Littérature scientifique sur le sujet « Opto-electronic Devices »
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Articles de revues sur le sujet "Opto-electronic Devices"
Boyanov, Petar. « PRIMARY PROCESSING OF SIGNALS IN AN OPTO-ELECTRONIC DEVICES ». Journal Scientific and Applied Research 8, no 1 (14 novembre 2015) : 10–15. http://dx.doi.org/10.46687/jsar.v8i1.172.
Texte intégralBhattacharya, P., S. Ghosh et A. D. Stiff-Roberts. « QUANTUM DOT OPTO-ELECTRONIC DEVICES ». Annual Review of Materials Research 34, no 1 (4 août 2004) : 1–40. http://dx.doi.org/10.1146/annurev.matsci.34.040203.111535.
Texte intégralStavila, V., A. A. Talin et M. D. Allendorf. « MOF-based electronic and opto-electronic devices ». Chem. Soc. Rev. 43, no 16 (2014) : 5994–6010. http://dx.doi.org/10.1039/c4cs00096j.
Texte intégralKrawczyk, S. K. « Senso-opto-micro-electronic (somet) devices ». Sensors and Actuators 11, no 3 (avril 1987) : 289–97. http://dx.doi.org/10.1016/0250-6874(87)80008-2.
Texte intégralAhuja, Swati, Mark Scarbecz, Heath Balch et David R Cagna. « Verification of the Accuracy of Electronic Mandibular Movement-recording Devices : An in vitro Investigation ». International Journal of Experimental Dental Science 6, no 2 (2017) : 84–94. http://dx.doi.org/10.5005/jp-journals-10029-1162.
Texte intégralNikić, Marta, Aleksandar Opančar, Florian Hartmann, Ludovico Migliaccio, Marie Jakešová, Eric Daniel Głowacki et Vedran Đerek. « Micropyramid structured photo capacitive interfaces ». Nanotechnology 33, no 24 (23 mars 2022) : 245302. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac5927.
Texte intégralIchinose, Noboru. « Fields of Opto-Electronic Materials and Devices ». JOURNAL OF THE ILLUMINATING ENGINEERING INSTITUTE OF JAPAN 84, no 1 (2000) : 12–21. http://dx.doi.org/10.2150/jieij1980.84.1_12.
Texte intégralVlad, V. I. « Opto-electronic Bistable Devices for Image Processing ». Optica Acta : International Journal of Optics 32, no 9-10 (septembre 1985) : 1235–50. http://dx.doi.org/10.1080/713821835.
Texte intégralUeda, O. « Degradation of III–V Opto‐Electronic Devices ». Journal of The Electrochemical Society 135, no 1 (1 janvier 1988) : 11C—22C. http://dx.doi.org/10.1149/1.2095535.
Texte intégralHeeger, Alan J., et James Long. « Opto-electronic Devices Fabricated from Semiconducting Polymers ». Optics and Photonics News 7, no 8 (1 août 1996) : 23. http://dx.doi.org/10.1364/opn.7.8.000023.
Texte intégralThèses sur le sujet "Opto-electronic Devices"
Russell, Ben. « Modelling of novel opto-electronic devices ». Thesis, University of York, 2008. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.444759.
Texte intégralRajagopalan, Dharmashankar. « Opto-Electronic Processes in SrS:Cu ACTFEL Devices ». UKnowledge, 2006. http://uknowledge.uky.edu/gradschool_theses/273.
Texte intégralAli, Nazar Thamer. « Opto-electronic characterization of multi-terminal polysilicon switching devices ». Thesis, University of Bradford, 1990. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.304120.
Texte intégralWang, Shouyin. « Characterisation of ZnSe and ZnCdSe/ZnSe opto-electronic devices ». Thesis, Heriot-Watt University, 1994. http://hdl.handle.net/10399/1394.
Texte intégralThorat, Ruhi P. « Opto-Electronic Properties of Self-Contacted MoS2 Monolayer Devices ». Ohio University / OhioLINK, 2017. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=ohiou1512731597427663.
Texte intégralToffanin, Stefano. « Multifunctional organic semiconductors as active materials for electronic and opto-electronic devices ». Doctoral thesis, Università degli studi di Padova, 2009. http://hdl.handle.net/11577/3426094.
