHossain, Mohammad Kamal. « ZnO Nanoparticles to Nanowires and Nanobundles ». Nano Hybrids 3 (janvier 2013) : 115–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/nh.3.115.
Texte intégralWang, Hao, Chaobo Dong, Yaliang Gui, Jiachi Ye, Salem Altaleb, Martin Thomaschewski, Behrouz Movahhed Nouri, Chandraman Patil, Hamed Dalir et Volker J. Sorger. « Self-Powered Sb2Te3/MoS2 Heterojunction Broadband Photodetector on Flexible Substrate from Visible to Near Infrared ». Nanomaterials 13, no 13 (29 juin 2023) : 1973. http://dx.doi.org/10.3390/nano13131973.
Texte intégralLiang, Feng-Xia, Yang Gao, Chao Xie, Xiao-Wei Tong, Zhong-Jun Li et Lin-Bao Luo. « Recent advances in the fabrication of graphene–ZnO heterojunctions for optoelectronic device applications ». Journal of Materials Chemistry C 6, no 15 (2018) : 3815–33. http://dx.doi.org/10.1039/c8tc00172c.
Texte intégralCao, Rui, Sidi Fan, Peng Yin, Chunyang Ma, Yonghong Zeng, Huide Wang, Karim Khan et al. « Mid-Infrared Optoelectronic Devices Based on Two-Dimensional Materials beyond Graphene : Status and Trends ». Nanomaterials 12, no 13 (1 juillet 2022) : 2260. http://dx.doi.org/10.3390/nano12132260.
Texte intégralKershaw, Stephen V., Lihong Jing, Xiaodan Huang, Mingyuan Gao et Andrey L. Rogach. « Materials aspects of semiconductor nanocrystals for optoelectronic applications ». Materials Horizons 4, no 2 (2017) : 155–205. http://dx.doi.org/10.1039/c6mh00469e.
Texte intégralZhu, Hongliang, Li Fan, Kaili Wang, Hao Liu, Jiawei Zhang et Shancheng Yan. « Progress in the Synthesis and Application of Tellurium Nanomaterials ». Nanomaterials 13, no 14 (12 juillet 2023) : 2057. http://dx.doi.org/10.3390/nano13142057.
Texte intégralSon, Myungwoo, Jaewon Jang, Dong Chul Kim, Seunghyup Lee, Hyo-Soon Shin, Moon-Ho Ham et Sang-Soo Chee. « Fabrication of Large-Area Molybdenum Disulfide Device Arrays Using Graphene/Ti Contacts ». Molecules 26, no 15 (21 juillet 2021) : 4394. http://dx.doi.org/10.3390/molecules26154394.
Texte intégralWang, Yen Po, Hsin Chieh Li, Yan Chi Huang et Chih Shan Tan. « Synthesis and Applications of Halide Perovskite Nanocrystals in Optoelectronics ». Inorganics 11, no 1 (11 janvier 2023) : 39. http://dx.doi.org/10.3390/inorganics11010039.
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