Littérature scientifique sur le sujet « OPTOELECTRONIC DEVICE APPLICATIONS »
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Articles de revues sur le sujet "OPTOELECTRONIC DEVICE APPLICATIONS"
Sang, Xianhe, Yongfu Wang, Qinglin Wang, Liangrui Zou, Shunhao Ge, Yu Yao, Xueting Wang, Jianchao Fan et Dandan Sang. « A Review on Optoelectronical Properties of Non-Metal Oxide/Diamond-Based p-n Heterojunction ». Molecules 28, no 3 (30 janvier 2023) : 1334. http://dx.doi.org/10.3390/molecules28031334.
Texte intégralGao, Q., H. J. Joyce, S. Paiman, J. H. Kang, H. H. Tan, Y. Kim, L. M. Smith et al. « Nanowires for optoelectronic device applications ». physica status solidi (c) 6, no 12 (décembre 2009) : 2678–82. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200982528.
Texte intégralHeutz, Sandrine, Paul Sullivan, Brett M. Sanderson, Stephan M. Schultes et Tim S. Jones. « Molecular Thin Films for Optoelectronic Applications ». Solid State Phenomena 121-123 (mars 2007) : 373–76. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.121-123.373.
Texte intégralLi, Ziwei, Boyi Xu, Delang Liang et Anlian Pan. « Polarization-Dependent Optical Properties and Optoelectronic Devices of 2D Materials ». Research 2020 (29 août 2020) : 1–35. http://dx.doi.org/10.34133/2020/5464258.
Texte intégralJeon, Jaeho, Yajie Yang, Haeju Choi, Jin-Hong Park, Byoung Hun Lee et Sungjoo Lee. « MXenes for future nanophotonic device applications ». Nanophotonics 9, no 7 (13 mai 2020) : 1831–53. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2020-0060.
Texte intégralXu, Wangqiong, Ying Lu, Weibin Lei, Fengrui Sui, Ruru Ma, Ruijuan Qi et Rong Huang. « FIB-Assisted Fabrication of Single Tellurium Nanotube Based High Performance Photodetector ». Micromachines 13, no 1 (22 décembre 2021) : 11. http://dx.doi.org/10.3390/mi13010011.
Texte intégralJamal-Eddine, Zane, Yuewei Zhang et Siddharth Rajan. « Recent Progress in III-Nitride Tunnel Junction-Based Optoelectronics ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 28, no 01n02 (mars 2019) : 1940012. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156419400123.
Texte intégralVazhdaev, Konstantin, Marat Urakseev, Azamat Allaberdin et Kostantin Subkhankulov. « OPTOELECTRONIC DEVICES BASED ON DIFFRACTION GRATINGS FROM STANDING ELASTIC WAVES ». Electrical and data processing facilities and systems 18, no 3-4 (2022) : 151–58. http://dx.doi.org/10.17122/1999-5458-2022-18-3-4-151-158.
Texte intégralHeydari Gharahcheshmeh, Meysam, et Karen K. Gleason. « Recent Progress in Conjugated Conducting and Semiconducting Polymers for Energy Devices ». Energies 15, no 10 (17 mai 2022) : 3661. http://dx.doi.org/10.3390/en15103661.
Texte intégralXu, Heng Rui, et Ping Liu. « Patterning Method for Nanowire Transparent Conductive Films ». Materials Science Forum 1036 (29 juin 2021) : 66–76. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.1036.66.
Texte intégralThèses sur le sujet "OPTOELECTRONIC DEVICE APPLICATIONS"
Guptah, Vinod Kumar. « Growth on patterned substrates for optoelectronic device applications ». Thesis, University College London (University of London), 1998. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.267027.
Texte intégralAlexandropoulos, Dimitrios. « Theoretical studies of GaInNAs for optoelectronic device applications ». Thesis, University of Essex, 2003. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.274313.
Texte intégralPratt, Andrew Richard. « Control of indium migration on patterned substrates for optoelectronic device applications ». Thesis, Imperial College London, 1995. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.307775.