Texte intégralFin dalla scoperta dell’effetto fotoelettrico nell’antracene, i composti organici sono stati studiati come materiali multifunzionali data la loro capacità di mostrare una varietà di proprietà differenti, come il trasporto di carica, emissione/assorbimento di luce, fotoconduttività, elettroluminescenza e superconduttività. Il lavoro presentato in questa tesi di dottorato si prefigge lo scopo di studiare differenti classi di materiali organici ? coniugati che presentino le proprietà funzionali adatte per la realizzazione di dispositivi optoelettronici. In particolare viene prestata particolare attenzione allo studio di due specifiche proprietà che sono profondamente connesse con l’organizzazione molecolare nei dispositivi multifunzionali con dimensioni nanometriche: il trasporto di carica e l’emissione di luce. Nei film sottili, univocamente considerati interessanti dal punto di vista tecnologico, l’organizzazione molecolare è fortemente dipendente dai processi di deposizione e dalla natura del substrato. Per aumentare le prestazioni dei dispositivi basati sui film sottili risulta fondamentale comprendere le strutture supermolecolari e le caratteristiche morfologiche su scala micro- e nanometrica che possono favorire il trasporto di carica e/o i processi di trasferimento di energia. Si dimostra che in generale gli oligotiofeni lineari depositati in film sottile possano organizzarsi vantaggiosamente in modo da garantire l’opportuna sovrapposizione tra gli orbitali molecolari che permette un efficiente trasporto di carica. Introducendo una nuova classe di oligotiofeni ramificati, denominati spider-like, ci proponiamo di studiare come una complessa architettura 3D possa modificare le proprietà di emissione, di organizzazione supermolecolare e di trasporto. Si procede quindi ad indagare la possibilità di aumentare l’efficienza di emissione di luce di sistemi organici molecolari mediante l’introduzione di un nuovo sistema host-guest con proprietà di lasing ottenuto sublimando un derivato diarilfluorenico (T3, donore) con una noto colorante emettitore nel rosso (DCM, accettare). In questa soluzione solida binaria, si verifica un efficiente trasferimento di energia alla Förster tra la matrice di T3 e le molecole di colorante quando la concentrazione di colorante viene opportunamente ottimizzata. Inoltre, la soglia di emissione spontanea amplificata del campione avente le molecole di DCM disperse al 2% in peso nel T3 risulta quasi un ordine di grandezza più bassa rispetto a quella del campione modello misurato nelle stesse condizioni sperimentali avente la stessa concentrazione in peso si molecole di DCM disperse in una matrice di Alq3. La possibilità di combinare diverse proprietà funzionali in un unico dispositivo risulta di notevole interesse per un ulteriore sviluppo dell’elettronica organica nei componenti integrati e nei circuiti. Si è dimostrato che i transistor organici ad emissione di luce sono capaci di combinare in un singolo dispositivo le proprietà di switch dei transistor ad effetto di campo con la capacità di generare luce. Quando i materiali organici vengono utilizzati come strati attivi nei dispositivi, le interfacce formate dai diversi materiali assumono un ruolo di primaria importanza. La comprensione dei processi fisici che avvengono ad ogni interfaccia è cruciale per disegnare nuovi materiali per dispositivi o per aumentare le prestazioni quelli già esistenti. In questo lavoro di tesi viene presentato un nuovo approccio per realizzare transistor ambipolari ad emissione di luce. Nell’eterogiunzione che viene proposta il primo e il terzo strato sono dedicati al trasporto di portatori di carica (elettroni e lacune) per effetto di campo mentre il secondo strato è formato da una soluzione solida host-guest che mostra efficiente emissione di luce ed emissione spontanea di luce se pompata otticamente. La specificità dell’approccio che presentiamo è che le regioni di trasporto di carica sono fisicamente separate da quella in cui avviene la formazione dell’eccitone. In questo modo viene ridotta completamente l’interazione tra l’eccitone e il portatore di carica. Dopo aver ottimizzato il trasporto di carica e le proprietà di emissione di luce, si è potuto realizzare un dispositivo basato sull’eterogiunzione a tre strati che presenta valori di mobilità per gli elettroni e le lacune bilanciati (~10-1-10-2 cm2/Vs), alta densità di portatori di carica in corrispondenza del massimo di elettroluminescenza (~ 1 KA/cm2) e intensa emissione di luce.
Wallace, Chik-Ho Choy. « Modelling and electro-optic quantum-wells modulation devices ». Thesis, University of Surrey, 1998. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.267967.
Texte intégralBilla, Muralidhar Reddy. « Liquid crystalline organic semiconductors for application in opto-electronic devices ». Thesis, University of Hull, 2015. http://hydra.hull.ac.uk/resources/hull:11267.
Texte intégralBao, Weixiao. « Liquid crystalline organic semiconductors for application in opto-electronic devices ». Thesis, University of Hull, 2014. http://hydra.hull.ac.uk/resources/hull:10866.
Texte intégralMossanen-Shams, Iden. « Investigation of two opto-electronic sensing devices for determination of position ». Thesis, Brunel University, 1993. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.334351.
Texte intégralLivres sur le sujet "Opto-electronic Devices"
Limited, Ferranti Electronics. Opto-electronic devices. Chadderton : Ferranti Electronics Ltd, 1985.
Trouver le texte intégralInternational Symposium on Opto-Electronic Imaging (1985 New Delhi, India). Opto-electronic imaging : Proceedings of the International Symposium on Opto-Electronic Imaging, December 2-5, 1985, New Delhi, India. Sous la direction de Juyal D. P. 1941-, Mehta P. C. 1943-, Sharma M. K. 1941-, Instruments Research and Development Establishment., India. Ministry of Defence. Research and Development Organisation. et Optical Society of India. Dehra Dun : Instruments Research and Development Establishment, 1987.
Trouver le texte intégralMossanen-Shams, Iden. Investigation of two opto-electronic sensing devices for determination of position. Uxbridge : Brunel University, 1993.
Trouver le texte intégralHandbook of organic materials for optical and (opto)electronic devices : Properties and applications. Oxford : Woodhead Publishing, 2013.
Trouver le texte intégralCollins, John Vincent. Investigation into low cost methods of coupling semiconductor opto-electronic devices to optical fibres. Birmingham : University of Birmingham, 1999.
Trouver le texte intégralInternational Seminar on Laser and Opto-Electronic Technology in Industry (1986 Xiamen, Xiamen Shi, China). International Seminar on Laser and Opto-Electronic Technology in Industry : State-of-the-art review, 25-28 June, 1986, Xiamen, China. Sous la direction de Fagan William F, Ke Jingtang, Pryputniewicz Ryszard J et Zhongguo guang xue xue hui. Quan xi he guang xin xi chu li zhuan ye wei yuan hui. Bellingham, Wash., USA : SPIE--the International Society for Optical Engineering, 1987.
Trouver le texte intégralFachtagung Schichtsysteme für Zukünftige Bauelemente der Mikro-, Opto-, Bioelektronik und Optik (2nd 1989 ? Technische Universität Karl-Marx-Stadt). 2. Fachtagung Schichtsysteme für Zukünftige Bauelemente der Mikro-, Opto-, Bioelektronik und Optik. Karl-Marx-Stadt : Technische Universität Karl-Marx-Stadt, 1989.
Trouver le texte intégralNonlinear Optical (NLO) Polymer Opto-Electronic Devices. Storming Media, 2000.
Trouver le texte intégralOstroverkhova, Oksana. Handbook of organic materials for optical and (opto)electronic devices. Woodhead Publishing Limited, 2013. http://dx.doi.org/10.1533/9780857098764.
Texte intégralStructural Dynamics of Micro- and Opto-Electronic Systems. Wiley, 2009.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Opto-electronic Devices"
Pocholle, J. P., et M. H. Carpentier. « Solid-state opto-electronic devices ». Dans The Microwave Engineering Handbook, 341–48. Boston, MA : Springer US, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4899-4552-5_16.
Texte intégralMcCarthy, Mary, Simon Fabbri et Andrew Ellis. « Signal Processing Using Opto-Electronic Devices ». Dans Springer Series in Optical Sciences, 291–323. Cham : Springer International Publishing, 2015. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-14992-9_10.
Texte intégralWheatley, P., M. Whitehead, P. J. Bradley, G. Parry, J. E. Midwinter, P. Mistry, M. A. Pate et J. S. Roberts. « Hard Limiting Opto-electronic Logic Devices ». Dans Photonic Switching, 69–72. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1988. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-73388-8_12.
Texte intégralClaeys, Cor, et Eddy Simoen. « Opto-Electronic Components for Space ». Dans Radiation Effects in Advanced Semiconductor Materials and Devices, 281–330. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2002. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-04974-7_8.
Texte intégralMasterov, A. V., V. N. Tolkov et V. G. Yakhno. « Spatio-Temporal Structures in Opto-Electronic Devices ». Dans Nonlinear Waves 1, 168–84. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-74289-7_12.
Texte intégralWoods, J. « II–VI electroluminescent devices ». Dans Widegap II–VI Compounds for Opto-electronic Applications, 297–322. Boston, MA : Springer US, 1992. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-3486-0_12.
Texte intégralKaraağaç, H., E. Peksu, B. Alhalaili et M. Saif Islam. « One-Dimensional Silicon Nano-/microstructures Based Opto-Electronic Devices ». Dans Topics in Applied Physics, 731–66. Cham : Springer International Publishing, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-93460-6_26.
Texte intégralKazemifard, Nafiseh, Behzad Rezaei et Zeinab Saberi. « Conventional Technologies and Opto-electronic Devices for Detection of Food Biomarkers ». Dans Biosensing and Micro-Nano Devices, 169–96. Singapore : Springer Nature Singapore, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-16-8333-6_7.