Texte intégralGrudowski, Paul A. « The metalorganic chemical vapor deposition of III-V nitrides for optoelectronic device applications / ». Digital version accessible at:, 1998. http://wwwlib.umi.com/cr/utexas/main.
Texte intégralXin, Huoping. « Gas-source molecular beam epitaxy of GaInNAs and Ga(In)NP for electronic and optoelectronic device applications / ». Diss., Connect to a 24 p. preview or request complete full text in PDF format. Access restricted to UC campuses, 2000. http://wwwlib.umi.com/cr/ucsd/fullcit?p9970681.
Texte intégralKim, Danny. « Dry passivation studies of GaAs(110) surfaces by Gallium Oxide thin films deposited by electron cyclotron resonance plasma reactive molecular beam epitaxy for optoelectronic device applications ». Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 2001. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk3/ftp05/MQ63140.pdf.
Texte intégralCheung, Chor-keung. « The construction of a focused low energy positron beam facility and its application in the study of various optoelectronic materials ». View the Table of Contents & ; Abstract, 2006. http://sunzi.lib.hku.hk/hkuto/record/B36995770.
Texte intégralCheung, Chor-keung, et 張初強. « The construction of a focused low energy positron beam facility and its application in the study of various optoelectronic materials ». Thesis, The University of Hong Kong (Pokfulam, Hong Kong), 2006. http://hub.hku.hk/bib/B37434925.
Texte intégralLi, Cheng. « Metal oxide films for optoelectronic device application ». Thesis, University of Cambridge, 2014. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.648598.
Texte intégralDavis, Nathaniel J. L. K. « Applications of spectral management in optoelectronic devices ». Thesis, University of Cambridge, 2017. https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/263670.
Texte intégralLivres sur le sujet "OPTOELECTRONIC DEVICE APPLICATIONS"
M, Razeghi, Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., Europtica Services I. C, American Physical Society et International Conference on Physical Concepts of Materials for Novel Optoelectronic Device Applications (1990 : Aachen, Germany), dir. Physical concepts of materials for novel optoelectronic device applications II : Device physics and applications : 28 October-2 November 1990, Aachen, Federal Republic of Germany. Bellingham, Wash., USA : SPIE, 1991.
Trouver le texte intégralLitton, Cole W., Donald C. Reynolds et Thomas C. Collins, dir. Zinc Oxide Materials for Electronic and Optoelectronic Device Applications. Chichester, UK : John Wiley & Sons, Ltd, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9781119991038.
Texte intégralLitton, Cole W. Zinc oxide materials for electronic and optoelectronic device applications. Chichester : Wiley, 2011.
Trouver le texte intégralFabio, Beltram, Gornik E, European Optical Society, International Centre for Science and High Technology. et Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., dir. Physical concepts and materials for novel optoelectronic device applications II : International symposium, 24-27 May 1993, Trieste, Italy. Bellingham, Wash., USA : SPIE, 1993.
Trouver le texte intégralM, Razeghi, Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., Europtica Services I. C et American Physical Society, dir. Physical concepts of materials for novel optoelectronic device applications I : Materials growth and characterization : 28 October-2 November 1990, Aachen, Federal Republic of Germany. Bellingham, Wash., USA : SPIE, 1991.
Trouver le texte intégral1948-, Chen David, dir. Semiconductor optoelectronic device manufacturing and applications : 7-9 November 2001, Nanjing, China. Bellingham, Wash., USA : SPIE, 2001.
Trouver le texte intégralAndreas, Ostendorf, Society of Photo-optical Instrumentation Engineers et European Optical Society, dir. Laser micromachining for optoelectronic device fabrication : 30 October 2002, Brugge, Belgium. Bellingham, Washington : SPIE, 2003.
Trouver le texte intégralSymposium, L. on III-V. Nitrides Semiconductors and Ceramics (1997 Strasbourg France). III-V nitrides, semiconductors, and ceramics : From material growth to device applications : proceedings of Symposium L on III-V Nitrides, Semiconductors, and Ceramics : from material growth to device applications of the 1997 ICAM/E-MRS Spring Conference, Strasbourg, France, June 16-20, 1997. Amsterdam : Elsevier, 1997.
Trouver le texte intégralSun, I.-Chung Miles. Photoluminescence and optical anisotropy of GaAs/AlGaAs quantum dots for optoelectronic device applications. Ottawa : National Library of Canada, 2002.
Trouver le texte intégralApplied optics fundamentals and device applications : Nano, MOEMS, and biotechnology. Boca Raton, FL : Taylor & Francis, 2011.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "OPTOELECTRONIC DEVICE APPLICATIONS"
Springholz, G., et G. Bauer. « 9.8 Optoelectronic device applications ». Dans Growth and Structuring, 538–40. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2013. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-68357-5_103.
Texte intégralLi, Chaoyang, Xin Li et Dapeng Wang. « Fabrication of ZnO Thin Film and Nanostructures for Optoelectronic Device Applications ». Dans Oxide Thin Films, Multilayers, and Nanocomposites, 239–71. Cham : Springer International Publishing, 2015. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-14478-8_12.
Texte intégralCollins, T. C., et R. J. Hauenstein. « Fundamental Properties of ZnO ». Dans Zinc Oxide Materials for Electronic and Optoelectronic Device Applications, 1–28. Chichester, UK : John Wiley & Sons, Ltd, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9781119991038.ch1.
Texte intégralBagnall, D. M. « Room Temperature Stimulated Emission and ZnO-Based Lasers ». Dans Zinc Oxide Materials for Electronic and Optoelectronic Device Applications, 265–84. Chichester, UK : John Wiley & Sons, Ltd, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9781119991038.ch10.
Texte intégralZhong, Jian, et Yicheng Lu. « ZnO-Based Ultraviolet Detectors ». Dans Zinc Oxide Materials for Electronic and Optoelectronic Device Applications, 285–329. Chichester, UK : John Wiley & Sons, Ltd, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9781119991038.ch11.
Texte intégralMakino, Takayuki, Yusaburo Segawa, Masashi Kawasaki et Hideomi Koinuma. « Room-Temperature Stimulated Emission from ZnO Multiple Quantum Wells Grown on Lattice-Matched Substrates ». Dans Zinc Oxide Materials for Electronic and Optoelectronic Device Applications, 331–49. Chichester, UK : John Wiley & Sons, Ltd, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9781119991038.ch12.
Texte intégralReynolds, D. C., C. W. Litton et T. C. Collins. « Optical Properties of ZnO ». Dans Zinc Oxide Materials for Electronic and Optoelectronic Device Applications, 29–60. Chichester, UK : John Wiley & Sons, Ltd, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9781119991038.ch2.
Texte intégralClaflin, B., et D. C. Look. « Electrical Transport Properties in Zinc Oxide ». Dans Zinc Oxide Materials for Electronic and Optoelectronic Device Applications, 61–86. Chichester, UK : John Wiley & Sons, Ltd, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9781119991038.ch3.
Texte intégralBrillson, Leonard J. « ZnO Surface Properties and Schottky Contacts ». Dans Zinc Oxide Materials for Electronic and Optoelectronic Device Applications, 87–112. Chichester, UK : John Wiley & Sons, Ltd, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9781119991038.ch4.
Texte intégralJanotti, Anderson, et Chris G. Van de Walle. « Native Point Defects and Doping in ZnO ». Dans Zinc Oxide Materials for Electronic and Optoelectronic Device Applications, 113–34. Chichester, UK : John Wiley & Sons, Ltd, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9781119991038.ch5.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "OPTOELECTRONIC DEVICE APPLICATIONS"
Tidrow, Meimei Z., William A. Beck, William W. Clark III, Herbert K. Pollehn, John W. Little, Nibir K. Dhar, Richard P. Leavitt et al. « Device physics and focal plane array applications of QWIP and MCT ». Dans Optoelectronics '99 - Integrated Optoelectronic Devices, sous la direction de Gail J. Brown et Manijeh Razeghi. SPIE, 1999. http://dx.doi.org/10.1117/12.344591.