Texte intégralNishizawa, J. i., et K. Suto. « Preparation of widegap II–VI homojunction devices by stoichiometry control ». Dans Widegap II–VI Compounds for Opto-electronic Applications, 323–50. Boston, MA : Springer US, 1992. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-3486-0_13.
Texte intégralPugliesi, I., P. Krok, A. Błaszczyk, M. Mayor et E. Riedle. « Naphthalene Bisimides : on the Way to Ultrafast Opto-electronic Devices ». Dans Springer Series in Chemical Physics, 628–30. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-95946-5_204.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Opto-electronic Devices"
« Opto electronic devices ». Dans 2009 67th Annual Device Research Conference (DRC). IEEE, 2009. http://dx.doi.org/10.1109/drc.2009.5354976.
Texte intégralIkegami, Tetsuhiko. « Opto-Electronic Devices --What's Missing-- ». Dans 1991 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 1991. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.1991.a-0-3.
Texte intégralThylen, Lars, Per Arve, Bjorn Hessmo, Petter Holmstrom, Petter Janes, Anders Karlsson et Min Qiu. « Progress in Opto-Electronic Devices ». Dans Asia-Pacific Optical and Wireless Communications. SPIE, 2004. http://dx.doi.org/10.1117/12.525436.
Texte intégralShen, G. D., Y. X. Chen, B. F. Cui, J. J. Li, J. Han, B. L. Guan, X. Guo et al. « High-efficiency active opto-electronic devices ». Dans Photonics Asia 2007, sous la direction de Lianghui Chen, Hiroyuki Suzuki, Paul T. Rudy et Ninghua Zhu. SPIE, 2007. http://dx.doi.org/10.1117/12.784829.
Texte intégralBosman, Erwin, Geert Van Steenberge, Jeroen Missine, Bram Van Hoe et Peter Van Daele. « Packaging of opto-electronic devices for flexible applications ». Dans OPTO, sous la direction de Alexei L. Glebov et Ray T. Chen. SPIE, 2010. http://dx.doi.org/10.1117/12.841553.
Texte intégralBahl, M., E. Heller, J. S. Ayubi-Moak, W. C. Ng, R. Scarmozzino, G. Letay et L. Schneider. « Mixed-level simulation of opto-electronic devices ». Dans 2016 International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/nusod.2016.7547050.
Texte intégralSharma, Sudhir K., V. K. Sharma, Avinashi Kapoor, K. N. Tripathi, S. C. K. Misra et Subhas Chandra. « Polymeric thin film micro-opto-electronic devices ». Dans Indo-Russian Workshop on Micromechanical Systems, sous la direction de Vladimir I. Pustovoy et Vinoy K. Jain. SPIE, 1999. http://dx.doi.org/10.1117/12.369459.
Texte intégralTsang, W. T. « Future Prospects of Opto-Electronic Devices and Processings ». Dans 1991 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 1991. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.1991.d-1-1.
Texte intégralKasahara, K., I. Ogura et Y. Yamanaka. « Progress in Arrays of Opto-Electronic Bistable Devices and Sources ». Dans Optical Computing. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1991. http://dx.doi.org/10.1364/optcomp.1991.ma1.
Texte intégralKaul, Anupama B. « Chemically and mechanically exfoliated MoS2 for electronic & ; opto-electronic devices ». Dans 2016 Lester Eastman Conference on High Performance Devices (LEC). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/lec.2016.7578920.
Texte intégralRapports d'organisations sur le sujet "Opto-electronic Devices"
Brandelik, Joseph. Nonlinear Optical (NLO) Polymer Opto-Electronic Devices. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, juillet 2000. http://dx.doi.org/10.21236/ada384482.
Texte intégralBulovic, Vladimir. PECASE : Nanostructure Hybrid Organic/Inorganic Materials for Active Opto-Electronic Devices. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, janvier 2011. http://dx.doi.org/10.21236/ada547102.
Texte intégralOsgood, Richard M., et Jr. Selective Processing Techniques For Electronic And Opto-Electronic Applications : Quantum-Well Devices and Integrated Optic Circuits. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, septembre 1995. http://dx.doi.org/10.21236/ada299161.
Texte intégralOsgood, Jr, et Richard M. Selective Processing Techniques for Electronics and Opto-Electronic Applications : Quantum-Well Devices and Integrated Optic Circuits. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, février 1993. http://dx.doi.org/10.21236/ada262887.
Texte intégralMishra, Umesh K. The Study of the Materials Properties of LTG (Al) GaAs and its Electronic and Opto-Electronic Device Applications. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, novembre 1995. http://dx.doi.org/10.21236/ada301931.
Texte intégral