Texte intégralDohler, Gottfried H. « Optoelectronic Device Applications Of Doping Superlattices ». Dans 1987 Symposium on the Technologies for Optoelectronics, sous la direction de Alfred R. Adams. SPIE, 1988. http://dx.doi.org/10.1117/12.943403.
Texte intégralYu, Jae Su, Jung Woo Leem, Yeong Hwan Ko et Hee Kwan Lee. « Semiconductor nanostructures towards optoelectronic device applications ». Dans SPIE OPTO, sous la direction de Manijeh Razeghi, Eric Tournie et Gail J. Brown. SPIE, 2012. http://dx.doi.org/10.1117/12.907968.
Texte intégralJen, Alex K. Y., Hong Ma, Xiaoming Wu, Jianyao Wu, Sen Liu, Seth R. Marder, Larry R. Dalton et Ching-Fong Shu. « Recent development of highly efficient chromophores and polymers for electro-optic device applications ». Dans Optoelectronics '99 - Integrated Optoelectronic Devices, sous la direction de Bernard Kippelen. SPIE, 1999. http://dx.doi.org/10.1117/12.348388.
Texte intégralBawendi, Moungi. « Nanocrystals for thin film optoelectronic device applications ». Dans LEOS 2008 - 21st Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society (LEOS 2008). IEEE, 2008. http://dx.doi.org/10.1109/leos.2008.4688712.
Texte intégralBrongersma, Mark L. « Optoelectronic device applications of metafilms (Conference Presentation) ». Dans Metamaterials, Metadevices, and Metasystems 2017, sous la direction de Nader Engheta, Mikhail A. Noginov et Nikolay I. Zheludev. SPIE, 2017. http://dx.doi.org/10.1117/12.2276207.
Texte intégralGao, Q., H. Joyce, S. Paiman, J. H. Kang, H. H. Tan, H. E. Jackson, L. M. Smith, J. M. Yarrison-Rice, Jin Zou et C. Jagadish. « Compound semiconductor nanowires for optoelectronic device applications ». Dans 2011 ICO International Conference on Information Photonics (IP). IEEE, 2011. http://dx.doi.org/10.1109/ico-ip.2011.5953760.
Texte intégralYAMAGUCHI, K. « Optoelectronic integrated circuit device technology and applications ». Dans Optical Fiber Communication Conference. Washington, D.C. : OSA, 1988. http://dx.doi.org/10.1364/ofc.1988.wf1.
Texte intégralFischer, I. A., F. Oliveira, A. Benedetti, S. Chiussi et J. Schulze. « (Si)GeSn nanostructures for optoelectronic device applications ». Dans 2016 39th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/mipro.2016.7522099.
Texte intégralGan, Yi, Jun Zhang, Shan Jiang, Xiaodong Huang, Ning Zhou et Ligang Deng. « Applications of ICP in optoelectronic device fabrication ». Dans Asia-Pacific Optical Communications, sous la direction de Chung-En Zah, Yi Luo et Shinji Tsuji. SPIE, 2005. http://dx.doi.org/10.1117/12.575729.
Texte intégralRapports d'organisations sur le sujet "OPTOELECTRONIC DEVICE APPLICATIONS"
Spahn, Olga B., Andrew A. Allerman, Kent D. Choquette, Gregory A. Vawter, John F. Klem, Charles T. Sullivan, John P. Sullivan et al. Selective Oxidation Technology and its Applications Toward Electronic and Optoelectronic Devices. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), juillet 1999. http://dx.doi.org/10.2172/9462.
Texte intégralBACA, ALBERT G., RONALD D. BRIGGS, ANDREW A. ALLERMAN, CHRISTINE C. MITCHELL, ARTHUR J. FISCHER, CAROL I. ASHBY, ALAN F. WRIGHT et RANDY J. SHUL. High Al-Content AlInGaN Devices for Next Generation Electronic and Optoelectronic Applications. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), décembre 2001. http://dx.doi.org/10.2172/789599.
Texte intégralOsgood, Richard M., et Jr. Selective Processing Techniques for Electronic and Optoelectronic Applications : Quantum-Well Devices and Integrated Optic Circuits. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, septembre 1999. http://dx.doi.org/10.21236/ada369792.
Texte intégral